JPS5821792B2 - 誘導加熱装置 - Google Patents
誘導加熱装置Info
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- JPS5821792B2 JPS5821792B2 JP53094846A JP9484678A JPS5821792B2 JP S5821792 B2 JPS5821792 B2 JP S5821792B2 JP 53094846 A JP53094846 A JP 53094846A JP 9484678 A JP9484678 A JP 9484678A JP S5821792 B2 JPS5821792 B2 JP S5821792B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- power
- power supply
- transistor
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/06—Control, e.g. of temperature, of power
- H05B6/062—Control, e.g. of temperature, of power for cooking plates or the like
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は誘導加熱装置に関するもので、特にその制御回
路に関する。
路に関する。
高周波磁束により誘導加熱する誘導加熱装置あるいはそ
の応用である誘導加熱調理器の周波数変換装置は、パワ
ースイッチング半導体を高速でオンオフさせて直流又は
低周波交流電力を高周波電力に変換するものであるが、
パワースイッチング半導体をドライブする制御電力は、
家庭用１００Ｖ１．２ＫＷの誘導加熱調理器においてさ
え大電力を必要とし、制御回路電源用として低電圧に変
換する低周波電源トランス又は他の電圧変換手段が大型
となり、高価格となる欠点があった。
の応用である誘導加熱調理器の周波数変換装置は、パワ
ースイッチング半導体を高速でオンオフさせて直流又は
低周波交流電力を高周波電力に変換するものであるが、
パワースイッチング半導体をドライブする制御電力は、
家庭用１００Ｖ１．２ＫＷの誘導加熱調理器においてさ
え大電力を必要とし、制御回路電源用として低電圧に変
換する低周波電源トランス又は他の電圧変換手段が大型
となり、高価格となる欠点があった。
本発明は、以上の欠点を除き、高周波誘導加熱装置の電
源回路を小型化、軽量化、低廉化するものである。
源回路を小型化、軽量化、低廉化するものである。
以下図面に従かい詳細な説明を行なう。
第１図は本発明による高周波誘導加熱装置の周波数変換
装置の一実施例であり、第２図はその制御回路の一部の
具体的実施例である。
装置の一実施例であり、第２図はその制御回路の一部の
具体的実施例である。
第１図において、低周波交流電源１より整流回路２に交
流電圧を加え、直流電圧に変換する。
流電圧を加え、直流電圧に変換する。
整流回路２の出力端子Ｖ１．Ｖ２には、インバータ回路
３を接続する。
３を接続する。
インバータ回路３は、制御回路４により直流電力を高周
波電力に変換する。
波電力に変換する。
インバータ回路３は、整流回路２の出力端子■１．■２
間に入力コンデンサ３０を接続し、また端子Ｖ１゜■２
間に加熱コイル３１と共振用コンデンサ３２の共振回路
を接続する。
間に入力コンデンサ３０を接続し、また端子Ｖ１゜■２
間に加熱コイル３１と共振用コンデンサ３２の共振回路
を接続する。
共振用コンデンサ３２と並列関係にクーンオフ制御可能
なパワースイッチング半導体（以後トランジスタと称す
）３３を接続する。
なパワースイッチング半導体（以後トランジスタと称す
）３３を接続する。
トランジスタ３３のコレクタ・エミッタ間にダイオード
３４を逆並列接続する。
３４を逆並列接続する。
第１図において、共振用コンデンサ３２は、加熱コイル
３１と並列接続してもよい。
３１と並列接続してもよい。
トランジスタ３３は、制御回路４により周期的にオンオ
フ制御される。
フ制御される。
整流回路２の■出力端子を■１、○出力端子を■２とし
、○出力端子■２は、制御回路４のアースと接続される
。
、○出力端子■２は、制御回路４のアースと接続される
。
制御回路４は、電源回路４１、発振制御回路４２、パル
スドライブ回路４３よりなる。
スドライブ回路４３よりなる。
電源回路４１は、制御回路４の他のブロックへ直流電力
を供給するもので、整流回路２の■出力端子■１および
パルスドライブ回路４３の低圧出力端子４０Ｃより直流
電力を供給される。
を供給するもので、整流回路２の■出力端子■１および
パルスドライブ回路４３の低圧出力端子４０Ｃより直流
電力を供給される。
電源回路４１の高圧直流出力ＶＢはパルスドライブ回路
４３へ、低圧電流出力■ｃｃは発振制御回路４２に加え
られる。
４３へ、低圧電流出力■ｃｃは発振制御回路４２に加え
られる。
■出力端子■１よりダイオード４１０を介してコンデン
