JPS6125147A - 光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法 - Google Patents
光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、集束ざＵ／、：可視光レーザー又は近赤外レ
ー曇アーを用いた熱波１１又は熱２蒸着（１，１１（’
、ｒｌｌｌａｌｄｃｐｏｓｉ目０１１）により、光透過
性を右り°る基体トに′ミクロンリイズの金属皮膜をマ
スクなしで被着する方法に関し、特に該方法はフォトマ
スクの透明欠陥を修正する場合に利用でさるＺＪ法に関
１Ｊ゛るものｒある。
ー曇アーを用いた熱波１１又は熱２蒸着（１，１１（’
、ｒｌｌｌａｌｄｃｐｏｓｉ目０１１）により、光透過
性を右り°る基体トに′ミクロンリイズの金属皮膜をマ
スクなしで被着する方法に関し、特に該方法はフォトマ
スクの透明欠陥を修正する場合に利用でさるＺＪ法に関
１Ｊ゛るものｒある。
［従来の１に術１
従来光透過性をイｊ１する基体（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎ
ｔ ５Ｉｌｂ−ｓｔｒａｔｃ）に金属皮膜を局部的に被
着又は蒸着する種々の方法が知らねているが、これらの
方法の多くは、半導体索子の製造Ｃ使ねれているフォト
マスクの透明欠陥を修■するＩこめに用いられでいる。
ｔ ５Ｉｌｂ−ｓｔｒａｔｃ）に金属皮膜を局部的に被
着又は蒸着する種々の方法が知らねているが、これらの
方法の多くは、半導体索子の製造Ｃ使ねれているフォト
マスクの透明欠陥を修■するＩこめに用いられでいる。
一つの公知の方法では、欠陥を有するフォトマスクの表
面全体にノオトレジス１〜を被覆し、この１稈の後に該
欠陥領域に紫外線を照ｑ・１シ、ぞの後紫外線に照射さ
れｌ、：部分の材料を溶かし出りために−フＡトレジス
１〜は現像される。それがら簿ス杯はクロームが蒸発さ
せられている真空室内（二配バされ′Ｃ，基体の表面に
９１］−ムが真空被着される。て−して紫外線に照射さ
れた領域上のり［１−ム被谷を残してフォトレジストを
除去する。
面全体にノオトレジス１〜を被覆し、この１稈の後に該
欠陥領域に紫外線を照ｑ・１シ、ぞの後紫外線に照射さ
れｌ、：部分の材料を溶かし出りために−フＡトレジス
１〜は現像される。それがら簿ス杯はクロームが蒸発さ
せられている真空室内（二配バされ′Ｃ，基体の表面に
９１］−ムが真空被着される。て−して紫外線に照射さ
れた領域上のり［１−ム被谷を残してフォトレジストを
除去する。
従来のフォトマスクを修止する方法は、時間がかかり、
分解能にも限Ｗがあるばかりでなく、望ましくない領域
にらり【コーム被着を行うことに４劣り、フォトマスク
上に除去Ｊべき付加的な欠陥を作り出り−ことになる。
分解能にも限Ｗがあるばかりでなく、望ましくない領域
にらり【コーム被着を行うことに４劣り、フォトマスク
上に除去Ｊべき付加的な欠陥を作り出り−ことになる。
また米国特許第４，３４０，６１７号に示された基体十
に金属皮膜を被着づ゛る方法【、Ｌ、紫外光レーザーを
採用し、金属を担持したガスが入れられたガスセル内に
配置した基体上にレーデ−を集束させるしのである。ガ
スはレーザーのエネルギーの一部を吸収し、基体表面付
近のガスが光分解され°（、基体に金属物質が被着する
。しかしなたらこの方法は、紫外光レーザー源が一般的
に寸法が人さく且つかさばること、及び該レーザー源は
連続して一定時間操作すると不安定になるという問題が
ある。
に金属皮膜を被着づ゛る方法【、Ｌ、紫外光レーザーを
採用し、金属を担持したガスが入れられたガスセル内に
配置した基体上にレーデ−を集束させるしのである。ガ
スはレーザーのエネルギーの一部を吸収し、基体表面付
近のガスが光分解され°（、基体に金属物質が被着する
。しかしなたらこの方法は、紫外光レーザー源が一般的
に寸法が人さく且つかさばること、及び該レーザー源は
連続して一定時間操作すると不安定になるという問題が
ある。
また、このＪ、 ・５ ＜−ｉレーザーと一緒に用いら
れる光学素子は調整が１１常に困難で・ある！こめ集束
と分解能にも問題がある。史に、光蒸石速爪（ｐ ｌ＋
ｏ ｔ ｏ ｄ ｅ ｐ−０３ｉｔｉＯｎ Ｉ’ＡＩ
Ｃ！ｉ） Ｇよ一般的に低いという問題がある。
れる光学素子は調整が１１常に困難で・ある！こめ集束
と分解能にも問題がある。史に、光蒸石速爪（ｐ ｌ＋
ｏ ｔ ｏ ｄ ｅ ｐ−０３ｉｔｉＯｎ Ｉ’ＡＩ
Ｃ！ｉ） Ｇよ一般的に低いという問題がある。
ｊ；た他の単体１−に金属皮膜を被着する方法としては
、レーデ−誘起による熱蒸る１ｊ法がある。この方法の
−”’） （’ Ｌよ、赤外線を発生り“る１３？酸ｎ
スレーデーを採用し、石英阜休に金属皮膜を蒸着してい
る。しかしこの方法ぐは、分解能が木質的に放射光の波
艮叩Ｉ’ｘ１０．６μｍに制限されることど、遠赤外光
学素子を含む複雑さがあることが知られている。その伯
の公知の熱蒸着の７ｊ ｆ’Ａとし′Ｃは、可視光レー
ザーを採用Ｉ）で不光透過竹を右する基体に金属皮膜を
蒸着するものがある９、シかしながら、可視光レー１Ｊ
″−・を光透過性を右！１６基体に金属皮膜を被ｒＩ４
″！ｌるＩこめに採用する場合には、問題がある。即１
５、金属を担持する分子が熱い基体表面上で熱分解しで
、該表面に＋Ｉ Ｍし、金属皮膜を基体表面に形成され
る温度まで、きれいな光透過性を有する基体を加熱する
ことは３１−常（時間がかかるということが知られてい
る。一般的に、可視光レーザーで光透過性を有する基体
をわずかに加熱して分子を分解させてし、金属皮膜は直
ちに基体にイζ１着しないで蒸発してしＪ、う。また長
時罰十分に基体を加熱した後では、２〜３秒のオーダー
で金属被着物が基体表・面（形成されるが、被着物ｔよ
可視光レーザーが照用された基体の領域よりはるかに人
きくなる。従って、この方法によると金属被着物の大き
さについては殆んど制御できないので被着物は再現性の
ないしのと仕っている。更に、この方法ではミクロンオ
ーダーの非常に小さい被着物を形成することができない
問題がある。
、レーデ−誘起による熱蒸る１ｊ法がある。この方法の
−”’） （’ Ｌよ、赤外線を発生り“る１３？酸ｎ
スレーデーを採用し、石英阜休に金属皮膜を蒸着してい
る。しかしこの方法ぐは、分解能が木質的に放射光の波
艮叩Ｉ’ｘ１０．６μｍに制限されることど、遠赤外光
学素子を含む複雑さがあることが知られている。その伯
の公知の熱蒸着の７ｊ ｆ’Ａとし′Ｃは、可視光レー
ザーを採用Ｉ）で不光透過竹を右する基体に金属皮膜を
蒸着するものがある９、シかしながら、可視光レー１Ｊ
″−・を光透過性を右！１６基体に金属皮膜を被ｒＩ４
″！ｌるＩこめに採用する場合には、問題がある。即１
５、金属を担持する分子が熱い基体表面上で熱分解しで
、該表面に＋Ｉ Ｍし、金属皮膜を基体表面に形成され
る温度まで、きれいな光透過性を有する基体を加熱する
ことは３１−常（時間がかかるということが知られてい
る。一般的に、可視光レーザーで光透過性を有する基体
をわずかに加熱して分子を分解させてし、金属皮膜は直
ちに基体にイζ１着しないで蒸発してしＪ、う。また長
時罰十分に基体を加熱した後では、２〜３秒のオーダー
で金属被着物が基体表・面（形成されるが、被着物ｔよ
可視光レーザーが照用された基体の領域よりはるかに人
きくなる。従って、この方法によると金属被着物の大き
さについては殆んど制御できないので被着物は再現性の
ないしのと仕っている。更に、この方法ではミクロンオ
ーダーの非常に小さい被着物を形成することができない
問題がある。
本発明は、光透過性を有Ｊ−る基体に金属皮膜を被着す
る従来の方法の問題点を解消することを目的とする。。
る従来の方法の問題点を解消することを目的とする。。
［発明の慨・要］
本発明の７−５払は、床東させた可視光レーザー或いは
２μｍ以下の波長のレーザーを用いた熱被着により、光
透過性を有する基体にミク「ｊン・」法の金属皮膜をマ
スクなしで被着゛する方法をＩｔ供するもので、この７
］ ｒｉ＜ ＬよフＡ１−マスクの透明欠陥を修正する
のに適している・本川１１［ＩＰ’ｌに倶いて、「赤外
光レーザ」という８葉が用いられｌこ場合には、２μｍ
以下の波長をイｌするレーザーのことを意味している。
２μｍ以下の波長のレーザーを用いた熱被着により、光
透過性を有する基体にミク「ｊン・」法の金属皮膜をマ
スクなしで被着゛する方法をＩｔ供するもので、この７
］ ｒｉ＜ ＬよフＡ１−マスクの透明欠陥を修正する
のに適している・本川１１［ＩＰ’ｌに倶いて、「赤外
光レーザ」という８葉が用いられｌこ場合には、２μｍ
以下の波長をイｌするレーザーのことを意味している。
［発明の構成１
本発明は、光透過性を＠する基体の表面を金属を担持す
るガス状化合物を含むヒル内に配直し、前記基体の前記
表面に前記化合物のパーツの核形成層を形成し、２１１
ｍ以下の波長をイアするレーザービームを前記基体の前
記表面に集束させて前記基体の一領域を加熱し、加熱し
た前記領域にある前記化合物の分子を熱分解させて該領
域上に金属皮膜を被れするものである。
るガス状化合物を含むヒル内に配直し、前記基体の前記
表面に前記化合物のパーツの核形成層を形成し、２１１
ｍ以下の波長をイアするレーザービームを前記基体の前
記表面に集束させて前記基体の一領域を加熱し、加熱し
た前記領域にある前記化合物の分子を熱分解させて該領
域上に金属皮膜を被れするものである。
［発明の作ＦＴ＋ ］
本発明の／ｊ法を実施する場合は、光透過性を有する基
体、例えばフォ１−マスクを、金属を担持するガス状化
合物を含むガスセル内に配属する。基体表面に紫外光を
照ら１か又はガス状化合物分子が熱分＃ｉ′する温度よ
り低い温度まで基体を加熱して、核形成層を基体表面上
に形成する。このようにして形成した核形成層は、将来
の皮膜成長の場所を提供するものである（要するに表面
に「秤をまいた」ことになる。）。可視光レーザー又は
２μｍ以下の波長のレーザーが基体に集束されると、レ
ーザービームを投０Ａｔｙた遍＾体の領域ではＶｌ）部
的な加熱が起る。加熱領域に不規則に飛火し〔いるガス
セル内のガス状化合物の分子は分解する１、一般に、金
属原子は光透過性を有する基体に付着しないで蒸発して
しまうが、核形成領域ぐは何名確率の増加が認められる
。したがって、金属皮膜は、核が形成されて４３り且つ
１ノーザービームが入射した基体の領域にのみ形成され
る。更に、核形成層は被着物の位置と大ぎさを制御及び
再現可能なものとするので、ミクロンオーダーの非常に
小さな被着を行うことができる。また、核形成層は、従
来の熱蒸着や光熱Ｉｔ技術の被盾十Ｊ、り被右率を増加
させることが２″さる。
体、例えばフォ１−マスクを、金属を担持するガス状化
合物を含むガスセル内に配属する。基体表面に紫外光を
照ら１か又はガス状化合物分子が熱分＃ｉ′する温度よ
り低い温度まで基体を加熱して、核形成層を基体表面上
に形成する。このようにして形成した核形成層は、将来
の皮膜成長の場所を提供するものである（要するに表面
に「秤をまいた」ことになる。）。可視光レーザー又は
２μｍ以下の波長のレーザーが基体に集束されると、レ
ーザービームを投０Ａｔｙた遍＾体の領域ではＶｌ）部
的な加熱が起る。加熱領域に不規則に飛火し〔いるガス
セル内のガス状化合物の分子は分解する１、一般に、金
属原子は光透過性を有する基体に付着しないで蒸発して
しまうが、核形成領域ぐは何名確率の増加が認められる
。したがって、金属皮膜は、核が形成されて４３り且つ
１ノーザービームが入射した基体の領域にのみ形成され
る。更に、核形成層は被着物の位置と大ぎさを制御及び
再現可能なものとするので、ミクロンオーダーの非常に
小さな被着を行うことができる。また、核形成層は、従
来の熱蒸着や光熱Ｉｔ技術の被盾十Ｊ、り被右率を増加
させることが２″さる。
［実施例１
以下図面を８ｉｔαして本発明の詳細な説明する。
本発明のｈ払（よって光透過性を有する基体１０に金属
皮膜を被着するために、第１図に示り′ように基体１０
の表面１２は、金属を担持リ−るガス状化合物１６を含
むガス１ｚル１４内に配置されている１、この）Ｉス１
！ル１４は金属製の枠板１８と２０を有している。まＩ
Ｃ１このガスセル１４は窓２２を右しでＪ７す、この窓
２２は、前記基体１０に前核形成層を形成する１＝めに
使用される発光源２８からの光及び以下に詳細に述べる
熱？ｅＩ名又は熱蒸着のために使用される光源からの光
に対して透過性を有しくいる。この窓２２は例えば石英
で作ることが可能ｒある。また、前記球体１０は、金属
被者が行なわれる表面１２がガスセル１４の内表面を形
成り°るＪ、うにガスセル１４の窓を構成している９１
本発明の方法を実ｔｉｆ！するためには、他のガスセル
椙成を採用することも可能である１１例えば、基体１０
をガスセル１４内に吊り下げることもでき、また窓２２
と置換え−（金属被着を内側表面２４に形成するＪ：う
にしてｂよい。
皮膜を被着するために、第１図に示り′ように基体１０
の表面１２は、金属を担持リ−るガス状化合物１６を含
むガス１ｚル１４内に配置されている１、この）Ｉス１
！ル１４は金属製の枠板１８と２０を有している。まＩ
Ｃ１このガスセル１４は窓２２を右しでＪ７す、この窓
２２は、前記基体１０に前核形成層を形成する１＝めに
使用される発光源２８からの光及び以下に詳細に述べる
熱？ｅＩ名又は熱蒸着のために使用される光源からの光
に対して透過性を有しくいる。この窓２２は例えば石英
で作ることが可能ｒある。また、前記球体１０は、金属
被者が行なわれる表面１２がガスセル１４の内表面を形
成り°るＪ、うにガスセル１４の窓を構成している９１
本発明の方法を実ｔｉｆ！するためには、他のガスセル
椙成を採用することも可能である１１例えば、基体１０
をガスセル１４内に吊り下げることもでき、また窓２２
と置換え−（金属被着を内側表面２４に形成するＪ：う
にしてｂよい。
金属を担持するガス状化合物１６は、ガス圧を調節づ゛
るバルブ等を含む装置２６によって前記ガスセル１４に
供給される。金属を担持するガスとしては金属アルキル
化物（ａｌｋｙｌ） 、ハ１−１ゲン化物（１＋ａｌｉ
ｄｅ）又はカルボニル化物（ｃａｒｂｏｎｙｌ）がある
が、熱分解と基体１０への被着に都合が良い、１、うに
１−分に高い蒸気圧と十分に低い分解温度（２００℃Ｊ
、り下）を示す有機金属化合物が好ましい。・つの好ま
しい化合物としてはＷ（Ｇｏ）ｂがある。他の好ましい
化合物としてはＡＪ２ （ＣＨ３） １がある。
るバルブ等を含む装置２６によって前記ガスセル１４に
供給される。金属を担持するガスとしては金属アルキル
化物（ａｌｋｙｌ） 、ハ１−１ゲン化物（１＋ａｌｉ
ｄｅ）又はカルボニル化物（ｃａｒｂｏｎｙｌ）がある
が、熱分解と基体１０への被着に都合が良い、１、うに
１−分に高い蒸気圧と十分に低い分解温度（２００℃Ｊ
、り下）を示す有機金属化合物が好ましい。・つの好ま
しい化合物としてはＷ（Ｇｏ）ｂがある。他の好ましい
化合物としてはＡＪ２ （ＣＨ３） １がある。
光透過性を有する基体を前記ガスセル１４内に配置した
後、表面１２に種（ｓｅｅｄ）をまくために基体上に核
形成層が形成される。核形成層は基体１０の表面１２上
のガス状化合物１６のパーツ（ｐａｒｔｓ）の不規則１
３ｒ被ン゛電からなり、基体１０の表面１２」−に実質
的には目に見えずｎつ除去でさる１又は数個の単層を形
成しでいる。核形成ｖ１を形成するための一つの方法は
、水銀ランプ又は紫外光レ−１１−のＪ、うな紫外線光
源２８を用いることである１、光源２８からの紫外光は
窓２２を通過して基体１０の表面１２を照らし、表面１
２」−に金属を担持するガス状化合物１６のパーツを不
規則に被着し、該表面１２（こ核形成層を形成する３、
池の核形成層を形成する方法では、ガスセル１４を加熱
しＣ、ガス状化合物１６の分子を分解して基体１０の表
面１２に化合物１６のパーツを不規Ｆ１目に被着さＩる
濡１σＪ、り下の温度に基体１０を加熱する工程を含／
ｖで′いる。
後、表面１２に種（ｓｅｅｄ）をまくために基体上に核
形成層が形成される。核形成層は基体１０の表面１２上
のガス状化合物１６のパーツ（ｐａｒｔｓ）の不規則１
３ｒ被ン゛電からなり、基体１０の表面１２」−に実質
的には目に見えずｎつ除去でさる１又は数個の単層を形
成しでいる。核形成ｖ１を形成するための一つの方法は
、水銀ランプ又は紫外光レ−１１−のＪ、うな紫外線光
源２８を用いることである１、光源２８からの紫外光は
窓２２を通過して基体１０の表面１２を照らし、表面１
２」−に金属を担持するガス状化合物１６のパーツを不
規則に被着し、該表面１２（こ核形成層を形成する３、
池の核形成層を形成する方法では、ガスセル１４を加熱
しＣ、ガス状化合物１６の分子を分解して基体１０の表
面１２に化合物１６のパーツを不規Ｆ１目に被着さＩる
濡１σＪ、り下の温度に基体１０を加熱する工程を含／
ｖで′いる。
核形成層を形成した後、基体１００表面１２にガス状化
合物１６から金属を担持する分子の熱被着を誘起するｌ
、、めに第２図に承りようなレーザー光源３０が用いら
れる。尚熱被着１−稈のために用いるレーザー（３１、
可視光レーＩＪ’−又Ｇ、Ｌ ２ミク］］ン以下の波長
をイ］する近赤外光レーザーでもよい。
合物１６から金属を担持する分子の熱被着を誘起するｌ
、、めに第２図に承りようなレーザー光源３０が用いら
れる。尚熱被着１−稈のために用いるレーザー（３１、
可視光レーＩＪ’−又Ｇ、Ｌ ２ミク］］ン以下の波長
をイ］する近赤外光レーザーでもよい。
シー１ｆ−光源３０からの１４祝光レーＩＪ”−ビーム
又は近赤外光レーザービームは、顕微鏡対物レンズ３２
（ｍｉｃｌ’０３ｃＯｐｅ ０ＪｉＯＣｔｉＶｅ）に
より基体１０の表、面１２に集束され、ビームが入射さ
れた基体１０の領域は局部的に加熱される。ガス状化合
物１６の分子は加熱領域で熱的に分解し、該領域上に金
属皮膜を被着する。即ち、金属皮膜は基体のレーザービ
ームが投射された領域のみを被覆する。
又は近赤外光レーザービームは、顕微鏡対物レンズ３２
（ｍｉｃｌ’０３ｃＯｐｅ ０ＪｉＯＣｔｉＶｅ）に
より基体１０の表、面１２に集束され、ビームが入射さ
れた基体１０の領域は局部的に加熱される。ガス状化合
物１６の分子は加熱領域で熱的に分解し、該領域上に金
属皮膜を被着する。即ち、金属皮膜は基体のレーザービ
ームが投射された領域のみを被覆する。
基体１０の表面１２に形成された核形成層は、金属皮膜
成長の核として役立つ上、ミクｒ１ンＡ−ダーの非常に
小さい被着を行なえるように、金属被着物の大きざを制
御し且つ再現可能なしのとしている。この方法によって
作られる金属被着物の寸法は、レーザービームを集束す
るのに用いるレンズ３２のような光学素子によってのみ
制限を受ける。さらに、核形成りは、従来の熱蒸着や光
蒸着技術を用いた場合のこれまでの被着速度よりも被着
率を大ぎくすることができる。例えば、本発明に係る方
法での被＠時間は１秒よりはるかに短いが、従来の方法
による被着時間は類型的に２〜３秒のオーダーである。
成長の核として役立つ上、ミクｒ１ンＡ−ダーの非常に
小さい被着を行なえるように、金属被着物の大きざを制
御し且つ再現可能なしのとしている。この方法によって
作られる金属被着物の寸法は、レーザービームを集束す
るのに用いるレンズ３２のような光学素子によってのみ
制限を受ける。さらに、核形成りは、従来の熱蒸着や光
蒸着技術を用いた場合のこれまでの被着速度よりも被着
率を大ぎくすることができる。例えば、本発明に係る方
法での被＠時間は１秒よりはるかに短いが、従来の方法
による被着時間は類型的に２〜３秒のオーダーである。
また被着速度は、ガス状化合物１６の然気圧を調節する
ことＣ，ｌより高めることができる。金属を１Ｄ持する
ガス状化合物としてＷ（Ｃｏ）、、叉（よ△ρ（Ｃｔｌ
：＋ ） Ｉを用いた場合、蒸気圧を増して被着速度
を昌めるためには、化合物を９０℃から１：）０℃の間
の湿度に加熱すればよい。
ことＣ，ｌより高めることができる。金属を１Ｄ持する
ガス状化合物としてＷ（Ｃｏ）、、叉（よ△ρ（Ｃｔｌ
：＋ ） Ｉを用いた場合、蒸気圧を増して被着速度
を昌めるためには、化合物を９０℃から１：）０℃の間
の湿度に加熱すればよい。
光透過性を有する基体に金属皮膜を被で１する本発明の
ｈ払は、５欠又はガラスのような光透過性を有する材別
十に金属パターン（通常はり「１−ム）が形成されｌ（
゛）Ａ１〜マスクの透明欠陥を修ＪＴするために使用ぐ
きる。フォトマスクは、マスクされた表面がヒルの内表
面を形成づ−るにう上記ガスはル１４のようなガスセル
内にまず配置される。核形成層は１述１ノだようにフォ
トマスクのり［Ｉ−ム被覆表面に形成され、（の後、可
視光レー・瞥アー又は近赤外光レーＩＦ−が欠陥領域に
集束されて、レーザービー目に照射されＩこ〕Ａ１−マ
スクの領域が加熱される。ガス状化合物１６の分子は加
熱領域で熱的に分解しくフォトマスクの透明欠陥部に金
属皮膜を被着する。
ｈ払は、５欠又はガラスのような光透過性を有する材別
十に金属パターン（通常はり「１−ム）が形成されｌ（
゛）Ａ１〜マスクの透明欠陥を修ＪＴするために使用ぐ
きる。フォトマスクは、マスクされた表面がヒルの内表
面を形成づ−るにう上記ガスはル１４のようなガスセル
内にまず配置される。核形成層は１述１ノだようにフォ
トマスクのり［Ｉ−ム被覆表面に形成され、（の後、可
視光レー・瞥アー又は近赤外光レーＩＦ−が欠陥領域に
集束されて、レーザービー目に照射されＩこ〕Ａ１−マ
スクの領域が加熱される。ガス状化合物１６の分子は加
熱領域で熱的に分解しくフォトマスクの透明欠陥部に金
属皮膜を被着する。
本発明の方法は、被着物の大きさを制御し且つ再現可能
なものとしているので、ミクロンオーダーの非常に小さ
い被着をフォトマスクの欠陥領域に施すことがて・きる
。この被着方法は、非常に耐久性があり通常のフォトマ
スクの清浄工程に十分耐え得る修正を提供できる。更に
、この金属被膜を被着する方法は基体１０又はフォトマ
スクを損傷しく鵞いので、望む場合には被着物を除去ｒ
：きる。
なものとしているので、ミクロンオーダーの非常に小さ
い被着をフォトマスクの欠陥領域に施すことがて・きる
。この被着方法は、非常に耐久性があり通常のフォトマ
スクの清浄工程に十分耐え得る修正を提供できる。更に
、この金属被膜を被着する方法は基体１０又はフォトマ
スクを損傷しく鵞いので、望む場合には被着物を除去ｒ
：きる。
フｉ ｌ−マスクの透明欠陥を修■−するという従属的
発明は別の方法を包含している。この方法（よ、いくつ
かの実施の態様において好ましく、この方法においては
、２μｍ以下の波長のレーザーが、修正されるべぎ透明
欠陥（即ち、金属が被着されるべき石英領域）に近接し
た金属パターン又は線の端部に集束される。被着物は、
集束されたレーザーが投射される領域のクロームの上に
形成される。この金属被首物の周囲は、透明欠陥領域（
即ち、石英領域）にさらに被着を行うための核形成部分
と１で作用する。レーザーはこの領域に移行され、再現
性のあるミクロン１ノイズの被着が行われる。この１＝
稈は透明欠陥全体が＠屈で被覆されるまで続けられる。
発明は別の方法を包含している。この方法（よ、いくつ
かの実施の態様において好ましく、この方法においては
、２μｍ以下の波長のレーザーが、修正されるべぎ透明
欠陥（即ち、金属が被着されるべき石英領域）に近接し
た金属パターン又は線の端部に集束される。被着物は、
集束されたレーザーが投射される領域のクロームの上に
形成される。この金属被首物の周囲は、透明欠陥領域（
即ち、石英領域）にさらに被着を行うための核形成部分
と１で作用する。レーザーはこの領域に移行され、再現
性のあるミクロン１ノイズの被着が行われる。この１＝
稈は透明欠陥全体が＠屈で被覆されるまで続けられる。
この方法はミクロン１ノイズでの金属被着物の成長を制
御可能にするものである。
御可能にするものである。
もう一つの１′施の態様においては、光透過性を有ケる
基体金体をシー１Ｆ−被盾“１稈を補助づ°るために、
ガス分子の熱分解温度の停か下の編痕まで加熱している
。したがって、加熱された基体に投射される集束レーザ
ービームは局部的に０ちに渇。
基体金体をシー１Ｆ−被盾“１稈を補助づ°るために、
ガス分子の熱分解温度の停か下の編痕まで加熱している
。したがって、加熱された基体に投射される集束レーザ
ービームは局部的に０ちに渇。
度を上背さ・Ｕることができ、不規則に衝突していたガ
ス分：ｒｔ上分解して金属皮股被香を形成する。
ス分：ｒｔ上分解して金属皮股被香を形成する。
［発明の効果１
本発明の方法によれば光透過性を有する基体」−に非常
に耐久性ある被着物を形成するこ−とができ、該被谷物
は通常のフォトマスクイ１浄工程に一１分耐えうるもの
である。まｌこ、本発明による被着は基体をＲＮするＪ
どがなく、この方法によって基体に被着された金属皮膜
はレーザーで除去することもできる。更に、本発明によ
れば可視光レーザー゛を用いるので、紫外光レーザーを
用いる場合と比べて、非常に安仝ｒ１容易に集束するこ
とがｅぎる上、高い分解能を提供することができ、実ｍ
装箔を非常に小さく簡素にすることができる利点がある
。
に耐久性ある被着物を形成するこ−とができ、該被谷物
は通常のフォトマスクイ１浄工程に一１分耐えうるもの
である。まｌこ、本発明による被着は基体をＲＮするＪ
どがなく、この方法によって基体に被着された金属皮膜
はレーザーで除去することもできる。更に、本発明によ
れば可視光レーザー゛を用いるので、紫外光レーザーを
用いる場合と比べて、非常に安仝ｒ１容易に集束するこ
とがｅぎる上、高い分解能を提供することができ、実ｍ
装箔を非常に小さく簡素にすることができる利点がある
。
以下本発明を利用したフォトマスクの透明欠陥を修正す
る方法の態様を明示する。
る方法の態様を明示する。
（１）欠陥のあるフォトマスクの表面を金属を担持する
ガス状化合物を含むセル内に配置し、前記フォトマスク
の前記表面に前記ガス状化合物のパーツの核形成層を形
成し、前記フォトマスクの欠陥領域に可視光レーザービ
ームを集束させて該領域を加熱し、加熱した前記領域に
ある前記ガス状化合物の分子を熱的に分解して該領域上
に金属皮膜を被着するフーＡＩ−マスクの透明欠陥を修
正する方法。
ガス状化合物を含むセル内に配置し、前記フォトマスク
の前記表面に前記ガス状化合物のパーツの核形成層を形
成し、前記フォトマスクの欠陥領域に可視光レーザービ
ームを集束させて該領域を加熱し、加熱した前記領域に
ある前記ガス状化合物の分子を熱的に分解して該領域上
に金属皮膜を被着するフーＡＩ−マスクの透明欠陥を修
正する方法。
（２）前記核形成層を形成する工程は、前記表面に紫外
光を照らし、前記表面に前記金属を担持り°るガス状化
合物のパーツを不規則に被着する工程を含む前記第１項
に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正す°る方法。
光を照らし、前記表面に前記金属を担持り°るガス状化
合物のパーツを不規則に被着する工程を含む前記第１項
に記載のフォトマスクの透明欠陥を修正す°る方法。
（３）前記核形成層を形成する工程は、前記ガス状化合
物の分子を分解して前記基体の前記表面に前よりも下の
渇麿に帥にフォトマスクを加熱する工程を含む前記第１
項に記載の７ｍ ｌ−マスクの透明欠陥を修正する方法
。
物の分子を分解して前記基体の前記表面に前よりも下の
渇麿に帥にフォトマスクを加熱する工程を含む前記第１
項に記載の７ｍ ｌ−マスクの透明欠陥を修正する方法
。
（４）前記レーＩＦ−ビームを集束する］１程は、前記
フォトマスクの金属被着の成長を制御して再現性のある
ミクロン１ノイズの金属被着を提供する工程を含むＩｙ
ｉ配第１項に記載のフｔ トンスフの透明欠陥を修正す
る方法、。
フォトマスクの金属被着の成長を制御して再現性のある
ミクロン１ノイズの金属被着を提供する工程を含むＩｙ
ｉ配第１項に記載のフｔ トンスフの透明欠陥を修正す
る方法、。
（５）前記金属を担持するガス状化合物はｈＩＩ金属化
合物である眞記第１項に記載のフォトマスクの透明欠陥
を修ｉする方法。
合物である眞記第１項に記載のフォトマスクの透明欠陥
を修ｉする方法。
（６）前記金属を担持するガス状化合物はＷ（ＧＯ）６
である前記第１項に記載の７Ａ１〜ラスクの透明欠陥を
修正する方法。
である前記第１項に記載の７Ａ１〜ラスクの透明欠陥を
修正する方法。
（７）前記金属を担持するガス状化合物は八（（ｃｌ−
！ ｓ ＞ ３である前記第１項に記載のフォ１−マス
クの透明欠陥を修正する方法。
！ ｓ ＞ ３である前記第１項に記載のフォ１−マス
クの透明欠陥を修正する方法。
（８）前記ガス状化合物を９０℃〜１５０℃の間のＷ
亀まで加熱して前記ガス状化合物の蒸気圧を増しＣフォ
トマスク上の金属皮膜の被着速痕を高める工程をさらに
含む前記第５項に記載のフＡ１−：ｚスクの透明欠陥修
正する方法。
亀まで加熱して前記ガス状化合物の蒸気圧を増しＣフォ
トマスク上の金属皮膜の被着速痕を高める工程をさらに
含む前記第５項に記載のフＡ１−：ｚスクの透明欠陥修
正する方法。
第１図は本発明の方法において光透過性を有する基体上
に核形成層を形成する工程を説明するｌ〔めのブ「１ツ
ク図で、第２図は本発明の方法において可視光レーザー
を使って基体−しに金属皮膜を肢管する工程を説明する
ためのブ［１ツク図である。 １０・・・基体、１２・・・表面、１４・・・ガスセル
、１６・・・金属を担持するガス状化合物、１８．２０
・・・枠板、２２・・・窓、２４・・・内側表面、２８
・・・紫外線光源、３０・・・レーザー光源。 代理人 弁理士 松 木 英 唆 （外１名） ＦＩＧ、２
に核形成層を形成する工程を説明するｌ〔めのブ「１ツ
ク図で、第２図は本発明の方法において可視光レーザー
を使って基体−しに金属皮膜を肢管する工程を説明する
ためのブ［１ツク図である。 １０・・・基体、１２・・・表面、１４・・・ガスセル
、１６・・・金属を担持するガス状化合物、１８．２０
・・・枠板、２２・・・窓、２４・・・内側表面、２８
・・・紫外線光源、３０・・・レーザー光源。 代理人 弁理士 松 木 英 唆 （外１名） ＦＩＧ、２
Claims (28)
- （１）光透過性を有する基体の表面を金属を担持するガ
ス状化合物を含むセル内に配置し、前記基体の前記表面
に前記化合物のパーツの核形成層を形成し、２μｍ以下
の波長を有するレーザービームを前記基体の前記表面に
集束させて前記基体の一領域を加熱し、加熱した前記領
域にある前記化合物の分子を熱分解させて該領域上に金
属皮膜を被着することを特徴とする光透過性を有する基
体に金属皮膜を被着する方法。 - （２）前記レーザービームを集束させる工程は、前記基
体の金属被着の成長を制御して再現性のあるミクロンサ
イズの金属被着を作る工程を含む特許請求の範囲第１項
に記載の光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方
法。 - （３）前記レーザービームは可視光ビームである特許請
求の範囲第１項に記載の光透過性を有する基体に金属皮
膜を被着する方法。 - （４）前記レーザービムは赤外光ビームである特許請求
の範囲第１項に記載の光透過性を有する基体に金属皮膜
を被着する方法。 - （５）光透過性を有する基体の熱表面にある金属を担持
する分子の熱分解により前記基体に金属皮膜を被着する
方法において、前記基体の表面を金属を担持するガス状
化合物を含むセル内に配置し、前記基体の前記表面に前
記ガス状化合物のパーツの核形成層を形成し、レーザー
ビームを前記基体の前記表面に集束させて前記レーザー
ビームが投射される前記基体の一領域を局部的に加熱し
、加熱した前記領域にある前記ガス状化合物の分子を熱
分解して該領域上に金属皮膜を被着することを特徴とす
る光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （６）形成された前記核形成層は、実質的に目に見えず
且つ除去可能なものである特許請求の範囲第５項に記載
の光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （７）前記核形成層を形成する工程は、前記基体の前記
表面に紫外光を照らし、前記表面に前記ガス状化合物の
パーツを不規則に被着する工程を含む特許請求の範囲第
５項に記載の光透過性を有する基体に金属皮膜を被着す
る方法。 - （８）前記核形成層を形成する工程は、前記ガス状化合
物の分子が分解して前記基体の前記表面に前記ガス状化
合物のパーツを不規則に被着する温度よりも低い温度に
前記基体を加熱する工程を含む特許請求の範囲第５項に
記載の光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法
。 - （９）前記レーザービームはミクロンサイズ領域に投射
され、前記領域を加熱して該領域上にミクロンサイズの
金属皮膜を被着する特許請求の範囲第５項に記載の光透
過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （１０）実質的に１０秒より短い被着時間を得るために
、前記ガス状化合物の蒸気圧を調整する工程をさらに含
む特許請求の範囲第５項に記載の光透過性を有する単体
に金属皮膜を被着する方法。 - （１１）前記ガス状化合物となっている金属はＷ（ＣＯ
）＿６で、更に前記ガス状化合物を９０℃〜１５０℃の
間の温度まで加熱して前記ガス状化合物の蒸気圧を増し
て前記基体をの金属皮膜の被着率を高める工程を含む特
許請求の範囲第５項に記載の光透過性を有する基体に金
属皮膜を被着する方法。 - （１２）前記金属を担持するガス状化合物は有機金属化
合物である特許請求の範囲第５項に記載の光透過性を有
する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （１３）前記金属を担持するガス状化合物は金属アルキ
ル化物である特許請求の範囲第５項に記載の光透過性を
有する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （１４）前記金属を担持するガス状化合物は金属ハロゲ
ン化物である特許請求の範囲第５項に記載の光透過性を
有する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （１５）前記金属を担持するガス状化合物は金属カルボ
ニル化物である特許請求の範囲第５項に記載の光透過性
を有する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （１６）前記レーザービームは可視光ビームである特許
請求の範囲第５項に記載の光透過性を有する基体に金属
皮膜を被着する方法。 - （１７）前記レーザービームは赤外光ビームである特許
請求の範囲第５項に記載の光透過性を有する基体に金属
皮膜を被着する方法。 - （１８）前記金属を担持するガス状化合物はＡｌ（ＣＨ
＿３）＿３である特許請求の範囲第５項に記載の光透過
性を有する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （１９）前記光透過性を有する基体はフォトマスクであ
る特許請求の範囲第１項に記載の光透過性を有する基体
に金属皮膜を被着する方法。を - （２０）前記フォトマスクは石英で作られている特許請
求の範囲第１９項に記載の光透過性を有する基体にに金
属皮膜を被着する方法。 - （２１）前記フォトマスクはガラスで作られている特許
請求の範囲第１９項に記載の光透過性を有する基体に金
属皮膜を被着する方法。 - （２２）光透過性を有する基体の表面を金属を担持する
ガス状化合物を含むセル内に配置する工程と、前記基体
の前記表面に前記ガス状化合物のパーツの核形成前を形
成する工程と、前記ガス状化合物の熱分解温度よりわず
かに低い温度まで前記基体を加熱する工程と、レーザー
ビームを前記基体の前記表面に集束させて前記基体を加
熱し、加熱した領域にある前記ガス状化合物の前記パー
ツを熱分解させて該領域上に金属皮膜を被着する工程と
から成る光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方
法。 - （２３）光透過性を有する基体の金属パターンを有する
表面を金属を担持するガス状化合物を含むセル内に配置
する工程と、レーザービームを前記表面の前記金属パタ
ーンの端部に集束させて前記金属パターンを加熱する工
程と、加熱された前記領域の前記ガス状化合物のパーツ
を熱的に分解し該領域上に金属皮膜を被着する工程とか
ら成る光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法
。 - （２４）前記基体と前記金属パターンはフォトマスクを
構成する特許請求の範囲第２３項に記載した光透過性を
有する基体に金属皮膜を被着する方法。 - （２５）前記レーザービームは可視光レーザービームで
ある特許請求の範囲第２３項に記載した光透過性を有す
る基体に金属皮膜を被着する方法。 - （２６）前記レーザービームは赤外光レーザービームで
ある特許請求の範囲第２３項に記載した光透過性を有す
る基体に金属皮膜を被着する方法。 - （２７）前記金属皮膜が被着された後、前記レーザービ
ームを前記端部から被着皮膜の端部へ移動させ、前記被
着皮膜を加熱し加熱領域にある前記ガス状化合物の分子
を熱分解して該領域上に金属皮膜を被着する特許請求の
範囲第２３項に記載した光透過性を有する基体に金属皮
膜を被着する方法。 - （２８）光透過性を有する基体の表面を金属を担持する
ガス状化合物を含むセル内に配置し、前記基体の前記表
面に前記ガス状化合物のパーツの核形成層を形成し、２
μｍ以下の波長を有する赤外光レーザーを前記基体の前
記表面に集束させて加熱領域にある前記ガス状化合物の
分子を熱分解させて該領域上に金属皮膜を被着する光透
過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/622,366 US4543270A (en) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | Method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate utilizing a visible laser |
| US622366 | 1996-03-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6125147A true JPS6125147A (ja) | 1986-02-04 |
| JPS6345579B2 JPS6345579B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=24493919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13314285A Granted JPS6125147A (ja) | 1984-06-20 | 1985-06-20 | 光透過性を有する基体に金属皮膜を被着する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4543270A (ja) |
| EP (1) | EP0172604B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6125147A (ja) |
| AT (1) | ATE91730T1 (ja) |
| DE (1) | DE3587464T2 (ja) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0165685B1 (en) * | 1984-06-20 | 1992-09-23 | Gould Inc. | Laser-based system for the total repair of photomasks |
| JPH0630339B2 (ja) * | 1984-07-16 | 1994-04-20 | 新技術事業団 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
| US4810601A (en) * | 1984-12-07 | 1989-03-07 | International Business Machines Corporation | Top imaged resists |
| EP0193673A3 (en) * | 1985-03-01 | 1988-12-28 | Gould Inc. | Apparatus for photomask repair |
| JPS61274345A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| DE3689073T2 (de) * | 1985-12-05 | 1994-04-21 | Ncr Int Inc | Selektives niederschlagsverfahren. |
| US4868005A (en) * | 1986-04-09 | 1989-09-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for photodeposition of films on surfaces |
| US4748045A (en) * | 1986-04-09 | 1988-05-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for photodeposition of films on surfaces |
| US4957775A (en) * | 1986-05-29 | 1990-09-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for refractory metal deposition |
| US4756927A (en) * | 1986-05-29 | 1988-07-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for refractory metal deposition |
| US4849260A (en) * | 1986-06-30 | 1989-07-18 | Nihon Sinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Method for selectively depositing metal on a substrate |
| US4994301A (en) * | 1986-06-30 | 1991-02-19 | Nihon Sinku Gijutsu Kabusiki Kaisha | ACVD (chemical vapor deposition) method for selectively depositing metal on a substrate |
| US4778693A (en) * | 1986-10-17 | 1988-10-18 | Quantronix Corporation | Photolithographic mask repair system |
| US4771010A (en) * | 1986-11-21 | 1988-09-13 | Xerox Corporation | Energy beam induced layer disordering (EBILD) |
| US4814294A (en) * | 1987-07-30 | 1989-03-21 | Allied-Signal Inc. | Method of growing cobalt silicide films by chemical vapor deposition |
| DE3730644A1 (de) * | 1987-09-11 | 1989-03-30 | Baeuerle Dieter | Verfahren zur vorgegeben strukturierten abscheidung von mikrostrukturen mit laserlicht |
| DE3741706A1 (de) * | 1987-12-09 | 1989-06-22 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur herstellung von spiralfoermigen duennfilm-flachspulen |
| JP2545897B2 (ja) * | 1987-12-11 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 光ｃｖｄ装置 |
| FR2633449B1 (fr) * | 1988-06-28 | 1990-10-26 | Comurhex | Procede de remise en forme de pieces localement deteriorees, notamment anticathodes |
| US4960613A (en) * | 1988-10-04 | 1990-10-02 | General Electric Company | Laser interconnect process |
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