JPS61253842A - Ｉｃチツプキヤリヤ - Google Patents
ＩｃチツプキヤリヤInfo
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- JPS61253842A JPS61253842A JP9491385A JP9491385A JPS61253842A JP S61253842 A JPS61253842 A JP S61253842A JP 9491385 A JP9491385 A JP 9491385A JP 9491385 A JP9491385 A JP 9491385A JP S61253842 A JPS61253842 A JP S61253842A
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- JP
- Japan
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- chip
- temperature
- semiconductor
- output signal
- heat
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣチップキャリヤに関する。
従来のＩＣチップキャリヤはＩＣチップをＩＣチップの
定格温度以下に保つためにＩＣチップに発生した熱をす
みやかにＩＣチップキャリヤ外に放出する必要があり、
第２図に示すようにＩＣチップ７を載せる熱伝導の良好
なＩＣチップキャリヤ基板４′と、ＩＣチップキャリヤ
４′から雰囲気中に放熱するための放熱フィン１とを含
んで構成される。
定格温度以下に保つためにＩＣチップに発生した熱をす
みやかにＩＣチップキャリヤ外に放出する必要があり、
第２図に示すようにＩＣチップ７を載せる熱伝導の良好
なＩＣチップキャリヤ基板４′と、ＩＣチップキャリヤ
４′から雰囲気中に放熱するための放熱フィン１とを含
んで構成される。
上述し７た従来のＩＣチップキャリヤにおいてはＩＣチ
ップキャリヤからの放熱性が放熱フィン１の温度と雰囲
気の温度差に依存し、ＩＣチップキャリヤすなわちＩＣ
チップ７の温度はＩＣチップ７に発生する熱量によシ決
まってしまうので、発生する熱量の異なるＩＣに対して
はその動作温度が異なるという欠点がある。
ップキャリヤからの放熱性が放熱フィン１の温度と雰囲
気の温度差に依存し、ＩＣチップキャリヤすなわちＩＣ
チップ７の温度はＩＣチップ７に発生する熱量によシ決
まってしまうので、発生する熱量の異なるＩＣに対して
はその動作温度が異なるという欠点がある。
本発明のＩＣチップキャリヤは、ＩＣチップと放熱部と
の間にはさまれたペルチェ係数が大きく熱伝導率が小さ
く抵抗率が小さい半導体と、前記半導体のＩＣチップ、
放熱部と接する面にオーミック接触された金属電極と、
ＩＣチップの温度を検出し温度検出出力信号を出力する
温度検出部と、前記温度検出出力信号に応じてＩＣチッ
プの温度を一定に保つように前記半導体に流す電流を調
節するための電流調節出力信号を出力する電流調節部と
を有して構成される。
の間にはさまれたペルチェ係数が大きく熱伝導率が小さ
く抵抗率が小さい半導体と、前記半導体のＩＣチップ、
放熱部と接する面にオーミック接触された金属電極と、
ＩＣチップの温度を検出し温度検出出力信号を出力する
温度検出部と、前記温度検出出力信号に応じてＩＣチッ
プの温度を一定に保つように前記半導体に流す電流を調
節するための電流調節出力信号を出力する電流調節部と
を有して構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図に示すＩＣチップキャリヤは、放熱フィン１と、
絶縁膜２と、熱伝導率が小さく絶縁体であるＩＣチップ
キャリヤ基板４と、ペルチェ係数が大きく熱伝導率が小
さく抵抗率が小さい半導体５と、前記半導体５とオーミ
ック接触された電極３．６と、ＩＣチップ７の温度を検
出する温度検出部１２と、前記温度検出部１２の出力で
ある温度検出出力信号１３の値に従って電極３，６間に
流す電流調節出力信号１１を調節する電流調節部１０と
を含んで構成される。
絶縁膜２と、熱伝導率が小さく絶縁体であるＩＣチップ
キャリヤ基板４と、ペルチェ係数が大きく熱伝導率が小
さく抵抗率が小さい半導体５と、前記半導体５とオーミ
ック接触された電極３．６と、ＩＣチップ７の温度を検
出する温度検出部１２と、前記温度検出部１２の出力で
ある温度検出出力信号１３の値に従って電極３，６間に
流す電流調節出力信号１１を調節する電流調節部１０と
を含んで構成される。
ここで、半導体５がｎ形であれば電極６から電極３へ電
流を流し、半導体５がｐ形であれば電極３から電極６へ
１流を流すことによシミ極３と半導体５との接触面では
発熱作用、電極６と半導体５との接触面では吸熱作用が
生じる（ペルチェ効果）。また、この発熱作用、吸熱作
用は半導体５に流す電流の大きさに依存する。
流を流し、半導体５がｐ形であれば電極３から電極６へ
１流を流すことによシミ極３と半導体５との接触面では
発熱作用、電極６と半導体５との接触面では吸熱作用が
生じる（ペルチェ効果）。また、この発熱作用、吸熱作
用は半導体５に流す電流の大きさに依存する。
すなわち、温度検出部１２によりＩＣチップ７の温度を
検出し、半導体５に流す電流調節出力信号１１を？を流
調節部１０において調節することによシＩＣチップ７の
温度を一定に保つことができる。
検出し、半導体５に流す電流調節出力信号１１を？を流
調節部１０において調節することによシＩＣチップ７の
温度を一定に保つことができる。
本発明のＩＣチップキャリヤは、ＩＣチップの温度を検
出し、ペルチェ効果を利用した熱交換部に流す電流を調
節することのできる構造をとることによｐ、ＩＣチップ
の温度を一定に維持できるという効果がある。
出し、ペルチェ効果を利用した熱交換部に流す電流を調
節することのできる構造をとることによｐ、ＩＣチップ
の温度を一定に維持できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の一例を示す断面図である。 １・・・・・・放熱フィン、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・電極、４．４′・・・・・・ＩＣチップキ
ャリヤ基板、５・・・・・・半導体、６・・・・・・電
極、７・・・・・・ＩＣチップ、８・・・・・・保論キ
ャップ、９・・・・・・ヒン、１θ・・・・・・電流調
節Ｅｌｈ１１・・・・・・電流調節出力信号、１２・・
・・・・温度検出部、１３・・・・・・温度検出出力信
号。 代理人 弁理士 内 原 晋 （、７“ｆ−−−
一放処にン Ｚ、−−ｍ−ｔ１良３−−・−電
イ＠ ４ −−−−− Ｉ
Ｃ＋ｖ）・千プリで５Ｘ５−−−一羊・４１４Ｖ
乙−−−−一電砂７−−−１ｔ ４−ｔ７”
θ−−−−−千ｙｙ７”９−一−−ζ０ン
ｔｏ −−−−１Ｍ−−／／−−−４ｍ＃ｌ
鯵ｆｆ１６ｍ＝Ｔｈ ｆＺ −−−−ＪＪ、１Ｉｌ
ｌＨ都フ １３ ＋＋、壜魔確ｌ田／Ｆ倉号 茗 ｌ 図
の一例を示す断面図である。 １・・・・・・放熱フィン、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・電極、４．４′・・・・・・ＩＣチップキ
ャリヤ基板、５・・・・・・半導体、６・・・・・・電
極、７・・・・・・ＩＣチップ、８・・・・・・保論キ
ャップ、９・・・・・・ヒン、１θ・・・・・・電流調
節Ｅｌｈ１１・・・・・・電流調節出力信号、１２・・
・・・・温度検出部、１３・・・・・・温度検出出力信
号。 代理人 弁理士 内 原 晋 （、７“ｆ−−−
一放処にン Ｚ、−−ｍ−ｔ１良３−−・−電
イ＠ ４ −−−−− Ｉ
Ｃ＋ｖ）・千プリで５Ｘ５−−−一羊・４１４Ｖ
乙−−−−一電砂７−−−１ｔ ４−ｔ７”
θ−−−−−千ｙｙ７”９−一−−ζ０ン
ｔｏ −−−−１Ｍ−−／／−−−４ｍ＃ｌ
鯵ｆｆ１６ｍ＝Ｔｈ ｆＺ −−−−ＪＪ、１Ｉｌ
ｌＨ都フ １３ ＋＋、壜魔確ｌ田／Ｆ倉号 茗 ｌ 図
Claims (1)
- ＩＣチップと放熱部との間にはさまれたペルチェ係数が
大きく熱伝導率が小さく抵抗率が小さい半導体と、前記
半導体と前記ＩＣチップが接する面および前記半導体と
前記放熱部とが接する面にそれぞれオーミック接触され
た金属電極と、前記ＩＣチップの温度を検出し温度検出
出力信号を出力する温度検出部と、前記温度検出出力信
号に応じて前記ＩＣチップの温度を一定に保つように前
記半導体に流す電流を調節するための電流調節出力信号
を出力する電流調節部とを含むことを特徴とするＩＣチ
ップキャリヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9491385A JPS61253842A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | Ｉｃチツプキヤリヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9491385A JPS61253842A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | Ｉｃチツプキヤリヤ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253842A true JPS61253842A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14123243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9491385A Pending JPS61253842A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | Ｉｃチツプキヤリヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253842A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2624305A1 (fr) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre muni d'un dispositif de refroidissement a effet peltier |
| US5008736A (en) * | 1989-11-20 | 1991-04-16 | Motorola, Inc. | Thermal protection method for a power device |
| JPH0487211A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 低風騒音低コロナ騒音架空電線 |
| US5222032A (en) * | 1990-10-26 | 1993-06-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | System and method for monitoring the concentration of volatile material dissolved in a liquid |
| EP0697726A2 (en) * | 1994-08-03 | 1996-02-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Heat sink comprising synthetic diamond film |
| US5569950A (en) * | 1994-08-16 | 1996-10-29 | International Business Machines Corporation | Device to monitor and control the temperature of electronic chips to enhance reliability |
| JP2013232445A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP9491385A patent/JPS61253842A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2624305A1 (fr) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre muni d'un dispositif de refroidissement a effet peltier |
| US5008736A (en) * | 1989-11-20 | 1991-04-16 | Motorola, Inc. | Thermal protection method for a power device |
| JPH0487211A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 低風騒音低コロナ騒音架空電線 |
| US5222032A (en) * | 1990-10-26 | 1993-06-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | System and method for monitoring the concentration of volatile material dissolved in a liquid |
| EP0697726A2 (en) * | 1994-08-03 | 1996-02-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Heat sink comprising synthetic diamond film |
| EP0697726A3 (en) * | 1994-08-03 | 1996-09-11 | Sumitomo Electric Industries | Heat sink made of synthetic diamond layer |
| US5976909A (en) * | 1994-08-03 | 1999-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of forming diamond heat sink comprising synthetic diamond film |
| US5569950A (en) * | 1994-08-16 | 1996-10-29 | International Business Machines Corporation | Device to monitor and control the temperature of electronic chips to enhance reliability |
| JP2013232445A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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