サ４１２にライン電圧を加える。
サ４１２にライン電圧を加える。
コンデンサ４１２と並列関係に抵抗４１３とコンデンサ
４１４の直列回路を並列接続する。
４１４の直列回路を並列接続する。
ダイオード４１０の出力電圧、すなわちコンデンサ４１
２の電圧をＶＢとし、コンデンサ４１４の電圧をＶＯＯ
とする。
２の電圧をＶＢとし、コンデンサ４１４の電圧をＶＯＯ
とする。
抵抗４１３の電圧降下によりコンデンサ４１４の電圧Ｖ
ｃｏは数十■になる。
ｃｏは数十■になる。
発振制御回路４２は低電圧で動作し、トランジスタ３３
のコレクタ接続端子４２０からの信号を入力同期信号と
して、周期的にオンオフする制御信号Ｐを発生させる。
のコレクタ接続端子４２０からの信号を入力同期信号と
して、周期的にオンオフする制御信号Ｐを発生させる。
パルスドライブ回路４３は、トランジスタ３３をオンオ
フさせるパワードライブ、・回路で、制御信号Ｐに応じ
てパルストランス４３０の一次巻線と直列接続されたス
イッチング半導体であるドライバートランジスタ４３１
をオンオフし、パルストランス４３０の２次巻線の順方
向電流でトランジスタ３３をターンオンさせ、はねか。
フさせるパワードライブ、・回路で、制御信号Ｐに応じ
てパルストランス４３０の一次巻線と直列接続されたス
イッチング半導体であるドライバートランジスタ４３１
をオンオフし、パルストランス４３０の２次巻線の順方
向電流でトランジスタ３３をターンオンさせ、はねか。
えり逆電流でターンオフさせる。
トランジスタ４３１のベース−エミッタ間には抵抗４３
２を接続し、スイッチング特性を向上させる。
２を接続し、スイッチング特性を向上させる。
パルストランス４３０の２次巻線は２つあり、２次巻線
出力端子４３０ａ、４３０ｂ間にはトランジスタ 。
出力端子４３０ａ、４３０ｂ間にはトランジスタ 。
３３のベースドライブ電流が流れ、２次巻線出力端子４
３０ｃには、電源回路４１の低電圧側コンデンサ４１４
への充電々流が流れる。
３０ｃには、電源回路４１の低電圧側コンデンサ４１４
への充電々流が流れる。
２次巻線出力端子４３０ａより抵抗４３３を介してトラ
ンジスタ３３のベースへ接続し、２次巻線出力端子４３
０ｂはトランジスタ３３のエミッタに接続される。
ンジスタ３３のベースへ接続し、２次巻線出力端子４３
０ｂはトランジスタ３３のエミッタに接続される。
低抵抗４３４はトランジスタ３３のベースエミッタ間に
接続される。
接続される。
また、２次巻線出力端子４３０ｃよりダイオード４３５
を介し、低圧出力端子４０ｃに接続される。
を介し、低圧出力端子４０ｃに接続される。
パルストランス４３０の２次巻線は、第１図に示すよう
にセンタタップをとり、センタタップを端子４３０ｂと
し、ドライバートランジスタ４３１がオンした時、２次
巻線出力端子４３０ａがの出力になる。
にセンタタップをとり、センタタップを端子４３０ｂと
し、ドライバートランジスタ４３１がオンした時、２次
巻線出力端子４３０ａがの出力になる。
ドライバートランジスタ４３１がオフした時、トランジ
スタ３３のベース−エミッタ間には、パルストランス４
３０のはねかえり逆電流が流れ、同時に、ダイオード４
３５を介してコンデンサ４１４を充電する０ 第２図は本考案の具体的実施例であり、整流回路′２の
■出力端子■１よりダイオード４１０を介してコンデン
サ４１２を充電し、さらに抵抗４１３を介してコンデン
サ４１４を充電する。
スタ３３のベース−エミッタ間には、パルストランス４
３０のはねかえり逆電流が流れ、同時に、ダイオード４
３５を介してコンデンサ４１４を充電する０ 第２図は本考案の具体的実施例であり、整流回路′２の
■出力端子■１よりダイオード４１０を介してコンデン
サ４１２を充電し、さらに抵抗４１３を介してコンデン
サ４１４を充電する。
コンデンサ４１４より定電圧回路を構成するトランジス
タ４１５のコレクタに接続し、トランジスタ４１５のエ
ミッターアース間にコンデンサ４１８を接続する。
タ４１５のコレクタに接続し、トランジスタ４１５のエ
ミッターアース間にコンデンサ４１８を接続する。
トランジスタ４１５のコレクターベース間に抵抗４１７
を接続し、ベース−アース間にツェナーダイオード４１
６を接続する。
を接続し、ベース−アース間にツェナーダイオード４１
６を接続する。
トランジスタ４１５のエミツク出力電圧ＶＤＤが発振制
御回路４２の直流電源となる。
御回路４２の直流電源となる。
また、コンデンサ４１４よりＰＮＰトランジスタ４３６
のエミッタを接続し、ＰＮＰトランジスタ４３６のコレ
クタより抵抗４３７を介して、ドライバートランジスタ
４３１をオンオフさせる。
のエミッタを接続し、ＰＮＰトランジスタ４３６のコレ
クタより抵抗４３７を介して、ドライバートランジスタ
４３１をオンオフさせる。
ＰＮＰ ｌ−ランジスク４３６のベースは抵抗４３８を
介してトランジスタ４４０によりオンオフ制御されるが
、トランジスタ４４０は発振制御回路４２の制御信号Ｐ
′により制御される。
介してトランジスタ４４０によりオンオフ制御されるが
、トランジスタ４４０は発振制御回路４２の制御信号Ｐ
′により制御される。
上記構成によれば、インバータ回路３が発振しない状態
、すなわちトランジスタ３３のベースドライブ電流が、
制御回路４より供給されない状態においては、制御回路
の消費電力は非常に少なく、ダイオード４１０、抵抗４
１３を介して充電されるエネルギーで十分である。
、すなわちトランジスタ３３のベースドライブ電流が、
制御回路４より供給されない状態においては、制御回路
の消費電力は非常に少なく、ダイオード４１０、抵抗４
１３を介して充電されるエネルギーで十分である。
しかし、ドライバートランジスタ４３１をオンオフさせ
る時には、消費電力が増加するので、パルストランスよ
り消費電力を供給するようになっている。
る時には、消費電力が増加するので、パルストランスよ
り消費電力を供給するようになっている。
なお、ドライバートランジスタ４３１と並列関係に接続
された、コンデンサ４４１と抵抗４４２の直列回路はサ
ージ吸収用である。
された、コンデンサ４４１と抵抗４４２の直列回路はサ
ージ吸収用である。
第１図、第２図に示すパルストランス４３０の２次巻線
はセンタタップ方式を示したが、もちろん、２次巻線を
２ヶ設け、低電圧コンデンサ４１４充電用巻線を専用に
作ってもよい。
はセンタタップ方式を示したが、もちろん、２次巻線を
２ヶ設け、低電圧コンデンサ４１４充電用巻線を専用に
作ってもよい。
その時には、ドライバートランジスタ４３１のオン時、
あるいはオフ時に低電圧コンデンサ４１４を充電するか
どうかは問題ではない。
あるいはオフ時に低電圧コンデンサ４１４を充電するか
どうかは問題ではない。
しかし、実施例の如き、センタータップ方式では、ドラ
イバートランジスタ４３１のオフ時に低電圧コンデンサ
４１４を充電する方法がよく、その方がトランジスタ３
３のベースドライブ波形に影響を与えない。
イバートランジスタ４３１のオフ時に低電圧コンデンサ
４１４を充電する方法がよく、その方がトランジスタ３
３のベースドライブ波形に影響を与えない。
以上述べた如く、本発明は、インバータ回路のパワース
イッチング半導体をドライブするパルストランスの２次
巻線より制御回路の直流電源回路にエネルギーをフィー
ドバックし、従来の低周波トランスをなくすものである
。
イッチング半導体をドライブするパルストランスの２次
巻線より制御回路の直流電源回路にエネルギーをフィー
ドバックし、従来の低周波トランスをなくすものである
。
しかるに、パルストランスは通常高周波でスイッチング
されるので、小型化、軽量化され、エネルギーを伝送で
きる。
されるので、小型化、軽量化され、エネルギーを伝送で
きる。
したがって、発振起動する前には、インバータ回路の直
流電源からエネルギー供給され、発振すると、パルスト
ランスよりエネルギー供給されるのでζ電源回路の損失
が非常に少なく、整流回路も簡単になる。
流電源からエネルギー供給され、発振すると、パルスト
ランスよりエネルギー供給されるのでζ電源回路の損失
が非常に少なく、整流回路も簡単になる。
また、従来の低周波トランスの場合、ダイオードの数が
多かったが、本発明によればダイオードを減らすことが
できる。
多かったが、本発明によればダイオードを減らすことが
できる。
さらに本発明ではパルストランスの２次巻線にセンタタ
ップを設けるだけでよく、パルストランスの価格はほと
んど上がらないため、低価格化も可能である等、犬なる
効果を有するものである。
ップを設けるだけでよく、パルストランスの価格はほと
んど上がらないため、低価格化も可能である等、犬なる
効果を有するものである。
第１図は本発明による誘導加熱装置の一実施例構成図、
第２図は本発明による制御回路の一部の実施例回路図で
ある。 １・・・・・・低周波交流電源、２・・・・・・整流回
路、３・・・・・・インバータ回路、３１・・・・・・
加熱コイル、３２・・・・・・共振用コンデンサ、３３
・・・・・・パワースイッチング半導体、４・・・・・
・制御回路、４１・・・・・・電源回路、４２・・・・
・・発振制御回路、４３・・・・・・パルスドライブ回
路、４１３・・・・・・抵抗、４１４・・・・・・コン
デンサ、４３０・・・・・・パルストランス、４３１・
・・・・・トランジスタ（スイッチング半導体）、４３
５・・・・・・ダイオード（フィードバック用）。
第２図は本発明による制御回路の一部の実施例回路図で
ある。 １・・・・・・低周波交流電源、２・・・・・・整流回
路、３・・・・・・インバータ回路、３１・・・・・・
加熱コイル、３２・・・・・・共振用コンデンサ、３３
・・・・・・パワースイッチング半導体、４・・・・・
・制御回路、４１・・・・・・電源回路、４２・・・・
・・発振制御回路、４３・・・・・・パルスドライブ回
路、４１３・・・・・・抵抗、４１４・・・・・・コン
デンサ、４３０・・・・・・パルストランス、４３１・
・・・・・トランジスタ（スイッチング半導体）、４３
５・・・・・・ダイオード（フィードバック用）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加熱コイルおよびパワースイッチング半導体を含み
、直流電力を高周波電力に変換するインバータ回路と、
その制御回路を有し、前記制御回路は電源回路、発振制
御回路、およびパルスドライブ回路で構成され、前記パ
ルスドライブ回路は、前記インバータ回路の直流電源間
に接続されたパ。 ルストランスの１次巻線とスイッチング半導体の直列回
路を有し、かつ前記パルストランスの２次巻線は２組の
出力端子を有し、前記出力端子の一方は前記インバータ
回路のパワースイッチング素子の駆動入力端子へ接続さ
れ、前記出力端子の他方は整流ダイオードを介して前記
制御回路の電源回路に接続してなり、前記パルスドライ
ブ回路のスイッチング半導体のオフ時に前記電源回路に
エネルギーをフィードバックする誘導加熱装置。 ２ 電源回路は、前記インバータ回路の直流電源より抵
抗を介して接続されるコンデンサを有し、前記パルスド
ライブ回路より、前記インパーク回路発振時充電される
特許請求の範囲第１項記載の誘導加熱装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53094846A JPS5821792B2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | 誘導加熱装置 |
| US06/050,757 US4277667A (en) | 1978-06-23 | 1979-06-21 | Induction heating apparatus with negative feedback controlled pulse generation |
| GB7921772A GB2025094B (en) | 1978-06-23 | 1979-06-22 | Induction heating control apparatus |
| CA330,657A CA1128139A (en) | 1978-06-23 | 1979-06-22 | Induction heating apparatus with negative feedback controlled pulse generation |
| DE2925308A DE2925308C2 (de) | 1978-06-23 | 1979-06-22 | Induktionserwärmungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53094846A JPS5821792B2 (ja) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | 誘導加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5521861A JPS5521861A (en) | 1980-02-16 |
| JPS5821792B2 true JPS5821792B2 (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=14121390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53094846A Expired JPS5821792B2 (ja) | 1978-06-23 | 1978-08-02 | 誘導加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821792B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063753U (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-04 | シャープ株式会社 | 空気調和機の室外ユニツト |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124442A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-03 | 大塚オ−ミ陶業株式会社 | 薄肉大型装飾板の施工方法 |
| WO2015063920A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機エンジニアリング株式会社 | 共振型高周波電源装置 |
-
1978
- 1978-08-02 JP JP53094846A patent/JPS5821792B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063753U (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-04 | シャープ株式会社 | 空気調和機の室外ユニツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5521861A (en) | 1980-02-16 |
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