JPS61256979A - 窒化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化ケイ素焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61256979A JPS61256979A JP60099090A JP9909085A JPS61256979A JP S61256979 A JPS61256979 A JP S61256979A JP 60099090 A JP60099090 A JP 60099090A JP 9909085 A JP9909085 A JP 9909085A JP S61256979 A JPS61256979 A JP S61256979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- silicon nitride
- temperature
- reaction
- sintering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は常温と同様に高温においても優れた特性を示す
窒化ケイ素焼結体の製造方法、特にケイ素粉末の窒化焼
成により得られる窒化ケイ素反応焼結体に特定条件の熱
間静水圧プレス処理を行うことを特徴とする窒化ケイ素
焼結体の製造方法に間する。
窒化ケイ素焼結体の製造方法、特にケイ素粉末の窒化焼
成により得られる窒化ケイ素反応焼結体に特定条件の熱
間静水圧プレス処理を行うことを特徴とする窒化ケイ素
焼結体の製造方法に間する。
（従来の技術）
一般に窒化ケイ素（Ｓｉ、Ｎ＊）焼結体は、耐熱性に優
れ、高温強度が大きく、しかも熱膨張係数が小さいこと
から、耐熱衝撃性が特に優れており、高温構造材料とし
ての用途に期待が寄せられている。
れ、高温強度が大きく、しかも熱膨張係数が小さいこと
から、耐熱衝撃性が特に優れており、高温構造材料とし
ての用途に期待が寄せられている。
ところが、窒化ケイ素は共有結合性が非常に強く焼結が
困難な物質であるため、充填度が高く気孔の少ない高密
度高強度の焼結体を得るのが難しい。
困難な物質であるため、充填度が高く気孔の少ない高密
度高強度の焼結体を得るのが難しい。
従来より周知の窒化ケイ素焼結体の製造方法は、■熱分
解析出法（ＣＶＤ法）、■常圧焼結法、■ホットプレス
法および■反応焼結法の４つに大別されている。
解析出法（ＣＶＤ法）、■常圧焼結法、■ホットプレス
法および■反応焼結法の４つに大別されている。
このうち、熱分解析出法は薄膜の焼結体の製造に主とし
て用いられる方法であり、本発明の目的とする高温構造
材料などのバルク材の製造には適していない。
て用いられる方法であり、本発明の目的とする高温構造
材料などのバルク材の製造には適していない。
常圧焼結法は、窒化ケイ素粉末を成形し、常圧ないし１
０気圧程度までの窒素雰囲気下に１７００〜１８００℃
の高温で焼成する方法であるが、窒化ケイ素単味では焼
結が難しいことから、Ａｊ！ ｚＯｓ 、Ｙ＠Ｏｓ−）
ＩｇＯ等の焼結助剖を窒化ケイ素粉末に添加して焼結を
行う必要がある。この方法では複雑な形状の焼結体を比
較的容易に製造することができるが、添加した焼結助剤
が高温で軟化するために、焼結体の高温における特性劣
化が顕著で、高温での使用には問題があった。
０気圧程度までの窒素雰囲気下に１７００〜１８００℃
の高温で焼成する方法であるが、窒化ケイ素単味では焼
結が難しいことから、Ａｊ！ ｚＯｓ 、Ｙ＠Ｏｓ−）
ＩｇＯ等の焼結助剖を窒化ケイ素粉末に添加して焼結を
行う必要がある。この方法では複雑な形状の焼結体を比
較的容易に製造することができるが、添加した焼結助剤
が高温で軟化するために、焼結体の高温における特性劣
化が顕著で、高温での使用には問題があった。
ホットプレス法は、高温特性劣化をもたらす焼結助剤の
添加量を低減させるために、加圧（２００〜３００気圧
程度）下で高温焼結を行う方法である。
添加量を低減させるために、加圧（２００〜３００気圧
程度）下で高温焼結を行う方法である。
この方法では比較的高密度の焼結体が得られるが、加圧
手段が一軸加圧であるため単純形状のものしか製造する
ことができない。
手段が一軸加圧であるため単純形状のものしか製造する
ことができない。
反応焼結法は金属ケイ素粉末の成形体を窒化焼成するこ
とにより窒化ケイ素焼結倭を製造する方法であり、この
方法ではケイ素粉末を直接窒化と同時に焼成するために
焼結助剤の添加は必要ない。
とにより窒化ケイ素焼結倭を製造する方法であり、この
方法ではケイ素粉末を直接窒化と同時に焼成するために
焼結助剤の添加は必要ない。
そのため、反応焼結法により製造した窒化ケイ素焼結体
は高温での特性劣化が非常に小さいが、得られる焼結体
が２０〜３０％程度の気孔率を有する低密度のものであ
るため、常温での特性自体が低く、構造用材料としての
窒化ケイ素焼結体の用途には強度特性が不十分であった
。
は高温での特性劣化が非常に小さいが、得られる焼結体
が２０〜３０％程度の気孔率を有する低密度のものであ
るため、常温での特性自体が低く、構造用材料としての
窒化ケイ素焼結体の用途には強度特性が不十分であった
。
このように、従来の方法では、複雑な形状の焼結体の製
造と、高密度・高強度の焼結体の製造とを両立させるこ
とが難しかったが、この両者を共に満足させる方法とし
て、最近になって熱間静水圧プレス（以下ＨＩＰと略記
する）法がセラミックの分野で注目を集めている。
造と、高密度・高強度の焼結体の製造とを両立させるこ
とが難しかったが、この両者を共に満足させる方法とし
て、最近になって熱間静水圧プレス（以下ＨＩＰと略記
する）法がセラミックの分野で注目を集めている。
ＨＩＰ処理は、粉末材料またはその予備焼結体に高温で
数百気圧の高圧ガスを直接作用させて焼結を行う方法で
、成形体内部の密閉気孔および欠陥が除去されるため、
高密度かつ高強度の焼結体が得られることが知られてい
る。このＨＩＰ処理による窒化ケイ素焼結体の製造法と
しては、窒化ケイ素粉末に焼結助剤を添加して常圧焼結
法もしくはホットプレス法により予備焼結したものをＨ
ＩＰ処理する方法が採用されている。例えば、特開昭５
７−７１８７２号には、窒化ケイ素粉末を予備焼結して
から窒素雰囲気下においてＨＩＰ処理を行う方法が開示
されている。しかし、かかる方法で得られた焼結体は、
常温では極めて高い特性（密度、強度）を示すが、予備
焼結時に焼結助剤を使用するため、やはり焼結助剤の添
加による高温特性劣化の問題を解決することはできなか
った。
数百気圧の高圧ガスを直接作用させて焼結を行う方法で
、成形体内部の密閉気孔および欠陥が除去されるため、
高密度かつ高強度の焼結体が得られることが知られてい
る。このＨＩＰ処理による窒化ケイ素焼結体の製造法と
しては、窒化ケイ素粉末に焼結助剤を添加して常圧焼結
法もしくはホットプレス法により予備焼結したものをＨ
ＩＰ処理する方法が採用されている。例えば、特開昭５
７−７１８７２号には、窒化ケイ素粉末を予備焼結して
から窒素雰囲気下においてＨＩＰ処理を行う方法が開示
されている。しかし、かかる方法で得られた焼結体は、
常温では極めて高い特性（密度、強度）を示すが、予備
焼結時に焼結助剤を使用するため、やはり焼結助剤の添
加による高温特性劣化の問題を解決することはできなか
った。
（発明が解決しようとする問題点）
窒化ケイ素焼結体を高温構造材料として使用するには、
常温において高密度、高強度の焼結体であると同時に、
高温においてもその優れた特性を維持することが求めら
れる。
常温において高密度、高強度の焼結体であると同時に、
高温においてもその優れた特性を維持することが求めら
れる。
（問題点を解決するための手段）
そこで、本発明者らは上記観点から検討を重ねた結果、
ケイ素粉末の成形体を窒化焼成して得た窒化ケイ素反応
焼結体を予備焼結体として使用し、これをＨＩＰ処理す
ることにより、焼結助剤の使用による高温特性劣化の問
題もなく、さらに常温特性もＨＩＰ処理により未処理の
反応焼結体に比べて著しぐ改善されることを見出し、本
発明を完成させた。
ケイ素粉末の成形体を窒化焼成して得た窒化ケイ素反応
焼結体を予備焼結体として使用し、これをＨＩＰ処理す
ることにより、焼結助剤の使用による高温特性劣化の問
題もなく、さらに常温特性もＨＩＰ処理により未処理の
反応焼結体に比べて著しぐ改善されることを見出し、本
発明を完成させた。
ここに、本発明は、ケイ素粉末の窒化焼成により得られ
る窒化ケイ素の反応焼結体に、窒素、アルゴンまたはこ
れらの混合ガス雰囲気下において圧力５００〜２５００
気圧、温度１６５０〜２０００℃の条件で熱間静水圧プ
レス処理を行うことを特徴とする、高温特性のすぐれた
窒化ケイ素焼結体の製造方法である。
る窒化ケイ素の反応焼結体に、窒素、アルゴンまたはこ
れらの混合ガス雰囲気下において圧力５００〜２５００
気圧、温度１６５０〜２０００℃の条件で熱間静水圧プ
レス処理を行うことを特徴とする、高温特性のすぐれた
窒化ケイ素焼結体の製造方法である。
（作用）
以下、本発明の方法についてさらに詳しく説明する。
本発明の方法においては、まずケイ素粉末の窒化焼成に
より窒化ケイ素の反応焼結体を形成する。
より窒化ケイ素の反応焼結体を形成する。
窒化ケイ素反応焼結体は、従来公知の任意の方法により
ケイ素粉末を窒化焼成することにより形成することがで
き、また市販品を入手することもできる０例えば、平均
粒径−２００メツシュ程度のケイ素粉末を有機物を結合
剤として冷開成形し、次いで窒素気流中において約１３
５０〜１４５０℃に約１０〜５０時間加熱することによ
り、窒化ケイ素反応焼結体を形成することができる。こ
の加熱中に有機物結合剤は熱分解するので反応焼結体は
結合剤を含有しない、密度と強度が十分に高い焼結体を
ＨＩＰ処理により得るには、予備焼結体として使用する
反応焼結体の相対密度が高い方が好ましい。
ケイ素粉末を窒化焼成することにより形成することがで
き、また市販品を入手することもできる０例えば、平均
粒径−２００メツシュ程度のケイ素粉末を有機物を結合
剤として冷開成形し、次いで窒素気流中において約１３
５０〜１４５０℃に約１０〜５０時間加熱することによ
り、窒化ケイ素反応焼結体を形成することができる。こ
の加熱中に有機物結合剤は熱分解するので反応焼結体は
結合剤を含有しない、密度と強度が十分に高い焼結体を
ＨＩＰ処理により得るには、予備焼結体として使用する
反応焼結体の相対密度が高い方が好ましい。
ただし、反応焼結体の密度が低くても、本発明のＨＩＰ
処理によってその特性は大幅に改善され、顕著な効果が
得られる４゜なお、本明細書において「相対密度」とは
、気孔を含まない窒化ケイ素の密度（３，１９ｇ／ｃ＋
Ｊ）に対する窒化ケイ素焼結体の密度の割合（％）を意
味する。
処理によってその特性は大幅に改善され、顕著な効果が
得られる４゜なお、本明細書において「相対密度」とは
、気孔を含まない窒化ケイ素の密度（３，１９ｇ／ｃ＋
Ｊ）に対する窒化ケイ素焼結体の密度の割合（％）を意
味する。
本発明の方法によると、窒化ケイ素の反応焼結体を予備
焼結体として使用し、これに温度１６５０〜２０００℃
、圧力５００〜２５００気圧で窒素、アルゴンもしくは
これらの混合ガス雰囲気下にＨＩＰ処理を行い、目的と
する優れた強度特性を示す窒化ケイ素焼結体を製造する
。
焼結体として使用し、これに温度１６５０〜２０００℃
、圧力５００〜２５００気圧で窒素、アルゴンもしくは
これらの混合ガス雰囲気下にＨＩＰ処理を行い、目的と
する優れた強度特性を示す窒化ケイ素焼結体を製造する
。
窒化ケイ素反応焼結体は前述のように比較的気孔率が高
いので、反応焼結体を適当なカプセル中に封入するか、
あるいは封孔処理してからＨＩＰ処理を行うのが好まし
い。かかる封入あるいは封孔処理は公知の方法により実
施でき、例えば焼結体をＢＮで被覆してからガラスカプ
セル中に真空封入するといった方法を採用できる。
いので、反応焼結体を適当なカプセル中に封入するか、
あるいは封孔処理してからＨＩＰ処理を行うのが好まし
い。かかる封入あるいは封孔処理は公知の方法により実
施でき、例えば焼結体をＢＮで被覆してからガラスカプ
セル中に真空封入するといった方法を採用できる。
ＨｒＰ処理温度は、１６５０℃未満では焼結体の緻密化
に寄与せず、一方２０００℃を超えると窒化ケイ素の熱
分解が激しくなり、焼結体の重量減少の結果、逆に焼結
体の密度が低下するようになる。好ましくはＨＩＰ処理
温度は１８００〜１９００℃の範囲内である。
に寄与せず、一方２０００℃を超えると窒化ケイ素の熱
