JP2890640B2 - Icパッケージ - Google Patents
IcパッケージInfo
- Publication number
- JP2890640B2 JP2890640B2 JP2084221A JP8422190A JP2890640B2 JP 2890640 B2 JP2890640 B2 JP 2890640B2 JP 2084221 A JP2084221 A JP 2084221A JP 8422190 A JP8422190 A JP 8422190A JP 2890640 B2 JP2890640 B2 JP 2890640B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- cap
- lead
- pellet
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はICのパッケージに関し、特にパッケージのリ
ード構造およびキャップ構造に関するものである。
ード構造およびキャップ構造に関するものである。
従来のセラミック型のICパッケージは、セラミックで
できているケース基体の中央凹所にICペレットをマウン
トし、このICペレットの電極と接続した単線の外部引出
しリードを、ケースに蓋をするキャップとの隙間から外
部に引出した構造となっていた。
できているケース基体の中央凹所にICペレットをマウン
トし、このICペレットの電極と接続した単線の外部引出
しリードを、ケースに蓋をするキャップとの隙間から外
部に引出した構造となっていた。
上述した従来のICパッケージでは、特性上電気的外部
信号等からのノイズ等の影響を受け易く、ICの高性能化
の障害となっていた。
信号等からのノイズ等の影響を受け易く、ICの高性能化
の障害となっていた。
本発明のICパッケージは、ICペレットを内蔵したパッ
ケージ本体(ケースとキャップ)の内壁を導電性物質
(セラミックパッケージの場合は内部に金属被膜をメッ
キもしくは蒸着,スパッタ等で披着したもの)で被い、
さらに、外部引出しリードを同軸型に形成して、外部か
らのノイズを防止している。
ケージ本体(ケースとキャップ)の内壁を導電性物質
(セラミックパッケージの場合は内部に金属被膜をメッ
キもしくは蒸着,スパッタ等で披着したもの)で被い、
さらに、外部引出しリードを同軸型に形成して、外部か
らのノイズを防止している。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は第1図
の実施例のA−A断面図である。第1図と第2図におい
て、セラミックのケース基体1のICペレット搭載部に導
電性マウント材2によりICペレット3がマウントされて
いる。ICペレット3の電極とケース1の周壁上面の外部
引出しリードの中心導体4との間はボンディングワイヤ
7により接続されており、外部引出しリードの中心導体
4の外周は絶縁体5により包まれ、さらに絶縁体5の外
周は厚さ約1〜5μmの外部導電被膜6で被われて、同
軸型に形成されている。外部導電被膜6はメッキまたは
スパッタあるいは蒸着で形成される。それからケース1
の周壁の上にキャップ8をかぶせ、接着材9により気密
封止される。また、キャップ8の内壁には1〜5μm程
度の導電性被膜10がメッキまたはスパッタあるいは蒸着
により被着されてており、しかして、この導電性被膜1
0、ICマウント部材2、および同軸型外部引出しリード
の外部導電被膜6は共にICのGNDへ接続される。
の実施例のA−A断面図である。第1図と第2図におい
て、セラミックのケース基体1のICペレット搭載部に導
電性マウント材2によりICペレット3がマウントされて
いる。ICペレット3の電極とケース1の周壁上面の外部
引出しリードの中心導体4との間はボンディングワイヤ
7により接続されており、外部引出しリードの中心導体
4の外周は絶縁体5により包まれ、さらに絶縁体5の外
周は厚さ約1〜5μmの外部導電被膜6で被われて、同
軸型に形成されている。外部導電被膜6はメッキまたは
スパッタあるいは蒸着で形成される。それからケース1
の周壁の上にキャップ8をかぶせ、接着材9により気密
封止される。また、キャップ8の内壁には1〜5μm程
度の導電性被膜10がメッキまたはスパッタあるいは蒸着
により被着されてており、しかして、この導電性被膜1
0、ICマウント部材2、および同軸型外部引出しリード
の外部導電被膜6は共にICのGNDへ接続される。
第3図は本発明の第2の実施例の断面図、第4図は第
3図のA−A断面図である。第3図と第4図において、
本例が第1図の実施例に比べてつぎのような相違があ
る。すなわち、ケース1とキャップ8との間の封止は導
電性封止材、例えばAuSn11を用いて封止されている。こ
の場合、外部引出しリードの中心導体4を包む絶縁体5
の外周には、第1図の実施例であった外部導電被膜6が
省かれていて、その代わり、導電性封止材11により絶縁
体5の外周をも包んでいることにより、外部引出しリー
ドは同軸型とされている。よって、本例は第1実施例に
比べ外部引出しリードの外部導電被膜の加工工程が不要
となる利点がある。
3図のA−A断面図である。第3図と第4図において、
本例が第1図の実施例に比べてつぎのような相違があ
る。すなわち、ケース1とキャップ8との間の封止は導
電性封止材、例えばAuSn11を用いて封止されている。こ
の場合、外部引出しリードの中心導体4を包む絶縁体5
の外周には、第1図の実施例であった外部導電被膜6が
省かれていて、その代わり、導電性封止材11により絶縁
体5の外周をも包んでいることにより、外部引出しリー
ドは同軸型とされている。よって、本例は第1実施例に
比べ外部引出しリードの外部導電被膜の加工工程が不要
となる利点がある。
以上説明したように本発明は、ICパッケージのリード
部を同軸ケーブル状に形成し、かつ、ケースに蓋をする
キャップ内壁に導電被膜を設けていることで、IC外部か
らの電気的ノイズを完全にシールドができる。これによ
り、従来のICでは、電気的ノイズをひろい誤動作を起す
欠点が、約1桁以上減らせる。即ち、IC内部の電気的ノ
イズは20〜30dB減衰が可能となる。
部を同軸ケーブル状に形成し、かつ、ケースに蓋をする
キャップ内壁に導電被膜を設けていることで、IC外部か
らの電気的ノイズを完全にシールドができる。これによ
り、従来のICでは、電気的ノイズをひろい誤動作を起す
欠点が、約1桁以上減らせる。即ち、IC内部の電気的ノ
イズは20〜30dB減衰が可能となる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は第1図の
A−A断面図、第3図は本発明の第2実施例の断面図、
第4図は第3図のA−A断面図である。 1……セラミックケース基体、2……マウント材、3…
…ICペレット、4……中心導体、5……絶縁体、6……
外部導電被膜、7……ボンディングワイヤ、8……キャ
ップ、9……接着材、10……導電性被膜、11……導電性
封止材。
A−A断面図、第3図は本発明の第2実施例の断面図、
第4図は第3図のA−A断面図である。 1……セラミックケース基体、2……マウント材、3…
…ICペレット、4……中心導体、5……絶縁体、6……
外部導電被膜、7……ボンディングワイヤ、8……キャ
ップ、9……接着材、10……導電性被膜、11……導電性
封止材。
Claims (1)
- 【請求項1】ICペレットを封止するキャップを有するIC
パッケージにおいて、前記ICペレットの電極を外部に導
出するときの外部引出しリードが同軸型に形成されてお
り、かつ前記同軸型の外部引出しリードとするときの周
囲導体が、前記キャップを封止するときの導電性封止材
により形成されていることを特徴とするICパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084221A JP2890640B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | Icパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084221A JP2890640B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | Icパッケージ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10329314A Division JPH11312747A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Icパッケ―ジ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283640A JPH03283640A (ja) | 1991-12-13 |
| JP2890640B2 true JP2890640B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=13824428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2084221A Expired - Lifetime JP2890640B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | Icパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890640B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2577088Y2 (ja) * | 1993-03-29 | 1998-07-23 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2758814B2 (ja) * | 1993-11-11 | 1998-05-28 | 日本電信電話株式会社 | 高周波半導体素子実装用パッケージおよびそれを用いた実装装置 |
| KR100480784B1 (ko) * | 2002-01-19 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | 동축 케이블을 구비한 SMD(Surface Mounted Device) 형태의 패키지 제조 방법 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2084221A patent/JP2890640B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03283640A (ja) | 1991-12-13 |
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