JPH03155376A - 熱電発電素子 - Google Patents
熱電発電素子Info
- Publication number
- JPH03155376A JPH03155376A JP1289942A JP28994289A JPH03155376A JP H03155376 A JPH03155376 A JP H03155376A JP 1289942 A JP1289942 A JP 1289942A JP 28994289 A JP28994289 A JP 28994289A JP H03155376 A JPH03155376 A JP H03155376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric
- temperature side
- thermoelectric material
- semiconductor
- power generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 3
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- CMFIWMWBTZQTQH-IDTAVKCVSA-N 9-[(2r,3r,4s,5s)-3,4-dihydroxy-5-(2-methylpropylsulfanylmethyl)oxolan-2-yl]-3h-purin-6-one Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CSCC(C)C)O[C@H]1N1C(NC=NC2=O)=C2N=C1 CMFIWMWBTZQTQH-IDTAVKCVSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Electromechanical Clocks (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱電発電装置に用いられる熱電発電素子に関
するものである。
するものである。
第9図は熱電発電の原理の説明図で、同図において、1
1はP型熱電素材、12はN型熱電素材、13は電気絶
縁物、14は正孔(+)、15は電子(−Li2は高温
側の導体、17と18は低温側の導体、19は導線、2
0は電球である。
1はP型熱電素材、12はN型熱電素材、13は電気絶
縁物、14は正孔(+)、15は電子(−Li2は高温
側の導体、17と18は低温側の導体、19は導線、2
0は電球である。
この熱電発電の原理は、公知の温度測定用の熱電対と同
様に、前記両熱電素材IL 12の高温側と低温側の温
度差によって、前記両熱電素子11.12に起電力が発
生し、これに電球20を接続すれば、点灯する。
様に、前記両熱電素材IL 12の高温側と低温側の温
度差によって、前記両熱電素子11.12に起電力が発
生し、これに電球20を接続すれば、点灯する。
二〇熱電発電の熱効率ηは、以下の式で表わされる性能
指数Zが大きいほど、理想効率(カルノー効率)に近づ
き、また温度差が大きいほど、熱効率ηが上昇する。こ
れを第10図に示す。
指数Zが大きいほど、理想効率(カルノー効率)に近づ
き、また温度差が大きいほど、熱効率ηが上昇する。こ
れを第10図に示す。
ここで、熱電発電の熱効率ηを決定する性能指数Zは以
下の式で表わされたものの平均として定義される。
下の式で表わされたものの平均として定義される。
前述の熱電素材11.12は、熱が流れにくく、その両
端に大きな温度差がついて、大きな起電力を発生すると
ともに、その起電力の素子内部での損失を極力少なくす
るように、電流が通りやすいことが要求される。すなわ
ち、大きな電気伝導度(電気抵抗が小さい)と小さな熱
伝導度(熱抵抗が大きい)が特性として求められている
。
端に大きな温度差がついて、大きな起電力を発生すると
ともに、その起電力の素子内部での損失を極力少なくす
るように、電流が通りやすいことが要求される。すなわ
ち、大きな電気伝導度(電気抵抗が小さい)と小さな熱
伝導度(熱抵抗が大きい)が特性として求められている
。
しかしながら、金属材料の7場合は電気伝導度と熱伝導
度の比率は一定であること(ビープマン・フランツの法
則)が知られており、電気伝導度だけが大きく熱伝導度
の小さい物質を得ることは困難である。
度の比率は一定であること(ビープマン・フランツの法
則)が知られており、電気伝導度だけが大きく熱伝導度
の小さい物質を得ることは困難である。
本発明は上記のような問題点を解決しようとするもので
ある。すなわち、本発明は、電気伝導度の温度依存性が
大きく、それに比較して熱伝導度の温度依存性が小さい
半導体熱電素材を用い、かつ、高温側での熱と電気の通
過断面積を小さ(、低温側ではそれを大きくすることに
よって、材料そのものの物性値として決っている熱伝導
度に対する電気伝導度の比を、全体として大きくし、熱
電発電の熱効率を向上させることができる熱電発電素子
を提供することを目的とするものである。
ある。すなわち、本発明は、電気伝導度の温度依存性が
大きく、それに比較して熱伝導度の温度依存性が小さい
半導体熱電素材を用い、かつ、高温側での熱と電気の通
過断面積を小さ(、低温側ではそれを大きくすることに
よって、材料そのものの物性値として決っている熱伝導
度に対する電気伝導度の比を、全体として大きくし、熱
