JPS6348446B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6348446B2 JPS6348446B2 JP57020509A JP2050982A JPS6348446B2 JP S6348446 B2 JPS6348446 B2 JP S6348446B2 JP 57020509 A JP57020509 A JP 57020509A JP 2050982 A JP2050982 A JP 2050982A JP S6348446 B2 JPS6348446 B2 JP S6348446B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diodes
- slot line
- slot
- microwave
- bias current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は所定の波長の長さの２つのスロツト線
路の両端は接続され１端は分岐ストロツト線路を
持つスロツト線路で、該分岐スロツト線路の両側
付近のスロツト線路でかこまれた内側及び外側の
導体パターンに互に逆方向に２個のダイオードが
接続されているスロツト線路に係りマイクロ波帯
の周波数変換器及び周波数変調器に用いた場合特
性の良いものが得られるマイクロ波スロツト線路
に関する。
路の両端は接続され１端は分岐ストロツト線路を
持つスロツト線路で、該分岐スロツト線路の両側
付近のスロツト線路でかこまれた内側及び外側の
導体パターンに互に逆方向に２個のダイオードが
接続されているスロツト線路に係りマイクロ波帯
の周波数変換器及び周波数変調器に用いた場合特
性の良いものが得られるマイクロ波スロツト線路
に関する。
(b) 従来技術と問題点
第１図は従来例のマイクロ波スロツト線路の平
面図、第２図は第１図のａ、a′点で矢視方向の断
面図、第３図は第１図のダイオード回路の回路図
を示す。
面図、第２図は第１図のａ、a′点で矢視方向の断
面図、第３図は第１図のダイオード回路の回路図
を示す。
図中１は内側導体パターン、２は外側導体パタ
ーン、３は分岐スロツト線路、４は誘電体基板、
D1，D2はダイオードである。第１図に示す分岐
スロツト線路３より搬送波fcを供給し、分岐スロ
ツト線路３の反対側よりマイクロストリツプによ
り局部発振周波数fLを供給し内文導体パターン１
より中間周波数fIFを得る周波数変換器及び上記
搬送波fCのかわりに入力信号を供給し、局部発振
周波数fLは上記と同じく供給し、内部導体パター
ン１より変調波を得る周波数変調器においては、
ダイオードD1，D2は第３図に示す如き接続にな
つている為、ダイオードD1，D2の耐圧テストが
出来なく又ダイオードD1，D2のばらつきを救済
する為のバイアス電流を流せない欠点がある。こ
の為更に周波数変換器ではダイオードD1，D2に
バイアス電流を流し受信感度の上る最適点とする
ことが出来ず又アイソレーシヨンが充分とれず雑
音指数が悪くなる欠点があり、又周波数変調器で
は２相周波数変調でみると逆位相の振巾のレベル
を合すことが出来ないので変調特性が悪い欠点が
ある。
ーン、３は分岐スロツト線路、４は誘電体基板、
D1，D2はダイオードである。第１図に示す分岐
スロツト線路３より搬送波fcを供給し、分岐スロ
ツト線路３の反対側よりマイクロストリツプによ
り局部発振周波数fLを供給し内文導体パターン１
より中間周波数fIFを得る周波数変換器及び上記
搬送波fCのかわりに入力信号を供給し、局部発振
周波数fLは上記と同じく供給し、内部導体パター
ン１より変調波を得る周波数変調器においては、
ダイオードD1，D2は第３図に示す如き接続にな
つている為、ダイオードD1，D2の耐圧テストが
出来なく又ダイオードD1，D2のばらつきを救済
する為のバイアス電流を流せない欠点がある。こ
の為更に周波数変換器ではダイオードD1，D2に
バイアス電流を流し受信感度の上る最適点とする
ことが出来ず又アイソレーシヨンが充分とれず雑
音指数が悪くなる欠点があり、又周波数変調器で
は２相周波数変調でみると逆位相の振巾のレベル
を合すことが出来ないので変調特性が悪い欠点が
ある。
(c) 発明の目的
本発明の目的は上記の欠点をなくするために、
２個のダイオードに独立にバイアス電流を供給出
来るようにし、特性の良い周波数変換器及び周波
数変調器が得られるマイクロ波スロツト線路の提
供にある。
２個のダイオードに独立にバイアス電流を供給出
来るようにし、特性の良い周波数変換器及び周波
数変調器が得られるマイクロ波スロツト線路の提
供にある。
(d) 発明の構成
本発明は上記の目的を達成するために、所定の
波長の長さの２つのスロツト線路の両端が接続さ
れ１端は分岐スロツト線路を持つスロツト線路
で、該分岐スロツト線路の両側付近のスロツト線
路でかきまれた内側及び外側の導体パターンに互
に逆方向の２個のダイオードが接続されているス
ロツト線路において、該２個のダイオードに直列
に各々コンデンサを接続し、該コンデンサの１端
を、該導体パターンの一方に接続し、該２個のダ
イオードと該各々のコンデンサとの接続点をバイ
アス電流供給端子とするか又は該内側導体パター
ンの中央にスリツトを入れ直流的に分離しかつ２
つの分離された導体パターン間をｎ個のコンデン
サで接続し、該２個のダイオードに独立にバイア
ス電流を供給出来るようにしたことを特徴とす
る。
波長の長さの２つのスロツト線路の両端が接続さ
れ１端は分岐スロツト線路を持つスロツト線路
で、該分岐スロツト線路の両側付近のスロツト線
路でかきまれた内側及び外側の導体パターンに互
に逆方向の２個のダイオードが接続されているス
ロツト線路において、該２個のダイオードに直列
に各々コンデンサを接続し、該コンデンサの１端
を、該導体パターンの一方に接続し、該２個のダ
イオードと該各々のコンデンサとの接続点をバイ
アス電流供給端子とするか又は該内側導体パター
ンの中央にスリツトを入れ直流的に分離しかつ２
つの分離された導体パターン間をｎ個のコンデン
サで接続し、該２個のダイオードに独立にバイア
ス電流を供給出来るようにしたことを特徴とす
る。
(e) 発明の実施例
以下本発明の実施例につき図に従つて説明す
る。
る。
第４図は本発明の実施例のマイクロ波スロツト
線路の平面図、第５図は第４図の場合のダイオー
ド回路図である。
線路の平面図、第５図は第４図の場合のダイオー
ド回路図である。
図中第１図と同一機能のものは同一記号で示
す。C1，C2は超小形マイクロ波チツプコンデン
サ、B1，B2はバイアス電流供給用端子である。
第４図で説明するとダイオードD1，D2に直列に
コンデンサC1，C2を接続し、コンデンサC1，C2
の片側の電極を導体パターン１に接続し、ダイオ
ードD1，D2とコンデンサC1，C2の接続点にバイ
アス供給用端子B1，B2を設けている。これを回
路図で示すと第５図の如くになる。尚コンデンサ
C1，C2は、ダイオードD1，D2の導体パターン２
側に接続してコンデンサC1，C2の片側の電極を
導体パターン２に接続し、ダイオードD1，D2と
コンデンサC1，C2の接続点にバイアス供給用端
子B1，B2を設けても同じである。このコンデン
サC1，C2によりダイオードD1，D2の片側はマイ
クロ波帯ではインピーダンス的には接地されたこ
とになる。
す。C1，C2は超小形マイクロ波チツプコンデン
サ、B1，B2はバイアス電流供給用端子である。
第４図で説明するとダイオードD1，D2に直列に
コンデンサC1，C2を接続し、コンデンサC1，C2
の片側の電極を導体パターン１に接続し、ダイオ
ードD1，D2とコンデンサC1，C2の接続点にバイ
アス供給用端子B1，B2を設けている。これを回
路図で示すと第５図の如くになる。尚コンデンサ
C1，C2は、ダイオードD1，D2の導体パターン２
側に接続してコンデンサC1，C2の片側の電極を
導体パターン２に接続し、ダイオードD1，D2と
コンデンサC1，C2の接続点にバイアス供給用端
子B1，B2を設けても同じである。このコンデン
サC1，C2によりダイオードD1，D2の片側はマイ
クロ波帯ではインピーダンス的には接地されたこ
とになる。
こうすることによりダイオードD1，D2は耐圧
テストが出来又端子B1，B2と導体パターン２と
の間にバイアス電流を独立に流すことが出来るの
で、直流電源より高周波チヨークを介して独立に
バイアス電流を流し、ダイオードD1，D2のばら
つきを救済し動作点における特性を合すことが出
来る。
テストが出来又端子B1，B2と導体パターン２と
の間にバイアス電流を独立に流すことが出来るの
で、直流電源より高周波チヨークを介して独立に
バイアス電流を流し、ダイオードD1，D2のばら
つきを救済し動作点における特性を合すことが出
来る。
又従来例で説明した周波数変換器においては、
バイアス電流を調整してダイオードD1，D2の動
作点を最適点とすることが出来るので受信感度は
上り又アイソレーシヨンが充分とれるので雑音指
数が良くなる。
バイアス電流を調整してダイオードD1，D2の動
作点を最適点とすることが出来るので受信感度は
上り又アイソレーシヨンが充分とれるので雑音指
数が良くなる。
又従来例で説明した周波数変調器においては２
相周波数変調でみると逆位相の振巾レベルを合す
ことが出来るので変調特性を良くすることが出来
る。
相周波数変調でみると逆位相の振巾レベルを合す
ことが出来るので変調特性を良くすることが出来
る。
第６図は本発明の別の実施例のマイクロ波スト
リツプ線路の平面図、第７図は第６図の場合のダ
イオード回路の回路図である。
リツプ線路の平面図、第７図は第６図の場合のダ
イオード回路の回路図である。
図中第１図と同一機能のものは同一記号で示
す。１′，１″は内側導体パターンで第１図の導体
パターン１の中央部をスリツト５にて直流的に分
離されたものである。C3，C4は超小形マイクロ
波チツプコンデンサで両面の電極を導体パターン
１′，１″に接続して導体パターン１′，１″をマイ
クロ波帯では低インピーダンスとしている。この
コンデンサは２個でなくても低インピーダンスに
なればよい。B3，B4はダイオードD1，D2にバイ
アス電流を供給する端子で各々導体パターン１′，
１″に接続されている。従つてダイオードD1，D2
は第７図に示す回路図の如く各々独立にバイアス
電流が供給出来るようになつている。
す。１′，１″は内側導体パターンで第１図の導体
パターン１の中央部をスリツト５にて直流的に分
離されたものである。C3，C4は超小形マイクロ
波チツプコンデンサで両面の電極を導体パターン
１′，１″に接続して導体パターン１′，１″をマイ
クロ波帯では低インピーダンスとしている。この
コンデンサは２個でなくても低インピーダンスに
なればよい。B3，B4はダイオードD1，D2にバイ
アス電流を供給する端子で各々導体パターン１′，
１″に接続されている。従つてダイオードD1，D2
は第７図に示す回路図の如く各々独立にバイアス
電流が供給出来るようになつている。
従つて直流電源より高周波チヨークを介してダ
イオードD1，D2にバイアス電流を供給すれば前
記第４図の例で説明した如く、ダイオードD1，
D2のばらつきを救済し動作点における特性を合
すことが出来る。
イオードD1，D2にバイアス電流を供給すれば前
記第４図の例で説明した如く、ダイオードD1，
D2のばらつきを救済し動作点における特性を合
すことが出来る。
又周波数変換器においてはダイオードD1，D2
の動作点を最適点とすることが出来受信感度を上
げることが出来又アイソレーシヨンが充分とれる
ので雑音指数が良くなる。
の動作点を最適点とすることが出来受信感度を上
げることが出来又アイソレーシヨンが充分とれる
ので雑音指数が良くなる。
又周波数変調器においては２相周波数変調でみ
ると逆位相の振巾レベルを合すことが出来るので
変調特性を良くすることが出来る。
ると逆位相の振巾レベルを合すことが出来るので
変調特性を良くすることが出来る。
尚又ダイオードD1，D2の耐圧テストも出来る。
(f) 発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によればマイク
ロ波スロツト線路の２つのダイオードに独立にバ
イアス電流を流せる回路となつているので、各ダ
イオードの耐圧テストが出来又これを使用した周
波数変換器では受信感度は高く出来又雑音指数の
よいものが得られ、周波数変調器では２相周波数
変調でみると逆位相の振巾レベルを合すことが出
来るので変調特性の良いものが得られる効果があ
る。
ロ波スロツト線路の２つのダイオードに独立にバ
イアス電流を流せる回路となつているので、各ダ
イオードの耐圧テストが出来又これを使用した周
波数変換器では受信感度は高く出来又雑音指数の
よいものが得られ、周波数変調器では２相周波数
変調でみると逆位相の振巾レベルを合すことが出
来るので変調特性の良いものが得られる効果があ
る。
第１図は従来例のマイクロ波スロツト線路の平
面図、第２図は第１図のａ，a′点で矢視方向の断
面図、第３図は第１図のダイオード回路の回路
図、第４図は本発明の実施例のマイクロ波スロツ
ト線路の平面図、第５図は第４図のダイオード回
路の回路図、第６図は本発明の別の実施例のマイ
クロ波スロツト線路の平面図、第７図は第６図の
ダイオード回路の回路図である。 図中１，１′，１″は内側導体パターン、２は外
側導体パターン、３は分岐スロツト線路、４は誘
電体基板、５はスリツト、D1，D2はダイオード、
C1，C2，C3，C4は超小形マイクロ波チツプコン
デンサ、B1，B2，B3，B4はバイアス電流供給用
端子である。
面図、第２図は第１図のａ，a′点で矢視方向の断
面図、第３図は第１図のダイオード回路の回路
図、第４図は本発明の実施例のマイクロ波スロツ
ト線路の平面図、第５図は第４図のダイオード回
路の回路図、第６図は本発明の別の実施例のマイ
クロ波スロツト線路の平面図、第７図は第６図の
ダイオード回路の回路図である。 図中１，１′，１″は内側導体パターン、２は外
側導体パターン、３は分岐スロツト線路、４は誘
電体基板、５はスリツト、D1，D2はダイオード、
C1，C2，C3，C4は超小形マイクロ波チツプコン
デンサ、B1，B2，B3，B4はバイアス電流供給用
端子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の波長の長さの２つのスロツト線路の両
端が接続され１端は分岐ストロツト線路を持つス
ロツト線路で、該分岐スロツト線路の両側付近の
スロツト線路でかこまれた内側及び外側の導体パ
ターンに互に逆方向の２個のダイオードが接続さ
れているスロツト線路において、該２個のダイオ
ードに直列に各々コンデンサを接続し、該コンデ
ンサの１端を該導体パターンの一方に接続し、該
２個のダイオードと該各々のコンデンサとの接続
点より各々独立にバイアス電流を供給出来るよう
にしたことを特徴とするマイクロ波スロツト線
路。 ２ 所定の波長の長さの２つのスロツト線路の両
端が接続され一端は分岐スロツト線路を持つスロ
ツト線路で、該分岐スロツト線路の両側付近の、
スロツト線路でかこまれた内側及び外側の導体パ
ターンに互に逆方向の２個のダイオードが接続さ
れているスロツト線路において、該内側導体パタ
ーンの中央にスリツトを入れ直流的に分離し、該
２個のダイオードに独立にバイアス電流を供給出
来るようにし又２つに分離された導体パターン間
をｎ個のコンデンサで接続したことを特徴とする
マイクロ波スロツト線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020509A JPS58138108A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | マイクロ波スロツト線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020509A JPS58138108A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | マイクロ波スロツト線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138108A JPS58138108A (ja) | 1983-08-16 |
| JPS6348446B2 true JPS6348446B2 (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=12029127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57020509A Granted JPS58138108A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | マイクロ波スロツト線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138108A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121469A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ダイオ−ド回路 |
| US4654600A (en) * | 1985-08-30 | 1987-03-31 | Tektronix, Inc. | Phase detector |
| JP4654943B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-03-23 | 日本電気株式会社 | 偶高調波ミキサ |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP57020509A patent/JPS58138108A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS INC¸l«c INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST OF THCHNICAL PAPERS=1970 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58138108A (ja) | 1983-08-16 |
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