JPS61257050A - Ｐｓｋ変調回路 - Google Patents
Ｐｓｋ変調回路Info
- Publication number
- JPS61257050A JPS61257050A JP9803485A JP9803485A JPS61257050A JP S61257050 A JPS61257050 A JP S61257050A JP 9803485 A JP9803485 A JP 9803485A JP 9803485 A JP9803485 A JP 9803485A JP S61257050 A JPS61257050 A JP S61257050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- wave
- fet
- circuit
- reflected wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/18—Phase-modulated carrier systems, i.e. using phase-shift keying
- H04L27/20—Modulator circuits; Transmitter circuits
- H04L27/2032—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner
- H04L27/2035—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner using a single or unspecified number of carriers
- H04L27/2039—Modulator circuits; Transmitter circuits for discrete phase modulation, e.g. in which the phase of the carrier is modulated in a nominally instantaneous manner using a single or unspecified number of carriers using microwave technology
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は同一搬送波を利用した応答システムのＰＳＫ変
調回路に係り、特に低消費電力化と回路規模の縮小化と
回線上の低損失化等に好適なＰＳＫ変調回路に関する。
調回路に係り、特に低消費電力化と回路規模の縮小化と
回線上の低損失化等に好適なＰＳＫ変調回路に関する。
従来のこの種の同一搬送波を利用した応答システムのス
トリップ線路におけるＰＳＫ変調回路を第２図に例示す
る。第２図において、１はアンテナ、２はハイブリット
、３はダイオード、４はローパスフィルタ、５は入力端
子、６は終端抵抗である。
トリップ線路におけるＰＳＫ変調回路を第２図に例示す
る。第２図において、１はアンテナ、２はハイブリット
、３はダイオード、４はローパスフィルタ、５は入力端
子、６は終端抵抗である。
本回路はダイオード３およびハイブリット２を利用して
、ストリップ線路の線路長の違いにより反射波の合成を
可能とし、ダイオード３のオン。
、ストリップ線路の線路長の違いにより反射波の合成を
可能とし、ダイオード３のオン。
オフによりストリップ線路（伝送線路）の終端を短絡、
開放させて反射波に１８０°の位相差をもたせ、ＰＳＫ
変調をかけるものである。ダイオード３はスイッチの役
割をなし、このダイオードのオン。
開放させて反射波に１８０°の位相差をもたせ、ＰＳＫ
変調をかけるものである。ダイオード３はスイッチの役
割をなし、このダイオードのオン。
オフによりストリップ線路（伝送線路）の終端は短絡、
開放と見なすことができ、その短絡、開放時には入射波
に対しそれぞれ逆相（１８０°位相差）。
開放と見なすことができ、その短絡、開放時には入射波
に対しそれぞれ逆相（１８０°位相差）。
同相の反射波を生じる。
したがって、アンテナ１により受信しハイブリット２を
介して入射する搬送波（無変調波）に対し、２つの入力
端子５に制御信号を加えることにより、ローパスフィル
タ４を介し２つのダイオードに制御電圧を印加して同時
にオン、オフさせれば、線路長の違う（１７８波長）ス
トリップ線路の終端より逆相、同相で反射した反射波は
ハイブリット２を介してアンテナ１の側で合成され（９
０°位相差）、それぞれ１８０°の位相差をもったＰＳ
Ｋ変調波となってアンテナ１より送信される。
介して入射する搬送波（無変調波）に対し、２つの入力
端子５に制御信号を加えることにより、ローパスフィル
タ４を介し２つのダイオードに制御電圧を印加して同時
にオン、オフさせれば、線路長の違う（１７８波長）ス
トリップ線路の終端より逆相、同相で反射した反射波は