分解が激しくなり、焼結体の重量減少の結果、逆に焼結
体の密度が低下するようになる。好ましくはＨＩＰ処理
温度は１８００〜１９００℃の範囲内である。
ＨＩＰ処理圧力は、５００気圧未満では焼結体の緻密化
に必要な処理時間が長くなり、一方２５００気圧を超え
る圧力は増圧に長時間を要し、加圧設備も大規模になっ
て実用上好ましくない、好ましい圧力範囲は１０００〜
２０００気圧の範囲内である。
に必要な処理時間が長くなり、一方２５００気圧を超え
る圧力は増圧に長時間を要し、加圧設備も大規模になっ
て実用上好ましくない、好ましい圧力範囲は１０００〜
２０００気圧の範囲内である。
ＨＩＰ処理の加圧ガス種は、ＮｔＳＡｒまたはこれらの
混合ガスのいずれでもよい。
混合ガスのいずれでもよい。
上述した条件でのＨＩＰ処理は一船に５分間以上行う、
それにより、反応焼結体は十分に緻密化し、一般に相対
密度９０％以上、好ましくは９５％以上（例、約９８％
）の窒化ケイ素焼結体を得ることができる。この焼結体
は、常温においてすぐれた特性を有し、しかも焼結助剤
を含まないため高温においてもそのすぐれた特性を維持
する。ＨＩＰ処理に代えて通常のホットプレスで反応焼
結体を緻密化させても、得られる圧力が通常５００気圧
未満であり、本発明で得られるような高い緻密化の効果
は得られない。
それにより、反応焼結体は十分に緻密化し、一般に相対
密度９０％以上、好ましくは９５％以上（例、約９８％
）の窒化ケイ素焼結体を得ることができる。この焼結体
は、常温においてすぐれた特性を有し、しかも焼結助剤
を含まないため高温においてもそのすぐれた特性を維持
する。ＨＩＰ処理に代えて通常のホットプレスで反応焼
結体を緻密化させても、得られる圧力が通常５００気圧
未満であり、本発明で得られるような高い緻密化の効果
は得られない。
次に、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
（実施例）
叉施勇上
平均粒径２０μ讃のケイ素粉末を金型により直径１０ｃ
ｍＸ長さ２０ｃ＋ｍの円筒形に成形し、窒素気流中にお
いて約１４５０℃に加熱して密度２．４ ｇ／ｃｊ （
相対密度７３％）の窒化ケイ素反応焼結体を得た。得ら
れた反応焼結体を窒化ホウ素（ＢＮ）製の容器に入れ、
この容器をモリブデン箔で巻いてからガラスチューブに
真空封入し、加圧ガスとして窒素を使用してＨＩＰ処理
を６０分間行った。この時のＨＩＰ処理条件（温度およ
び圧力）ならびに得られた焼結体の相対密度を次表にま
とめて示す。
ｍＸ長さ２０ｃ＋ｍの円筒形に成形し、窒素気流中にお
いて約１４５０℃に加熱して密度２．４ ｇ／ｃｊ （
相対密度７３％）の窒化ケイ素反応焼結体を得た。得ら
れた反応焼結体を窒化ホウ素（ＢＮ）製の容器に入れ、
この容器をモリブデン箔で巻いてからガラスチューブに
真空封入し、加圧ガスとして窒素を使用してＨＩＰ処理
を６０分間行った。この時のＨＩＰ処理条件（温度およ
び圧力）ならびに得られた焼結体の相対密度を次表にま
とめて示す。
上の結果から明らかなように、窒化ケイ素反応焼結体に
対して本発明の範囲内の条件でＨｒｐ処理を行うことに
より、焼結体の密度が著しく向上することがわかる。温
度または圧力が低いと相対密度の上昇はわずかである。
対して本発明の範囲内の条件でＨｒｐ処理を行うことに
より、焼結体の密度が著しく向上することがわかる。温
度または圧力が低いと相対密度の上昇はわずかである。
１隻Ａ１
実施例１で製造した試料Ｎ１１２の窒化ケイ素焼結体（
反応焼結体中ＨＩＰ処理）、同じ〈実施例１で得たＨＩ
Ｐ処理処理室化ケイ素反応焼結体（試料磁５）、ならび
に平均粒径０．６μ−の窒化ケイ素粉末９５重量％に平
均粒径０．５μｍの酸化マグネシウム５重量％を焼結助
剤として添加した混合粉末を２００気圧の加圧下に１７
００℃の温度で６０分間ホソトブレスして焼結を行った
焼結体（試料光６）について、それぞれビッカース硬度
の温度依存性を測定し、その結果を添付図面にグラフで
示す。
反応焼結体中ＨＩＰ処理）、同じ〈実施例１で得たＨＩ
Ｐ処理処理室化ケイ素反応焼結体（試料磁５）、ならび
に平均粒径０．６μ−の窒化ケイ素粉末９５重量％に平
均粒径０．５μｍの酸化マグネシウム５重量％を焼結助
剤として添加した混合粉末を２００気圧の加圧下に１７
００℃の温度で６０分間ホソトブレスして焼結を行った
焼結体（試料光６）について、それぞれビッカース硬度
の温度依存性を測定し、その結果を添付図面にグラフで
示す。
このグラフより明らかなように、本発明例の試料迎２（
反応焼結体＋ＨＩＰ処理）は常温において最も高い硬度
を示し、高温においても硬度の低下は小さい。これに対
し、比較用の試料光５ （反応焼結のみ）は、すべての
温度域で硬度が本発明例の半分以下と非常に低いが、た
だし高温での硬度低下は小さい。一方、試料光６（反応
焼結子ホットプレス）も常温〜高温のすべての温度域で
常に本発明例より低い硬度を示すが、特に６００℃以上
での高温における硬度低下が著しく 、１０００℃では
反応焼結のみの試料光５より硬度が低くなっている。
反応焼結体＋ＨＩＰ処理）は常温において最も高い硬度
を示し、高温においても硬度の低下は小さい。これに対
し、比較用の試料光５ （反応焼結のみ）は、すべての
温度域で硬度が本発明例の半分以下と非常に低いが、た
だし高温での硬度低下は小さい。一方、試料光６（反応
焼結子ホットプレス）も常温〜高温のすべての温度域で
常に本発明例より低い硬度を示すが、特に６００℃以上
での高温における硬度低下が著しく 、１０００℃では
反応焼結のみの試料光５より硬度が低くなっている。
（発明の効果）
以上の説明より明らかなように、本発明の方法によって
、ケイ素粉末の窒化反応により得た窒化ケイ素反応焼結
体をＨＩＰ処理することにより焼結体が高度に緻密化し
、焼結体の常温における特性が非常に向上し、しかも焼
結助剤が存在しないために高温での特性劣化が非常に小
さい窒化ケイ素が得られる。したがって、本発明により
製造される窒化ケイ素焼結体は、特に高温ガスタービン
用等の高温構造材料として有用であり、また工具、ボー
ルベアリング、エンジン部品等の耐摩耗部品また耐熱部
品としても使用できる。
、ケイ素粉末の窒化反応により得た窒化ケイ素反応焼結
体をＨＩＰ処理することにより焼結体が高度に緻密化し
、焼結体の常温における特性が非常に向上し、しかも焼
結助剤が存在しないために高温での特性劣化が非常に小
さい窒化ケイ素が得られる。したがって、本発明により
製造される窒化ケイ素焼結体は、特に高温ガスタービン
用等の高温構造材料として有用であり、また工具、ボー
ルベアリング、エンジン部品等の耐摩耗部品また耐熱部
品としても使用できる。
添付図面は、各種窒化ケイ素焼結体のビッカース硬度の
温度依存性を示すグラフである。
温度依存性を示すグラフである。
Claims (1)
- ケイ素粉末の窒化焼成により得られる窒化ケイ素の反
応焼結体に、窒素、アルゴンまたはこれらの混合ガス雰
囲気下において圧力５００〜２５００気圧、温度１６５
０〜２０００℃の条件で熱間静水圧プレス処理を行うこ
とを特徴とする、高温特性のすぐれた窒化ケイ素焼結体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099090A JPS61256979A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099090A JPS61256979A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61256979A true JPS61256979A (ja) | 1986-11-14 |
Family
ID=14238191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60099090A Pending JPS61256979A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61256979A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472967A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Agency Ind Science Techn | Production of high-density silicon nitride member |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP60099090A patent/JPS61256979A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472967A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Agency Ind Science Techn | Production of high-density silicon nitride member |
| JPH0545552B2 (ja) * | 1987-09-14 | 1993-07-09 | Kogyo Gijutsuin |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4351787A (en) | Process for sintering reaction bonded silicon nitride | |
| US4354990A (en) | Process for sintering silicon nitride compacts | |
| ATE16275T1 (de) | Dichte formkoerper aus polykristallinem, hexagonalem bornitrid und verfahren zu ihrer herstellung durch isostatisches heisspressen. | |
| US4356136A (en) | Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride | |
| JPH02279575A (ja) | 緻密なセラミック膜を有するセラミック焼結体の製造方法 | |
| US4541975A (en) | Method for producing high strength sintered silicon carbide | |
| JPH0260633B2 (ja) | ||
| JPS6152111B2 (ja) | ||
| JPS6138149B2 (ja) | ||
| US4812272A (en) | Process by compacting a porous structural member for hot isostatic pressing | |
| JPS61256979A (ja) | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JPS5888171A (ja) | 高密度窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS63222075A (ja) | 高密度焼結体の製造方法 | |
| JPS6213310B2 (ja) | ||
| JPS6146431B2 (ja) | ||
| JPH025711B2 (ja) | ||
| JP2009215091A (ja) | 緻密質炭化ホウ素焼結体およびその製造方法 | |
| JPS6359993B2 (ja) | ||
| JPH01215761A (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 | |
| JP2692377B2 (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPH0568428B2 (ja) | ||
| JPS5941954B2 (ja) | 高密度セラミツク焼結体の製造法 | |
| JPH0687664A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JP2916934B2 (ja) | サイアロン質焼結体の製造方法 | |
| JPS63195170A (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |