JPH0249480A - 熱電装置 - Google Patents

熱電装置

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JPH0249480A
JPH0249480A JP1106109A JP10610989A JPH0249480A JP H0249480 A JPH0249480 A JP H0249480A JP 1106109 A JP1106109 A JP 1106109A JP 10610989 A JP10610989 A JP 10610989A JP H0249480 A JPH0249480 A JP H0249480A
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JP
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thermoelectric
bridge
intermediate piece
series
thermal conductivity
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JP1106109A
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Theodorus Bijvoets
セオドラス・ビイヴオーツ
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    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered

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  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気的に直列に接続され且つ熱的に並列に接続
されている多数の熱電素子から構成され、該熱電素子の
各々に逆導電型の、電気的に直列に接続され且つ熱的に
並列に接続されている、二つの素子半部が設けられてい
る熱電装置に関する。
このような装置は１９７０年アメリカ合衆国マサチュー
セッツ州リーディングのアデイソンウエーズリー出版会
社（Ａｄｄｉｓｏｎ　−Ｗｓｓｌ＠ｙ　Ｐｕｂｌｉｓｈ
ｉｎｇｃｏｍｐａｎｙ　）から発行されたＭ、Ａ１１　
Ｋｅｔｔａｎｙ著［直接エネルギー変換（Ｄｌｒｅｃｔ
　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｃｏｎｖ＠ｒｓｌｏｎ）ｊｐ、　１５
９　　にエリ周知である。
既知の装置の場合素子半部は半導体材料の棒から構成さ
れている。
実際問題として熱電素子は列状に配置する必要はないが
、マトリックスに配置することができ、一方幾つかの熱
電装置は、冷却などを目的とする効果を高めるため、熱
的に直列にすなわち縦続に接続することができる。
既知の装置には多数の短所があるが、その幾つかについ
て以下に説明する。
一般に熱電素子は互いに比較的小さな距離だけ隔てられ
た２枚の平行板の間に封入されている。
装置が動作しているとき一方の板は冷くなり他方の板は
熱くなる。熱電効果を別にして、２枚の板は、実際互い
に小さな距離だけ隔てられているが、互いに影響し合い
、その結果、熱い板は冷くなり、冷い板は、熱くなり、
これにより熱電装置の効率が下る。
装置の動作中流れる電流は素子半部にジュール熱を発生
し、これも効率の低下を生ずる。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記効率の低下は装置を熱的に使用するときおよび装置
を電気的に使用するとき共に生ずることを強調したい。
前者で生ずる短所は素子半部を長くすることにより軽減
されるが、こうすることは後者で生ずる短所が著るしく
なるだけである。
本発明の目的は既知の熱電装置の短所を除くことである
。
〔課題を解決するための手段〕
前述の目的は序文で言及し念形式の装置により達成され
るが、その装置は電気的に直列に接続された二つの半導
電性端部片お工び導電性中間片を備えていることを特徴
とする。
本発明は半導体接合における熱電効果は自由電子の増強
領域および涸渇領域で実質上発生するので、原理上は前
記領域の大きさのものよりはるかに多い半導電性材料は
必要でなく、マた半導体接合は、おそらくは多数の形状
および断面を有する導体により共に接続することができ
、この導体の熱電効果は半導体接合と比較して無視でき
、更にこの導体の抵抗は無視できるので、ジュール熱は
ほとんど発生しないという知見に基く。これにより前記
板を互いに対して大きな距離を隔てて設置することが可
能になる。この間隙は平行である必要はない。その理由
は本発明による中間片を可婦性にすることができ、これ
に工り、それぞれ一方の板に関連している端板全熱的に
並列に接続することができるからである。ま九中間片の
長さを選定することに工９、少くとも一方の板に一定の
輪郭または所定の形状を与えることができる。中間片の
材料および形状を適切に選択することにより板を横切っ
て温度勾配を与えることができ、したがって中間片を異
なる材料のものとすることができる。
中間片の適切な材料は銅であり、これは良好な導電体で
ある。
理論的には電気伝導度が高くて熱伝導度が低い材料を選
ぶべきであるが、実際問題としては電気伝導度が優れて
いることにより得られる長所は熱伝導度が低いことが必
要であるにもかかわらず、熱伝導度が高くなることによ
り相殺される。
この点について金属の熱伝導度は軽くドーピングするこ
とにより既にかなり小さくすることができるということ
に注目することが役立つ。この：うに鋼中にある微量の
砒素により熱伝導度が３分の−に下がる。
本発明によれば、中間片の長さを端部片の長さより実質
上長く選ぶことができる。
更にＥＰ−Ａ−０１６０４３３からそれぞれ素子半部を
、鋼のような、電気伝導性および熱伝導性が良好な材料
の台座〈設置することはそれ自体既知であることに注意
する。事実この既知の装置の半導電性材料の一部は導電
材料で置き換えられており、その結果、半導電性材料が
節約され、本発明の場合の：うに、ジュール熱による効
率への悪影響が減少する。ただし、温度の差は素子半部
の半導電性材料を横断しなければならないから、台座の
熱伝導度が高くなければ々ら力い。ジュール熱により生
ずる損失を減らした場合低温側と高温側との間の熱抵抗
も減少する。というのはこの熱抵抗は素子半部の半導体
部の長さに正比例するからである。要約すれば、序文に
述べた第１の短所はこの既知の装置では取除かれない。
換言し要約すれば、本発明に工ればＰ型またはＮ型の半
導電性材料から成る従来の素子半部が有効抵抗の低い、
好ましくは熱抵抗の高い、おそらく工９長い半導電性素
子半部で置き換えられている。
〔実施例〕
本発明について以下に更に１必要な限り、本発明による
装置の実施例を図式に示す単一図から成る図面を参照し
て、説明することにする。
図は本発明による熱電装置の部分断面を図式に示してい
る。熱電素子４はブリッジ５により電気的に直列に接続
されている。更に熱電素子４は電気的に絶縁性で且つ熱
的に伝導性の材料から成る２枚の板２および３の間に熱
的に並列に接続されている。
ブリッジ５から離れて各熱電素子４はそれぞれ二つの素
子半部６および７から構成されている。
図において素子半部６はＰ導電型の二つの半導電性端部
片８お工び、それらの間に接続された、電気伝導性が良
好で且つ好ましくは熱伝導度の低い材料から成る中間片
９から構成されている。素子半部７も同様に電気伝導性
が良好で且つ好ましくは熱伝導度が低い材料から成る中
間片９を備えているが、この場合には、Ｎ導電型の半導
電性端部片１０を備えている。換言すれば、各素子半部
６゜γは二りの半導電性端部片８，８，０１，１０およ
び導電性中間片９，９を備えており、これらは電気的に
直列に接続されている。
Ｐ導電型端部片８およびＮ導電型端部片１０はそれぞれ
各ブリッジ５において接続されており、上述の自由電子
の増強および涸渇のプロセスは電流の通路を有するブリ
ッジ５で行われる。それ故結果として熱電効果がブリッ
ジ５に発生する。
中間片９の両端に同じ導電型の半導電性材料があり、少
くとも実質上増強または涸渇のプロセスは存在しない。
その結果、それ故、中間片９にはほとんどまたは全く熱
電効果が発生しない。
本発明による熱電装置と従来のものとの構造の差異は従
来のものの場合中間片６．７は端部片８゜８．１０．１
０と同じ半導体材料から成るという点にある。
熱電効果に対し次のように書くことができる。
ｗ、　＝　ｐ・工 ここでＷ□＝輸送される熱量 Ｐ　＝ペルチェ係数 ！　＝熱電装置を通る電流 ジュール熱に対し次のように書くことができる。
Ｗ、　＝　Ｉ・ρ・Ｌ　−Ａ−１（２）ここでｗ、　＝
ジュール熱 ■　＝熱電装置を通る電流 ρ　＝素子半部の電気固有抵抗 Ｌ＝素子半部の長さ Ａ　＝素子半部の直径 熱伝導損失に対し次のように書くことができる。
””　’　　　　　　　　（３１ Ｗ、　＝ΔＴ−に−Ａ−Ｌ。
ここでｗ３＝輸送される熱量 ΔＴ＝熱電装置を横切る温度の差 Ｋ　＝素子半部の熱伝導度 Ａ　＝素子半部の直径 Ｌ＝素子半部の長さ 式（１）から装ｅを冷却装置として使用するとき装置を
横切る温度差ΔＴはペルチェ係数Ｐおよび装置を通る電
流Ｉに正比例し、装置を発電機として使用するとき電流
工（短絡電流）は所定のペルチェ係数Ｐを有する装置を
横切る温度差ΔＴに正比例することが明らかである。
式（２）から装置を冷却装置として使用するとき損失Ｗ
、は電流■と共に二次的に増大し、効率が下がることか
明らかである。前記損失Ｗ、は抵抗Ｒ＝ρ・Ｌ−Ａ　　
が小さいことに注意することにより小さくすることがで
きるｉ普通の素子半部に対し、ペルチェ係数が大きいこ
とに鑑み、半導体材料を使用するので、所定の構造の場
合電気固有抵抗ρが一定となり、素子半部の長さしおよ
び直径Ａだけを最適に設定することができる。
式（３）から装置を冷却装置として使用するとき損失Ｗ
８は装Ｒを横切る温度差ΔＴの関数として増大すること
が明らかである。熱伝導度には一旦半導体材料を選択す
れば一定でろるので、素子半部の長さしおよび直径Ａを
適切に選択することによってのみ最適に設定することが
できるが、これに工り損失Ｗ、およびＷ８を最適化する
条件が反対であることが注目される。
しかし、本発明によれば、中間片９を使用するが、これ
は端部片８ｔたは１０の導電型に応じ、Ｐ型ま念はＮ型
の材料として挙動する。それにより中間片９の材料は熱
伝導度にお工び電気伝導度ρに基いて選択されるのであ
り、それ故、従来技術による場合のように大きいペルチ
ェ係数Ｐに基いて選択されるのではない。
端部片８．１０の厚さはほぼ数μｍの大きさであり、端
部片はＢＩＴｅのような普通の半導体材料から構成する
ことができる。層の前記厚さは素子半部の伝統的な長さ
の約０．１％であり、この結果半導体材料のジュール熱
の損失Ｗ、は同じ程度の大きさだけ小さく々る。
中間片９の材料は可能な限り有利な電気固有抵抗ρおよ
び熱伝導度にの値で選択しなければならない。以後、半
導体材料の電気固有抵抗および熱伝導度をそれぞれρ４
およびＫＡで、中間片９の材料のそれをそれぞれρ、お
よびに、で表わすことにする。中間片９に対する材料が
あり、これに対しρ、−γ・ρＡ（γ＜１）が成立する
と仮定すると、Ｋｔ＝ＫＡ・γ　　を適用することがで
き、同じ損失Ｗ８を素子半部６，７で装置に許容される
とすれば、これから次式が得られる。
式（４）から材料の電気固有抵抗ρと熱伝導度にとの比
の値が小さくなるほど損失Ｗｌｌが減ることが明らかで
るる。前記比を今後ｚ値と呼ぶことにする。経験によれ
ばＢＩＴｅの２値は１，４６に等しいことがわかってい
る。銀、銅、お工び白金を９０チ、イリジウムｉｌｏ％
含んでいる合金の２値はそれぞれ１．７Ｘ１０　．１．
７Ｘ１０　　、および３．２×１０　（Ω・３・ｃａｔ
　　）である。この後の方の三つの２値はＢ１Ｔｅの２
値より何十倍も良好である。
このことがら銅および銀を選ぶべきであるが、銅の成る
合金は良好なＺ値を生ずるがもつと良好なＺ値を有する
材料が無いか更に調査すべきであるという指摘がある。
いずれの場合でも熱伝導度には砒素をわずかドープする
ことに工９３分の１に減らすことができる。
また中間片９は異なる材料から成る二つ以上の構成片、
たとえば、端部片８，１０にニッケルー鉄合金のような
、高抵抗のための２値が高く長さの短い材料の構成片、
およびそれらの間に長さが更に長く低抵抗であるがＺ値
の更に低い構成片を備えることができる。
例Ｉ 仮に本発明による装置の試作品を銅の中間片９およびＢ
　ｉＴｅの端部片８，１０から構成し、端部片の長さが
約２．５Ｍ　、中間片の長さが１５０になるようにした
。この試作品では効率が、装置を横切る温度差が８０に
のとき、同等の標準熱電装置の３倍も高かった。
例■ 例Ｉと同じであるが、中間片９の銅棒の代りに長さが約
５００ｍの可俟鋼線である。この装置も本発明による動
作を確認した。
本発明による熱電装置の効率を上げると、多数の、たと
えば、五つの熱電装置を縦続に接続するとき、以前に可
能だったよりも更に低い温度にすることが可能であり、
これにＸり前述の場合、効率を装置あたり３倍改善して
、総合効率が３＝２４３倍改善される。
しばしばベルチェ素子と呼ばれる従来の熱電装置を用い
て１５０にの温度で熱をＩＷ輸送するためには、ペルチ
ェ素子８個から成る縦続回路が必要であり、７ｋＷのパ
ワーを回路に供給しなければならない。本発明による熱
電装［を用いて念とえば６素子の縦続回路を使用するこ
とができ、これにより必要なパワー人力は７Ｘ１０　ｘ
３　　二ＩＯＷにしかならない。
〔発明の効果〕
前述のように、本発明の熱電装置は、その用途が冷却素
子としてまたは加熱素子としてまたは外電発電機として
使用するかにかかわらず、ベルチェ素子と組合せて使用
することができる。中間片９は剛性でも可撓性でも工く
、またいろいろな形および断面にすることができる。中
間片が可撓性であるときは（高温および低温の）板２，
３は互いに平行である必要はない。
中間片９の材料を次のようなパラメータに合せて選択し
なければならない。
一電気固有抵抗ρを可能な限り低くする。
−熱伝導度を可能な限り低くする。
−２値、すなわち電気固有抵抗ρと熱伝導度にとの比、
を可能な限り低くする。
端部片８．１０は非常に短くすることができる。
効率が上るため、低温を魅力的に達成することができる
ｔ八この低い温度はこれまでペルチェ素子によって到達
することができなかった。γ線を測定するゲルマニウム
検出器、高速電子回路、半導体、赤外線検出器、および
用途に工らずすべての冷凍器、の冷却についてはこれに
より考えることができる。
熱電装置を熱電発電機として使用するときは効率の向上
によＶ類似の長所が発生する。
【図面の簡単な説明】
図は本発明による熱電装置の部分断面図である。 ５・・・・ブリッジ、６．Ｔ・・・・素子半部、８・・
・・端部片、９・・・・中間片。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電気的に直列に接続され且つ熱的に並列に接続されてい
    る多数の熱電素子から構成されている熱電装置であつて
    、前記熱電素子の各々には逆導電型の、電気的に直列に
    接続され且つ熱的に並列に接続されている、二つの素子
    半部が設けられているものにおいて、各素子半部は二つ
    の半導電性端部片および導電性中間片とを備えており、
    これらが電気的に直列に接続されていることを特徴とす
    る熱電装置。
JP1106109A 1988-04-27 1989-04-27 熱電装置 Pending JPH0249480A (ja)

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NL8801093 1988-04-27
NL8801093A NL8801093A (nl) 1988-04-27 1988-04-27 Thermo-electrische inrichting.

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JPH0249480A true JPH0249480A (ja) 1990-02-19

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016831A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Gerhard Span 熱電素子、これを有する熱電発電機、熱電冷却器、及び熱電素子の製造方法
JP2011222654A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Kondo Yoshitomi 多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換素子の構造、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換ユニットの構造、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換集合ユニットの構造及びその製造方法、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換モジュールの構造及びその製造方法、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換パネルの構造及びその製造方法、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換シートの構造及びその製造方法、並びに多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換システムの構造
JP2012109335A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Nec Corp 熱電変換モジュール
JP2019161169A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 株式会社アツミテック 熱電発電装置

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2050843C (en) * 1990-09-18 1999-08-03 Kazuo Ohtsubo Noise eliminating element and electrical circuit having the same
WO1994014200A1 (en) * 1992-12-11 1994-06-23 Joel Miller Laminated thermoelement
US5439528A (en) * 1992-12-11 1995-08-08 Miller; Joel Laminated thermo element
US5900071A (en) * 1993-01-12 1999-05-04 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric materials
US5415699A (en) * 1993-01-12 1995-05-16 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric cooling materials
US5769943A (en) * 1993-08-03 1998-06-23 California Institute Of Technology Semiconductor apparatus utilizing gradient freeze and liquid-solid techniques
US5610366A (en) * 1993-08-03 1997-03-11 California Institute Of Technology High performance thermoelectric materials and methods of preparation
US6103968A (en) * 1994-02-28 2000-08-15 White Eagle International Technologies Group, Inc. Thermal generator and method of producing same
US5702185A (en) * 1994-08-09 1997-12-30 P. A. Hilton Limited Heat flow transducer
DE19704944A1 (de) * 1997-02-10 1998-08-20 Hans K Seibold Effektivitätsverstärker für thermoelektrische Energiewandler
US6452206B1 (en) 1997-03-17 2002-09-17 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures for use in thermoelectric devices
US6060656A (en) * 1997-03-17 2000-05-09 Regents Of The University Of California Si/SiGe superlattice structures for use in thermoelectric devices
US5936193A (en) * 1997-05-09 1999-08-10 Parise; Ronald J. Nighttime solar cell
US20060021648A1 (en) * 1997-05-09 2006-02-02 Parise Ronald J Device and method to transmit waste heat or thermal pollution into deep space
WO1999004439A1 (de) * 1997-07-15 1999-01-28 Sbalzarini Ivo F Thermoelektrisches wandlerelement hohen wirkungsgrades und anwendungen desselben
US6060657A (en) * 1998-06-24 2000-05-09 Massachusetts Institute Of Technology Lead-chalcogenide superlattice structures
NL1014370C1 (nl) * 1999-02-12 2000-08-15 Merel En B V Halfgeleider-energiegenerator.
EP1144920A2 (de) * 1999-06-01 2001-10-17 VTV Verfahrenstechnik Verwaltung GmbH Verfahren und vorrichtung zur gestaltung von thermoschenkeln mit schaumstrukturanteilen
US6563039B2 (en) * 2000-01-19 2003-05-13 California Institute Of Technology Thermoelectric unicouple used for power generation
US6673996B2 (en) 2001-01-17 2004-01-06 California Institute Of Technology Thermoelectric unicouple used for power generation
US7946120B2 (en) 2001-02-09 2011-05-24 Bsst, Llc High capacity thermoelectric temperature control system
US7942010B2 (en) * 2001-02-09 2011-05-17 Bsst, Llc Thermoelectric power generating systems utilizing segmented thermoelectric elements
US6672076B2 (en) * 2001-02-09 2004-01-06 Bsst Llc Efficiency thermoelectrics utilizing convective heat flow
US6959555B2 (en) * 2001-02-09 2005-11-01 Bsst Llc High power density thermoelectric systems
US7273981B2 (en) * 2001-02-09 2007-09-25 Bsst, Llc. Thermoelectric power generation systems
WO2002081981A2 (en) * 2001-04-09 2002-10-17 Research Triangle Institute Thermoelectric device for dna genomic and proteonic chips and thermo-optical seitching circuits
WO2002089224A1 (en) * 2001-05-01 2002-11-07 California Institute Of Technology Thermoelectric unicouple used for power generation
CN1515066B (zh) * 2001-06-07 2010-05-05 株式会社明电舍 热电效应装置、能量直接转换系统、能量转换系统
CN100419347C (zh) * 2001-08-07 2008-09-17 Bsst公司 热电个人环境装置
IL145095A0 (en) * 2001-08-23 2002-06-30 Zaidman Michael Thermoelectric device for cooling
KR100933967B1 (ko) * 2001-10-05 2009-12-28 넥스트림 써멀 솔루션즈, 인크. 포논 차단 전자 투과 소형 구조물
US6812395B2 (en) * 2001-10-24 2004-11-02 Bsst Llc Thermoelectric heterostructure assemblies element
JP4472359B2 (ja) * 2002-04-15 2010-06-02 ネクストリーム・サーマル・ソリューションズ・インコーポレーテッド 両側ペルチェ接合を利用した熱電装置及びその製造方法
US20110209740A1 (en) * 2002-08-23 2011-09-01 Bsst, Llc High capacity thermoelectric temperature control systems
JP4261890B2 (ja) * 2002-12-06 2009-04-30 義臣 近藤 熱電効果装置，エネルギー直接変換システム，エネルギー変換システム
JP4255691B2 (ja) * 2002-12-27 2009-04-15 独立行政法人物質・材料研究機構 熱電変換材料を利用した電子部品の冷却装置
US8426720B2 (en) * 2004-01-09 2013-04-23 Industrial Technology Research Institute Micro thermoelectric device and manufacturing method thereof
WO2005074049A2 (en) * 2004-01-16 2005-08-11 Massachusetts Institute Of Technology Potential amplified nonequilibrium thermal electric device (pantec)
CN100379045C (zh) * 2004-01-18 2008-04-02 财团法人工业技术研究院 微型热电冷却装置的结构及制造方法
US8063298B2 (en) * 2004-10-22 2011-11-22 Nextreme Thermal Solutions, Inc. Methods of forming embedded thermoelectric coolers with adjacent thermally conductive fields
US7523617B2 (en) * 2004-10-22 2009-04-28 Nextreme Thermal Solutions, Inc. Thin film thermoelectric devices for hot-spot thermal management in microprocessors and other electronics
US7932459B2 (en) * 2004-11-16 2011-04-26 Meidensha Corporation Thermal energy transfer circuit system
WO2006110858A2 (en) * 2005-04-12 2006-10-19 Nextreme Thermal Solutions Methods of forming thermoelectric devices including superlattice structures and related devices
WO2006113607A2 (en) * 2005-04-18 2006-10-26 Nextreme Thermal Solutions Thermoelectric generators for solar conversion and related systems and methods
US7847179B2 (en) * 2005-06-06 2010-12-07 Board Of Trustees Of Michigan State University Thermoelectric compositions and process
WO2007002342A2 (en) * 2005-06-22 2007-01-04 Nextreme Thermal Solutions Methods of forming thermoelectric devices including electrically insulating matrixes between conductive traces and related structures
US8623687B2 (en) 2005-06-22 2014-01-07 Nextreme Thermal Solutions, Inc. Methods of forming thermoelectric devices including conductive posts and/or different solder materials and related methods and structures
US7608777B2 (en) * 2005-06-28 2009-10-27 Bsst, Llc Thermoelectric power generator with intermediate loop
US7880079B2 (en) * 2005-07-29 2011-02-01 The Boeing Company Dual gap thermo-tunneling apparatus and methods
WO2007103249A2 (en) * 2006-03-03 2007-09-13 Nextreme Thermal Solutions Methods of forming thermoelectric devices using islands of thermoelectric material and related structures
US7870745B2 (en) 2006-03-16 2011-01-18 Bsst Llc Thermoelectric device efficiency enhancement using dynamic feedback
US7952015B2 (en) 2006-03-30 2011-05-31 Board Of Trustees Of Michigan State University Pb-Te-compounds doped with tin-antimony-tellurides for thermoelectric generators or peltier arrangements
US7788933B2 (en) * 2006-08-02 2010-09-07 Bsst Llc Heat exchanger tube having integrated thermoelectric devices
US20080236643A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Li John H Thermoelectric composite semiconductor
CN104990301B (zh) 2007-05-25 2019-04-16 詹思姆公司 分配式热电加热和冷却的系统和方法
US20080289677A1 (en) * 2007-05-25 2008-11-27 Bsst Llc Composite thermoelectric materials and method of manufacture
US20090178700A1 (en) * 2008-01-14 2009-07-16 The Ohio State University Research Foundation Thermoelectric figure of merit enhancement by modification of the electronic density of states
WO2009094571A2 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 The Ohio State University Research Foundation Ternary thermoelectric materials and methods of fabrication
EP2269240A2 (en) * 2008-04-24 2011-01-05 ZT Plus Improved thermoelectric materials combining increased power factor and reduced thermal conductivity
US8701422B2 (en) * 2008-06-03 2014-04-22 Bsst Llc Thermoelectric heat pump
CN102106010A (zh) * 2008-07-06 2011-06-22 拉莫斯有限公司 分裂式热电结构以及采用该结构的设备和系统
US20100024859A1 (en) * 2008-07-29 2010-02-04 Bsst, Llc. Thermoelectric power generator for variable thermal power source
RU2011116113A (ru) * 2008-10-23 2012-11-27 БиЭсЭсТи ЭлЭлСи Многорежимная система обогрева, вентиляции и кондиционирования воздуха (овик) стермоэлектрическим устройством
EP2375191A1 (en) * 2008-12-11 2011-10-12 Lamos Inc. Thermo-electric structure
US20120047912A1 (en) * 2008-12-11 2012-03-01 Lamos Inc. Split thermo-electric cycles for simultaneous cooling, heating, and temperature control
EP2419376A1 (en) * 2009-04-13 2012-02-22 The Ohio State University Thermoelectric alloys with improved thermoelectric power factor
CN102025295A (zh) * 2009-12-21 2011-04-20 任永斌 一种高效集成半导体温差发电模块及制造方法
US9601677B2 (en) 2010-03-15 2017-03-21 Laird Durham, Inc. Thermoelectric (TE) devices/structures including thermoelectric elements with exposed major surfaces
WO2012135734A2 (en) 2011-04-01 2012-10-04 Zt Plus Thermoelectric materials having porosity
KR101654587B1 (ko) 2011-06-06 2016-09-06 젠썸 인코포레이티드 카트리지 기반 열전 시스템
US9006557B2 (en) 2011-06-06 2015-04-14 Gentherm Incorporated Systems and methods for reducing current and increasing voltage in thermoelectric systems
WO2014022428A2 (en) 2012-08-01 2014-02-06 Gentherm Incorporated High efficiency thermoelectric generation
US9620698B2 (en) 2013-01-08 2017-04-11 Analog Devices, Inc. Wafer scale thermoelectric energy harvester
US10224474B2 (en) 2013-01-08 2019-03-05 Analog Devices, Inc. Wafer scale thermoelectric energy harvester having interleaved, opposing thermoelectric legs and manufacturing techniques therefor
US9960336B2 (en) 2013-01-08 2018-05-01 Analog Devices, Inc. Wafer scale thermoelectric energy harvester having trenches for capture of eutectic material
US9748466B2 (en) 2013-01-08 2017-08-29 Analog Devices, Inc. Wafer scale thermoelectric energy harvester
US9620700B2 (en) 2013-01-08 2017-04-11 Analog Devices, Inc. Wafer scale thermoelectric energy harvester
KR102253247B1 (ko) 2013-01-30 2021-05-17 젠썸 인코포레이티드 열전-기반 열 관리 시스템
FR3027157B1 (fr) * 2014-10-09 2017-12-01 Andre Grangeon Module thermoelectrique fonctionnant a des temperatures ambiantes pour une production d'energie electrique utilisable dans des applications de domotique ou pour l'industrie automobile
US9685598B2 (en) * 2014-11-05 2017-06-20 Novation Iq Llc Thermoelectric device
US10672968B2 (en) 2015-07-21 2020-06-02 Analog Devices Global Thermoelectric devices
US11223004B2 (en) 2018-07-30 2022-01-11 Gentherm Incorporated Thermoelectric device having a polymeric coating
US11152557B2 (en) 2019-02-20 2021-10-19 Gentherm Incorporated Thermoelectric module with integrated printed circuit board

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB929282A (en) * 1958-10-29 1963-06-19 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to thermoelectric devices
NL283717A (ja) * 1961-11-28
US3648470A (en) * 1970-05-28 1972-03-14 Gary E Schultz Materials composition arrangement for thermoelectric heating and cooling
US4459428A (en) * 1982-04-28 1984-07-10 Energy Conversion Devices, Inc. Thermoelectric device and method of making same
US4465895A (en) * 1983-06-01 1984-08-14 Ecd-Anr Energy Conversion Company Thermoelectric devices having improved elements and element interconnects and method of making same
NO851421L (no) * 1984-04-23 1985-10-24 Omnimax Energy Corp Termoelektrisk generator med variabel geometri med fundament av materialer som er forskjellige fra de termoelektriske halvleder basiselementer

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016831A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Gerhard Span 熱電素子、これを有する熱電発電機、熱電冷却器、及び熱電素子の製造方法
US8373057B2 (en) 2007-06-29 2013-02-12 Gerhard Span Thermoelectric element
US8766083B2 (en) 2007-06-29 2014-07-01 Gerhard Span Thermoelectric element
JP2011222654A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Kondo Yoshitomi 多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換素子の構造、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換ユニットの構造、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換集合ユニットの構造及びその製造方法、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換モジュールの構造及びその製造方法、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換パネルの構造及びその製造方法、多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換シートの構造及びその製造方法、並びに多数連結ゼーベック係数増幅熱電変換システムの構造
JP2012109335A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Nec Corp 熱電変換モジュール
JP2019161169A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 株式会社アツミテック 熱電発電装置
WO2019176495A1 (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 株式会社アツミテック 熱電発電装置
US11557707B2 (en) 2018-03-16 2023-01-17 Atsumitec Co., Ltd. Thermoelectric power-generation device

Also Published As

Publication number Publication date
NL8801093A (nl) 1989-11-16
US5006178A (en) 1991-04-09
EP0339715A1 (en) 1989-11-02

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