JPH04167550A - 冷却装置 - Google Patents

冷却装置

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JPH04167550A
JPH04167550A JP29576790A JP29576790A JPH04167550A JP H04167550 A JPH04167550 A JP H04167550A JP 29576790 A JP29576790 A JP 29576790A JP 29576790 A JP29576790 A JP 29576790A JP H04167550 A JPH04167550 A JP H04167550A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
cooling
electrode plate
electrode
insulator
Prior art date
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Pending
Application number
JP29576790A
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English (en)
Inventor
Hirokazu Yonezawa
浩和 米澤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP29576790A priority Critical patent/JPH04167550A/ja
Publication of JPH04167550A publication Critical patent/JPH04167550A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明(よ 半導体素子等の冷却に用いられる冷却装置
に関するものであム 従来の技術 近年ますます高速化 高集積化の進む超LSI(Lar
ge 5cale Integration )例えば
マイクロプロセッサやメモリでは 消費電力が増大し 
それに伴い発熱量も多くなってきていも また発熱量は
半導体素子の動作状態によって時間とともに変化し 受
動的な放熱や冷却では半導体素子の温度も動作状態によ
って変化することになム このため大量の発熱量を冷却
でき、 さらに半導体素子の温度を安定化できる冷却装
置が必要になっていたこの課題を解決すべ〈従来から使
われてきた技術として1戴 半導体素子の温度を検出し
て冷却用のベルチェ素子を制御し それによって能動的
に大量の発熱量を冷却しさらに温度を安定させるという
方法が用いられてきた(例えば 特開昭61−2538
42号公報)。
第5図は従来の冷却装置の一例を示す断面図を表してい
も 第5図において、 lは半導体素子、7はベルチェ
素子、 9は温度検出出力信号10は放熱フィン、 1
1は絶縁lL 12は電極13はチップキャリア基板 
14はキャップ、 15はピン、 16は電流調節出力
信u  17は電流調節ff1L  18は温度検出部
であa この冷却装置の動作(よ まず温度検出部18
が半導体素子1の温度を検出し 温度検出出力信号9を
出力し 次に電流調節部17が温度検出出力信号9に応
じて電流調節出力信号16を出力し ベルチェ素子7に
流す電流を調節し すなわち冷却能力を調節して半導体
素子1の温度を一定に保っていた 発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来例では 温度検出部は半導体素
子の一部分だけの温度を検出しその温度を半導体素子全
体の温度として扱っていも 最近の半導体素子は大面積
化に伴って、素子面内に温度分布が生じていも このた
め半導体素子の一部分の温度を用いて全体を制御すると
素子面内の温度は一定にならな(−一般に半導体素子は
高温では遅く、低温では速く動作すム 一つの半導体素
子の中に温度が異なる回路が含まれると、温度が異なる
回路間でやりとりする内部信号のタイミング間にも温度
差によるずれが生改 誤動作を起こす一因になってい九 本発明は上記のような従来技術の問題点に鑑へ半導体素
子の各部の温度に応じて適切な冷却能力を持たせること
のできる冷却装置を提供することを目的とすa 課題を解決するための手段 上記の目的を達成するために考案された本発明の冷却装
置は 第1、第2の絶縁体と、第1、第2の電極板と、
温度検出機能および冷却能力制御。
機能を有しかつ第1、第2の電極を有する複数の冷却エ
レメントとを具[L  第′lの絶縁体は第1の電極板
の一方の表面を被冷却物から電気的に絶縁するように置
かれ 第2の絶縁体は第2の電極板の一方の表面を外部
から電気的に絶縁するように置かれ 冷却エレメントは
第1の電極板の第1の絶縁体で絶縁されていない表面と
第2の電極板の第2の絶縁体で絶縁されていない表面と
の間に置かれ 冷却エレメントの第1の電極は第1の電
極板に接続され 冷却エレメントの第2の電極は第2の
電極板に接続され 冷却エレメントの吸熱側は第1の電
極板側に配され 冷却エレメントの放熱側は第2の電極
板側に配される構成となっていも また本発明は 第1.第2の電極と、′Ml、第2の端
子を有するベルチェ素子と、第1、第2の端子を有し正
の抵抗温度係数を有する感温素子と、第1.第2の端子
を有する定電流源とを具tlしベルチェ素子の第1の端
子と感温素子の第1の端子とは第1の電極に接続され 
ベルチェ素子の第2の端子と感温素子の第2の端子と定
電流源の第1の端子とは接続され 定電流源の第2の端
子は第1、第2の電極に接続され ベルチェ素子の吸熱
側と感温素子とがほぼ等温になるように配置された構成
の冷却エレメントを使用した構成となっていも本発明は
さらく 吸熱側と放熱側とが交互に重なるように複数段
配置された構成になっていも作用 上記のような構成となっている本発明は 温度検出機能
および冷却能力制御機能を有する複数の冷却エレメント
が2次元状に配されており、各々の冷却エレメントは温
度分布を有する半導体素子の素子面内の各部の温度を検
出し それに応じて冷却能力を制御すも その結果 半
導体素子の素子面内温度ばらつきを低減で東 温度差に
よる内部信号のタイミングのずれが起こす誤動作をなく
しつるという効果を有すム また 吸熱側と放熱側とが
交互に重なるように複数段配置された構成を用いること
によって、冷却能力を増大させることができる効果も有
すム 実施例 (実施例1) 第1図に本発明の第1の実施例の断面図を示も第1図に
おいて、 1は半導体素子、 2は絶縁恢3は電極板 
4は放熱@ 5は冷却エレメントであム また 第2図
に本発明の第1の実施例の回路図を示す。第2図におい
て、 6は感温素子、7はベルチェ素子、 8は定電流
源であも第1の実施例の動作について説明すも これは
冷却エレメントを3個有する例であム 冷却エレメント
の吸熱側は半導体素子側&ミ 冷却エレメントの放熱側
は放熱器側になるように配置されてい4 半導体素子l
から生じた熱は絶縁体2a、電極板3aを経て冷却エレ
メントの吸熱側に伝わり、伝わった温度を検出し それ
によって制御された冷却能力で冷却(吸熱)すム この
とき半導体素子の素子面内温度分布は各冷却エレメント
に伝わり、各冷却エレメントでは各々検出した温度によ
って冷却能力を制御すも 冷却エレメントの放熱側から
生じた熱は電極板3b、絶縁体2bを経て外部の放熱器
4に伝わり、外気に放熱されも半導体素子1が発熱し 
素子面内に温度1、温度2、温度3の3つの部分をもっ
て温度分布している場合を考えa 温度lは絶縁体2a
と電極板3aを経て冷却エレメント5aに伝わり、温度
2は絶縁体2aと電極板3aを経て冷却エレメント5b
に伝わり、温度3は絶縁体2aと電極板3aを経て冷却
エレメント5Cに伝わム 各冷却エレメントで1友 感
温素子6aは温度1を検出Lli温素子6bは温度2を
検出L 感温素子6Cは温度3を検出すム 感温素子6は正の抵抗温度係数を有しており、温度が高
くなると感温素子の抵抗は増え 温度が低くなると感温
素子の抵抗は減も 感温素子の温度による抵抗変化は感
温素子に流れる電流を変化させ、温度が高くなると感温
素子に流れる電流は減り、温度が低くなると感温素子に
流れる電流は増えも 定電流源8は感温素子6とベルチ
ェ素子7に流れる電流の和を一定にするた数 感温素子
に流れる電流の変化はベルチェ素子に流れる電流の変化
になって現れも その結果 温度が高くなるとベルチェ
素子に流れる電流は増え 温度が低くなるとベルチェ素
子に流れる電流は減も すなわち温度が高くなると冷却
能力が増え 温度が低くなると冷却能力が減るという冷
却能力制御を行う。
感温素子6a、6b、 6cがそれぞれ温度1、温度2
、温度3を検出すると、感温素子6a、6b、6cの抵
抗が温度l、温度2、温度3に応じて変化L  感温素
子6a、6b、 6Cに流れる電流が変化し 定電流源
8a、  8b、  8cにより感温素子6aとベルチ
ェ素子7aに流れる電流の和と、感温素子6bとベルチ
ェ素子7bに流れる電流の和と、感温素子6Cとベルチ
ェ素子7Cに流れる電流の和とが一定になるようにベル
チェ素子7a、 7b、7cに流れる電流が変化すも 
こうして温度lに応じて冷却エレメント5aの冷却能力
力(温度2に応じて冷却エレメント5bの冷却能力力(
温度3に応じて冷却エレメント5Cの冷却能力が制御さ
れも 冷却エレメント5a、 5b、5Cの放熱側から
出た熱は電極板3bと絶縁体2bを経て外部の放熱器4
に伝わり、外気に放熱されも このよう八 本実施例の冷却装置では 温度検出機能お
よび冷却能力制御機能を有する複数の冷却エレメントが
2次元状に配されており、各々の冷却エレメントは温度
分布を有する半導体素子の素子面内の各部の温度を検出
し それに応じて冷却能力を制御するた数 半導体素子
の素子面内の温度ばらつきを低減することができも な転 この′M1の実施例では外部に放熱器を設けた場
合を扱った力(放熱器はなくてもより℃ また 各冷却
エレメントの大きさや冷却能力ざらに各定電流源の電流
値は同じでも異ならせてもよし〜各冷却エレメント間の
すきまは任意に選んでもよ−さらく 半導体素子の形状
が細長い場合には冷却エレメントは1次元状に配置して
もよ1+t 本実施例は半導体素子以外への適用も可能
であム(実施例2) 第3図に本発明の第2の実施例の断面図を示す。
第3図において、 lは半導体素子、2は絶縁恢3は電
極板 4は放熱器 5は冷却エレメントであも また 
第4図に本発明の第2の実施例の回路図を示t。第4図
において、 6は感温素子、 7はベルチェ素子、 8
は定電流源であも第2の実施例の動作について説明すも
 これは各々3個の冷却エレメントを有する冷却装置を
2段配置した例であム 1段目の冷却エレメントの吸熱
側は半導体素子側く 1段目の冷却エレメントの放熱側
は2段目の冷却エレメントの吸熱側に2段目の冷却エレ
メントの放熱側は放熱器側になるように配置されていも
 各段の冷却装置の動作は実施例1で説明した内容と同
様であム半導体素子lが発熱し 素子面内に温度l、温
度2、温度3の3つの部分をもって温度分布している場
合を考えも 温度lは絶縁体2cと電極板3cを経て冷
却エレメント5dに伝わり、温度2は絶縁体2cと電極
板3cを経て冷却エレメント5eに伝わり、温度3は絶
縁体2cと電極板3cを経て冷却エレメント5fに伝わ
ム 各冷却エレメントで(よ 感温素子6dは温度1を
検出し 感温素子6eは温度2を検出Lg温素子6fは
温度3を検出すム 感温素子6d、 6e、 6fがそれぞれ温度l、温度
2、温度3を検出すると、感温素子6d、 6e、6f
の抵抗が温度l、温度2、温度3に応じて変化L 感温
素子6d、 6e、 6fに流れる電流が変化し 定電
流源8d、 8e、 8fにより感温素子6dとベルチ
ェ素子7dに流れる電流の和と、感温素子6eとベルチ
ェ素子7eに流れる電流の和と、感温素子6fとベルチ
ェ素子7fに流れる電流の和とが一定になるようにベル
チェ素子7d、 7e、7fに流れる電流が変化すも 
こうして温度lに応じて冷却エレメント5dの冷却能力
力(温度2に応じて冷却エレメント5eの冷却能力力(
温度3に応じて冷却エレメント5fの冷却能力が制御さ
れも 各冷却エレメントの放熱側から出た熱によって、
冷却エレメント5d、 5e、5fの放熱側の温度がそ
れぞれ温度4、温度5、温度6になり、温度4は電極板
3dと絶縁体2dと電極板3eを経て冷却エレメント5
gに伝わり、温度5は電極板3dと絶縁体2dと電極板
3eを経て冷却エレメント5hに伝わり、温度6は電極
板3dと絶縁体2dと電極板3eを経て冷却エレメント
51に伝わム 各冷却エレメントで(1感温素子6gは
温度4を検出L−感温素子6hは温度5を検出し 感温
素子61は温度6を検出すも感温素子6g、 6h、 
6iがそれぞれ温度4、温度5、温度6を検出すると、
感温素子6g、 6h、 61の抵抗が温度4、温度5
、温度6に応じて変化Lg温毒素子g、 6h、61に
流れる電流が変化し 定電流源8g、 8h、 81に
より感温素子6gとベルチェ素子7gに流れる電流の和
と、感温素子6hとベルチェ素子7hに流れる電流の和
と、感温素子61とベルチェ素子71に流れる電流の和
とが一定になるようにベルチェ素子7g、 7h、 7
1に流れる電流が変化すも こうして温度4に応じて冷
却エレメント5gの冷却能力力(温度5に応じて冷却エ
レメント5hの冷却能力力(温度6に応じて冷却ニレメ
ンh5iの冷却能力が制御されも 冷却ニレメンh5g
、 5h、51の放熱側からでた熱は電極板3fと絶縁
体2eを経て外部の放熱器4に伝わり、外気に放熱され
も このように 第2の実施例の冷却装置においてL 温度
検出機能および冷却能力制御機能を有する複数の冷却エ
レメントが2次元状に配されており、各々の冷却エレメ
ントは温度分布を有する半導体素子の素子面内の各部の
温度を検出し それに応じて冷却能力を制御するた数 
半導体素子の素子面内の温度ばらつきを低減するという
第1の実施例と同様の効果が得られも さらく 多段構
成により1段目の冷却エレメントの放熱側の温度を低く
できるため1段目の吸熱効率を上げられ1段だけでは得
られなかった大きな冷却能力が得られるという効果を有
すム な耘 この第2の実施例では外部に放熱器を設けた場合
を扱った力(放熱器はなくてもよし−各冷却エレメント
の大きさや冷却能力さらに各定電流源の電流値は同じで
も異ならせてもよい。各冷却エレメント間のすきまは任
意に選んでもよ(−また この第2の実施例では1段目
の冷却エレメント数と2段目の冷却エレメント数とを同
じにしているが異なっていてもよ(−ざらへ 半導体素
子の形状が細長い場合には冷却エレメントは1次元状に
配置してもよh 本実施例は半導体素子以外への適用も
可能であム 発明の効果 以上の説明から明らかなよう艮 本発明は温度検出機能
および冷却能力制御機能を有する複数の冷却エレメント
が2次元状に配されており、各々の冷却エレメントは温
度分布を有する半導体素子の素子面内の各部の温度を検
出し それに応じて冷却能力を制御するた敢 半導体素
子の素子面内の温度ばらつきを低減でき、半導体素子内
部の信号のタイミングのずれを低減でき誤動作をなくす
ことができるという効果を有すム また 多段構成を用
いた場合に(よ 1段目の冷却エレメントの放熱側の温
度を低くできることから1段目の吸熱効率を上げらhi
段だけでは得られなかった大きな冷却能力が得られると
いう効果を有すa このように本発明によれば半導体素
子の消費電力の増大や大面積化に対して有効な冷却が実
現でき、実用上の効果は大なるものかあム
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例における冷却装置の断面
は 第2図は本発明の第1の実施例における冷却装置の
回路医 第3図は本発明の第2の実施例における冷却装
置の断面図 第4図は本発明の第2の実施例における冷
却装置の回路@ 第5図は従来の冷却装置の一例を示す
断面図であも1・・・半導体素子、 2・・・絶#&恢
 3・・・電極板 4・・・放熱器 5・・・冷却エレ
メント、 6・・・感温素子、7・・・ペルチェ素子、
 8・・・定電流肌代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明
 ほか2名t−−−4’導体東δ 2−−一把 譲 体 @ 1 図          3− 電 径板第3図 14図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1、第2の絶縁体と、第1、第2の電極板と、
    温度検出機能および冷却能力制御機能を有し、かつ第1
    、第2の電極を有する複数の冷却エレメントとを具備し
    、前記第1の絶縁体は前記第1の電極板の一方の表面を
    被冷却物から電気的に絶縁するように置かれ、前記第2
    の絶縁体は前記第2の電極板の一方の表面を外部から電
    気的に絶縁するように置かれ、前記冷却エレメントは前
    記第1の電極板の前記第1の絶縁体で絶縁されていない
    表面と前記第2の電極板の前記第2の絶縁体で絶縁され
    ていない表面との間に置かれ、前記冷却エレメントの第
    1の電極は前記第1の電極板に接続され、前記冷却エレ
    メントの第2の電極は前記第2の電極板に接続され、前
    記冷却エレメントの吸熱側は前記第1の電極板側に配さ
    れ、前記冷却エレメントの放熱側は前記第2の電極板側
    に配される構成を特徴とする冷却装置。
  2. (2)請求項1記載の冷却エレメントとしては、第1、
    第2の電極と、第1、第2の端子を有するペルチェ素子
    と、第1、第2の端子を有し正の抵抗温度係数を有する
    感温素子と、第1、第2の端子を有する定電流源とを具
    備し、前記ペルチェ素子の第1の端子と前記感温素子の
    第1の端子とは前記第1の電極に接続され、前記ペルチ
    ェ素子の第2の端子と前記感温素子の第2の端子と前記
    定電流源の第1の端子とは接続され 前記定電流源の第
    2の端子は前記第2の電極に接続され、前記ペルチェ素
    子の吸熱側と前記感温素子とがほぼ等温になるように配
    置されたことを特徴とする冷却装置
  3. (3)吸熱側と放熱側とが交互に重なるように複数段配
    置されていることを特徴とする請求項1または請求項2
    記載の冷却装置
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10104219A1 (de) * 2001-01-31 2002-08-22 Infineon Technologies Ag Anordnung zur aktiven Kühlung eines Halbleiterbausteins
DE10132763A1 (de) * 2001-07-10 2003-01-30 Bosch Gmbh Robert Integrierte Halbleiterschaltung, Verfahren zum Kühlen eines Mikrowellenschaltungsbereiches und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung

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DE10132763A1 (de) * 2001-07-10 2003-01-30 Bosch Gmbh Robert Integrierte Halbleiterschaltung, Verfahren zum Kühlen eines Mikrowellenschaltungsbereiches und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung
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