JPS61268062A - ホットエレクトロン・トランジスタの製造方法 - Google Patents
ホットエレクトロン・トランジスタの製造方法Info
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- JPS61268062A JPS61268062A JP10936585A JP10936585A JPS61268062A JP S61268062 A JPS61268062 A JP S61268062A JP 10936585 A JP10936585 A JP 10936585A JP 10936585 A JP10936585 A JP 10936585A JP S61268062 A JPS61268062 A JP S61268062A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/7606—Transistor-like structures, e.g. hot electron transistor [HET]; metal base transistor [MBT]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に新しく開発されつつある、Ｔ
ＨＥＴ＾（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｈｏｔ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ ＴｒａｎｓｆｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）或いはＩ
ＩＥＴｏｌｏｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）と呼ばれる半導体装置の改善に関する。
ＨＥＴ＾（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｈｏｔ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ ＴｒａｎｓｆｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）或いはＩ
ＩＥＴｏｌｏｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）と呼ばれる半導体装置の改善に関する。
ＩＪ在マイクロエレクトロニクスは目覚ましい進歩を続
けているが、更にこれを飛躍させるために、従来のトラ
ンジスタとは異なる動作原理に基づく新しい半導体装置
を実現する研究が行われている。
けているが、更にこれを飛躍させるために、従来のトラ
ンジスタとは異なる動作原理に基づく新しい半導体装置
を実現する研究が行われている。
前記ＨＥＴはこの様な新しい動作原理に基づく半導体装
置であるが、そのベースコンタクトには後述の如き問題
点がありその解決が強く要望されている。
置であるが、そのベースコンタクトには後述の如き問題
点がありその解決が強く要望されている。
先に提案されたＨＥＴでは、第２図（ａ）のポテンシャ
ル図に示す動作が行われる。（Ｍ、Ｈｅｉｂｌｕｍ；
１９８０ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
Ｍｅｅｔｉｎｇ）すなわち本装置はエミッタ、ベース
、コレクタの３領域と、ベースとエミッタ及びコレクタ
との間にそれぞれポテンシャルバリアを備えている。
ル図に示す動作が行われる。（Ｍ、Ｈｅｉｂｌｕｍ；
１９８０ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
Ｍｅｅｔｉｎｇ）すなわち本装置はエミッタ、ベース
、コレクタの３領域と、ベースとエミッタ及びコレクタ
との間にそれぞれポテンシャルバリアを備えている。
この装置に例えば温度７７Ｋにおいて、エミッタをベー
スに対して負の電位とするバイアス電圧を加えたとき、
電子がエミッターベース間のバリアをトンネル効果によ
り突き抜けて、エミッタ電流Ｉ。
スに対して負の電位とするバイアス電圧を加えたとき、
電子がエミッターベース間のバリアをトンネル効果によ
り突き抜けて、エミッタ電流Ｉ。
を構成する。
この電子は相互にほぼ等しいエネルギーをもち、ベース
領域においてはエミッターベース間の電位差Ｖ□によっ
て伝導帯端に対してｅＶ、、たけ高いエネルギー準位に
ある。電子はこのエネルギーによりホットエレクトロン
状態でコレクタに向かって進み、電子相互間、電子−格
子原子間及び電子−不純物原子間の衝突を総合したこの
方向（Ｘ方向）の平均自由行程を１０とするとき、長さ
ｄｌのベース領域を電子が通過する確率はｅｘｐ（−ｄ
ｍ／１ｍ）である。
領域においてはエミッターベース間の電位差Ｖ□によっ
て伝導帯端に対してｅＶ、、たけ高いエネルギー準位に
ある。電子はこのエネルギーによりホットエレクトロン
状態でコレクタに向かって進み、電子相互間、電子−格
子原子間及び電子−不純物原子間の衝突を総合したこの
方向（Ｘ方向）の平均自由行程を１０とするとき、長さ
ｄｌのベース領域を電子が通過する確率はｅｘｐ（−ｄ
ｍ／１ｍ）である。
ベース領域に対する前記コレクタ側のバリア高さをφ９
、電子ビームのエネルギーの正常な幅の１７２をδとし
て、電子の前記エネルギー準位差のＸ成分がφ。＋δよ
り大であるときは、エミ７り電流Ｉ。の大部分はコレク
タ側のバリアφ、を越え、ベース接地電流増幅率α＝Ｉ
（／Ｉｔを１に漸近させることが出来る。
、電子ビームのエネルギーの正常な幅の１７２をδとし
て、電子の前記エネルギー準位差のＸ成分がφ。＋δよ
り大であるときは、エミ７り電流Ｉ。の大部分はコレク
タ側のバリアφ、を越え、ベース接地電流増幅率α＝Ｉ
（／Ｉｔを１に漸近させることが出来る。
このＨＥＴを半導体装置として実現した従来例の模式側
断面図を第２図世）に示す。
断面図を第２図世）に示す。
同図において、２１は半絶縁性砒化ガリウム（ＧａＡＳ
）基板、２２．２８及び２９はｎ十型ＧａＡｓコンタク
ト層、２３はｎ型ＧａＡｓコレクタ層、２４は砒化アル
ミニウムガリウム（ＡＩＧａＡｓ）バリア層、２５はｎ
型ＧａＡｓベース層、２６はＡｌＧａＡｓバリア層、２
７はｎ型ＧａＡｓエミツタ層、３０はコレクタ電極、３
１はベース電極、３２はエミッタ電極、３３は保護絶縁
膜である。
）基板、２２．２８及び２９はｎ十型ＧａＡｓコンタク
ト層、２３はｎ型ＧａＡｓコレクタ層、２４は砒化アル
ミニウムガリウム（ＡＩＧａＡｓ）バリア層、２５はｎ
型ＧａＡｓベース層、２６はＡｌＧａＡｓバリア層、２
７はｎ型ＧａＡｓエミツタ層、３０はコレクタ電極、３
１はベース電極、３２はエミッタ電極、３３は保護絶縁
膜である。
本従来例の半導体基体のコレクタ層２３乃至エミツタ層
２７は例えば下記例の如く構成されている。
２７は例えば下記例の如く構成されている。
半導体層 組成 不純物濃度 厚さａｍ −
’ ｎｍ ２７ エミッタ ＧａＡｓ ５Ｘ１０１
″１００２６ バリア Ａｌｅ、 ５Ｇａｏ、 ？
Ａ３ ノンドーズ ５０２５ ベース Ｇａ
Ａｓ ５Ｘ１０Ｉｆｆ１００２４ バリア
Ａｌｅ、２Ｇａ６．７ＡＳ ノンドープ １００２
３ コレクタ ＧａＡｓ ５Ｘ１０”
２００なお、ｎ型ＧａＡｓ層２３．２５及び２７の不
純物濃度を上記例より少なく ｌＸ１０’″’ Ｇ１
１１−３程度とする例があるが、従来例では各半導体層
の組成と不純物濃度はそれぞれ均一にされている。
’ ｎｍ ２７ エミッタ ＧａＡｓ ５Ｘ１０１
″１００２６ バリア Ａｌｅ、 ５Ｇａｏ、 ？
Ａ３ ノンドーズ ５０２５ ベース Ｇａ
Ａｓ ５Ｘ１０Ｉｆｆ１００２４ バリア
Ａｌｅ、２Ｇａ６．７ＡＳ ノンドープ １００２
３ コレクタ ＧａＡｓ ５Ｘ１０”
２００なお、ｎ型ＧａＡｓ層２３．２５及び２７の不
純物濃度を上記例より少なく ｌＸ１０’″’ Ｇ１
１１−３程度とする例があるが、従来例では各半導体層
の組成と不純物濃度はそれぞれ均一にされている。
この半導体基体にオーミック接触する電極のうちエミッ
タ及びコレクタ電極には特に問題は無いが、ベースコン
タクトの形成は容易ではない。
タ及びコレクタ電極には特に問題は無いが、ベースコン
タクトの形成は容易ではない。
すなわち本半導体装置は電子がベース領域を通過してコ
レクタに達する確率を高め、かつその走行時間を短縮す
るために、ベース層は不純物を低濃度としかつ厚さを出
来るだけ薄（することが望ましく、例えば電流増幅率β
−８程度を得るためにはベース層の厚さは前記従来例よ
り薄い２０ａｍ程度とする必要がある。
レクタに達する確率を高め、かつその走行時間を短縮す
るために、ベース層は不純物を低濃度としかつ厚さを出
来るだけ薄（することが望ましく、例えば電流増幅率β
−８程度を得るためにはベース層の厚さは前記従来例よ
り薄い２０ａｍ程度とする必要がある。
しかしながらＨＥＴはへテロ接合バイポーラトランジス
タ等とは異なり、中央のベース層がエミツタ層及びコレ
クタ層と同じくｎ型であるために、ベースコンタクト構
成部はエミッタ及びコレクタ領域等から空間的に分離し
て形成することが必要である。そのために前記従来例で
はベース層２５をやや厚く成長し、その上の半導体層２
８〜２６を選択的にエツチングして表出させたベース層
２５上に、ｎ十型ＧａＡｓ層２９を選択的に成長してコ
ンタクト領域とし、ここにベース電極３１を形成してい
る。
タ等とは異なり、中央のベース層がエミツタ層及びコレ
クタ層と同じくｎ型であるために、ベースコンタクト構
成部はエミッタ及びコレクタ領域等から空間的に分離し
て形成することが必要である。そのために前記従来例で
はベース層２５をやや厚く成長し、その上の半導体層２
８〜２６を選択的にエツチングして表出させたベース層
２５上に、ｎ十型ＧａＡｓ層２９を選択的に成長してコ
ンタクト領域とし、ここにベース電極３１を形成してい
る。
１本従来例においては、ベース電極３１のコンタクト層
２９とエミッタ１ｉ２７及びバリア層２６との間に、ベ
ース層２５が表出する領域を生じている。この領域の幅
はマスク合わせ精度等から例えば１−程度であるがここ
に表面空乏層を生じ、またバリア層２６のエツチングの
際にベース層２５が若干エツチングされることもあって
ベース層２５の抵抗値を一層る。（特願昭５９−１３９
６９２） 該構造によれば、この領域でベース層２５
に表面空乏層を生ぜず、かつエツチングに上る厚さの減
少もないが、バリア層２６はトンネル効果の確率などか
らその厚さが制限されるために、その表面空乏層がベー
ス層２５に及ぶことが多い。
２９とエミッタ１ｉ２７及びバリア層２６との間に、ベ
ース層２５が表出する領域を生じている。この領域の幅
はマスク合わせ精度等から例えば１−程度であるがここ
に表面空乏層を生じ、またバリア層２６のエツチングの
際にベース層２５が若干エツチングされることもあって
ベース層２５の抵抗値を一層る。（特願昭５９−１３９
６９２） 該構造によれば、この領域でベース層２５
に表面空乏層を生ぜず、かつエツチングに上る厚さの減
少もないが、バリア層２６はトンネル効果の確率などか
らその厚さが制限されるために、その表面空乏層がベー
ス層２５に及ぶことが多い。
またベース電極３１のコンタクト層２９の選択的成長は
煩雑であるのみならず、一旦大気中に暴露されたベース
層２５に表面準位が形成され、コンタクト層２９の再成
長後には低電子濃度のディプリーションＭ域となって抵
抗値の上昇を招いている。
煩雑であるのみならず、一旦大気中に暴露されたベース
層２５に表面準位が形成され、コンタクト層２９の再成
長後には低電子濃度のディプリーションＭ域となって抵
抗値の上昇を招いている。
以上説明した如＜、ＷＥＴのベース電極を分離するため
に表出させるベース層に生ずる表面空乏層、或いはバリ
ア層からベース層に達する空乏層、及び一旦表出したベ
ース層のコンタクト再成長層との界面近傍に生ずる低電
子濃度のディブリーシゴン領域によってそのベース抵抗
が増大し、更にベース層の厚さを薄（することが困難で
あるために電流増幅率等の特性の向上が制約されている
。
に表出させるベース層に生ずる表面空乏層、或いはバリ
ア層からベース層に達する空乏層、及び一旦表出したベ
ース層のコンタクト再成長層との界面近傍に生ずる低電
子濃度のディブリーシゴン領域によってそのベース抵抗
が増大し、更にベース層の厚さを薄（することが困難で
あるために電流増幅率等の特性の向上が制約されている
。
この問題点に対処するためにベース層の不純物源５〜６
ＸＩＯ”ａｌｌ−’程度に止まり、その効果はなお不
十分である。
ＸＩＯ”ａｌｌ−’程度に止まり、その効果はなお不
十分である。
この新しい半導体装置に期待される特性を実現するため
に、ベース抵抗増大の要因を排除して低抵抗化、ベース
層厚さの削減を可能とし、かつ煩雑なベースコンタクト
層の選択的再成長のプロセスを必要としない構造の改善
が要望されている。
に、ベース抵抗増大の要因を排除して低抵抗化、ベース
層厚さの削減を可能とし、かつ煩雑なベースコンタクト
層の選択的再成長のプロセスを必要としない構造の改善
が要望されている。
〔問題点を解決するための手段〕。
前記問題点は、半絶縁性砒化ガリウム基板上に、ｎ型砒
化ガリウム・コレクタコンタクト層、ｎ型砒化ガリウム
・コレクタ層、ノンドープの砒化アルミニウムガリウム
第１バリア層、ベース層、ノンドープの砒化アルミニウ
ムガリウム第２バリア層、ｎ型砒化ガリウム・エミッタ
層、ｎ型砒化ガリウム・エミッタコンタクト層が順次積
層され、該ベース層は複数の同一厚さを有するノンドー
プの砒化ガリウム層相互間に、シリコンのアトミックプ
レーンドーピング層がそれぞれ設けられてなり、かつ該
コレクタコンタクト層、該ベース層及び該エミッタコン
タクト層に接して金ゲルマニウム／金よりなるコレクタ
電極、ベース電極及びエミッタ電極がそれぞれ設けられ
て、該エミッタ電２バリア層を°トンネル効果により突
き抜け、ホットエレクトロン状態で該ベース層を通過し
該第１バリア層のポテンシャルレベルを越えて、該コレ
クタ層に到蓮させる本発明による半導体装置により解決
される。
化ガリウム・コレクタコンタクト層、ｎ型砒化ガリウム
・コレクタ層、ノンドープの砒化アルミニウムガリウム
第１バリア層、ベース層、ノンドープの砒化アルミニウ
ムガリウム第２バリア層、ｎ型砒化ガリウム・エミッタ
層、ｎ型砒化ガリウム・エミッタコンタクト層が順次積
層され、該ベース層は複数の同一厚さを有するノンドー
プの砒化ガリウム層相互間に、シリコンのアトミックプ
レーンドーピング層がそれぞれ設けられてなり、かつ該
コレクタコンタクト層、該ベース層及び該エミッタコン
タクト層に接して金ゲルマニウム／金よりなるコレクタ
電極、ベース電極及びエミッタ電極がそれぞれ設けられ
て、該エミッタ電２バリア層を°トンネル効果により突
き抜け、ホットエレクトロン状態で該ベース層を通過し
該第１バリア層のポテンシャルレベルを越えて、該コレ
クタ層に到蓮させる本発明による半導体装置により解決
される。
本発明によるベース層には、その厚さ方向に周期的に繰
り返してシリコン（Ｓｔ）のアトミックプレーンドーピ
ング（ａｔｏｍｉｃ ｐｌａｎｅ ｄｏｐｉｎｇ）が行
われている。アトミックプレーンドーピングによれば１
．５Ｘ１０”ａｍ−”程度と、従来通常行われている均
等なドーピングの２．５倍程度の高濃度のキャリア電子
が生成される。
り返してシリコン（Ｓｔ）のアトミックプレーンドーピ
ング（ａｔｏｍｉｃ ｐｌａｎｅ ｄｏｐｉｎｇ）が行
われている。アトミックプレーンドーピングによれば１
．５Ｘ１０”ａｍ−”程度と、従来通常行われている均
等なドーピングの２．５倍程度の高濃度のキャリア電子
が生成される。
このアトミックプレーンドーピングによる高濃度のキャ
リア電子によりベース層の抵抗率が大幅に低減し、かつ
空乏層の伸長は止められて、ベース層の低抵抗化、その
厚さの削減が可能となる。
リア電子によりベース層の抵抗率が大幅に低減し、かつ
空乏層の伸長は止められて、ベース層の低抵抗化、その
厚さの削減が可能となる。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図（ａｌは本発明の実施例の模式側断面図、同図（
ｂ）はその要部拡大図である。
ｂ）はその要部拡大図である。
同図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２乃至８は
下記のエピタキシャル成長層、１０はコレクタ電極、１
１はベース電極、１２はエミッタ電極、１３は保護絶縁
膜である。
下記のエピタキシャル成長層、１０はコレクタ電極、１
１はベース電極、１２はエミッタ電極、１３は保護絶縁
膜である。
本実施例において各エピタキシャル成長層２乃至８は、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に例えば下記例の如く分子線
エピタキシャル成長方法により順次エピタキシャル成長
されている。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に例えば下記例の如く分子線
エピタキシャル成長方法により順次エピタキシャル成長
されている。
なおベース層５の成長は次の様に行われている。
すなわち、ＡＳＳＧａビームによる厚さ約２ｎｍＯＧａ
Ａｓ層５ａの成長と、Ｇａビームを止めＳｉビームを入
射して面濃度約３ Ｘ Ｉ Ｑ ’ ｚ ｃＩｎ−ｔの
Ｓｔのアトミックプレーンドーピング５ｂとを繰り返し
、ＧａＡｓ層５ａの成長を１５回行って厚さ約３０−ａ
ｍのベース層５としている。
Ａｓ層５ａの成長と、Ｇａビームを止めＳｉビームを入
射して面濃度約３ Ｘ Ｉ Ｑ ’ ｚ ｃＩｎ−ｔの
Ｓｔのアトミックプレーンドーピング５ｂとを繰り返し
、ＧａＡｓ層５ａの成長を１５回行って厚さ約３０−ａ
ｍのベース層５としている。
半導体層 組成 不純物濃度 厚さω−’
ｎｍ ８ コンタクト ＧａＡｓ ２Ｘ１０”
５０７ エミッタ ＧａＡｓ ５ Ｘ
１０” １００６ バリア Ａ１６． ａＧａｏ
、 ６ＡＳ ノンドープ ２５５ ベース
３０５ｂ （１４層）
Ｓｉ ３Ｘ１０”ｃｍ−” −５ａ （
１５層） ＧａＡｓ ノンドープ ２４ バ
リア Ａｌｏ、 ２Ｇａｏ、 Ｊｓ ノンドープ
１００３ コレクタ ＧａＡｓ ５ｘｔｏ”
２００２ コンタクト ＧａＡｓ ２
Ｘ １０重１１２００この半導体基体に、バリア層６
を残すベース電極分離領域と、ベース層５を表出するベ
ース電極形成領域とを選択的エツチングによって設け、
金ゲルマニウム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）を蒸着し、例え
ば温度４５０℃、１５秒程度の合金化熱処理を行ってベ
ース電極１１を形成している。なおコレクタ電極１０、
エミッタ電極１２も同様にＡｕＧｅ／Ａｕを用いている
。
ｎｍ ８ コンタクト ＧａＡｓ ２Ｘ１０”
５０７ エミッタ ＧａＡｓ ５ Ｘ
１０” １００６ バリア Ａ１６． ａＧａｏ
、 ６ＡＳ ノンドープ ２５５ ベース
３０５ｂ （１４層）
Ｓｉ ３Ｘ１０”ｃｍ−” −５ａ （
１５層） ＧａＡｓ ノンドープ ２４ バ
リア Ａｌｏ、 ２Ｇａｏ、 Ｊｓ ノンドープ
１００３ コレクタ ＧａＡｓ ５ｘｔｏ”
２００２ コンタクト ＧａＡｓ ２
Ｘ １０重１１２００この半導体基体に、バリア層６
を残すベース電極分離領域と、ベース層５を表出するベ
ース電極形成領域とを選択的エツチングによって設け、
金ゲルマニウム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）を蒸着し、例え
ば温度４５０℃、１５秒程度の合金化熱処理を行ってベ
ース電極１１を形成している。なおコレクタ電極１０、
エミッタ電極１２も同様にＡｕＧｅ／Ａｕを用いている
。
本実施例のベース抵抗値は１０〜２０Ω程度で、前記従
来例の１００Ω程度に比較して顕著に低減され、その結
果電流増幅率等の特性の改善が実現されている。
来例の１００Ω程度に比較して顕著に低減され、その結
果電流増幅率等の特性の改善が実現されている。
以上説明した如く本発明によれば、ベース抵抗が低減さ
れて電流増幅率等の特性が改善され、かつ選択的再成長
が不要となり、これによってＢＥＴの開発が大きく前進
する効果が得られる。
れて電流増幅率等の特性が改善され、かつ選択的再成長
が不要となり、これによってＢＥＴの開発が大きく前進
する効果が得られる。
第１図（ａ）は本発明の実施例を示す模式側断面図、（
ｂ）はその要部拡大図、 第２図（ａｌは本装置の動作の説明図、伽）は従来例を
示す模式側断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２及び８は♂型ＧａＡｓコンタクト層、３はｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、 ４はＡｌＧａＡｓバリア層、 ５はベース層、 ５ａはノンドープのＧａＡｓ層 ５ｂはＳｉアトミックプレーンドープ層、６はＡｌＧａ
Ａｓバリア層、 ７はｎ型ＧａＡｓエミツタ層、 １０はコレクタ電極、 １１はベース電極、 １２はエミッタ電極、 １３は保護絶縁膜を示す。 特鮨Ｉト工業譚陣長草々力ｔ− ＄１ 図
ｂ）はその要部拡大図、 第２図（ａｌは本装置の動作の説明図、伽）は従来例を
示す模式側断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２及び８は♂型ＧａＡｓコンタクト層、３はｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、 ４はＡｌＧａＡｓバリア層、 ５はベース層、 ５ａはノンドープのＧａＡｓ層 ５ｂはＳｉアトミックプレーンドープ層、６はＡｌＧａ
Ａｓバリア層、 ７はｎ型ＧａＡｓエミツタ層、 １０はコレクタ電極、 １１はベース電極、 １２はエミッタ電極、 １３は保護絶縁膜を示す。 特鮨Ｉト工業譚陣長草々力ｔ− ＄１ 図
Claims (1)
- 半絶縁性砒化ガリウム基板（１）上に、ｎ型砒化ガリウ
ム・コレクタコンタクト層（２）、ｎ型砒化ガリウム・
コレクタ層（３）、ノンドープの砒化アルミニウムガリ
ウム第１バリア層（４）、ベース層（５）、ノンドープ
の砒化アルミニウムガリウム第２バリア層（６）、ｎ型
砒化ガリウム・エミッタ層（７）、ｎ型砒化ガリウム・
エミッタコンタクト層（８）が順次積層され、該ベース
層（５）は複数の同一厚さを有するノンドープの砒化ガ
リウム層（５ａ）相互間に、シリコンのアトミックプレ
ーンドーピング層（５ｂ）がそれぞれ設けられてなり、
かつ該コレクタコンタクト層（２）、該ベース層（５）
及び該エミッタコンタクト層（８）に接して金ゲルマニ
ウム／金よりなるコレクタ電極（１０）、ベース電極（
１１）及びエミッタ電極（１２）がそれぞれ設けられて
、該エミッタ電極（１２）を該ベース電極（１１）に対
し負の電位とし、該ベース電極（１１）を該コレクタ電
極（１０）に対し負の電位とするバイアス電圧を加えて
、電子を該エミッタ層（７）から該第２バリア層（６）
をトンネル効果により突き抜け、ホットエレクトロン状
態で該ベース層（５）を通過し該第１バリア層（４）の
ポテンシャルレベルを越えて、該コレクタ層（３）に到
達させることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10936585A JPS61268062A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | ホットエレクトロン・トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10936585A JPS61268062A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | ホットエレクトロン・トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61268062A true JPS61268062A (ja) | 1986-11-27 |
| JPH0422342B2 JPH0422342B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=14508382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10936585A Granted JPS61268062A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | ホットエレクトロン・トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61268062A (ja) |
-
1985
- 1985-05-23 JP JP10936585A patent/JPS61268062A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0422342B2 (ja) | 1992-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |