JPS6127111Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6127111Y2 JPS6127111Y2 JP1982005236U JP523682U JPS6127111Y2 JP S6127111 Y2 JPS6127111 Y2 JP S6127111Y2 JP 1982005236 U JP1982005236 U JP 1982005236U JP 523682 U JP523682 U JP 523682U JP S6127111 Y2 JPS6127111 Y2 JP S6127111Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching element
- transistor
- capacitor
- turned
- induction heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 101000684181 Homo sapiens Selenoprotein P Proteins 0.000 description 2
- 102100023843 Selenoprotein P Human genes 0.000 description 2
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229940119265 sepp Drugs 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
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- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、シングルエンデイツド．プツシユプ
ル（SEPP）インバータを使用した誘導加熱調理
器に関し、特にインバータに発生するサージ電圧
の抑制を目的とする。
ル（SEPP）インバータを使用した誘導加熱調理
器に関し、特にインバータに発生するサージ電圧
の抑制を目的とする。
従来、SEPPインバータを使用した誘導加熱調
理器として、第１図に示す原理的回路を使用した
ものが提案されている。図中、Ｑ１，Ｑ２は
各々、第１スイツチング素子及び第２スイツチン
グ素子となる第１トランジスタ及び第２トランジ
スタで、ともにnpn型トランジスタが使用され、
第１トランジスタＱ１のコレクタが、高電位電源
＋Vcc（約400V）に、また第２トランジスタＱ２
のエミツタが、低電位直流電源（ゼロ電位）に接
続されている。上記第１，第２スイツチング素子
Ｑ１，Ｑ２としては、トランジスタのほかGTO
（ゲートターンオフサイリスタ）を使用すること
もできる。Ｄ１，Ｄ２は、第１，第２トランジス
タＱ１，Ｑ２に逆並列に接続されたフライホイル
ダイオード、１は第１トランジスタＱ１に並列に
接続された負荷回路で、誘導加熱コイルＬ１及び
共振コンデンサＣ１よりなる。鉄系金属よりなる
調理鍋は、誘導加熱コイルＬ１上に近接配置され
る。
理器として、第１図に示す原理的回路を使用した
ものが提案されている。図中、Ｑ１，Ｑ２は
各々、第１スイツチング素子及び第２スイツチン
グ素子となる第１トランジスタ及び第２トランジ
スタで、ともにnpn型トランジスタが使用され、
第１トランジスタＱ１のコレクタが、高電位電源
＋Vcc（約400V）に、また第２トランジスタＱ２
のエミツタが、低電位直流電源（ゼロ電位）に接
続されている。上記第１，第２スイツチング素子
Ｑ１，Ｑ２としては、トランジスタのほかGTO
（ゲートターンオフサイリスタ）を使用すること
もできる。Ｄ１，Ｄ２は、第１，第２トランジス
タＱ１，Ｑ２に逆並列に接続されたフライホイル
ダイオード、１は第１トランジスタＱ１に並列に
接続された負荷回路で、誘導加熱コイルＬ１及び
共振コンデンサＣ１よりなる。鉄系金属よりなる
調理鍋は、誘導加熱コイルＬ１上に近接配置され
る。
第２図は、その動作波形図を示し、第１，第２
トランジスタＱ１，Ｑ２の各ベースには、オン．
オフ信号Ａ，Ｂが各々印加される。まず信号Ｂに
より第２トランジスタＱ２がオンとなると、駆動
電流Ｉ１が、誘導加熱コイルＬ１、共振コンデン
サＣ１及び第２トランジスタＱ２を通つて流れ、
第２トランジスタＱ２がオフ、第１トランジスタ
Ｑ１がオンになると、誘導加熱コイルＬ１、共振
コンデンサＣ１及びダイオードＤ１を通つて循環
電流Ｉ２が流れる。この循環電流Ｉ２がゼロにな
ると、負荷回路２を流れる電流が反転し、第１ト
ランジスタＱ１、共振コンデンサＣ１及び誘導加
熱コイルＬ１を通つて駆動電流Ｉ３が流れる。続
いて、再び第２トランジスタＱ２がオン、第１ト
ランジスタＱ１がオフとなるが、しばらくの間ダ
イオードＤ２、共振コンデンサＣ１及び誘導加熱
コイルＬ１を通つて循環電流Ｉ４が流れる。第３
図は、第１トランジスタＱ１のオン．オフ期間割
合を等しくし、他方、第２トランジスタＱ２のオ
ン期間を、第１トランジスタＱ１のオフ期間内に
おいてデユーテイ制御した場合の負荷電流波形を
示し、第１トランジスタＱ１のオフ期間を最大、
ゼロを最小として任意に電流値を制御することが
できる。第１トランジスタＱ１は、エミツタ電位
が不安定に変化するために、そのデユーテイ制御
は難しく、これを行なうには複雑な回路を必要と
するが、第２トランジスタＱ２は、エミツタ電位
が低電位（アース電位）に固定されているために
そのデユーテイ制御は容易である。
トランジスタＱ１，Ｑ２の各ベースには、オン．
オフ信号Ａ，Ｂが各々印加される。まず信号Ｂに
より第２トランジスタＱ２がオンとなると、駆動
電流Ｉ１が、誘導加熱コイルＬ１、共振コンデン
サＣ１及び第２トランジスタＱ２を通つて流れ、
第２トランジスタＱ２がオフ、第１トランジスタ
Ｑ１がオンになると、誘導加熱コイルＬ１、共振
コンデンサＣ１及びダイオードＤ１を通つて循環
電流Ｉ２が流れる。この循環電流Ｉ２がゼロにな
ると、負荷回路２を流れる電流が反転し、第１ト
ランジスタＱ１、共振コンデンサＣ１及び誘導加
熱コイルＬ１を通つて駆動電流Ｉ３が流れる。続
いて、再び第２トランジスタＱ２がオン、第１ト
ランジスタＱ１がオフとなるが、しばらくの間ダ
イオードＤ２、共振コンデンサＣ１及び誘導加熱
コイルＬ１を通つて循環電流Ｉ４が流れる。第３
図は、第１トランジスタＱ１のオン．オフ期間割
合を等しくし、他方、第２トランジスタＱ２のオ
ン期間を、第１トランジスタＱ１のオフ期間内に
おいてデユーテイ制御した場合の負荷電流波形を
示し、第１トランジスタＱ１のオフ期間を最大、
ゼロを最小として任意に電流値を制御することが
できる。第１トランジスタＱ１は、エミツタ電位
が不安定に変化するために、そのデユーテイ制御
は難しく、これを行なうには複雑な回路を必要と
するが、第２トランジスタＱ２は、エミツタ電位
が低電位（アース電位）に固定されているために
そのデユーテイ制御は容易である。
第４図及び第５図は、動作電流Ｉ１の波形及び
第２トランジスタＱ２のコレクタ．エミツタ間電
圧ＶCEを示す。誘導加熱コイルＬ１上に調理鍋が
置かれた場合の等価インダクタンスと、共振コン
デンサＣ１との共振周波数が第１，第２トランジ
スタＱ１，Ｑ２の動作周波数と一致している場合
には、負荷電流ILのゼロ点と駆動信号Ａ，Ｂの
切換り時点が一致するため、サージ電圧の発生は
生じない（第４図）。然しながら、実際には、誘
導加熱コイルＬ１と鍋との等価インダクタンス
は、鍋の材質により大きく変化して、共振周波数
も、これに伴つて変動する。この共振周波数が、
第１，第２トランジスタＱ１，Ｑ２の動作周波数
よりも低くなると、第５図に示す如く第２トラン
ジスタＱ２オフ時ｔ１第２トランジスタＱ２のコ
レクタ電圧ＶCEに約500ないし600V程度のサージ
電圧Ｐが発生する。このサージ電圧Ｐは、フライ
ホイルダイオードＤ１，Ｄ２のスイツチング遅れ
と配線材料による配線インダクタンスが理想的な
形でゼロであれば発生しないが、実際には、これ
らをなくすことは不可能であり、サージ電圧の発
生は避けられない。かかるサージ電圧は、第２ト
ランジスタＱ２の破壊原因となる。
第２トランジスタＱ２のコレクタ．エミツタ間電
圧ＶCEを示す。誘導加熱コイルＬ１上に調理鍋が
置かれた場合の等価インダクタンスと、共振コン
デンサＣ１との共振周波数が第１，第２トランジ
スタＱ１，Ｑ２の動作周波数と一致している場合
には、負荷電流ILのゼロ点と駆動信号Ａ，Ｂの
切換り時点が一致するため、サージ電圧の発生は
生じない（第４図）。然しながら、実際には、誘
導加熱コイルＬ１と鍋との等価インダクタンス
は、鍋の材質により大きく変化して、共振周波数
も、これに伴つて変動する。この共振周波数が、
第１，第２トランジスタＱ１，Ｑ２の動作周波数
よりも低くなると、第５図に示す如く第２トラン
ジスタＱ２オフ時ｔ１第２トランジスタＱ２のコ
レクタ電圧ＶCEに約500ないし600V程度のサージ
電圧Ｐが発生する。このサージ電圧Ｐは、フライ
ホイルダイオードＤ１，Ｄ２のスイツチング遅れ
と配線材料による配線インダクタンスが理想的な
形でゼロであれば発生しないが、実際には、これ
らをなくすことは不可能であり、サージ電圧の発
生は避けられない。かかるサージ電圧は、第２ト
ランジスタＱ２の破壊原因となる。
本考案は、このようなサージ電圧の発生を抑制
するためなされたものである。第６図は、本考案
一実施例を示し、第１図と同一の部分には同一符
号を付している。図中、２は、第１、第２トラン
ジスタＱ１，Ｑ２の制御回路で、第１トランジス
タＱ１は、50％のオン．オフ割合で駆動され、第
２トランジスタＱ２は、第１トランジスタＱ１の
オフ期間内において、任意の期間オン駆動され
る。すなわち、第２トランジスタＱ２のオン．オ
フ割合によつて出力制御が行なわれる。Ｃ２は、
第１トランジスタＱ１に並列に接続されたコンデ
ンサで、サージ電圧を抑制すべく動作する。第７
図につきその動作を説明すると、第２トランジス
タＱ２がオンからオフに変る時点ｔ１では、コン
デンサＣ２に流れる電流Iscは、図中矢印方向
（充電）に流れ、サージ電圧の発生を抑制する。
すなわちこのとき第２トランジスタＱ２のコレク
タ電圧ＶCEとして現われる電圧P′は、約420ない
し430V程度であり、トランジスタＱ２が破壊さ
れる惧れはない。コンデンサＣ２の充電電圧は、
第２トランジスタＱ２のオフ直後に、ダイオード
Ｄ１がオン状態となるために、充電直後に放電さ
れる。第２トランジスタＱ２が、オフからオンに
変る時点ｔ０，ｔ２においても、コンデンサＣ２
に充電々流が流れるが、先にダイオードＤ２を通
して逆方向電流が流れているためその値は小さ
く、またその直後に放電される。
するためなされたものである。第６図は、本考案
一実施例を示し、第１図と同一の部分には同一符
号を付している。図中、２は、第１、第２トラン
ジスタＱ１，Ｑ２の制御回路で、第１トランジス
タＱ１は、50％のオン．オフ割合で駆動され、第
２トランジスタＱ２は、第１トランジスタＱ１の
オフ期間内において、任意の期間オン駆動され
る。すなわち、第２トランジスタＱ２のオン．オ
フ割合によつて出力制御が行なわれる。Ｃ２は、
第１トランジスタＱ１に並列に接続されたコンデ
ンサで、サージ電圧を抑制すべく動作する。第７
図につきその動作を説明すると、第２トランジス
タＱ２がオンからオフに変る時点ｔ１では、コン
デンサＣ２に流れる電流Iscは、図中矢印方向
（充電）に流れ、サージ電圧の発生を抑制する。
すなわちこのとき第２トランジスタＱ２のコレク
タ電圧ＶCEとして現われる電圧P′は、約420ない
し430V程度であり、トランジスタＱ２が破壊さ
れる惧れはない。コンデンサＣ２の充電電圧は、
第２トランジスタＱ２のオフ直後に、ダイオード
Ｄ１がオン状態となるために、充電直後に放電さ
れる。第２トランジスタＱ２が、オフからオンに
変る時点ｔ０，ｔ２においても、コンデンサＣ２
に充電々流が流れるが、先にダイオードＤ２を通
して逆方向電流が流れているためその値は小さ
く、またその直後に放電される。
以上のように本考案によれば、第１スイツチン
グ素子に並列コンデンサを接続することにより、
第２スイツチング素子オフ時に該素子間に発生す
るサージ電圧を抑制することができるから、スイ
ツチング素子に加わる負担を軽減することがで
き、それ故、該素子の寿命を長くすることが可能
となる。
グ素子に並列コンデンサを接続することにより、
第２スイツチング素子オフ時に該素子間に発生す
るサージ電圧を抑制することができるから、スイ
ツチング素子に加わる負担を軽減することがで
き、それ故、該素子の寿命を長くすることが可能
となる。
第１図は、従来回路図、第２図ないし第５図は
同例波形図、第６図は本考案一実施例回路図、第
７図は同例波形図である。 Ｑ１……第１トランジスタ、Ｑ２……第２トラ
ンジスタ、１……負荷回路、Ｌ１……誘導加熱コ
イル、Ｃ１……共振コンデンサ、Ｃ２……サージ
電圧抑制コンデンサ、２……制御回路。
同例波形図、第６図は本考案一実施例回路図、第
７図は同例波形図である。 Ｑ１……第１トランジスタ、Ｑ２……第２トラ
ンジスタ、１……負荷回路、Ｌ１……誘導加熱コ
イル、Ｃ１……共振コンデンサ、Ｃ２……サージ
電圧抑制コンデンサ、２……制御回路。
Claims (1)
- 直流電源、該直流電源間に直列接続され高電位
側に第１スイツチング素子が、低電位側に第２ス
イツチング素子が配されてなる一対のスイツチン
グ素子、上記第１スイツチング素子に並列接続さ
れた誘導加熱コイル及び共振コンデンサよりなる
負荷回路、上記第１スイツチング素子を所定周期
でオン．オフするとともに上記第２スイツチング
素子を第１スイツチング素子のオフ期間において
任意の期間オンとする制御回路、上記第１スイツ
チング素子のコレクタ．エミツタ間に並列接続さ
れたコンデンサを備えてなる誘導加熱調理器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP523682U JPS58107599U (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 誘導加熱調理器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP523682U JPS58107599U (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 誘導加熱調理器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107599U JPS58107599U (ja) | 1983-07-22 |
| JPS6127111Y2 true JPS6127111Y2 (ja) | 1986-08-13 |
Family
ID=30018047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP523682U Granted JPS58107599U (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 誘導加熱調理器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107599U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57168993U (ja) * | 1981-04-14 | 1982-10-25 |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP523682U patent/JPS58107599U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58107599U (ja) | 1983-07-22 |
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