電発電の熱効率を向上させることができる熱電発電素子
を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は、電気的にも熱的
にも良導体である高温側電極と、熱電素材と、電気的に
も熱的にも良導体である低温側電極とを順次接合してな
る熱電発電素子において、前記熱電素材は、熱伝導度の
温度依存性に比較して電気伝導度の温度依存性が大きい
半導体熱電素材からなり、かつ、電気と熱の通過断面積
が高温側では小さく、低温側ではそれが大きくなってい
るものとした。
にも良導体である高温側電極と、熱電素材と、電気的に
も熱的にも良導体である低温側電極とを順次接合してな
る熱電発電素子において、前記熱電素材は、熱伝導度の
温度依存性に比較して電気伝導度の温度依存性が大きい
半導体熱電素材からなり、かつ、電気と熱の通過断面積
が高温側では小さく、低温側ではそれが大きくなってい
るものとした。
本発明によれば、熱電素材は、熱伝導度の温度依存性に
比較して電気伝導度の温度依存性が大きい半導体である
ので、上記金属の場合のビープマン・フランツの法則に
従わなく、また熱電素材は、電気と熱の通過断面積が高
温側では小さく、低温側ではそれが太き(なっている形
状にしているので、熱電素材の全体の熱伝導度を小さく
しても、電気伝導度の低下を相対的に極めて低く抑える
ことができる。したがって、該素材で定まっている熱伝
導度に対する電気伝導度の比が形状を変えない場合と比
較して大きくなって、熱電発電素子の熱効率、つまり、
発電効率を向上させることができる。
比較して電気伝導度の温度依存性が大きい半導体である
ので、上記金属の場合のビープマン・フランツの法則に
従わなく、また熱電素材は、電気と熱の通過断面積が高
温側では小さく、低温側ではそれが太き(なっている形
状にしているので、熱電素材の全体の熱伝導度を小さく
しても、電気伝導度の低下を相対的に極めて低く抑える
ことができる。したがって、該素材で定まっている熱伝
導度に対する電気伝導度の比が形状を変えない場合と比
較して大きくなって、熱電発電素子の熱効率、つまり、
発電効率を向上させることができる。
第1図は本発明の第1実施例を示した断面図であり、第
2図は第1図の熱電素材を拡大して示した斜視図である
。
2図は第1図の熱電素材を拡大して示した斜視図である
。
第1図において、1は熱の良導体からなる基板、2は酸
化ベリリウムまたはダイヤモンド薄膜などからなる電気
的には不良導体で熱的には良導体である電気絶縁物、3
は電気的にも熱的にも良導体である低温側電極、4は電
気的にも熱的にも不良導体である絶縁物、5は後述する
熱電素材、6は電気的にも熱的にも良導体である高温側
電極、7は電気的にも熱的にも不良導体である絶縁物、
8は酸化ベリリウムまたはダイヤモンド薄膜などからな
る電気的には不良導体で熱的には良導体である電気絶縁
物である。また第1図にみられる左方の絶縁物4と中央
の絶縁物7の間の熱電素材5がP型熱電素材、右方の絶
縁物4と中央の絶縁物7の間の熱電素材5がN型熱電素
材である。
化ベリリウムまたはダイヤモンド薄膜などからなる電気
的には不良導体で熱的には良導体である電気絶縁物、3
は電気的にも熱的にも良導体である低温側電極、4は電
気的にも熱的にも不良導体である絶縁物、5は後述する
熱電素材、6は電気的にも熱的にも良導体である高温側
電極、7は電気的にも熱的にも不良導体である絶縁物、
8は酸化ベリリウムまたはダイヤモンド薄膜などからな
る電気的には不良導体で熱的には良導体である電気絶縁
物である。また第1図にみられる左方の絶縁物4と中央
の絶縁物7の間の熱電素材5がP型熱電素材、右方の絶
縁物4と中央の絶縁物7の間の熱電素材5がN型熱電素
材である。
そして、第2図に示すように、各熱電素材5は、電気と
熱の通過断面積が、高温側では小さく、低温側ではそれ
が徐々に大きくなるように、ピラミッドの頂上を平面に
したような形状になっている。
熱の通過断面積が、高温側では小さく、低温側ではそれ
が徐々に大きくなるように、ピラミッドの頂上を平面に
したような形状になっている。
第3図は本発明の第2実施例を示し、第4図は同じく第
3実施例を示し、第5図は同じく第4実施例を示した斜
視図であり、いずれも、熱電素子5だけを示し、他の部
材については、図示を省略している。
3実施例を示し、第5図は同じく第4実施例を示した斜
視図であり、いずれも、熱電素子5だけを示し、他の部
材については、図示を省略している。
そして、第3図では、熱電素材5が截頭円錐形(円錐台
形)になっており、第4図では、熱電素材5の内部に逆
円錐形の空洞を有し、第5図では、底面(低温側)に届
かない円筒状の空洞を有し、いずれも、電気と熱の通過
断面積が熱電素子の高温側では小さく、低温側では大き
くなっている。
形)になっており、第4図では、熱電素材5の内部に逆
円錐形の空洞を有し、第5図では、底面(低温側)に届
かない円筒状の空洞を有し、いずれも、電気と熱の通過
断面積が熱電素子の高温側では小さく、低温側では大き
くなっている。
第6図には、大きなゼーベック係数Sを示す・アモルフ
ァス半導体Fe5iz熱電素材の電気伝導度σの特性の
一例を示している。
ァス半導体Fe5iz熱電素材の電気伝導度σの特性の
一例を示している。
同図の曲線a、b、cは、(x/100)原子%Mnを
入れたFel−xMn、t(SiO)zの場合で、曲線
aは0.5原子%Mn、つまり、F eo、 wwsM
no、 oss(Sin) tであり、曲線すはMnが
0原子%、曲線CはMnが3.9原子%の場合である。
入れたFel−xMn、t(SiO)zの場合で、曲線
aは0.5原子%Mn、つまり、F eo、 wwsM
no、 oss(Sin) tであり、曲線すはMnが
0原子%、曲線CはMnが3.9原子%の場合である。
第6図の曲線aの電気伝導度σは、素子の温度が300
度(絶対温度)から700度(絶対温度)になるにつれ
て、0.1(Ω−’ca+−りから20(Ω−IC1′
)と、2桁以上大きくなることがわかる。
度(絶対温度)から700度(絶対温度)になるにつれ
て、0.1(Ω−’ca+−りから20(Ω−IC1′
)と、2桁以上大きくなることがわかる。
一方、半導体の熱伝導度には温度Tが大きく変化しても
、一般にあまり変化しないことが知られている。
、一般にあまり変化しないことが知られている。
したがって、第2図〜第5図の実施例の熱電素材5とし
ては、第6図の曲線aで示される素材、つまり、Feo
、995Mno、oos(SiO)zを用い、すなわち
、熱伝導度にの温度依存性に比較して電気伝導度σの温
度依存性が、きわめて大きい半導体熱電素材を用いた例
である。
ては、第6図の曲線aで示される素材、つまり、Feo
、995Mno、oos(SiO)zを用い、すなわち
、熱伝導度にの温度依存性に比較して電気伝導度σの温
度依存性が、きわめて大きい半導体熱電素材を用いた例
である。
ここで、もし、電気伝導度σと熱伝導度Kが、ともに温
度依存性がない熱電素材を用いた場合には、高温側で前
記断面積を小さくしても、その分だけ、電気伝導度σも
熱伝導度にも同じ割合で小となり、一定であるので、性
能指数Zも一定である。したがって、熱効率ηも変化し
ない。
度依存性がない熱電素材を用いた場合には、高温側で前
記断面積を小さくしても、その分だけ、電気伝導度σも
熱伝導度にも同じ割合で小となり、一定であるので、性
能指数Zも一定である。したがって、熱効率ηも変化し
ない。
しかし、第6図の曲線aで示される特性を有する半導体
熱電素材、つまり、第2図〜第5図の熱電素材5の場合
は、熱伝導度Kには温度依存性が少なく、電気伝導度σ
に第6図の曲線aのような大きな温度依存性があるので
、上記のケースとは異なり、以下のようになる。
熱電素材、つまり、第2図〜第5図の熱電素材5の場合
は、熱伝導度Kには温度依存性が少なく、電気伝導度σ
に第6図の曲線aのような大きな温度依存性があるので
、上記のケースとは異なり、以下のようになる。
すなわち、熱伝導度には高温側で前記断面積が小さくな
った分だけ小さくなるが、電気伝導度σは高温側でその
温度依存性により低温側での値よりも大きな値(桁のオ
ーダ)を示すので、前記断面積が小さくなって高温域で
の電気伝導度σが多少低下(数分の−のオーダ)しても
、素子全体の性能指数Zも大きくなる。これにより、熱
効率ηも向上する。
った分だけ小さくなるが、電気伝導度σは高温側でその
温度依存性により低温側での値よりも大きな値(桁のオ
ーダ)を示すので、前記断面積が小さくなって高温域で
の電気伝導度σが多少低下(数分の−のオーダ)しても
、素子全体の性能指数Zも大きくなる。これにより、熱
効率ηも向上する。
これを定量的に示すため、高温側と低温側の2つの部分
からなるモデル素子を考える。熱電素子の両端の温度は
高温側端部でT1、低温側端部でTcとし、簡単化のた
め素子の内部ではそれぞれ温度は一定であるとする。ま
た熱伝導度は高温側の温度TNにおいてに8とし、低温
側の温度Tcにおいてに、とし、両者は同じとする。電
気伝導度は高温側の温度THにおいてσ8とし、低温側
の温度T、においてσ、とし、また高温側では低温側に
比べ、100倍大きいとする。すると、K、=Kc
・・・(1)σ、 =100 σ。
・・・(2)ここで、高温側と低温側は、それぞ
れT、で加熱、Tcで冷却されているものとする。
からなるモデル素子を考える。熱電素子の両端の温度は
高温側端部でT1、低温側端部でTcとし、簡単化のた
め素子の内部ではそれぞれ温度は一定であるとする。ま
た熱伝導度は高温側の温度TNにおいてに8とし、低温
側の温度Tcにおいてに、とし、両者は同じとする。電
気伝導度は高温側の温度THにおいてσ8とし、低温側
の温度T、においてσ、とし、また高温側では低温側に
比べ、100倍大きいとする。すると、K、=Kc
・・・(1)σ、 =100 σ。
・・・(2)ここで、高温側と低温側は、それぞ
れT、で加熱、Tcで冷却されているものとする。
いま、高温側と低温側の電気および熱の通過断面積を同
じとした場合を第7図に示し、高温側の前記断面積が低
温側のそれの−とした場合を第0 8図に示し、第7図の場合と第8図の場合を比較する。
じとした場合を第7図に示し、高温側の前記断面積が低
温側のそれの−とした場合を第0 8図に示し、第7図の場合と第8図の場合を比較する。
第7図の場合、全体の熱伝導度および電気伝導度をそれ
ぞれKa、 σ、とすると、第8図の場合、全体の熱
伝導度および電気伝導度をそれぞれに1πとすると、 一σ躬 0 □σC 0 したがって、上記(7)式から次の(9)式が、上記(
8)式から次の(10)式が得られる。
ぞれKa、 σ、とすると、第8図の場合、全体の熱
伝導度および電気伝導度をそれぞれに1πとすると、 一σ躬 0 □σC 0 したがって、上記(7)式から次の(9)式が、上記(
8)式から次の(10)式が得られる。
したがって、上記(3)式から次の(5)式が、上記(
4)式から次の(6)式が得られる。
4)式から次の(6)式が得られる。
1
・ ・ ・(10)
ここで、第7図の場合と第8図の場合を比べるることに
よって、 ・ ・ ・ (11) 0 1 第7図の場合および第8図の場合とも、ゼーベック係数
S (T)は、高温側の温度がTNであり、低温側の温
度がTcであるので、変わらない。しか合は約5倍大き
くなるため、性能指数Zも約5倍太き(なる。
よって、 ・ ・ ・ (11) 0 1 第7図の場合および第8図の場合とも、ゼーベック係数
S (T)は、高温側の温度がTNであり、低温側の温
度がTcであるので、変わらない。しか合は約5倍大き
くなるため、性能指数Zも約5倍太き(なる。
したがって、熱電素材の熱の通過断面形状を高温側で小
さくすることにより、平均の性能指数を大きくし、熱効
率を向上させることができる。またこれは、熱電素材の
電気伝導度を僅かに低下させるかわりに熱伝導度を著し
く低下させることであり、同じ温度差がついている場合
、電気出力が僅かに低下するが、熱の流入が著しく少な
くなり、大熱量に対する電気出力の割合、すなわち、発
電効率が向上するともいえる。
さくすることにより、平均の性能指数を大きくし、熱効
率を向上させることができる。またこれは、熱電素材の
電気伝導度を僅かに低下させるかわりに熱伝導度を著し
く低下させることであり、同じ温度差がついている場合
、電気出力が僅かに低下するが、熱の流入が著しく少な
くなり、大熱量に対する電気出力の割合、すなわち、発
電効率が向上するともいえる。
以上説明したように、本発明によれば、熱電素材は、熱
伝導度の温度依存性に比較して電気伝導度の温度依存性
が大きい半導体であるので、温度の上昇に伴なって電気
伝導度が大きくなる割りには、熱伝導度は大きく変化せ
ず、また該熱電素材は、電気と熱の通過断面積が高温側
では小さく、低温側ではそれが太き(なっている形状に
しているので、該熱電素材の平均の熱伝導度を小さくし
ながら、電気伝導度の低下を低(抑えることができる。
伝導度の温度依存性に比較して電気伝導度の温度依存性
が大きい半導体であるので、温度の上昇に伴なって電気
伝導度が大きくなる割りには、熱伝導度は大きく変化せ
ず、また該熱電素材は、電気と熱の通過断面積が高温側
では小さく、低温側ではそれが太き(なっている形状に
しているので、該熱電素材の平均の熱伝導度を小さくし
ながら、電気伝導度の低下を低(抑えることができる。
したがって、該素材で定まっている熱伝導度に対する電
気伝導度の比が全体として大きくなリ、性能指数も大き
くなって熱電発電素子の熱効率、つまり、発電効率を向
上させることができる効果がある。
気伝導度の比が全体として大きくなリ、性能指数も大き
くなって熱電発電素子の熱効率、つまり、発電効率を向
上させることができる効果がある。
第1図は本発明の第1実施例を示した断面図、第2図は
第1図の熱電素材を拡大して示した斜視図、第3図は本
発明の第2実施例を示した斜視図、第4図は同じく第3
実施例を示した斜視図、第5図は同じく第4実施例を示
した斜視図、第6図はアモルファスFe5iz熱電素材
の電気伝導度の特性の一例を示した説明図、第7図は熱
電素子の1つのモデルの説明図、第8図は同じくもう1
つのモデルの説明図、第9図は熱電発電の原理の説明図
、第10図は熱電発電の熱効率と性能指数の関係の説明
図である。 1・・・基板、 2・・・電気絶縁物、3・・・
低温側電極、 4・・・絶縁物、5・・・熱電素材、
6・・・高温側電極、7・・・絶縁物、 8・・
・電気絶縁物。 奉 奈 ネ ア 図 峯 図 峯 図 第10図 高 シビ24列 (ジ!(”C)
第1図の熱電素材を拡大して示した斜視図、第3図は本
発明の第2実施例を示した斜視図、第4図は同じく第3
実施例を示した斜視図、第5図は同じく第4実施例を示
した斜視図、第6図はアモルファスFe5iz熱電素材
の電気伝導度の特性の一例を示した説明図、第7図は熱
電素子の1つのモデルの説明図、第8図は同じくもう1
つのモデルの説明図、第9図は熱電発電の原理の説明図
、第10図は熱電発電の熱効率と性能指数の関係の説明
図である。 1・・・基板、 2・・・電気絶縁物、3・・・
低温側電極、 4・・・絶縁物、5・・・熱電素材、
6・・・高温側電極、7・・・絶縁物、 8・・
・電気絶縁物。 奉 奈 ネ ア 図 峯 図 峯 図 第10図 高 シビ24列 (ジ!(”C)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電気的にも熱的にも良導体である高温側電極と、熱
電素材と、電気的にも熱的にも良導体である低温側電極
とを順次接合してなる熱電発電素子において、前記熱電
素材は、熱伝導度の温度依存性に比較して電気伝導度の
温度依存性が大きい半導体熱電素材からなり、かつ、電
気と熱の通過断面積が高温側では小さく、低温側ではそ
れが大きくなっていることを特徴とする、熱電発電素子
。 2、半導体熱電素材が、アモルファス鉄シリサイド半導
体からなる請求項1記載の熱電発電素子。 3、半導体熱電素材が、アモルファスFe_0_._9
_9_5Mn_0_._0_0_5(SiO)_2半導
体からなる請求項1記載の熱電発電素子。 4、半導体熱電素材が、アモルファスFe_0_._9
_5Cr_0_._0_5(SiO)_2半導体からな
る請求項1記載の熱電発電素子。 5、電気と熱の通過断面積が、低温側から高温側にいく
につれて徐々に小さくなっている請求項1、2、3また
は4記載の熱電発電素子。 6、熱電素材の高温側の電極と接する部分および低温側
の電極と接する部分が、ともに面からなっている請求項
1、2、3または4記載の熱電発電素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1289942A JP2670366B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 熱電発電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1289942A JP2670366B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 熱電発電素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03155376A true JPH03155376A (ja) | 1991-07-03 |
JP2670366B2 JP2670366B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=17749736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1289942A Expired - Fee Related JP2670366B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 熱電発電素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2670366B2 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06318737A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 熱交換システム |
JPH0897472A (ja) * | 1994-05-23 | 1996-04-12 | Seiko Instr Inc | 熱電変換素子とその製造方法 |
WO2002047177A3 (en) * | 2000-12-07 | 2002-12-05 | Ibm | Enhanced interface thermoelectric coolers |
WO2002047176A3 (en) * | 2000-12-07 | 2002-12-05 | Ibm | Enhanced interface thermoelectric coolers |
US6608250B2 (en) | 2000-12-07 | 2003-08-19 | International Business Machines Corporation | Enhanced interface thermoelectric coolers using etched thermoelectric material tips |
WO2004040617A3 (en) * | 2002-10-20 | 2004-08-19 | Borealis Tech Ltd | Thermoelectric material with integrated de broglie wave filter |
WO2005041314A3 (en) * | 2003-10-29 | 2005-08-18 | Elasthermo Ltd | Thermoelectric device and system |
JP2006253341A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 温度差がつきやすい熱電発電素子 |
US7566897B2 (en) | 2006-09-18 | 2009-07-28 | Borealis Technical Limited | Quantum interference device |
US7658772B2 (en) | 1997-09-08 | 2010-02-09 | Borealis Technical Limited | Process for making electrode pairs |
WO2010063044A3 (de) * | 2008-11-14 | 2010-11-18 | Herbert Karl Fuchs | Verfahren zur umwandlung von wärmeenergie in elektrische energie |
US7935954B2 (en) | 1998-06-08 | 2011-05-03 | Borealis Technical Limited | Artificial band gap |
US20110168224A1 (en) * | 2010-01-14 | 2011-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric device and thermoelectric device array |
US20120000500A1 (en) * | 2009-03-03 | 2012-01-05 | Tokyo University of Science Education Foundation Administration Organization | Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module |
US8227885B2 (en) | 2006-07-05 | 2012-07-24 | Borealis Technical Limited | Selective light absorbing semiconductor surface |
US8330192B2 (en) | 2005-01-24 | 2012-12-11 | Borealis Technical Limited | Method for modification of built in potential of diodes |
US8574663B2 (en) | 2002-03-22 | 2013-11-05 | Borealis Technical Limited | Surface pairs |
US8594803B2 (en) | 2006-09-12 | 2013-11-26 | Borealis Technical Limited | Biothermal power generator |
WO2017068527A1 (en) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | Consorzio Delta Ti Research | Thermoelectric generator |
WO2020066948A1 (en) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Aisin Takaoka Co., Ltd. | Method of manufacturing thermoelectric module, thermoelectric element, and thermoelectric module |
IT201900009627A1 (it) * | 2019-06-20 | 2020-12-20 | Fondazione St Italiano Tecnologia | Microgeneratore termoelettrico flessibile e relativo metodo di produzione |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61254082A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-11 | Suzuki Motor Co Ltd | 排気熱発電装置 |
JPS62145783A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Hitachi Ltd | 薄膜型熱電モジユ−ル |
JPH02114393U (ja) * | 1988-07-27 | 1990-09-13 |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP1289942A patent/JP2670366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61254082A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-11 | Suzuki Motor Co Ltd | 排気熱発電装置 |
JPS62145783A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Hitachi Ltd | 薄膜型熱電モジユ−ル |
JPH02114393U (ja) * | 1988-07-27 | 1990-09-13 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06318737A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 熱交換システム |
JPH0897472A (ja) * | 1994-05-23 | 1996-04-12 | Seiko Instr Inc | 熱電変換素子とその製造方法 |
US7658772B2 (en) | 1997-09-08 | 2010-02-09 | Borealis Technical Limited | Process for making electrode pairs |
US7935954B2 (en) | 1998-06-08 | 2011-05-03 | Borealis Technical Limited | Artificial band gap |
JP2004515926A (ja) * | 2000-12-07 | 2004-05-27 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 熱電装置 |
WO2002047176A3 (en) * | 2000-12-07 | 2002-12-05 | Ibm | Enhanced interface thermoelectric coolers |
US6740600B2 (en) | 2000-12-07 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Enhanced interface thermoelectric coolers with all-metals tips |
JP2004515925A (ja) * | 2000-12-07 | 2004-05-27 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 強化型インターフェース熱電冷却器 |
WO2002047177A3 (en) * | 2000-12-07 | 2002-12-05 | Ibm | Enhanced interface thermoelectric coolers |
JP2004515924A (ja) * | 2000-12-07 | 2004-05-27 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 強化型インターフェース熱電冷却器 |
WO2002047178A3 (en) * | 2000-12-07 | 2003-09-12 | Ibm | Thermoelectric devices |
US6608250B2 (en) | 2000-12-07 | 2003-08-19 | International Business Machines Corporation | Enhanced interface thermoelectric coolers using etched thermoelectric material tips |
US8574663B2 (en) | 2002-03-22 | 2013-11-05 | Borealis Technical Limited | Surface pairs |
WO2004040617A3 (en) * | 2002-10-20 | 2004-08-19 | Borealis Tech Ltd | Thermoelectric material with integrated de broglie wave filter |
WO2005041314A3 (en) * | 2003-10-29 | 2005-08-18 | Elasthermo Ltd | Thermoelectric device and system |
US8330192B2 (en) | 2005-01-24 | 2012-12-11 | Borealis Technical Limited | Method for modification of built in potential of diodes |
JP4524382B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2010-08-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 温度差がつきやすい熱電発電素子 |
JP2006253341A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 温度差がつきやすい熱電発電素子 |
US8227885B2 (en) | 2006-07-05 | 2012-07-24 | Borealis Technical Limited | Selective light absorbing semiconductor surface |
US8594803B2 (en) | 2006-09-12 | 2013-11-26 | Borealis Technical Limited | Biothermal power generator |
US7566897B2 (en) | 2006-09-18 | 2009-07-28 | Borealis Technical Limited | Quantum interference device |
US8519253B2 (en) | 2008-11-14 | 2013-08-27 | Herbert Karl Fuchs | Method for converting thermal energy into electrical energy |
WO2010063044A3 (de) * | 2008-11-14 | 2010-11-18 | Herbert Karl Fuchs | Verfahren zur umwandlung von wärmeenergie in elektrische energie |
US20120000500A1 (en) * | 2009-03-03 | 2012-01-05 | Tokyo University of Science Education Foundation Administration Organization | Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module |
US20110168224A1 (en) * | 2010-01-14 | 2011-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric device and thermoelectric device array |
WO2017068527A1 (en) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | Consorzio Delta Ti Research | Thermoelectric generator |
JP2018537848A (ja) * | 2015-10-23 | 2018-12-20 | コンソルツィオ デルタ ティ リサーチ | 熱電発電器 |
US10388845B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-08-20 | Consorzio Delta Ti Research | Thermoelectric generator |
WO2020066948A1 (en) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | Aisin Takaoka Co., Ltd. | Method of manufacturing thermoelectric module, thermoelectric element, and thermoelectric module |
JP2020053572A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | アイシン高丘株式会社 | 熱電モジュールの製造方法、熱電素子及び熱電モジュール |
IT201900009627A1 (it) * | 2019-06-20 | 2020-12-20 | Fondazione St Italiano Tecnologia | Microgeneratore termoelettrico flessibile e relativo metodo di produzione |
WO2020254956A1 (en) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | Fondazione Istituto Italiano Di Tecnologia | Flexible thermoelectric microgenerator and production method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2670366B2 (ja) | 1997-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03155376A (ja) | 熱電発電素子 | |
US10305014B2 (en) | Methods and devices for controlling thermal conductivity and thermoelectric power of semiconductor nanowires | |
US6958443B2 (en) | Low power thermoelectric generator | |
US8044293B2 (en) | High performance thermoelectric nanocomposite device | |
Xuan et al. | A general model for studying effects of interface layers on thermoelectric devices performance | |
JP4881919B2 (ja) | 熱電素子を有する熱電発電機 | |
US4463214A (en) | Thermoelectric generator apparatus and operation method | |
KR20120080820A (ko) | 열전모듈 | |
US3048643A (en) | Thermoelectric generator unit | |
JPH05315657A (ja) | 熱電変換素子と熱電変換装置 | |
JPWO2018042708A1 (ja) | 熱電変換装置および電子装置 | |
US3441449A (en) | Thermoelectric system | |
RU2628676C1 (ru) | Термоэлектрический элемент | |
Lee | Thermoelectric Generators | |
Tohmyoh et al. | A plate-type thermoelectric power generator with an oxidized bi-metal interface for power generation from a small temperature difference | |
JP3482094B2 (ja) | 熱電変換素子用熱応力緩和パッド及び熱電変換素子 | |
JPH0370483A (ja) | 高熱抵抗型熱電発電装置 | |
JP3056047B2 (ja) | 熱電変換素子用熱応力緩和パッド及び熱電変換素子 | |
TW201327951A (zh) | 熱電發電裝置與模組 | |
JPH05299704A (ja) | サーモモジュール | |
JPH0227826B2 (ja) | ||
JPH04139773A (ja) | 熱電変換装置 | |
JP2002076448A (ja) | 熱電素子 | |
JPH0320909B2 (ja) | ||
TWI744717B (zh) | 熱電溫差發電裝置及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |