JPS6125258Y2 - - Google Patents

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JPS6125258Y2
JPS6125258Y2 JP1980117611U JP11761180U JPS6125258Y2 JP S6125258 Y2 JPS6125258 Y2 JP S6125258Y2 JP 1980117611 U JP1980117611 U JP 1980117611U JP 11761180 U JP11761180 U JP 11761180U JP S6125258 Y2 JPS6125258 Y2 JP S6125258Y2
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JP
Japan
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pads
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pellet
pad
size
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JP1980117611U
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JPS5741654U (ja
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  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、半導体ペレツトに関するものであ
る。通常の半導体装置の製造においては、例えば
樹脂封止形半導体装置の場合は、リードフレーム
を準備し、該フレームのタブ上に半導体ペレツト
を固定するペレツトボンデイングを行ない、該ペ
レツトのパツド部とインナーリードとの間をワイ
ヤで接続するワイヤボンデイングを行ない、その
後樹脂封止を行ない、アウターリードを露呈させ
たものである。
前記半導体装置の製造工程のうち、ワイヤボン
デイング工程においては、最近は位置合わせも機
械が行なうフルオートボンダーで実施することが
多い。通常のフルオートボンダーの機構は、ペレ
ツトボンデイング済のペレツトに光を照射し、ペ
レツトのワイヤボンデイング部であるパツドから
反射されてくる光をカメラでとらえ、パツドの位
置を認識し、あらかじめボンダーに記憶しておい
たパツドの座標とのズレ量を計算し、正確な位置
を求めて、それに従つてボンデイングを行なうも
のである。なお、通常認識に必要なパツド数は2
〜4個であり、認識エリアは約1mm□程度であ
る。
このようなフルオートボンダーによるワイヤボ
ンデイングは、人間によつて実施していた目合せ
と比べ、精度が良くなつたきており、従つて従来
ワイヤボンデイングでの位置ずれを考慮してワイ
ヤボンデイング部であるパツドをあらかじめ大き
くしておく必要が無くなつてきている。パツドを
小さくすることができると、ペレツトの縮小化等
種々の利点を得る事を期待することができる。し
かしながら、フルオートボンダーでの認識を十分
に行なわせるためには、パツドは現状の大きさで
ある100〜125μ□程度必要であり、認識の点から
はパツドを小さくすることはできないという矛盾
がある。
従つて、本考案の目的とするところは、認識に
必要なパツドについては認識に十分な大きさをも
たせ、その他のパツドについては、ボンデイング
に必要な大きさにし、認識の精度を落とすことな
くパツドのほとんどを小さくし、ペレツトサイズ
を小さくすることにある。本考案の特徴は平面形
状が四辺形の半導体ペレツトの四辺のそれぞれの
辺に沿つて多数のパツドが設けられた半導体ペレ
ツトにおいて、前記パツドはそれぞれ平面形状が
四辺形となつており、前記半導体ペレツトの二つ
の角近傍の少なくとも3つのパツドは他のパツド
より大きな四辺形状をなしかつそこにはスリツト
および切欠きは設けられておらず、この大きな平
面積のパツドは自動目合わせ機構を備えたフルオ
ートボンダーの認識に必要な大きさとなつてお
り、前記小さい平面積の他のパッドの大きさはボ
ンデイングに必要な大きさにした半導体ペレツト
である。このように2つの角近傍に少なくとも3
つのフルオートボンダーの認識ができるように大
きなパツドが設けられているから自動目合わせに
より、X方向のずれ、Y方向のずれ、θ方向のず
れが容易に認識できる。又、このパツドには切欠
きやスリツトがないから、上記認識作業の後にワ
イヤボンデイングパツドとして用いることができ
る。又、全てのパツドを大としないで上記認識に
関係のないパツドは小さくしてあるから集積度が
向上する。
以下に図面を参照して本考案の実施例を説明す
る。第1図は本考案によるペレツト表面の略図で
ある。
従来のパツドは、二点ボンデイング等の特別な
場合を除いて、同一ペレツト内では同じ大きさで
あつた。しかしながら本考案によるペレツトは、
認識に必要なパツドについては十分な認識精度が
得られるように十分な大きさをもたせる。通常認
識はペレツトの角で行なうため、本実施例におい
ても第1図のA,Bに示した2つの認識エリア内
にあるパツドは他と比べ大きく例えば110〜125μ
□程度が良い。その他のパツドについては、ボン
デイングに必要な大きさで良いため認識のための
パツドよりも小さく、例えば70〜100μ□程度が
良い。
上記のようなパツドにすれば、フルオートボン
ダーにおける認識精度を落とすことなく、ほとん
どのパツドの大きさを小さくすることが可能とな
り、ペレツトの大きさを小さくすることができ
る。その結果としてウエハー1枚当りのペレツト
の収率及び歩留の向上を期待することができる。
さらに、パツドの大きさはペレツトの設計時に考
慮しておけば容易にかえることができ、またパツ
ドが小さいことはペレツトの設計におけるパツ
ド、Al配線その他機能部のレイアウトも容易に
なるという利点もある。
以上のごとく、認識に必要なパツドのみを十分
な大きさにすれば、その他はボンデイングに必要
なパツドの大きさにしておけばよく、従つほとん
どのパツドは小さくすることが可能となり、ペレ
ツトサイズの縮小をもたらし、その結果ペレツト
の収率と歩留の向上等を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例のペレツトの概略を示
す平面図であり、1……ペレツト、2……ボンデ
イングパツド、3……パツドのうち認識に必要な
パツドであり、A,B……ボンデイングの際の認
識エリアを示している。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 平面形状が四辺形の半導体ペレツトの四辺のそ
    れぞれの辺に沿つて多数のパツドが設けられた半
    導体ペレツトにおいて、前記パツドはそれぞれ平
    面形状が四辺形となつており、前記半導体ペレツ
    トの二つの角近傍の少なくとも3つのパツドは他
    のパツドより大きな四辺形状をなしかつそこには
    スリツトおよび切欠きは設けられておらず、この
    大きな平面積のパツドは自動目合わせ機構を備え
    たフルオートボンダーの認識に必要な大きさとな
    つており、前記小さい平面積の他のパツドの大き
    さはボンデイングに必要な大きさにしたことを特
    徴とする半導体ペレツト。
JP1980117611U 1980-08-20 1980-08-20 Expired JPS6125258Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP1980117611U JPS6125258Y2 (ja) 1980-08-20 1980-08-20

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JP1980117611U JPS6125258Y2 (ja) 1980-08-20 1980-08-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5741654U JPS5741654U (ja) 1982-03-06
JPS6125258Y2 true JPS6125258Y2 (ja) 1986-07-29

Family

ID=29478369

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JP1980117611U Expired JPS6125258Y2 (ja) 1980-08-20 1980-08-20

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JP (1) JPS6125258Y2 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50110278A (ja) * 1974-02-06 1975-08-30
JPS5178174A (ja) * 1974-12-27 1976-07-07 Shinkawa Seisakusho Kk

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6023983Y2 (ja) * 1978-05-15 1985-07-17 日本電気株式会社 半導体装置用パッケ−ジ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50110278A (ja) * 1974-02-06 1975-08-30
JPS5178174A (ja) * 1974-12-27 1976-07-07 Shinkawa Seisakusho Kk

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Publication number Publication date
JPS5741654U (ja) 1982-03-06

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