ハイブリット２を介してアンテナ１の側で合成され（９
０°位相差）、それぞれ１８０°の位相差をもったＰＳ
Ｋ変調波となってアンテナ１より送信される。
しかしながらこの従来回路はダイオードおよびハイブリ
ットを利用したものであるため、ダイオードによる消費
電力およびハイブリットによる３ｄＢの損失を生じて回
路規模も大きくなるという問題点があった。
ットを利用したものであるため、ダイオードによる消費
電力およびハイブリットによる３ｄＢの損失を生じて回
路規模も大きくなるという問題点があった。
本発明は上記した従来技術の問題点を解決し、低消費電
力化と回路規模の縮小化と回線上の低損失化をはかった
ＰＳＫ変調回路を提供するにある。
力化と回路規模の縮小化と回線上の低損失化をはかった
ＰＳＫ変調回路を提供するにある。
本発明は、ＦＥＴの特性を利用して、搬送波の入力側に
設けた伝送線路（ストリップ線路）構成のマツチングセ
クションの終端にＦＥＴのドレイン側を接続するととも
に、ＦＥＴのソース側にバイパスコンデンサで交流的に
短絡された、伝送線路（ストリップ線路）構成の容量成
分を接続し。
設けた伝送線路（ストリップ線路）構成のマツチングセ
クションの終端にＦＥＴのドレイン側を接続するととも
に、ＦＥＴのソース側にバイパスコンデンサで交流的に
短絡された、伝送線路（ストリップ線路）構成の容量成
分を接続し。
ＦＥＴのゲート端子に制御信号電圧（変調パルス電圧）
を印加してオン・オフ制御することにより、ＦＥＴの動
作時と非動作時のインピーダンスの違いを利用して１反
射する搬送波にＰＳＫ変調をかけて入力側から出力する
ようにしたＰＳＫ変調回路である。
を印加してオン・オフ制御することにより、ＦＥＴの動
作時と非動作時のインピーダンスの違いを利用して１反
射する搬送波にＰＳＫ変調をかけて入力側から出力する
ようにしたＰＳＫ変調回路である。
以下に本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は本発明による同一搬送波を利用した応答システムの
ストリップ線路におけるＰＳＫ変調回路の一実施例を示
す回路図である。第１図において、１はアンテナ、４は
ローパスフィルタ、５は入力端子、７はマツチングセク
ション、８はＦＥＴ、９は容量成分、１０は電源電圧（
端子）、１１はＲＦＣ１１２はバイパスコンデンサであ
る・本回路はＦＥＴ （電界効果トランジスタ）８の特
性を利用して、アンテナ１により受信した基地局からの
搬送波（無変調波）を反射させることにより、ＰＳＫ変
調をかけて再びアンテナ１より送信するものである。Ｆ
ＥＴ８はその特性上がら非動作時にはドレインＤから見
たインピーダンスが大きくて開放と見なされ、また動作
時にはドレインから見たインピーダンスは小さくてＦＥ
Ｔ内部に生じるＬ成分のみとみなすことができる。ここ
でＦＥＴ８のソースＳ側に容量成分９を付加することに
より、直列共振回路を構成して上記り成分を打ち消し、
動作時にはＦＥＴ８が短絡と見なせるようにしている。
図は本発明による同一搬送波を利用した応答システムの
ストリップ線路におけるＰＳＫ変調回路の一実施例を示
す回路図である。第１図において、１はアンテナ、４は
ローパスフィルタ、５は入力端子、７はマツチングセク
ション、８はＦＥＴ、９は容量成分、１０は電源電圧（
端子）、１１はＲＦＣ１１２はバイパスコンデンサであ
る・本回路はＦＥＴ （電界効果トランジスタ）８の特
性を利用して、アンテナ１により受信した基地局からの
搬送波（無変調波）を反射させることにより、ＰＳＫ変
調をかけて再びアンテナ１より送信するものである。Ｆ
ＥＴ８はその特性上がら非動作時にはドレインＤから見
たインピーダンスが大きくて開放と見なされ、また動作
時にはドレインから見たインピーダンスは小さくてＦＥ
Ｔ内部に生じるＬ成分のみとみなすことができる。ここ
でＦＥＴ８のソースＳ側に容量成分９を付加することに
より、直列共振回路を構成して上記り成分を打ち消し、
動作時にはＦＥＴ８が短絡と見なせるようにしている。
なお容量成分９はストリップ線路の容量性スタブとして
構成でき、その終端はＲＦＣ（高周波コイル）１１を介
して電源電圧（端子）１０に接続されるとともに、バイ
パスコンデンサ１２を介して高周波的に短絡される。
構成でき、その終端はＲＦＣ（高周波コイル）１１を介
して電源電圧（端子）１０に接続されるとともに、バイ
パスコンデンサ１２を介して高周波的に短絡される。
いまストリップ線路（伝送線路）では、その終端条件に
より入射波に対して位相の異なる反射波を生じ、終端が
開放の場合には同相の反射波が生じて、短絡の場合には
逆相（１８０°の位相差をもつ）の反射波が生じる。こ
こでアンテナ１に接続されたストリップ線路（伝送線路
）構成のマツチングセンジョン７の終端にＦＥＴ８のド
レイン側を接続して、上記したＦＥＴの特性を利用する
ことにより、ＦＥＴ８の非動作時には終端が開放と見な
せるので入射波と同相の反射波が生じ、またＦＥＴ８の
動作時には終端が短絡と見なせるので入射波に対し逆相
の反射波が生じることになる。
より入射波に対して位相の異なる反射波を生じ、終端が
開放の場合には同相の反射波が生じて、短絡の場合には
逆相（１８０°の位相差をもつ）の反射波が生じる。こ
こでアンテナ１に接続されたストリップ線路（伝送線路
）構成のマツチングセンジョン７の終端にＦＥＴ８のド
レイン側を接続して、上記したＦＥＴの特性を利用する
ことにより、ＦＥＴ８の非動作時には終端が開放と見な
せるので入射波と同相の反射波が生じ、またＦＥＴ８の
動作時には終端が短絡と見なせるので入射波に対し逆相
の反射波が生じることになる。
したがって応答局で入力端子５に制御信号（変調パルス
信号）を加えることにより、ストリップ線路構成の高周
波ノイズ除去用ローパスフィルタ４を介してＦＥＴ８の
ゲートＧに制御電圧を印加すれば、アンテナ１により受
信した応答システムの基地局からの入射搬送波に対して
ストリップ線路（伝送線路）構成のマツチングセクショ
ン７の終端において、ＦＥＴ８の非動作時または動作時
に対応して同相または１８０°位相差をもつ逆相の反射
波を生じ、これによりＰＳＫ変調された信号波特性は非
動作時および動作時に完全な開放および短絡とならない
ため、同相および逆相の反射波は異なる電圧となる。こ
のためＦＥＴ８のドレイン側のストリップ線路（伝送線
路）構成のマツチングセクション７は同相および逆相の
反射波電圧が等しくなるようにマツチングをとる役目を
している。この役目はλｇ／４長のストリップ線路では
その線路幅を適当に選ぶ事によって、伝送線路のインピ
ーダンスを決定することにより達成できる。
信号）を加えることにより、ストリップ線路構成の高周
波ノイズ除去用ローパスフィルタ４を介してＦＥＴ８の
ゲートＧに制御電圧を印加すれば、アンテナ１により受
信した応答システムの基地局からの入射搬送波に対して
ストリップ線路（伝送線路）構成のマツチングセクショ
ン７の終端において、ＦＥＴ８の非動作時または動作時
に対応して同相または１８０°位相差をもつ逆相の反射
波を生じ、これによりＰＳＫ変調された信号波特性は非
動作時および動作時に完全な開放および短絡とならない
ため、同相および逆相の反射波は異なる電圧となる。こ
のためＦＥＴ８のドレイン側のストリップ線路（伝送線
路）構成のマツチングセクション７は同相および逆相の
反射波電圧が等しくなるようにマツチングをとる役目を
している。この役目はλｇ／４長のストリップ線路では
その線路幅を適当に選ぶ事によって、伝送線路のインピ
ーダンスを決定することにより達成できる。
以上の回路を応答システムの応答局に使用すれば、基地
局から任意に受けた同一搬送波に対し応答局内にもつデ
ータによりＦＥＴを制御してＰＳＫ変調をかけた反射波
を送り返し、基地局ではこのＰＳＫ変調波を受信するこ
とができる。
局から任意に受けた同一搬送波に対し応答局内にもつデ
ータによりＦＥＴを制御してＰＳＫ変調をかけた反射波
を送り返し、基地局ではこのＰＳＫ変調波を受信するこ
とができる。
なお上記実施例はストリップ線路におけるＦＥＴ使用の
ＰＳＫ変調回路であるが、他の伝送線路におけるＰＳＫ
変調回路にも同様に利用できる。
ＰＳＫ変調回路であるが、他の伝送線路におけるＰＳＫ
変調回路にも同様に利用できる。
本実施例によれば、同一搬送波を利用した応答システム
のＰＳＫ変調回路においてスイッチにＦＥＴが使用され
ているので低消費電力化がはかれるうえ、従来のハイブ
リットを不要とするため線路パターンが少なくてすみ回
路規模の縮小が可能で、かつハイブリットによる３ｄＢ
の損失がなくなるため回線上の損失を少なくする効果が
ある。
のＰＳＫ変調回路においてスイッチにＦＥＴが使用され
ているので低消費電力化がはかれるうえ、従来のハイブ
リットを不要とするため線路パターンが少なくてすみ回
路規模の縮小が可能で、かつハイブリットによる３ｄＢ
の損失がなくなるため回線上の損失を少なくする効果が
ある。
以上のように本発明によれば同一搬送波を利用した応答
システムの伝送線路（ストリップ線路等）におけるＰＳ
Ｋ変調回路にＦＥＴを利用することにより、低消費電力
化と回路規模の縮小化と回線上の低損失化をはかること
ができ、全体の応答システムを小形化できるうえシステ
ムの送信出力を低減できる効果がある。
システムの伝送線路（ストリップ線路等）におけるＰＳ
Ｋ変調回路にＦＥＴを利用することにより、低消費電力
化と回路規模の縮小化と回線上の低損失化をはかること
ができ、全体の応答システムを小形化できるうえシステ
ムの送信出力を低減できる効果がある。
第１図は本発明によるＰＳＫ変ｇ回路の一実施例を示す
回路図、第２図は従来のＰＳＫ変調回路を例示する回路
図である。 １・・・アンテナ、５・・・入力端子、７・・・マツチ
ングセクション、８・・・ＦＥＴ、９・・・容量成分、
１２・・・バイパスコンデンサ。 特許出願人 日立湘南電子株式会社 代理人弁理士 秋 本 正 実 ｇｉ ２ 図
回路図、第２図は従来のＰＳＫ変調回路を例示する回路
図である。 １・・・アンテナ、５・・・入力端子、７・・・マツチ
ングセクション、８・・・ＦＥＴ、９・・・容量成分、
１２・・・バイパスコンデンサ。 特許出願人 日立湘南電子株式会社 代理人弁理士 秋 本 正 実 ｇｉ ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、搬送波を入力する手段と、該入力手段に始端が接続
される伝送線路構成のマッチングセクションと、該マッ
チングセクションの終端に一端が接続されるＦＥＴと、
該ＦＥＴの他端に始端が接続され終端がバイパスコンデ
ンサに接続される伝送線路構成の容量成分と、上記ＦＥ
Ｔの制御端子に制御信号電圧を印加してオン・オフ制御
することにより搬送波のＰＳＫ変調された反射波を上記
マッチングセクションを通して上記入力手段より出力せ
しめる手段とからなるＰＳＫ変調回路。 ２、上記伝送線路はストリップ線路である特許請求の範
囲第１項記載のＰＳＫ変調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9803485A JPS61257050A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | Ｐｓｋ変調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9803485A JPS61257050A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | Ｐｓｋ変調回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61257050A true JPS61257050A (ja) | 1986-11-14 |
Family
ID=14208745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9803485A Pending JPS61257050A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | Ｐｓｋ変調回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61257050A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2638586A1 (fr) * | 1988-10-28 | 1990-05-04 | Thomson Csf | Dephaseur hyperfrequence a dephasage o ou (pi) |
| GB2351423A (en) * | 1999-06-25 | 2000-12-27 | Marconi Electronic Syst Ltd | Modulator circuit |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9803485A patent/JPS61257050A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2638586A1 (fr) * | 1988-10-28 | 1990-05-04 | Thomson Csf | Dephaseur hyperfrequence a dephasage o ou (pi) |
| US5006823A (en) * | 1988-10-28 | 1991-04-09 | Thomson-Csf | Microwave phase shifter with 0 or π phase shift |
| GB2351423A (en) * | 1999-06-25 | 2000-12-27 | Marconi Electronic Syst Ltd | Modulator circuit |
| US7046957B1 (en) | 1999-06-25 | 2006-05-16 | Adrian N Farr | Reflecting modulator circuit comprising a negative impedance amplifier |
| US7551903B2 (en) | 1999-06-25 | 2009-06-23 | Adrian N Farr | Reflecting modulator circuit comprising a negative impedance amplifier |
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