JPS61266349A - 誘電体組成物 - Google Patents
誘電体組成物Info
- Publication number
- JPS61266349A JPS61266349A JP60107450A JP10745085A JPS61266349A JP S61266349 A JPS61266349 A JP S61266349A JP 60107450 A JP60107450 A JP 60107450A JP 10745085 A JP10745085 A JP 10745085A JP S61266349 A JPS61266349 A JP S61266349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- multilayer
- conductor
- composition
- green sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱処理によって結晶化しうる無機誘電体組成物
であって、主として、多層電子回路用の基板材料に用い
られる誘電体組成物に関するものである。
であって、主として、多層電子回路用の基板材料に用い
られる誘電体組成物に関するものである。
従来の技術
近年、電子回路には、厚膜印刷法により簡便に回路形成
できる熱放散性の優れたセラミック基板を使用した電子
回路が使用されている。そして、より小型高性能化を実
現する為に多層電子回路基板が使用され始めている。
できる熱放散性の優れたセラミック基板を使用した電子
回路が使用されている。そして、より小型高性能化を実
現する為に多層電子回路基板が使用され始めている。
多層回路基板を製造する方法は一般的には次に述べる(
→、O−)、(→の三種類がある。
→、O−)、(→の三種類がある。
(−) セラミック焼結体上での印刷多層法(b)
グリーンシート上での印刷多層法(→ グリーンシー
ト積層多層法 (→のセラミック焼結体上での印刷多層法による多層基
板の製造方法を説明すると、第1図にそのプロセスを示
すように、まず基板となるセラミック焼結体上に第1導
体層を印刷・乾燥・焼成しくステップ1〜3)、次に第
1絶縁層を印刷・乾燥・焼成しくステップ4〜6)、そ
の上に第2絶縁層を印刷・乾燥(ステップ7.8)、第
2導体層を印刷・乾燥しくステップ9.10)、第2絶
縁層ごと一括焼成(ステップ11)する。この際、第1
及び第2絶縁層はグイアホールと呼ばれる微小孔が形成
されるように印刷し、その微小孔中に第2導体層に用い
られる材料が充填されるように第2導体層を印刷する事
により第1導体層と第2導体層とが接続される。次に第
2導体層上に第3絶縁層を印刷・乾燥・焼成し、第2絶
縁層以降と同手順で層数を重ねていく(ステップ1〜1
1)。
グリーンシート上での印刷多層法(→ グリーンシー
ト積層多層法 (→のセラミック焼結体上での印刷多層法による多層基
板の製造方法を説明すると、第1図にそのプロセスを示
すように、まず基板となるセラミック焼結体上に第1導
体層を印刷・乾燥・焼成しくステップ1〜3)、次に第
1絶縁層を印刷・乾燥・焼成しくステップ4〜6)、そ
の上に第2絶縁層を印刷・乾燥(ステップ7.8)、第
2導体層を印刷・乾燥しくステップ9.10)、第2絶
縁層ごと一括焼成(ステップ11)する。この際、第1
及び第2絶縁層はグイアホールと呼ばれる微小孔が形成
されるように印刷し、その微小孔中に第2導体層に用い
られる材料が充填されるように第2導体層を印刷する事
により第1導体層と第2導体層とが接続される。次に第
2導体層上に第3絶縁層を印刷・乾燥・焼成し、第2絶
縁層以降と同手順で層数を重ねていく(ステップ1〜1
1)。
(b)のグリーンシート上での印刷多層法による多層基
勤製造方法は、第2図にそのプロセスを示すように、ま
ず焼成後基板となるセラミックのグリーンシート上に第
1導体層を印刷・乾燥しくステップ12.13)、次に
その上に第1絶縁層を印刷・乾燥しくステップ14 、
1 es )、引き続き第2導体層、第2絶縁層の印刷
・乾燥を行ない(ステップ16〜19)、以降同手順で
層数を繰り返しくステップ12〜19)、グリーンシー
トと導体層と絶縁層とを一括焼成する(ステップ20)
ヶ (→のグリーンシート積層多層法による多層基板の製造
方法は、第3図にそのプロセスを示スように、まず複数
枚のセラミックのグリーンシートそれぞれに異なるパタ
ーンの微小孔を形成しくステップ22〜24)、それぞ
れ異なるパターンの導体層を印刷・乾燥する(ステップ
26〜30)。
勤製造方法は、第2図にそのプロセスを示すように、ま
ず焼成後基板となるセラミックのグリーンシート上に第
1導体層を印刷・乾燥しくステップ12.13)、次に
その上に第1絶縁層を印刷・乾燥しくステップ14 、
1 es )、引き続き第2導体層、第2絶縁層の印刷
・乾燥を行ない(ステップ16〜19)、以降同手順で
層数を繰り返しくステップ12〜19)、グリーンシー
トと導体層と絶縁層とを一括焼成する(ステップ20)
ヶ (→のグリーンシート積層多層法による多層基板の製造
方法は、第3図にそのプロセスを示スように、まず複数
枚のセラミックのグリーンシートそれぞれに異なるパタ
ーンの微小孔を形成しくステップ22〜24)、それぞ
れ異なるパターンの導体層を印刷・乾燥する(ステップ
26〜30)。
次に導体パターンの異なるグリーンシート同士を所望枚
数積層しくステップ31)。適度な圧力と適度な温度の
もとで圧着しくステップ32)、所望の外形寸法に切断
してから焼成する(ステップ33 、3a )。各導体
層間の導通はグリーンシートの微小孔に充填された導体
により行なわれる。
数積層しくステップ31)。適度な圧力と適度な温度の
もとで圧着しくステップ32)、所望の外形寸法に切断
してから焼成する(ステップ33 、3a )。各導体
層間の導通はグリーンシートの微小孔に充填された導体
により行なわれる。
ΦL(C)の製造方法においては共に基板焼成の後に最
上層の厚膜形成を行なう(ステップ21.35)。
上層の厚膜形成を行なう(ステップ21.35)。
(→、(b)、(4三種類の製造方法を比較すると、(
→は比較的簡単な技術で多層化が可能であるが、実質的
な暦数限界は4〜6層でありそれ以上の層数は表面の凹
凸が激しくなシ実用に耐えない。←)はグリーンシート
と印刷した絶縁層と導体層とを一度に焼成する事によシ
プロセスの合理化を行なう事ができる。しかしくb)も
(I4同様に、層数を増すと表面の凹凸が大きくなるの
でやはり限界層数は4〜6層である。(→は理論的に層
数は無限に可能であり、現実的にも30〜40層程度の
多層基板が報告されている。しかし、その製造にはきわ
めて高度な技術を要し、プロセス的課題も多い。
→は比較的簡単な技術で多層化が可能であるが、実質的
な暦数限界は4〜6層でありそれ以上の層数は表面の凹
凸が激しくなシ実用に耐えない。←)はグリーンシート
と印刷した絶縁層と導体層とを一度に焼成する事によシ
プロセスの合理化を行なう事ができる。しかしくb)も
(I4同様に、層数を増すと表面の凹凸が大きくなるの
でやはり限界層数は4〜6層である。(→は理論的に層
数は無限に可能であり、現実的にも30〜40層程度の
多層基板が報告されている。しかし、その製造にはきわ
めて高度な技術を要し、プロセス的課題も多い。
以上の(4、(b) 、 (c)三種類の製造方法のう
ち、本発明は(C)のグリーンシート積層多層法に関す
るものである。第3図を参照にしてより詳細に従来技術
を述べる。
ち、本発明は(C)のグリーンシート積層多層法に関す
るものである。第3図を参照にしてより詳細に従来技術
を述べる。
まず、アルミナパウダーと有機物の混合体を所定の厚み
に成形したグリーンシート複数枚に対し、グイアホール
となる微小孔をそれぞれに異なるパターンで形成しくス
テップ22〜24)、それぞれ異なるパターンの導体層
を印刷・乾燥する(ステップ26〜SO)。導体材料に
は主にW、Moがが使用される。グイアホールへの導体
材料の充填は導体の印刷工程と同時に行なう(ステップ
26〜27)か、もしくは印刷工程の前にヴイアホール
単独に導体材料を充填する。導体の乾燥後に各々異なる
導体パターンを形成したグリーンシートを所定枚数積層
しくステップ31)、適度な温度下で加圧一体化する(
ステップ32)。次に、所望の外形寸法に切断しくステ
ップ33)、約1600°Cの還元性雰囲気中で焼成し
くステップ34)、多層基板となる。焼成された基板は
充分洗浄され、以降最上層の厚膜形成工程(ステップ3
5)へと進む。
に成形したグリーンシート複数枚に対し、グイアホール
となる微小孔をそれぞれに異なるパターンで形成しくス
テップ22〜24)、それぞれ異なるパターンの導体層
を印刷・乾燥する(ステップ26〜SO)。導体材料に
は主にW、Moがが使用される。グイアホールへの導体
材料の充填は導体の印刷工程と同時に行なう(ステップ
26〜27)か、もしくは印刷工程の前にヴイアホール
単独に導体材料を充填する。導体の乾燥後に各々異なる
導体パターンを形成したグリーンシートを所定枚数積層
しくステップ31)、適度な温度下で加圧一体化する(
ステップ32)。次に、所望の外形寸法に切断しくステ
ップ33)、約1600°Cの還元性雰囲気中で焼成し
くステップ34)、多層基板となる。焼成された基板は
充分洗浄され、以降最上層の厚膜形成工程(ステップ3
5)へと進む。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような従来技術では、焼成温度が高
く還元性雰囲気を使用する為に設備費用が高く、取扱い
も不便であった。また、グリーンシート材料にアルミナ
を使用しており焼成温度が高い為、導体材料にはW、M
o等の高融点金属しか使用出来ず、結果として導体の抵
抗値が高くなるという問題点を有していた。
く還元性雰囲気を使用する為に設備費用が高く、取扱い
も不便であった。また、グリーンシート材料にアルミナ
を使用しており焼成温度が高い為、導体材料にはW、M
o等の高融点金属しか使用出来ず、結果として導体の抵
抗値が高くなるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、導体材料にAu tAtx
yAg/Pd 、Cu等の抵抗値が低い低融点金属を
使用し、焼成温度は低く空気中焼成を可能にして設備費
用を小さくシ、取り扱いも容易にする事を目的として、
空気中低温焼成可能な多層基板用誘電体組成物を提供す
るものである。
yAg/Pd 、Cu等の抵抗値が低い低融点金属を
使用し、焼成温度は低く空気中焼成を可能にして設備費
用を小さくシ、取り扱いも容易にする事を目的として、
空気中低温焼成可能な多層基板用誘電体組成物を提供す
るものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の誘電体組酸物は、
酸化物に換算して、 5in220〜60% 、 PbO5〜30%B2
O31〜10% の組成(重量%)からなる基本組成物に、同じく酸化物
に換算して、 AN20syCaOpZr02 Oつち少なくとも1
種 2〜40%Na2O,に20.MgO,Lt20
(7))ち少なくとも1種0.2〜6% Fe203o、 sqb以下 の組成(重量係)から包なる添加物を含むものである。
酸化物に換算して、 5in220〜60% 、 PbO5〜30%B2
O31〜10% の組成(重量%)からなる基本組成物に、同じく酸化物
に換算して、 AN20syCaOpZr02 Oつち少なくとも1
種 2〜40%Na2O,に20.MgO,Lt20
(7))ち少なくとも1種0.2〜6% Fe203o、 sqb以下 の組成(重量係)から包なる添加物を含むものである。
作 用
本発明の多層基板用誘電体組成物は、約870°C〜9
80°Cの低温で焼結可能な材料であり、しかも電子回
路形成用のセラミック基板としての特性を充分発揮する
。
80°Cの低温で焼結可能な材料であり、しかも電子回
路形成用のセラミック基板としての特性を充分発揮する
。
本発明の材料の使用により、低融点金属Au、Ag。
Ag/PdpCuの使用が可能となる。Au 、Ag
、Ag/ P dは空気中でも酸化しない為還元性雰囲
気は不必要であり、またAu 、Ag 、Cuは抵抗値
がW、Mo よシも低い。
、Ag/ P dは空気中でも酸化しない為還元性雰囲
気は不必要であり、またAu 、Ag 、Cuは抵抗値
がW、Mo よシも低い。
従って、空気中低部焼成により設備費用も小さく済み、
殴り扱いも簡便になる。
殴り扱いも簡便になる。
本発明の組成物における限定理由は次の通りである。
S10゜は基板を構成する基本組成物であってガラス形
成の主材料である。5102が20%未満では焼結温度
が高くなり、Ag 、Au 、Ag/Pd 、Cuの低
融点金属を内部導体として使用出来なくなる。また51
o2が60チを超えると曲げ強さが小さくなυ過ぎ、基
板としての実用性に耐えない。
成の主材料である。5102が20%未満では焼結温度
が高くなり、Ag 、Au 、Ag/Pd 、Cuの低
融点金属を内部導体として使用出来なくなる。また51
o2が60チを超えると曲げ強さが小さくなυ過ぎ、基
板としての実用性に耐えない。
Pboはガラス形成及び結晶の成分である。PbOが6
チ未満ではガラスの溶融中に失透を生成し誘電正接が劣
化する。
チ未満ではガラスの溶融中に失透を生成し誘電正接が劣
化する。
またPbOが30%を超えると軟化温度、結晶化温度が
高くなり、結果として焼結温度が高くなり過ぎる。
高くなり、結果として焼結温度が高くなり過ぎる。
B2O3もまた基板構成の基本組成物であり、B2O3
が1チ未満では吸水性を帯び曲げ強さも低い。またB2
O3が1oチを超えると焼結時にセラミックの変形が著
しくなる。
が1チ未満では吸水性を帯び曲げ強さも低い。またB2
O3が1oチを超えると焼結時にセラミックの変形が著
しくなる。
Fe2o3は基板の焼結性向上及び熱膨張係数の制御、
さらには誘電正接を良好にする目的添加される。Fe2
o3が0.3チを超えると誘電正接が大きくなり好まし
くない。熱膨張係数は基板の用途により種々制御される
が、通常の厚膜混成集積回路として用いる場合、特に厚
膜導体ペースト及び厚膜抵抗ペーストにより回路形成を
行なう場合はアルミナの熱膨張係数6.0〜6.5×1
O−67Cに一致させるのが好ましく、またICのシリ
コンチップを直接基板に実装する場合はシリコンの熱膨
張係数4 X 10 /’Cに一致させるのが好まし
い。熱膨張係数だけで基板の良否判断は難かしいが、両
者の値と比較して大きく離れた値を持つ基板は実用に耐
えない。
さらには誘電正接を良好にする目的添加される。Fe2
o3が0.3チを超えると誘電正接が大きくなり好まし
くない。熱膨張係数は基板の用途により種々制御される
が、通常の厚膜混成集積回路として用いる場合、特に厚
膜導体ペースト及び厚膜抵抗ペーストにより回路形成を
行なう場合はアルミナの熱膨張係数6.0〜6.5×1
O−67Cに一致させるのが好ましく、またICのシリ
コンチップを直接基板に実装する場合はシリコンの熱膨
張係数4 X 10 /’Cに一致させるのが好まし
い。熱膨張係数だけで基板の良否判断は難かしいが、両
者の値と比較して大きく離れた値を持つ基板は実用に耐
えない。
K2Ot Na 201 L i 20 tにρハ基板
ノ焼結性向上及ヒ吸水性の防止、さらには基板の変形を
抑える目的で添加スル。K2O1Mg02Na2o、L
12oノウち少なくとも1種が0.2%未満では基板の
変形が著しくなり、大きく基板カ反る。K2O2MgO
2Na2o、L12゜のうち少なくとも1種が5チを超
えると焼結が不充分となり吸水性を帯びる。
ノ焼結性向上及ヒ吸水性の防止、さらには基板の変形を
抑える目的で添加スル。K2O1Mg02Na2o、L
12oノウち少なくとも1種が0.2%未満では基板の
変形が著しくなり、大きく基板カ反る。K2O2MgO
2Na2o、L12゜のうち少なくとも1種が5チを超
えると焼結が不充分となり吸水性を帯びる。
J’JI 203 、 Z r02 * Caoは基板
のフィラーとして使われ、主に曲げ強さの向上の為に添
加される。
のフィラーとして使われ、主に曲げ強さの向上の為に添
加される。
M2O3,ZrO2,Caoノウち少なくとも1種が2
チ未未満では曲げ強さが小さ過ぎ実用に耐えない。
チ未未満では曲げ強さが小さ過ぎ実用に耐えない。
i7’cA1203.ZrO2,CaO(7)’)ち少
すくとも1種が4o%を超えると焼結温度が高くなりか
つ焼結が不充分で吸水性を帯び、また曲げ強さも小さく
なる。
すくとも1種が4o%を超えると焼結温度が高くなりか
つ焼結が不充分で吸水性を帯び、また曲げ強さも小さく
なる。
実施例
以下本発明の多層基板用誘電体組成物の実施例について
説明する。
説明する。
まずガラスの調整に当っては、後掲の第1表に示した組
成になるように基本組成物の各原料を秤量してバッチを
調整し、このパッチを1400−1600″Cで1〜3
時間加熱して溶融し、例えばロールアウト法等によりガ
ラス板を成形する。次いでこのガラス板をアルミナボー
ルなどで平均粒径0.5〜6μmの粉末とし、同粒径程
度の添加物を加える事により本発明の誘電体組成物が製
造される。
成になるように基本組成物の各原料を秤量してバッチを
調整し、このパッチを1400−1600″Cで1〜3
時間加熱して溶融し、例えばロールアウト法等によりガ
ラス板を成形する。次いでこのガラス板をアルミナボー
ルなどで平均粒径0.5〜6μmの粉末とし、同粒径程
度の添加物を加える事により本発明の誘電体組成物が製
造される。
なお、この際用いられる原料粉末は明確化のため酸化物
に換算表記したが、鉱物・酸化物−炭酸塩・水酸化物な
どの形でも通常の方法により使用されるのは勿論である
。
に換算表記したが、鉱物・酸化物−炭酸塩・水酸化物な
どの形でも通常の方法により使用されるのは勿論である
。
次に、このようにして得られた誘電体組成物を使用した
グリーンシート積層多層法によるセラミック多層基板の
製造方法の一例を述べる。
グリーンシート積層多層法によるセラミック多層基板の
製造方法の一例を述べる。
まず上記組成物1oO重量部に対して、ポリビニルブチ
ラール10重量部、ジブチルフタレートを6重量部、グ
リセリルモノオレエート0.4重量部、1−1−1
)リクロルエタンを20重量部、イソプロピルアルコー
ルを39重量部加え、24時間ボールミル混合を行ない
スラリを造った。このスラリでポリエステルフィルム上
にドクターブレード法により厚み0.11111のグリ
ーンシートを製造し、充分なエージングを行ない、グイ
アホールとなる微小孔を機械的な加工により形成した。
ラール10重量部、ジブチルフタレートを6重量部、グ
リセリルモノオレエート0.4重量部、1−1−1
)リクロルエタンを20重量部、イソプロピルアルコー
ルを39重量部加え、24時間ボールミル混合を行ない
スラリを造った。このスラリでポリエステルフィルム上
にドクターブレード法により厚み0.11111のグリ
ーンシートを製造し、充分なエージングを行ない、グイ
アホールとなる微小孔を機械的な加工により形成した。
次いてこのヴイアホールにメタルマスクを用いた印刷法
により導体材料を充填した。使用した導体材料はAu
で融点は1000°Cであった。
により導体材料を充填した。使用した導体材料はAu
で融点は1000°Cであった。
次に、同じ導体材料により導体層をグリーンシートに印
刷・乾燥した。ヴイアホールパターン。
刷・乾燥した。ヴイアホールパターン。
導体印刷パターンが各々異なるグリーンシート複数枚を
、80″Cの温度下で200ky/dの圧力で密着させ
加圧一体化した。次に外形切断の後に最大温度870〜
1340″C最大温度保持時間6o分にて焼成した。焼
成された多層基板は、純水で超音波洗浄後表裏の最上層
厚膜を形成して、電子回路としての機能が発揮される基
板として完成した。
、80″Cの温度下で200ky/dの圧力で密着させ
加圧一体化した。次に外形切断の後に最大温度870〜
1340″C最大温度保持時間6o分にて焼成した。焼
成された多層基板は、純水で超音波洗浄後表裏の最上層
厚膜を形成して、電子回路としての機能が発揮される基
板として完成した。
上記製造法によシ出来た基板としての特性を誘電体組成
物の組成側に第1表に示す。特性は、上記の電子回路と
しての機能が発揮される基板について曲げ強さ、吸水率
、誘電正接を測定し、結果を第1表に示した。また、同
表の焼結温度はそれぞれの組成物について予じめ示差熱
分析よりおおよその焼結温度を推定しておき、吸水率O
,O4であり、なおかつ曲げ強さが最大になる焼結温度
を選択した。反り変形の有無については、基板焼結後、
外観形状を目視で観察して、基板表面の凹凸及び反りう
ねり、また大きな変形があるものに関して実用に耐えな
いとした。
物の組成側に第1表に示す。特性は、上記の電子回路と
しての機能が発揮される基板について曲げ強さ、吸水率
、誘電正接を測定し、結果を第1表に示した。また、同
表の焼結温度はそれぞれの組成物について予じめ示差熱
分析よりおおよその焼結温度を推定しておき、吸水率O
,O4であり、なおかつ曲げ強さが最大になる焼結温度
を選択した。反り変形の有無については、基板焼結後、
外観形状を目視で観察して、基板表面の凹凸及び反りう
ねり、また大きな変形があるものに関して実用に耐えな
いとした。
(胸・下俄白)
参考として第2表に従来の材料である96q6M2o3
の特性を示す。
の特性を示す。
第2表
第1表、第2表、及び以上述べたように、本発明による
組成物は870〜980°Cと低温で焼成でき、しかも
電子回路形成用のセラミック基板としての特性を充分発
揮しており、その特性は従来の材料である96%A12
o3に比較し、よυ優れている。
組成物は870〜980°Cと低温で焼成でき、しかも
電子回路形成用のセラミック基板としての特性を充分発
揮しており、その特性は従来の材料である96%A12
o3に比較し、よυ優れている。
発明の効果
以上の説明より明らかなように、本発明の材料を使用す
ることにより低融点金属Au 、Ag 、Ag/P d
。
ることにより低融点金属Au 、Ag 、Ag/P d
。
Cu の使用が可能となり、Au 、Ag 、Ag/P
dは空気中でも酸化しない為還元性雰囲気は不必要で
あり、またAu、Ag、Cuは抵抗値がW、Moよりも
小さい。
dは空気中でも酸化しない為還元性雰囲気は不必要で
あり、またAu、Ag、Cuは抵抗値がW、Moよりも
小さい。
従って空気中低温焼成により設備費用も小さくて済み、
覗り扱いも簡便になる。
覗り扱いも簡便になる。
第1図はセラミック焼結体上での印刷多層法による多層
基板の製造プロセスを示すフローチャート、第2図はグ
リーンシート上での印刷多層法による多層基板の製造プ
ロセスを示すフローチャート、第3図はグリーンシート
積層多層法による多層基板の製造プロセスを示すフロー
チャートである。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図
基板の製造プロセスを示すフローチャート、第2図はグ
リーンシート上での印刷多層法による多層基板の製造プ
ロセスを示すフローチャート、第3図はグリーンシート
積層多層法による多層基板の製造プロセスを示すフロー
チャートである。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化物に換算して SiO_220〜60% PbO5〜30% B_2O_31〜10% Al_2O_3、CaO、ZrO_2のうち少なくとも
1種2〜40%Na_2O、K_2O、MgO、Li_
2Oのうち少なくとも1種0.2〜5% Fe_2O_30.3以下 の組成(重量%)からなる誘電体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60107450A JPS61266349A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 誘電体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60107450A JPS61266349A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 誘電体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61266349A true JPS61266349A (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=14459463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60107450A Pending JPS61266349A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 誘電体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61266349A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63117513A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Seiko Epson Corp | レベル変換回路 |
JPH0653357A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Kyocera Corp | セラミック基板用組成物及びセラミック配線基板 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP60107450A patent/JPS61266349A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63117513A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Seiko Epson Corp | レベル変換回路 |
JPH0653357A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Kyocera Corp | セラミック基板用組成物及びセラミック配線基板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0163155B1 (en) | Low temperature fired ceramics | |
JP5481854B2 (ja) | 電子部品 | |
JPS5817651A (ja) | 多層回路板とその製造方法 | |
EP0219807A2 (en) | Low temperature fired ceramics | |
JPS63181400A (ja) | セラミツク多層基板 | |
JPH0138076B2 (ja) | ||
JP4569000B2 (ja) | 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体 | |
JPS61266349A (ja) | 誘電体組成物 | |
JP4549028B2 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック焼結体の製造方法、および配線基板 | |
JPH0758454A (ja) | ガラスセラミックス多層基板 | |
JPS61266348A (ja) | 誘電体組成物 | |
JPS6247195A (ja) | セラミツク多層基板 | |
JPH0226798B2 (ja) | ||
JP2004256347A (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 | |
JPS61264603A (ja) | 誘電体組成物 | |
JPS6247196A (ja) | セラミツク多層基板 | |
JPS62123059A (ja) | 表面平滑性の良いセラミック組成物の製造方法 | |
JP3719834B2 (ja) | 低温焼成セラミックス | |
JP2006156499A (ja) | 複数個取り基板およびガラスセラミック基板 | |
JPS6231904A (ja) | 誘電体組成物 | |
JPH01166599A (ja) | 積層セラミック基板の製造方法 | |
JP3125500B2 (ja) | セラミックス基板 | |
JPS6356997A (ja) | セラミツク多層基板 | |
JPH1125754A (ja) | 銅メタライズ組成物及びガラスセラミック基板の製造方法 | |
JPH0818232A (ja) | ガラスセラミック基板 |