JPS61268063A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61268063A JPS61268063A JP10936685A JP10936685A JPS61268063A JP S61268063 A JPS61268063 A JP S61268063A JP 10936685 A JP10936685 A JP 10936685A JP 10936685 A JP10936685 A JP 10936685A JP S61268063 A JPS61268063 A JP S61268063A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/7606—Transistor-like structures, e.g. hot electron transistor [HET]; metal base transistor [MBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
- H01L29/365—Planar doping, e.g. atomic-plane doping, delta-doping
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に新しく開発されつつある、Ｔ
ＨＥＴＡ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｈｏｔ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ ＴｒａｎｓｆｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）或いはＢ
ＥＴ（）ｌｏｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）と呼ばれる半導体装置の改善に関する。
ＨＥＴＡ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｈｏｔ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ ＴｒａｎｓｆｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）或いはＢ
ＥＴ（）ｌｏｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒ）と呼ばれる半導体装置の改善に関する。
現在マイクロエレクトロニクスは目覚ましい進歩を続け
ているが、更にこれを飛躍させるために、従来のトラン
ジスタとは異なる動作原理に基づく新しい半導体装置を
実現する研究が行われている。
ているが、更にこれを飛躍させるために、従来のトラン
ジスタとは異なる動作原理に基づく新しい半導体装置を
実現する研究が行われている。
前記ＤＥＴはこの様な新しい動作原理に基づく半導体装
置であるが、そのベースヨンタクトには後述の如き問題
点がありその解決が強く要望されている。
置であるが、そのベースヨンタクトには後述の如き問題
点がありその解決が強く要望されている。
（従来の技術〕
先に提案されたＨＥＴでは、第２図（ａｌのポテンシャ
ル図に示す動作が行われる。（Ｍ、Ｈｅｉｂｌｕｍ；
１９８０ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
Ｍｅｅｔｉｎｇ）すなわち本装置はエミッタ、ベース
、コレクタの３領域を備え、ベースとエミッタ及びコレ
クタとの間にそれぞれポテンシャルバリアが設けられて
いる。この装置に例えば温度７７Ｋにおいて、エミッタ
をベースに対して負の電位とするバイアス電圧を加えた
とき、電子がエミッターベース間のバリアをトンネル効
果により突き抜けて、エミッタ電流Ｉ、を構成する。
ル図に示す動作が行われる。（Ｍ、Ｈｅｉｂｌｕｍ；
１９８０ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
Ｍｅｅｔｉｎｇ）すなわち本装置はエミッタ、ベース
、コレクタの３領域を備え、ベースとエミッタ及びコレ
クタとの間にそれぞれポテンシャルバリアが設けられて
いる。この装置に例えば温度７７Ｋにおいて、エミッタ
をベースに対して負の電位とするバイアス電圧を加えた
とき、電子がエミッターベース間のバリアをトンネル効
果により突き抜けて、エミッタ電流Ｉ、を構成する。
この電子は相互にほぼ等しいエネルギーをもち、ベース
領域においてはエミッターベース間の電位差ｖ、ｔによ
って伝導帯端に対してｅＶ、、だけ高いエネルギー準位
にある。このエネルギーをもつ電子はコレクタに向かっ
て弾劾的に進むが、電子相互□間、電子−格子原子間及
び電子−不純物原子間の衝突を総合したこの方向（Ｘ方
向）の平均自由行程を１０とするとき、長さｄｌのベー
ス領域を電子が通過する確率はｅｘｐ（−ｄ＋＋／Ｉｓ
）である。
領域においてはエミッターベース間の電位差ｖ、ｔによ
って伝導帯端に対してｅＶ、、だけ高いエネルギー準位
にある。このエネルギーをもつ電子はコレクタに向かっ
て弾劾的に進むが、電子相互□間、電子−格子原子間及
び電子−不純物原子間の衝突を総合したこの方向（Ｘ方
向）の平均自由行程を１０とするとき、長さｄｌのベー
ス領域を電子が通過する確率はｅｘｐ（−ｄ＋＋／Ｉｓ
）である。
ベース領域に対する前記コレクタ側のバリア高さをφ６
、電子ビームのエネルギーの正常な幅の１／２をδとし
て、電子の前記エネルギー準位差のＸ成分がφ、＋δよ
り大であるときは、エミッタ電流１１の大部分はコレク
タ側のバリアφゎを越え、ベース接地電流増幅率α＝１
ｃ／Ｉｔを１に漸近させることが出来る。
、電子ビームのエネルギーの正常な幅の１／２をδとし
て、電子の前記エネルギー準位差のＸ成分がφ、＋δよ
り大であるときは、エミッタ電流１１の大部分はコレク
タ側のバリアφゎを越え、ベース接地電流増幅率α＝１
ｃ／Ｉｔを１に漸近させることが出来る。
このＨＥＴを半導体装置として実現した従来例の模式側
断面図を第２図（ｂ）に示す。
断面図を第２図（ｂ）に示す。
同図において、２１は半絶縁性砒化ガリウム（ＧａＡＳ
）基板、２２．２８及び２９は１型ＧａＡｓ ：１ンタ
クト層、２３はｎ型ＧａＡｓコレクタ層、２４は砒化ア
ルミニウムガリウム（ＡＩＧａＡｓ）バリア層、２５は
ｎ型ＧａＡｓベース層、２６はＡｌＧａＡｓバリア層、
２７はｎ型ＧａＡｓエミッタ層、３０はコレクタ電極、
３１はベース電極、３２はエミッタ電極、３３は保護絶
縁膜である。
）基板、２２．２８及び２９は１型ＧａＡｓ ：１ンタ
クト層、２３はｎ型ＧａＡｓコレクタ層、２４は砒化ア
ルミニウムガリウム（ＡＩＧａＡｓ）バリア層、２５は
ｎ型ＧａＡｓベース層、２６はＡｌＧａＡｓバリア層、
２７はｎ型ＧａＡｓエミッタ層、３０はコレクタ電極、
３１はベース電極、３２はエミッタ電極、３３は保護絶
縁膜である。
本従来例の半導体基体のコレクタ層２３乃至エミッ、り
層２７は例えば下記例の如く構成されている。
層２７は例えば下記例の如く構成されている。
半導体層 組成 不純物濃度 厚さくＪ−’
ｎｍ ２７ エミッタ ＧａＡｓ ５Ｘ１０”
１００２６ バリア Ａｌ（１，１Ｇａｏ
、 ７Ａｓ ノンドープ ５０２５ ベース
ＧａＡｓ ５Ｘ１０” １００２４
バリア Ａｌｅ、 、Ｇａ、、、Ａｓ ノンドープ
１００２３ コレクタ ＧａＡｓ ５ｘ
ｔｏ” ２００なお、ｎ型ＧａＡｓ層２３．２５及
び２７の不純物濃度を上記例より少なく ｌＸｌ０”
ａｍ−’程度とする例があるが、従来例では各半導体層
の組成と不純物濃度はそれぞれ均一にされている。
ｎｍ ２７ エミッタ ＧａＡｓ ５Ｘ１０”
１００２６ バリア Ａｌ（１，１Ｇａｏ
、 ７Ａｓ ノンドープ ５０２５ ベース
ＧａＡｓ ５Ｘ１０” １００２４
バリア Ａｌｅ、 、Ｇａ、、、Ａｓ ノンドープ
１００２３ コレクタ ＧａＡｓ ５ｘ
ｔｏ” ２００なお、ｎ型ＧａＡｓ層２３．２５及
び２７の不純物濃度を上記例より少なく ｌＸｌ０”
ａｍ−’程度とする例があるが、従来例では各半導体層
の組成と不純物濃度はそれぞれ均一にされている。
この半導体基体にオーミック接触する電極のうちエミッ
タ及びコレクタ電極には特に問題は無いが、ベースコン
タクトの形成は容易ではない。
タ及びコレクタ電極には特に問題は無いが、ベースコン
タクトの形成は容易ではない。
すなわち本半導体装置は電子がベース領域を通過してコ
レクタに達する確率を高め、かつその走行時間を短縮す
るために、ベース層は不純物を低濃度としかつ厚さを出
来るだけ薄くすることが望ましく、例えばその厚さは前
記従来例より薄い１０乃至２０ｎｍ程度とすることが本
来望ましい。
レクタに達する確率を高め、かつその走行時間を短縮す
るために、ベース層は不純物を低濃度としかつ厚さを出
来るだけ薄くすることが望ましく、例えばその厚さは前
記従来例より薄い１０乃至２０ｎｍ程度とすることが本
来望ましい。
しかしながらＢＥＴはへテロ接合バイポーラトランジス
タ等とは異なり、中央のベース層がエミッタ層及びコレ
クタ層と同じくｎ型であるために、ベースコンタクト構
成部はエミッタ及びコレクタ領域等から空間的に分離し
て形成することが必要である。そのために前記従来例で
はベース層２５をやや厚く成長し、その上の半導体層２
８〜２６を選択的にエツチングして表出させたベース層
２５上に、１型ＧａＡｓ層２９を選択的に成長してコン
タクト領域とし、ここにベース電極３１を形成している
。
タ等とは異なり、中央のベース層がエミッタ層及びコレ
クタ層と同じくｎ型であるために、ベースコンタクト構
成部はエミッタ及びコレクタ領域等から空間的に分離し
て形成することが必要である。そのために前記従来例で
はベース層２５をやや厚く成長し、その上の半導体層２
８〜２６を選択的にエツチングして表出させたベース層
２５上に、１型ＧａＡｓ層２９を選択的に成長してコン
タクト領域とし、ここにベース電極３１を形成している
。
本従来例においては、ベース電極３１のコンタクト層２
９とエミッタ層２７及びバリア層２６との間に、ベース
Ｎ２５が表出する領域を生じている。この領域の幅はマ
スク合わせ着痩等から例えば１−程度であるがここに表
面空乏層を生じ、またバリア層２６のエツチングの際に
ベース層２５が若干エツチングされることもあってベー
スＮ２５の抵抗値を一層高くし、意図する電流増幅率が
得られない。
９とエミッタ層２７及びバリア層２６との間に、ベース
Ｎ２５が表出する領域を生じている。この領域の幅はマ
スク合わせ着痩等から例えば１−程度であるがここに表
面空乏層を生じ、またバリア層２６のエツチングの際に
ベース層２５が若干エツチングされることもあってベー
スＮ２５の抵抗値を一層高くし、意図する電流増幅率が
得られない。
この問題点に対処するために、エミッターベースコンタ
クト層間の前記ベース層２５が表出する−領域に、バリ
ア層２６を残す構造が既に提供されている。（特願昭５
９−１３９６９２） 該構造によれば、この領域でベ
ース層２５に表面空乏層を生ぜず、かつエツチングによ
る厚さの減少もないが、バリア層２６はトンネル効果の
確率などからその厚さが制限されるために、その表面空
乏層がベース層２５に及ぶことが多い。
クト層間の前記ベース層２５が表出する−領域に、バリ
ア層２６を残す構造が既に提供されている。（特願昭５
９−１３９６９２） 該構造によれば、この領域でベ
ース層２５に表面空乏層を生ぜず、かつエツチングによ
る厚さの減少もないが、バリア層２６はトンネル効果の
確率などからその厚さが制限されるために、その表面空
乏層がベース層２５に及ぶことが多い。
またベース電極３１のコンタクト層２９の選択的成長は
煩雑であるのみならず、一旦大気中に暴露されたベース
層２５に表面準位が形成され、コンタクト層２９の再成
長後には低電子濃度のディプリーション領域となって抵
抗値の上昇を招いている。
煩雑であるのみならず、一旦大気中に暴露されたベース
層２５に表面準位が形成され、コンタクト層２９の再成
長後には低電子濃度のディプリーション領域となって抵
抗値の上昇を招いている。
〔発明が解決しようとする問題点９
以上説明した如（、ＨＥＴのベース電極を分離するため
に表出させるベース層に生ずる表面空乏層、或いはバリ
ア層からベース層に達する空乏層、及び−・旦表出した
ベース層のコンタクト再成長層との界面近傍に生ずる低
電子濃度のディプリーション領域によって、そのベース
抵抗が増大している。
に表出させるベース層に生ずる表面空乏層、或いはバリ
ア層からベース層に達する空乏層、及び−・旦表出した
ベース層のコンタクト再成長層との界面近傍に生ずる低
電子濃度のディプリーション領域によって、そのベース
抵抗が増大している。
この新しい半導体装置に期待される特性を実現するため
に、ベース抵抗増大の要因を排除し、かつ煩雑なベース
コンタクト層の選択的再成長のプロセスを必要としない
構造の改善が要望されている。
に、ベース抵抗増大の要因を排除し、かつ煩雑なベース
コンタクト層の選択的再成長のプロセスを必要としない
構造の改善が要望されている。
前記問題点は、半絶縁性砒化ガリウム基板上に、ｎ型砒
化ガリウム・コレクタコンタクト層、ｎ型砒化ガリウム
・コレクタ層、ノンドープの砒化アルミニウムガリウム
第１バリア層、ベース層、ノンドープの砒化アルミニウ
ムガリウム第２バリア層、ｎ型砒化ガリウム・エミッタ
層、ｎ型砒化ガリウム・エミッタコンタクト層が順次積
層され、該ベース層はｎ型砒化ガリウム層と、シリコン
のフタコンタクト層に接して金ゲルマニウム／金よりな
るコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電極がそれぞ
れ設けられて、該エミッタ電極を該ベース電極に対し負
の電位とし、該ベース電極を該コレクタ電極に対し負の
電位とするバイアス電圧を加えて、電子を該エミッタ層
から該第２バリア層をトンネル効果により突き抜け、ホ
ットエレクトロン状態で該ベース層を通過し該第１バリ
ア層のポテンシャルレベルを越えて、該コレクタ層に到
達させる本発明による半導体装置により解決される。
化ガリウム・コレクタコンタクト層、ｎ型砒化ガリウム
・コレクタ層、ノンドープの砒化アルミニウムガリウム
第１バリア層、ベース層、ノンドープの砒化アルミニウ
ムガリウム第２バリア層、ｎ型砒化ガリウム・エミッタ
層、ｎ型砒化ガリウム・エミッタコンタクト層が順次積
層され、該ベース層はｎ型砒化ガリウム層と、シリコン
のフタコンタクト層に接して金ゲルマニウム／金よりな
るコレクタ電極、ベース電極及びエミッタ電極がそれぞ
れ設けられて、該エミッタ電極を該ベース電極に対し負
の電位とし、該ベース電極を該コレクタ電極に対し負の
電位とするバイアス電圧を加えて、電子を該エミッタ層
から該第２バリア層をトンネル効果により突き抜け、ホ
ットエレクトロン状態で該ベース層を通過し該第１バリ
ア層のポテンシャルレベルを越えて、該コレクタ層に到
達させる本発明による半導体装置により解決される。
本発明によれば、ベース層の上側すなわちベース電極側
の界面近傍に、シリコン（Ｓｉ）をアトミックプレーン
ドーピング（ａｔｏｍｉｃ ｐｌａｎｅ ｄｏｐｉｎｇ
） Ｌ／て非常に高濃度のキャリア電子を生成する。
の界面近傍に、シリコン（Ｓｉ）をアトミックプレーン
ドーピング（ａｔｏｍｉｃ ｐｌａｎｅ ｄｏｐｉｎｇ
） Ｌ／て非常に高濃度のキャリア電子を生成する。
なおベース層には従来と同様にドナー不純物を均等にド
ーピングするが、アトミックプレーンドーピングによる
キャリア電子“が分布する領域には、この通常のドーピ
ングは行っても、行わなくてもよい。
ーピングするが、アトミックプレーンドーピングによる
キャリア電子“が分布する領域には、この通常のドーピ
ングは行っても、行わなくてもよい。
このアトミックプレーンドーピングによる高濃度のキャ
リア電子により空乏層の伸長は止められ、。
リア電子により空乏層の伸長は止められ、。
かつベース電極を直接ベース層上に形成しても良好なオ
ーミック接触が得られて、ベース抵抗の低減が実現され
る。
ーミック接触が得られて、ベース抵抗の低減が実現され
る。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第４図（ａ）は本発明の実施例の模式側断面図、同図（
ｂｌはその要部拡大図である。
ｂｌはその要部拡大図である。
同図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２乃至８は
下記のエピタキシャル成長層、１０はコレクタ電極、１
１はベース電極、１２はエミッタ電極、１３は保護絶縁
膜である。
下記のエピタキシャル成長層、１０はコレクタ電極、１
１はベース電極、１２はエミッタ電極、１３は保護絶縁
膜である。
本実施例において各エピタキシャル成長Ｎ２乃至８は、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に例えば下記例の如く分子線
エピタキシャル成長方法により順次エピタキシャル成長
されている。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に例えば下記例の如く分子線
エピタキシャル成長方法により順次エピタキシャル成長
されている。
なおベース層５の成長は次の３段階で行われている。す
なわち、ＡＳＳＧａｓ ｓｔビームによりｎ型ＧａＡｓ
層５ａを厚さ４８ｎｍに成長した後にＧａビームを止め
、Ｓｉを面濃度約３Ｘ１０”ｃｍ−”にアトミックプレ
ーンドーピングしく５ｂ）、次いでＳｔビニムを止めＧ
ａビームを再び入射させてノンドープのＧａＡｓ層５ｃ
を厚さ２面に成長し、合計厚さを５０ｎｍとしている。
なわち、ＡＳＳＧａｓ ｓｔビームによりｎ型ＧａＡｓ
層５ａを厚さ４８ｎｍに成長した後にＧａビームを止め
、Ｓｉを面濃度約３Ｘ１０”ｃｍ−”にアトミックプレ
ーンドーピングしく５ｂ）、次いでＳｔビニムを止めＧ
ａビームを再び入射させてノンドープのＧａＡｓ層５ｃ
を厚さ２面に成長し、合計厚さを５０ｎｍとしている。
半導体層 組成 不純物濃度 厚さａｍ −
’ ｎｍ ８ コンタクト ＧａＡｓ ２Ｘ１０”
５０７ エミッタ ＧａＡｓ 、 ５Ｘ１
０” １００６ バリア Ａｌｅ、 ａＧａｏ、
＆Ａ３ ノンドープ ５０５ ベース ５ ｃ ＧａＡｓ ノンドープ ２
５ｂ Ｓｉ ３Ｘ１０”ｃｍ−
” −５ａ ＧａＡｓ ５Ｘ１０
” ４８４ バリア Ａｌｅ、 ＝Ｇａｏ、
Ｊｓ ノンドープ １００３ コレクタ ＧａＡｓ
５ｘ １０” ２００２ コンタクト
ＧａＡｓ ２ Ｘ １０自” ２００
この半導体基体に、バリア層６を残すベース電極分離領
域と、ベース層５Ｃを表出するベース電極形成領域とを
選択的エツチングによって設け、金ゲルマニウム／金（
ＡｕＧｅ／Ａｕ）を蒸着し、例えば温度４５０℃、３０
秒程度の合金化熱処理を行ってベース電極１１を形成し
ている。なおコレクタ電極１０、エミッタ電極１２も同
様にＡｕＧｅ／Ａｕを用いている。
’ ｎｍ ８ コンタクト ＧａＡｓ ２Ｘ１０”
５０７ エミッタ ＧａＡｓ 、 ５Ｘ１
０” １００６ バリア Ａｌｅ、 ａＧａｏ、
＆Ａ３ ノンドープ ５０５ ベース ５ ｃ ＧａＡｓ ノンドープ ２
５ｂ Ｓｉ ３Ｘ１０”ｃｍ−
” −５ａ ＧａＡｓ ５Ｘ１０
” ４８４ バリア Ａｌｅ、 ＝Ｇａｏ、
Ｊｓ ノンドープ １００３ コレクタ ＧａＡｓ
５ｘ １０” ２００２ コンタクト
ＧａＡｓ ２ Ｘ １０自” ２００
この半導体基体に、バリア層６を残すベース電極分離領
域と、ベース層５Ｃを表出するベース電極形成領域とを
選択的エツチングによって設け、金ゲルマニウム／金（
ＡｕＧｅ／Ａｕ）を蒸着し、例えば温度４５０℃、３０
秒程度の合金化熱処理を行ってベース電極１１を形成し
ている。なおコレクタ電極１０、エミッタ電極１２も同
様にＡｕＧｅ／Ａｕを用いている。
本実施例のベース抵抗値は２０〜３０Ω程度であり、前
記従来例では１００Ω程度であったのに比較して顕著な
改善が実現されている。
記従来例では１００Ω程度であったのに比較して顕著な
改善が実現されている。
以上説明した如く本発明によれば、ベース抵抗が低減さ
れて電流増幅率等の特性が改善され、かつ選択的再成長
が不要となり、これによってＩＩＥＴの開発が大きく前
進する効果が得られる。
れて電流増幅率等の特性が改善され、かつ選択的再成長
が不要となり、これによってＩＩＥＴの開発が大きく前
進する効果が得られる。
第１図（ａ）は本発明の実施例を示す模式側断面図、（
ｂｌはその要部拡大図、 第２図（ａ）は本装置の動作の説明図、（ｂ）は従来例
を示す模式側断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２及び８は♂型ＧａＡｓコンタクト層、３はｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、 ４はＡｌＧａＡｓバリア層、 ５は５ａ乃至５ｃよりなるベース層１ ．５ａはｎ型ＧａＡｓ層 ５ｂはＳｉアトミックプレーンドープ層、５ｃはノンド
ープのＧａＡｓ層、 ６はＡｌＧａＡｓバリア層、 ７はｎ型ＧａＡｓエミッタ層、 １０はコレクタ電極、 １１はベース電極、 １２はエミッタ電極、 １３は保護絶縁膜を示す。 椅Ｐｒジ払工業枝蛸陀欠瀉々力 ％− 革ｌ 区
ｂｌはその要部拡大図、 第２図（ａ）は本装置の動作の説明図、（ｂ）は従来例
を示す模式側断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２及び８は♂型ＧａＡｓコンタクト層、３はｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、 ４はＡｌＧａＡｓバリア層、 ５は５ａ乃至５ｃよりなるベース層１ ．５ａはｎ型ＧａＡｓ層 ５ｂはＳｉアトミックプレーンドープ層、５ｃはノンド
ープのＧａＡｓ層、 ６はＡｌＧａＡｓバリア層、 ７はｎ型ＧａＡｓエミッタ層、 １０はコレクタ電極、 １１はベース電極、 １２はエミッタ電極、 １３は保護絶縁膜を示す。 椅Ｐｒジ払工業枝蛸陀欠瀉々力 ％− 革ｌ 区
Claims (1)
- 半絶縁性砒化ガリウム基板（１）上に、ｎ型砒化ガリウ
ム・コレクタコンタクト層（２）、ｎ型砒化ガリウム・
コレクタ層（３）、ノンドープの砒化アルミニウムガリ
ウム第１バリア層（４）、ベース層（５）、ノンドープ
の砒化アルミニウムガリウム第２バリア層（６）、ｎ型
砒化ガリウム・エミッタ層（７）、ｎ型砒化ガリウム・
エミッタコンタクト層（８）が順次積層され、該ベース
層（５）はｎ型砒化ガリウム層（５ａ）と、シリコンの
アトミックプレーンドーピング層（５ｂ）と、ノンドー
プの砒化ガリウム層（５ｃ）とが順次積層されてなり、
かつ該コレクタコンタクト層（２）、該ベース層（５）
及び該エミッタコンタクト層（８）に接して金ゲルマニ
ウム／金よりなるコレクタ電極（１０）、ベース電極（
１１）及びエミッタ電極（１２）がそれぞれ設けられて
、該エミッタ電極（１２）を該ベース電極（１１）に対
し負の電位とし、該ベース電極（１１）を該コレクタ電
極（１０）に対し負の電位とするバイアス電圧を加えて
、電子を該エミッタ層（７）から該第２バリア層（６）
をトンネル効果により突き抜け、ホットエレクトロン状
態で該ベース層（５）を通過し該第１バリア層（４）の
ポテンシャルレベルを越えて、該コレクタ層（３）に到
達させることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10936685A JPS61268063A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10936685A JPS61268063A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61268063A true JPS61268063A (ja) | 1986-11-27 |
| JPH0330996B2 JPH0330996B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=14508412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10936685A Granted JPS61268063A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61268063A (ja) |
-
1985
- 1985-05-23 JP JP10936685A patent/JPS61268063A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330996B2 (ja) | 1991-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |