DE3587464T2 - Verfahren zur Abscheidung eines Metallfilms im Mikron-Bereich auf einem durchsichtigen Substrat unter Verwendung eines sichtbaren Laserstrahls. - Google Patents

Verfahren zur Abscheidung eines Metallfilms im Mikron-Bereich auf einem durchsichtigen Substrat unter Verwendung eines sichtbaren Laserstrahls.

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Description

    TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verfahren zur maskenlosen Abscheidung einer Metallschicht mit Abmessungen im Mikrometerbereich auf einem transparenten Substrat durch thermische Abscheidung, wobei ein fokussierter Laserlichtstrahl benutzt wird, der Strahlung im sichtbaren Bereich oder im fernen Infrarotbereich abstrahlt; ferner betrifft die Erfindung ein solches Verfahren zur Reparatur durchsichtiger Fehlstellen an Photomasken.
    • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Es sind verschiedene Verfahren bekannt geworden, um örtlich begrenzt eine Metallschicht auf einem transparenten Substrat abzuscheiden. Diese Verfahren sind zur Reparatur durchsichtiger Fehlstellen an Photomasken angewandt worden, die zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen eingesetzt werden. Zu einem bekannten Verfahren dieser Art gehört der Verfahrensschritt, auf der gesamten, die Fehlstelle aufweisenden Oberfläche der Photomaske ein Photoresistmaterial aufzubringen. Der Fehlstellenbereich wird daraufhin mit UV-Strahlung bestrahlt; daraufhin wird das Photoresistmaterial entwickelt, um das Material dort aufzulösen, wo es der Strahlung ausgesetzt war. Das Substrat wird daraufhin in einer Vakuumkammer angeordnet, in welcher Chrom verdampft wird, um Chrom auf der Oberfläche des Substrates abzuscheiden. Nachdem das Photoresistmaterial entfernt ist, verbleibt ein Chromniederschlag auf demjenigen Bereich, welcher der UV- Strahlung ausgesetzt war. Dieses Verfahren zur Reparatur einer Photomaske ist nicht nur zeitaufwendig und erlaubt nur eine begrenzte Auflösung, sondern es treten auch Chromabscheidungen in nicht gewünschten Bereichen auf; auf diese Weise werden zusätzliche Fehlstellen in der Photomaske erzeugt, die erneut entfernt werden müssen.
  • Die U.S. Patentschrift Nr. 4,340,617 offenbart ein weiteres bekanntes Verfahren zur Abscheidung einer Metallschicht auf einem Substrat. Dieses Verfahren arbeitet mit einem UV- Laser, der auf ein Substrat fokussiert wird, das sich in einer Gaszelle befindet, in welche metallhaltige Gase eingeführt werden. Das Gas absorbiert einen Anteil der Laserenergie, um eine Photo-induzierte Zersetzung des Gases nahe der Substratoberfläche zu bewirken, um metallisches Material an dem Substrat abzuscheiden. Dieses Verfahren ist insoweit nachteilig, als Laserlichtquellen für UV-Strahlung typischerweise sehr große Abmessungen aufweisen und großvolumige Vorrichtungen darstellen, an denen weiterhin im Verlauf eines kontinuierlichen Betriebs über eine gegebene Zeitspanne instabile Arbeitsbedingungen auftreten. Die für solche Laserlichtquellen erforderlichen Optiken sind sehr schwierig einzustellen, und es treten Schwierigkeiten hinsichtlich der Fokussierung und Auflösung auf. Darüber hinaus sind die Photo-induzierten Abscheidungsraten typischerweise gering.
  • Ein weiteres bekanntes Verfahren zur Abscheidung eines Metallschicht auf einem Substrat sieht ein Verfahren zur Laser-induzierten thermischen Abscheidung vor. Eine Anwendung dieses Verfahrens arbeitet mit einem CO&sub2;-Laser, der IR-Strahlung erzeugt, um eine Metallschicht auf einem Quarzsubstrat abzuscheiden. Dieses Verfahren ist insoweit nachteilig, als die Auflösung im wesentlichen beschränkt ist auf die Wellenlänge der Strahlung, d. h. auf 10,6 um; weiterhin treten Schwierigkeiten auf, weil Optiken für eine Strahlung mit Wellenlängen im fernen IR-Bereich erforderlich sind. Ein anderes bekanntes Verfahren mit thermischer Abscheidung arbeitet mit einen Laser, der Strahlung im sichtbaren Bereich abstrahlt, um eine Metallschicht auf einem undurchsichtigen (opaken) Substrat abzuscheiden. Bei diesem Verfahren treten Schwierigkeiten insoweit auf, wenn ein sichtbares Licht abstrahlender Laser angewandt wird, um eine Metallschicht auf einem transparenten Substrat abzuscheiden. Hier ist festgestellt worden, daß eine sehr lange Zeitspanne erforderlich ist, um ein sauberes transparentes Substrat bis zu dem Punkt zu erwärmen, an welchem die metallhaltigen Moleküle an der heißen Substratoberfläche zersetzt werden und an dieser Oberfläche haften bleiben, um eine Metallschicht an der Substratoberfläche zu bilden. Typischerweise erwärmt das sichtbare Laserlicht das transparente Substrat geringfügig, was eine Zersetzung der Moleküle bewirkt; jedoch haftet die Metallschicht nicht unmittelbar an dem Substrat, sondern wird wieder verdampft. Nachdem das Substrat ausreichend lange erwärmt worden ist, etwa zwei 2 bis 3 Sekunden lang, bildet sich eine Metallabscheidung auf der Substratoberfläche; jedoch ist diese Abscheidung viel größer als der Bereich des Substrates, der mit dem sichtbaren Laserlicht bestrahlt worden ist. Die Größe der mit diesem Verfahren erzeugten Metallabscheidung erlaubt nur eine sehr geringe Kontrolle, so daß die so erzeugten Metallabscheidungen nicht reproduzierbar sind. Weiterhin können nach diesem Verfahren sehr kleine Metallabscheidungen nicht erzeugt werden, die Abmessungen im Mikrometerbereich aufweisen.
  • Von W. Krauter et al, Applied Physics A: Solids and surfaces, Band A31, Nr. 1, Seiten 13-18 (1983), Springer- Verlag, Berlin, DE, ist ein Verfahren zur Laserlichtinduzierten chemischen Abscheidung von Nickel aus der Dampfphase beschrieben, wobei eine Zersetzung von Nickelcarbonyl (Ni(CO)&sub4;)erfolgt. Ein 1,3 um starkes Nickelband wird auf einem Glassubstrat abgeschieden, das mit einer Siliciumschicht bedeckt ist; die Abscheidung erfolgt aus dampfförmigem Ni(CO)&sub4; durch Bestrahlung des Substrates mit Hilfe eines fokussierten Kr&spplus;-Laser, der Strahlung mit einer Wellenlänge von 530,9 nm abstrahlt. Nach einer anfänglichen Phase der Keimbildung wird der Abscheidungsprozeß thermisch aktiviert.
  • Von J. Y. Tsao und D. J. Ehrlich, Journal of Crystal Growth, Band 68, Seiten 176-187 (1984), Elseveir Science, Amsterdam, NL, ist ein Verfahren zur Laserlicht-induzierten Modifizierung von Keimbildungs-Grenzschichten beschrieben, um ein Wachstum einer Dünnschicht in einem ausgewählten Bereich durchzuführen. Entsprechend diesem Verfahren wird ein Ar&spplus;- Laser benutzt, der Strahlung mit einer Wellenlänge von 257,2 nm abstrahlt, um ein 5 nm dickes Al-Band auf einem Quarzsubstrat abzuscheiden. Es wird eine weitere Bestrahlung mit einem CO&sub2;-Laser vorgenommen, der als lokalisierte Wärmequelle eingesetzt wird, um eine Dickensteigerung des Al- Bandes bis zu 100 nm durchzuführen.
  • Ein Beitrag von Rytz-Froidevaux, Appl. Phys. A27, 133-138, beschreibt die Laserlicht-induzierte Abscheidung von Metallen und Halbleitermaterialien als eine attraktive Alternative zu den herkömmlichen lithographischen Verfahren. Dieser Beitrag beschreibt u. a. einen Kr-Laser, mit dem ein Fleck auf einem Quarzsubstrat bestrahlt wird. Der Fleck wird während einer ersten Zeitspanne kontinuierlich bestrahlt, um eine Art von Keimbildungsschicht zu erzeugen; daraufhin wird eine Bestrahlung für eine zweite Zeitspanne vorgesehen, in deren Verlauf eine Cd-Schicht auf dem Fleck mit der Keimbildungsschicht abgeschieden wird. Nach den Angaben kann die erste Zeitspanne 6 Sekunden bis 15 Minuten betragen, was von der Strahlungsleistung des Lasers und von der Photonenenergie abhängt.
  • Mit der vorliegenden Erfindung werden die Nachteile der bekannten Verfahren zur Abscheidung von Metallschichten auf transparenten Substraten überwunden.
  • Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur reproduzierbaren Abscheidung einer Metallschicht auf einem transparenten Substrat angegeben, wobei - diese Oberfläche in einer Zelle angeordnet wird, die eine metallhaltige gasförmige Verbindung enthält; - ein Verfahrensschritt zur Keimbildung durchgeführt wird; und - ein Verfahrensschritt zur Metallabscheidung durchgeführt wird.
  • Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Verfahrensschritt zur Keimbildung eine Keimbildungsschicht aus ungeordnet abgeschiedenen Bestandteilen dieser Verbindung auf der Oberfläche des Substrates erzeugt wird; und
  • bei dem auf die Keimbildung folgenden Verfahrens schritt der Abscheidung ein Laserlichtstrahl mit einer Wellenlänge von 2 Mikrometer oder weniger auf einen Oberflächenbereich fokussiert wird, der Abmessungen in der Größenordnung von 1 Mikrometer aufweist, um diesen Bereich so weit zu erhitzen, daß Moleküle dieser Verbindung thermisch an diesem Bereich zersetzt werden, und dadurch eine Metallschicht auf diesem Bereich abgeschieden wird.
  • Im Rahmen der Unterlagen dieser Anmeldung soll mit dem Begriff "IR-Laser" ein Laser bezeichnet werden, der Strahlung mit einer Wellenlänge von 2 um oder weniger abstrahlt.
  • Zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein transparente s Substrat oder eine Photomaske in einer Gaszelle angeordnet, die eine metallhaltige gasförmige Verbindung enthält. Auf der Substratoberfläche wird eine Keimbildungsschicht erzeugt; dies erfolgt durch Bestrahlung der Oberfläche mit UV-Licht oder durch Erwärmung des Substrates auf eine Temperatur, die niedriger ist als diejenige Temperatur, bei welcher die Moleküle der gasförmigen Verbindung zersetzt werden. Die so erzeugte Keimbildungsschicht weist Stellen für das weitere (zukünftige) Schichtwachstum auf; im Ergebnis erfolgt eine "Impfung" der Oberfläche. Wenn sichtbares Laserlicht oder Laserstrahlung mit einer Wellenlänge kleiner 2 um auf die Oberfläche fokussiert wird, dann erfolgt eine lokalisierte Erwärmung des Bereiches des Substrates, auf welche der Laserlichtstrahl auftrifft. Solche Moleküle der in der Gaszelle enthaltenen gasförmigen Verbindung werden zersetzt, die ungeordnet auf den erwärmten Bereich der Substratoberfläche auftreffen. Im allgemeinen werden die Metallatome nicht an dem transparenten Substrat haften bzw. kleben bleiben, sondern erneut verdampfen. Jedoch wird eine Steigerung der Haftung bzw. des Klebenbleibens in den mit einer Keimbildungsschicht versehnen Bereichen beobachtet. Eine Metallschicht wird deshalb lediglich in demjenigen Bereich des Substrates gebildet, der "geimpft" worden ist bzw. mit einer Keimbildungsschicht versehen worden ist und auf den der Laserlichtstrahl gerichtet wird. Die Keimbildungsschicht ermöglicht eine Kontrolle des Ortes und der Abmessungen der Abscheidung; weiterhin wird eine Wiederholbarkeit dieser kontrollierten Abscheidung ermöglicht, so daß sehr kleine Abscheidungen mit Abmessungen in der Größenordnung eines Mikrometers ermöglicht werden. Die Keimbildungsschicht steigert auch die Abscheidungsgeschwindigkeit, so daß wesentlich größere Abscheidungsgeschwindigkeiten ermöglicht werden, als bei den bekannten Verfahren zur thermischen Abscheidung und zur Photo-induzierten Abscheidung.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren liefert eine sehr dauerhafte Abscheidung auf dem transparenten Substrat; die Abscheidung ist beständig gegenüber den üblichen Maßnahmen zur Reinigung von Photomasken. Weiterhin beschädigt die nach diesem Verfahren erhältliche Abscheidung das Substrat oder die Photomaske nicht, so daß ein nach diesem Verfahren auf einem Substrat abgeschiedene Metallschicht auch wieder mit Hilfe eines Lasers entfernt werden kann. Das Verfahren ist auch insoweit vorteilhaft, als mit einem Laser gearbeitet wird, der Laserlicht im sichtbaren Wellenlängenbereich abstrahlt; diese Laserlichtstrahlung ist sehr beständig, leicht fokussierbar, weist ein hohes Auflösungsvermögen auf; die erforderlichen Laservorrichtungen sind im Vergleich zu einem UV- Laser sehr klein und kompakt aufgebaut.
  • Diese und weitere Aufgaben und Vorteile der Erfindung, sowie Einzelheiten einer der Erläuterung dienenden Ausführungsform werden noch besser verständlich mit Bezugnahme auf die nachstehende Beschreibung und die Zeichnungen.
    • KURZE ERLÄUTERUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 zeigt ein Blockdiagramm, das den Verfahrensschritt zur vorhergehenden Bildung einer Keimbildungsschicht entsprechend dem Verfahren der vorliegenden Erfindung auf einem transparenten Substrat erläutert: und
  • Fig. 2 zeigt ein Blockdiagramm, das den Verfahrensschritt der Abscheidung einer Metallschicht auf dem Substrat mit Hilfe eines Lasers, der sichtbares Laserlicht abstrahlt, entsprechend dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung erläutert.
    • BESTE FORM ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Um entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Metallschicht auf einem transparenten Substrat 10 abzuscheiden, wird eine Oberfläche 12 des Substrates 10 - wie mit Fig. 1 dargestellt - in einer Gaszelle 14 angeordnet, die eine metallhaltige gasförmige Verbindung 16 enthält. Die Gaszelle 14 weist zwei aus Metall bestehende Front- oder Stirnplatten 18 und 20 auf. Weiterhin weist die Zelle 14 ein Fenster 22 auf, das für Licht einer Licht- oder Strahlungsquelle durchlässig ist; dieses Licht oder die Strahlung wird zur Bildung einer Keimbildungsschicht auf dem Substrat 10 verwendet; weiterhin ist das Fenster durchlässig für Licht oder Strahlung aus einer Licht- oder Strahlungsquelle, die zur thermischen Abscheidung angewandt wird, wie das nachstehend im einzelnen erläutert wird. Das Fenster 22 kann beispielsweise aus Quarz bestehen. Weiterhin kann das Substrat 10 ein Fenster der Gaszelle 14 bilden, wobei die Oberfläche 12, auf welcher die Metallabscheidung erfolgen soll, eine Innenfläche der Zelle 14 bildet. Weiterhin sind andere Ausführungen einer Gaszelle möglich, um das erfindungsgemaße Verfahren durchzuführen. Beispielsweise kann das Substrat 10 in einer Gaszelle aufgehängt werden, oder das Substrat 10 kann das Fenster 22 ersetzen, so daß eine Metallabscheidung auf einer Innenfläche 24 durchgeführt werden kann.
  • Die metallhaltige gasförmige Verbindung 16 wird in die Zelle 14 mit Hilfe einer Vorrichtung 26 eingebracht, die ein Ventil oder dergleichen aufweist, um den Gasdruck einzustellen. Das metallhaltige Gas kann eine Alkylmetall-Verbindung, ein Metallhalogenid oder ein Metallcarbonyl sein; vorzugsweise ist eine metallorganische Verbindung vorgesehen, die einen ausreichend hohen Dampfdruck und eine ausreichend niedrige Zersetzungstemperatur aufweist, nämlich eine Zersetzungstemperatur unterhalb 200ºC, so daß eine thermische Zersetzung und Abscheidung an dem Substrat 10 erfolgen kann. Eine bevorzugte Verbindung ist Wolframhexacarbonyl W(CO)&sub6;. Eine andere bevorzugte Verbindung ist Trimethylaluminium Al(CH&sub3;)&sub3;.
  • Nachdem das transparente Substrat 10 in der Gaszelle 14 angeordnet worden ist, wird eine Keimbildungsschicht auf dem Substrat erzeugt, um die Substratoberfläche 12 zu impfen. Die Keimbildungsschicht besteht aus ungeordnet abgeschiedenen Bestandteilen der gasförmigen Verbindung 16 auf der Oberfläche 12 des Substrates 10; diese Bestandteile bilden eine oder mehrere Monolagen auf der Substratoberfläche, die im wesentlichen unsichtbar und entfernbar sind. Ein Verfahren zur Bildung der Keimbildungsschicht arbeitet mit einer Quelle 28 für UV-Licht, beispielsweise eine Quecksilberlampe oder einen UV-Laser. Das UV-Licht aus der Quelle 28 passiert das Fenster 22 und trifft auf die gesamte Oberfläche 12 des Substrates 10, um dort eine ungeordnete Abscheidung von Bestandteilen der metallhaltigen Verbindung 16 auf der Substratoberfläche zu bewirken, um so die Keimbildungsschicht zu bilden. Ein anderes Verfahren zur Erzeugung der Keimbildungsschicht besteht darin, die Gaszelle 14 so weit zu erwärmen, daß das Substrat 10 eine Temperatur annimmt, die kleiner ist als diejenige Temperatur, bei welcher eine Zersetzung der Moleküle der gasförmigen Verbindung 16 erfolgt, um ungeordnet Bestandteile der Verbindung 16 auf der Substratoberfläche 12 abzuscheiden.
  • Nachdem die Keimbildungsschicht gebildet worden ist, wird eine Laserlichtquelle 30 (vgl. Fig. 2) eingesetzt, um eine thermische Zersetzung der metallhaltigen Moleküle der Verbindung 16 an der Oberfläche 12 des Substrates 10 zu induzieren. Hierbei ist zu beachten, daß der für die thermische Zersetzung vorgesehene Laser ein Laser ist, der entweder sichtbares Licht abstrahlt, oder der Strahlung mit Wellenlängen im nahen IR-Bereich abstrahlt, d. h. Laserstrahlung mit einer Wellenlänge von 2 Mikrometer oder weniger. Der sichtbares Licht aufweisende Laserlichtstrahl oder der Strahlung aus dem nahen IR-Bereich aufweisende Laserlichtstrahl aus der Quelle 30 wird mit Hilfe eines Mikroskopobjektives 32 auf die Oberfläche 12 des Substrates 10 fokussiert, um eine örtlich begrenzte Erwärmung des Substratbereiches zu erzielen, auf welchen der Laserlichtstrahl auftrifft. Die Moleküle der gasförmigen Verbindung 16 werden thermisch an dem erwärmten Bereich zersetzt, um auf diesem Bereich eine Metallschicht abzuscheiden; diese Metallschicht bedeckt lediglich den Substratoberflächenbereich, auf welchen der Laserlichtstrahl auftrifft bzw. aufgetroffen ist.
  • Die auf der Substratoberfläche 12 gebildete Keimbildungsschicht dient als Impfkerne bzw. als Zentren für das Wachstum der Metallschicht und erlaubt somit eine Kontrolle der Abmessungen der Metallabscheidung; weiterhin lassen sich sehr kleine Metallabscheidungen reproduzierbar erzeugen, die Abmessungen in der Größenordnung eines Mikrometer aufweisen.
  • Die untere Grenze der Abmessungen der nach diesem Verfahren erzeugten Metallabscheidung ist lediglich durch die Qualität der Optik 32 begrenzt, welche zum Fokussieren des Laserlichtstrahles zur Verfügung steht. Weiterhin bewirkt die Keimbildungsschicht eine größere Abscheidungsgeschwindigkeit, als diese mit den bekannten Verfahren zur thermischen Zersetzung und zur photoinduzierten Zersetzung möglich war. Beispielsweise kann bei dem vorliegenden Verfahren die zur Abscheidung erforderliche Zeitspanne viel weniger als 1 Sekunde betragen, während die Abscheidungsdauer der bekannten Verfahren typischerweise 2 bis 3 Sekunden betragen hat. Die Abscheidungsgeschwindigkeit kann weiterhin durch Regelung des Dampfdruckes der gasförmigen Verbindung 16 gesteigert werden. Sofern als metallhaltige gasförmige Verbindung 16 Wolframhexacarbonyl W(CO)&sub6; oder Trimethylaluminium Al(CH&sub3;)&sub3; eingesetzt wird, kann der Dampfdruck erhöht und somit die Abscheidungsgeschwindigkeit gesteigert werden, indem die Verbindung auf eine Temperatur zwischen 90ºC und 150ºC erwärmt wird.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Abscheidung einer Metallschicht auf einem transparenten Substrat kann zur Reparatur durchsichtiger Fehlstellen an einer Photomaske eingesetzt werden, die aus einem transparenten Material wie etwa Quarz oder Glas besteht, und die ein Metallmuster aufweist, das typischerweise aus Chrom besteht. Die Photomaske wird zuerst in einer Gaszelle angeordnet, etwa in einer Zelle 14, wobei die die Maskenoberfläche bildende Fläche eine Innenfläche der Zelle bildet. Auf der mit Chrom beschichteten Oberfläche der Photomaske wird eine Keimbildungsschicht erzeugt, wie das oben beschrieben ist; anschließend wird ein sichtbares Licht aufweisender Laserlichtstrahl oder ein Strahlung im nahen IR-Bereich aufweisender Laserlichtstrahl auf den schadhaften Bereich fokussiert, um denjenigen Bereich der Photomaske zu erwärmen, auf welchen der Laserlichtstrahl auftrifft. Die Moleküle der gasförmigen Verbindung 16 werden thermisch an dem erwärmten Bereich zersetzt, um eine Metallschicht an der durchsichtigen Fehlstelle der Photomaske abzuscheiden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt eine Kontrolle der Abmessungen der Metallabscheidung und ermöglicht eine reproduzierbare Metallabscheidung, so daß auf dem fehlerhaften Bereich einer Photomaske sehr kleine Abscheidungen mit Abmessungen in der Größenordnung eines Mikrometer erzielbar sind. Dieses Abscheidungsverfahren liefert eine sehr dauerhafte Reparatur der Fehlstelle; weiterhin ist diese Reparatur beständig gegenüber den üblichen Maßnahmen zur Reinigung einer Photomaske. Weiterhin beschädigt das Verfahren zur Abscheidung einer Metallschicht das Substrat 10 oder die Photomaske nicht, so daß diese Abscheidung bei Bedarf wieder entfernt werden kann.
  • Dabei ist zu beachten, daß der Gegenstand der Erfindung auch ein alternatives Verfahren zur Reparatur klarer Fehlstellen an Photomasken beinhaltet. Dieses Verfahren kann vorzugsweise in einigen Anwendungsfällen vorgesehen werden. Bei diesem alternativen Verfahren wird Laserstrahlung mit einer Wellenlänge von 2 um oder weniger auf die Kante eines Metallmusters oder einer Linie fokussiert, die benachbart zur zu korrigierenden, durchsichtigen Fehlstelle verläuft (d. h., derjenige Abschnitt einer Quarzoberfläche, auf dem Metall abgeschieden werden soll). Eine Abscheidung wird auf dem Chrom in dem Abschnitt erzeugt, auf welchen der fokussierte Laserlichtstrahl auftrifft. Der Umfang dieser Metallabscheidung dient als Keimbildungsfleck für eine weitere Abscheidung auf dem durchsichtigen Fehlstellenbereich (d. h. auf der Quarzoberfläche). Der Laserlichtstrahl wird auf diesen Bereich zubewegt, und es wird eine reproduzierbare Abscheidung mit Abmessungen im Mikrometerbereich erzeugt. Dieses Verfahren wird kontinuierlich durchgeführt, bis die gesamte durchsichtige Fehlstelle mit Metall bedeckt ist. Das Verfahren ermöglicht ein kontrollierte s Wachstum der Abscheidungen, selbst wenn diese Abmessungen im Mikrometerbereich auftreten.
  • Bei einer anderen Ausführungsform wird das gesamte transparente Substrat so weit erwärmt, daß es eine Temperatur annimmt, die gerade unterhalb der thermischen Zersetzungstemperatur der Gasmoleküle liegt, mit deren Hilfe die laserinduzierte Abscheidung durchgeführt wird. Ein fokussierter Laserlichtstrahl wird auf dieses erwärmte Substrat gerichtet und wird die Temperatur in einem örtlich begrenzten Bereich rasch steigern, so daß die Gasmoleküle, die ungeordnet auf diesen Bereich treffen, dort zersetzt werden und dort eine abgeschiedene Metallschicht zurücklassen.
  • Diese Anmeldung hat Bezug zu unserer parallelen Anmeldung, die unter der Serial Nr. 165,686 (unter Beanspruchung der Priorität aus der U.S. Patentanmeldung Serial Nr. 622,367) veröffentlicht worden ist mit dem Titel "Method for repairing a Photomask by Laser-Induced Polymer Degradation"; ferner hat diese Anmeldung Bezug zu unserer parallelen Anmeldung, die unter der Serial Nr. 165,685 (unter Beanspruchung der Priorität aus der U.S. Patentanmeldung Serial Nr. 622,368) veröffentlicht ist mit dem Titel "Laser- Based System for the Total Repair of Photomasks". Mit dieser ausdrücklichen Bezugnahme soll der Inhalt dieser beiden Anmeldungen auch zum Bestandteil der vorliegenden Unterlagen gemacht werden.

Claims (21)

1. Verfahren zur reproduzierbaren Abscheidung einer Metallschicht auf der Oberfläche eines transparenten Substrates, wobei - diese Oberfläche in einer Zelle angeordnet wird, die eine metallhaltige gasförmige Verbindung enthält, - ein Verfahrensschritt zur Keimbildung durchgeführt wird, und - ein Verfahrensschritt zur Metallabscheidung durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß
bei dem Verfahrensschritt zur Keimbildung eine Keimbildungsschicht aus ungeordnet abgeschiedenen Bestandteilen dieser Verbindung auf dieser Oberfläche des Substrates erzeugt wird; und
bei dem auf die Keimbildung folgenden Verfahrensschritt der Abscheidung ein Laserlichtstrahl mit einer Wellenlänge von 2 Mikrometer oder weniger auf einen Oberflächenbereich fokussiert wird, der Abmessungen in der Größenordnung von einem Mikrometer aufweist, um diesen Bereich soweit zu erhitzen, daß Moleküle dieser Verbindung thermisch an diesem Bereich zersetzt werden, und dadurch eine Metallschicht auf diesem Bereich abgeschieden wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das transparente Substrat auf dieser Oberfläche ein Metallmuster aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat und das Metallmuster eine Photomaske bilden; und dieser Bereich eine durchsichtige Fehlstelle oder einen Abschnitt davon bildet, die/der durch Abscheidung der Metallschicht repariert werden soll.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserlichtstrahl auf einen Oberflächenbereich fokussiert wird, der sich benachbart zu einer Kante des Metallmusters befindet.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß nach Abscheidung der Metallschicht der Laserlichtstrahl von der Kante des Metallmusters zu der Kante der abgeschiedenen Metallschicht bewegt wird und die abgeschiedene Metallschicht soweit erhitzt, daß Moleküle dieser Verbindung thermisch an der erhitzten Metallschicht zersetzt werden, um darauf eine Metallschicht ab zuscheiden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Keimbildungsschicht durch Bestrahlen dieser Oberfläche mit UV- Strahlung erzeugt wird, um Bestandteile dieser metallhaltigen gasförmigen Verbindung auf dieser Oberfläche ungeordnet abzuscheiden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Keimbildungsschicht erzeugt wird durch Erwärmung dieser Oberfläche auf eine Temperatur unterhalb derjenigen Temperatur, die zur thermischen Zersetzung dieser Verbindung erforderlich ist, bevor der Laserlichtstrahl zur Abscheidung der Metallschicht fokussiert wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich der Dampfdruck der gasförmigen Verbindung geregelt wird, um eine Abscheidungsdauer zu erhalten, die deutlich weniger als 10 Sekunden beträgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Fokussierung des Laserlichtstrahles eine Steuerung des Wachstums der Metallabscheidung einschließt, um eine reproduzierbare Metallabscheidung mit Abmessungen im Mikrometerbereich zu erzeugen.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Quarz besteht.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus Glas besteht.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die metallhaltige Verbindung eine organometallische Verbindung ist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die metallhaltige Verbindung eine Alkylmetall-Verbindung ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die metallhaltige Verbindung ein Metallhalogenid ist.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die metallhaltige Verbindung eine Metallcarbonyl-Verbindung ist.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die metallhaltige gasförmige Verbindung Trimethylaluminium (Al(CH&sub3;)&sub3;) ist.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die metallhaltige gasförmige Verbindung Wolframhexacarbonyl (W(CO)&sub6;) ist.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich eine Erwärmung dieser Verbindung auf eine Temperatur zwischen 90 und 150ºC vorgesehen ist, um den Dampfdruck der Verbindung zu erhöhen und dadurch die Abscheidungsgeschwindigkeit der Metallschicht auf dem Substrat zu steigern.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserlichtstrahl eine Wellenlänge von 2000 Nanometer oder weniger aufweist.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserlichtstrahl sichtbares Licht aufweist.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserlichtstrahl IR-Strahlung aufweist.
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0165685B1 (de) * 1984-06-20 1992-09-23 Gould Inc. Laserverfahren zur Photomaskenreparatur
JPH0630339B2 (ja) * 1984-07-16 1994-04-20 新技術事業団 ＧａＡｓ単結晶の製造方法
US4810601A (en) * 1984-12-07 1989-03-07 International Business Machines Corporation Top imaged resists
EP0193673A3 (de) * 1985-03-01 1988-12-28 Gould Inc. Vorrichtung für die Photomaskenreparatur
JPS61274345A (ja) * 1985-05-29 1986-12-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
EP0248883B1 (de) * 1985-12-05 1993-09-22 Ncr International Inc. Selektives niederschlagsverfahren
US4748045A (en) * 1986-04-09 1988-05-31 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for photodeposition of films on surfaces
US4868005A (en) * 1986-04-09 1989-09-19 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for photodeposition of films on surfaces
US4957775A (en) * 1986-05-29 1990-09-18 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for refractory metal deposition
US4756927A (en) * 1986-05-29 1988-07-12 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for refractory metal deposition
DE3751755T2 (de) * 1986-06-30 1997-04-03 Nihon Sinku Gijutsu K K Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden aus der Gasphase
DE3751756T2 (de) * 1986-06-30 1996-08-01 Ulvac Corp Verfahren zum Abscheiden aus der Gasphase
US4778693A (en) * 1986-10-17 1988-10-18 Quantronix Corporation Photolithographic mask repair system
US4771010A (en) * 1986-11-21 1988-09-13 Xerox Corporation Energy beam induced layer disordering (EBILD)
US4814294A (en) * 1987-07-30 1989-03-21 Allied-Signal Inc. Method of growing cobalt silicide films by chemical vapor deposition
DE3730644A1 (de) * 1987-09-11 1989-03-30 Baeuerle Dieter Verfahren zur vorgegeben strukturierten abscheidung von mikrostrukturen mit laserlicht
DE3741706A1 (de) * 1987-12-09 1989-06-22 Asea Brown Boveri Verfahren zur herstellung von spiralfoermigen duennfilm-flachspulen
JP2545897B2 (ja) * 1987-12-11 1996-10-23 日本電気株式会社 光ｃｖｄ装置
FR2633449B1 (fr) * 1988-06-28 1990-10-26 Comurhex Procede de remise en forme de pieces localement deteriorees, notamment anticathodes
US4960613A (en) * 1988-10-04 1990-10-02 General Electric Company Laser interconnect process
US5084311A (en) * 1988-12-28 1992-01-28 General Electric Company Electromagnetic transducers and method of making them
US5167983A (en) * 1988-12-28 1992-12-01 General Electric Company Method of forming a conductor pattern on the inside of a hollow tube by reacting a gas or fluid therein with actinic radiation
US5250329A (en) * 1989-04-06 1993-10-05 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of depositing conductive lines on a dielectric
DE3922233A1 (de) * 1989-07-06 1991-01-17 Guenter Link Verfahren zur abscheidung von metallen aus metallorganischen verbindungen mittels photonenstrahlung
DE69227137T2 (de) 1991-02-28 1999-04-22 Texas Instruments Inc., Dallas, Tex. Verfahren zur Herstellung einer Markierung
JPH0799791B2 (ja) * 1992-04-15 1995-10-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 透明基板上の回路ライン接続方法
US5352330A (en) * 1992-09-30 1994-10-04 Texas Instruments Incorporated Process for producing nanometer-size structures on surfaces using electron beam induced chemistry through electron stimulated desorption
US5427825A (en) * 1993-02-09 1995-06-27 Rutgers, The State University Localized surface glazing of ceramic articles
US5653897A (en) * 1993-02-17 1997-08-05 Electric Power Research Institute Rotating fiber optic coupler for high power laser welding applications
US5430270A (en) * 1993-02-17 1995-07-04 Electric Power Research Institute, Inc. Method and apparatus for repairing damaged tubes
US5514849A (en) * 1993-02-17 1996-05-07 Electric Power Research Institute, Inc. Rotating apparatus for repairing damaged tubes
US5405659A (en) * 1993-03-05 1995-04-11 University Of Puerto Rico Method and apparatus for removing material from a target by use of a ring-shaped elliptical laser beam and depositing the material onto a substrate
US6159641A (en) * 1993-12-16 2000-12-12 International Business Machines Corporation Method for the repair of defects in lithographic masks
EP0740324B1 (de) * 1993-12-22 1999-04-21 Canon Kabushiki Kaisha Herstellungsverfahren einer elektronemittierenden Vorrichtung
US5460693A (en) * 1994-05-31 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Dry microlithography process
US20090026797A1 (en) * 2005-09-15 2009-01-29 Richard Wood Wake stabilization device and method for reducing the aerodynamic drag of ground vehicles
US10345695B2 (en) * 2016-11-30 2019-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet alignment marks

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2883257A (en) * 1953-05-15 1959-04-21 Bell Telephone Labor Inc Electron beam recording
US3271180A (en) * 1962-06-19 1966-09-06 Ibm Photolytic processes for fabricating thin film patterns
US3364087A (en) * 1964-04-27 1968-01-16 Varian Associates Method of using laser to coat or etch substrate
US4042006A (en) * 1973-01-05 1977-08-16 Siemens Aktiengesellschaft Pyrolytic process for producing a band-shaped metal layer on a substrate
US4340617A (en) * 1980-05-19 1982-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing a material on a surface
JPS586127A (ja) * 1981-07-03 1983-01-13 Hitachi Ltd フオトマスク欠陥修正方法とその装置
EP0110882A1 (de) * 1982-06-01 1984-06-20 Massachusetts Institute Of Technology Maskenlose erzeugung gemusterter schichten
US4451503A (en) * 1982-06-30 1984-05-29 International Business Machines Corporation Photo deposition of metals with far UV radiation

Also Published As

Publication number Publication date
US4606932A (en) 1986-08-19
DE3587464D1 (de) 1993-08-26
US4543270A (en) 1985-09-24
ATE91730T1 (de) 1993-08-15
EP0172604B1 (de) 1993-07-21
JPS6345579B2 (de) 1988-09-09
EP0172604A3 (en) 1988-05-04
EP0172604A2 (de) 1986-02-26
JPS6125147A (ja) 1986-02-04

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