JPS6125259Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、高周波信号伝送回路網中に接続さ
れる基板型回路に用いられる基板型回路用ダイオ
ードに関する。

従来のダイオード１は、例えば第１図に示すよ
うな構造をなしている。すなわち、ガラスケース
２内にダイオード素子を構成する探針３と半導体
ペレツト４とが収納されている。探針３およびペ
レツト４にはそれぞれガラスケース２の側壁を貫
通して外部にのびているリード線５および６が接
続されている。一般に、ダイオード素子の探針側
はカソード側となりペレツト側はアノード側とな
る。

従来、基板型回路はこのようなダイオードを例
えばハンダ付けで基板に取付けることにより構成
されている。なお、この明細書において基板型回
路とは、回路を構成する抵抗、ダイオード、コン
デンサ等の種々の素子あるいは伝送線路等が基板
上に配置され、このような構成とされた基板全体
を金属ケースで包囲した回路を意味するものと定
義する。

しかしながら上述のような従来のダイオードを
用いて構成した基板型回路は、高周波信号伝送回
路網中に用いられた場合、効率が悪く所期の出力
特性を得るのは非常に困難である。

というのは、ダイオードの探針部の特性インピ
ーダンスが極めて大きくなり高周波信号伝送回路
とのインピーダンス整合が困難となるからであ
る。

一般に、同軸型線路のインピーダンスZoは、
第２図に示されているように、内導体の直径を
ａ、外導体の直径をｂ、内導体を支持している誘
電体の比誘電率をε_rとすると、次式のようにあ
らわされる。

第３，４および５図に示されているように、ダ
イオード１を基板７上に配置しそのリード線５お
よび６を高周波信号伝送線路８および９に例えば
ハンダ付けで取付け、ケース１０内に収納し蓋部
材１１で閉じて基板型回路を構成した場合、上式
(1)からダイオード１の指針部の特性インピーダン
スがどの程度になるかが推測できる。

第３，４および５図に示されている基板型回路
においては、蓋部材１１から基板７の底面までの
距離に比べてダイオード１の探針の直径は非常に
小さいので、その部分の特性インピーダンスは極
めて大きくなる。例えば、探針３の直径を0.05
mm、蓋部材１１から基板７の底面までの距離を15
mmとすると、そ部分の特性インピーダンスZo
は、誘電体の比誘電率ε_rが一般的に２ないし３
から20ないし30であことを考慮すると、200ない
し400（Ω）と高い値となる。したがつて、高周
波信号伝送回路とのインピーダンス整合が極めて
困難となる。

又、ケース１０内に収納し、蓋部材１１で閉じ
て基板型回路を構成しているので、この構造が大
型化すると共に、複雑になるという問題もあつ
た。

この考案の目的は、高周波信号伝送回路網中に
接続される基板型回路に用いられる基板型回路用
ダイオードであつて、基板型回路と高周波信号伝
送回路とのインピーダンス整合を容易にするよう
に、特性インピーダンスが小さくできると共に構
造も簡単な基板型回路用ダイオードを提供するこ
とである。

以下この考案を図面に示す実施例につき説明す
る。

第６，７および８図には、この考案による基板
型回路用ダイオード２１が示されている。すなわ
ち、従来のダイオード本体（棒状のガラスケース
内にダイオード素子を収容したもの）の二本のリ
ードが導出される両端面の一方の端面に位置する
端面部と、このダイオード本体の両端面を除く外
周の大半を覆う被覆部とを有する筒状の金属体２
２でダイオード本体を密封することなく覆い、か
つ金属体２２の端面部がダイオード本体のアノー
ド側およびカソード側からとり出されている二本
のリード線のうちの一方に接続されている構成と
なつている。

このような構成の基板型回路用ダイオードを用
いて、第３，４および５図のように構成した基板
型回路においては、外導体の内径は、蓋部材１１
から基板７の底面までの距離ではなく、金属体２
２の内径、つまりガラスケースの略外径位とな
り、式(1)におけるｂの値を小さくすることができ
る。したがつて、ダイオードの探針部の特性イン
ピーダンスZoを小さくすることができるので、
基板型回路と高周波信号伝送回路とのインピーダ
ンス接合が容易となる。

計算ではこのインピーダンスは約100（Ω）と
なつて整合が容易となり、インピーダンスが50
（Ω）の伝送線路に接続した場合でも出力が取出
せるまでになる。

第９，１０および１１図には、この考案による
他の実施例が示されている。

この実施例においては、前記実施例とは異な
り、タイオード２１が基板７にハンダ付けされた
際に基板７に近接する被覆部及び端面部が切除さ
れた金属体２２にてダイオード本体を密封するこ
となく覆う構造となつている。この実施例におい
ても当然ながら、金属体２２の端面部はダイオー
ド本体の一方のリード線に接続されている。この
構成のダイオード２１が第３，４および５図に示
されているように、基板型回路に取付けられた場
合には、ダイオード２１の探針部のインピーダン
スZoは金属体２２と基板７の底面のアースまで
の距離によつて定まる。したがつて、式(1)におけ
るｂの値が前記実施例に比べて若干大となるの
で、特性インピーダンスZoも若干大となる。し
かし、通常ダイオード２１は基板７に接するよう
に取付けられるので、この特性インピーダンスは
従来のものに比べ非常に小さくなり、インピーダ
ンス整合をとる上であまり問題にならない。尚、
この実施例によれば、ダイオード２１のガラスケ
ースの外径と金属体２２の内径の寸法誤差を金属
体の多少の変形により吸収することができ、取付
けが容易となる。

上記二つの実施例では、金属体２２はダイオー
ド本体のカソード側のリード線に接続されている
が、必ずしもこれに限定されるものではなく金属
体２２をアノード側のリード線に接続して同様の
効果を得ることもできる。

以上のように、高周波信号伝送回路網中に接続
される基板型回路、例えば、基板型検波器、基板
型変調器、基板型増巾器、基板型逓倍器等を、こ
の考案による基板型回路用ダイオードを用いて構
成した場合、これら基板型回路と高周波信号伝送
回路との良好なインピーダンス整合が得られる。
また、このような基板型回路用ダイオードを簡単
な構造にて実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のダイオードの構成を示す図、
第２図は、同軸型線路の断面図、第３図は、ダイ
オードを用いて構成した基板型回路の上面図、第
４図は、第３図の矢印Ａ−Ａの方向にみた図、第
５図は、第３図の矢印Ｂ−Ｂの方向にみた図、第
６図は、この考案による基板型回路用ダイオード
の外観を示す図、第７図は、第６図の矢印Ａ−Ａ
の方向にみた図、第８図は、第６図の矢印Ｂ−Ｂ
の方向にみた図、第９図は、この考案による基板
型回路用ダイオードの他の実施例の外観図、第１
０図は、第９図の矢印Ａ−Ａの方向にみた図、第
１１図は、第９図の矢印Ｂ−Ｂの方向にみた図、
である。 ５，６……ダイオードのリード線、２１……基
板型回路用ダイオード、２２……金属体。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 高周波信号伝送回路網中に接続される基板型回
   路に用いられ、ダイオード素子を棒状の絶縁体ケ
   ース内に収容し、上記ダイオード素子のアノード
   側およびカソード側の両リード線を上記ケースの
   両端面を慣通して外部へ導出してなる基板型回路
   用ダイオードにおいて、前記ケースの一方の端面
   側に位置し、前記両リード線の一方と接続される
   端面部と、前記ケースの前記両端面を除く外表面
   の少なくとも一部を覆う被覆部とを有すると共
   に、前記ケースを密封することのない金属体を備
   えたことを特徴とする基板型回路用ダイオード。