JPS61248210A - 磁気抵抗効果再生ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果再生ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61248210A JPS61248210A JP8857785A JP8857785A JPS61248210A JP S61248210 A JPS61248210 A JP S61248210A JP 8857785 A JP8857785 A JP 8857785A JP 8857785 A JP8857785 A JP 8857785A JP S61248210 A JPS61248210 A JP S61248210A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- magnetoresistive
- barkhausen noise
- magneto
- resistance effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果素子忠ヘッドに係り。
籍に感反向上とバルクハウゼンノイズの抑圧に好適な磁
気抵抗効果戯再生ヘッドの構成に関する。
気抵抗効果戯再生ヘッドの構成に関する。
従来、磁気抵抗効果戯再生ヘッドの問題点となっていた
バルクハウゼンノイズの抑圧方法とし【、特開昭５８−
２２０２４１号公報に記載のよ５に、磁気抵抗効果素子
と同一以上の面積を有する軟磁性薄膜を磁気抵抗効果素
子と平行く絶縁層を介して薄膜堆積法により形成し、こ
の軟磁性薄膜と磁気抵抗効果素子とで還流磁路を形成し
て磁気抵抗効果素子の磁区分割を抑圧し、磁壁の不可避
な非可逆的移動により生じるバルクハウゼンノイズを抑
圧する方法が矧られている。
バルクハウゼンノイズの抑圧方法とし【、特開昭５８−
２２０２４１号公報に記載のよ５に、磁気抵抗効果素子
と同一以上の面積を有する軟磁性薄膜を磁気抵抗効果素
子と平行く絶縁層を介して薄膜堆積法により形成し、こ
の軟磁性薄膜と磁気抵抗効果素子とで還流磁路を形成し
て磁気抵抗効果素子の磁区分割を抑圧し、磁壁の不可避
な非可逆的移動により生じるバルクハウゼンノイズを抑
圧する方法が矧られている。
また、Ｉ！＃開昭５９−５６２１０号公報に記載のよう
に、磁気抵抗素子部を含む強磁性薄膜からなる磁気抵抗
型磁気ヘッドにおいて、その強磁性薄膜に。
に、磁気抵抗素子部を含む強磁性薄膜からなる磁気抵抗
型磁気ヘッドにおいて、その強磁性薄膜に。
前記磁気抵抗素子部とその曝気抵抗が並列接続になるよ
５なストライ１耶を形成し、磁気抵抗素子部とストライ
ブｓと罠より還流磁路を形成してバルクハウゼンノイズ
を抑圧する方法が苅られている。
５なストライ１耶を形成し、磁気抵抗素子部とストライ
ブｓと罠より還流磁路を形成してバルクハウゼンノイズ
を抑圧する方法が苅られている。
しかし、これらはバルクハウゼンノイズを抑圧するとと
もに、感度を向上させる点については考慮されていない
。
もに、感度を向上させる点については考慮されていない
。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、感度の向
上とバルクハウゼンノイズの抑圧ヲ合せもった磁気抵抗
効果型再生ヘッドを提供するにある。
上とバルクハウゼンノイズの抑圧ヲ合せもった磁気抵抗
効果型再生ヘッドを提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は磁気抵抗効果素子
を非磁性、かつ電気絶縁層を介して積層し、上下ふたつ
の磁気抵抗効果素子で還流磁路な形層してバルクハウゼ
ンノイズを抑圧するとともに、上下ふたつの磁気抵抗効
果素子の片方の端部同志を電気的に接続すると共に、上
下ふたつの磁気抵抗効果素子の他方の端部同志をそれぞ
れ給′鑞ソース、ドレインとして構成し、還流ａ路を持
つ磁気抵抗効果素子として感度向上をはかりた構成とし
た点に特徴がある。
を非磁性、かつ電気絶縁層を介して積層し、上下ふたつ
の磁気抵抗効果素子で還流磁路な形層してバルクハウゼ
ンノイズを抑圧するとともに、上下ふたつの磁気抵抗効
果素子の片方の端部同志を電気的に接続すると共に、上
下ふたつの磁気抵抗効果素子の他方の端部同志をそれぞ
れ給′鑞ソース、ドレインとして構成し、還流ａ路を持
つ磁気抵抗効果素子として感度向上をはかりた構成とし
た点に特徴がある。
以下１本発明の実施例を図面でもつ″′Ｃ説明する。
第１図は不発明による磁気抵抗効果系子生ヘッドの一実
施例を全体ＩＩＩｔ成として示す外観斜視図であって、
１は非磁性基板、２は非磁性基板１上に蒸着あるいはス
パッタ等により形成したＮｉ −Ｆｇ系磁性薄膜の第１
の磁気抵抗効果素子。
施例を全体ＩＩＩｔ成として示す外観斜視図であって、
１は非磁性基板、２は非磁性基板１上に蒸着あるいはス
パッタ等により形成したＮｉ −Ｆｇ系磁性薄膜の第１
の磁気抵抗効果素子。
３はＳｉｎ、、 、４１，０．等の絶縁層、４は絶縁層
３上に形成した第２の磁気抵抗効果素子、５．６は磁気
抵抗効果索子２，４のそれぞれの引き出し導体リードで
あり、磁気抵抗効果素子２．４は磁気抵抗効果素子４の
曲げ端部８の部位で接αしてあり、導体リード５、磁気
抵抗効果素子２゜磁気抵抗効果素子４および導体リード
６の径路で電流を流す構成としである。７は磁石であり
、磁気抵抗効果素子２．４へバイアス磁界を加えている
◎１１１ｉＡが磁気記憶媒体との当接面である。
３上に形成した第２の磁気抵抗効果素子、５．６は磁気
抵抗効果索子２，４のそれぞれの引き出し導体リードで
あり、磁気抵抗効果素子２．４は磁気抵抗効果素子４の
曲げ端部８の部位で接αしてあり、導体リード５、磁気
抵抗効果素子２゜磁気抵抗効果素子４および導体リード
６の径路で電流を流す構成としである。７は磁石であり
、磁気抵抗効果素子２．４へバイアス磁界を加えている
◎１１１ｉＡが磁気記憶媒体との当接面である。
磁気抵抗効果系子２．４は、第２図に示すよ５に、自発
磁化に対して還流磁路を形成し、バルクハウゼンノイズ
の原因となる磁壁の発生を抑圧し、バルクハウゼンノイ
ズを抑圧している。
磁化に対して還流磁路を形成し、バルクハウゼンノイズ
の原因となる磁壁の発生を抑圧し、バルクハウゼンノイ
ズを抑圧している。
この還流ｍ路を効果的に形成するために、第３図に示し
たよ５に、端部で磁気抵抗効果素子２゜４を近接させる
ことが艮い。
たよ５に、端部で磁気抵抗効果素子２゜４を近接させる
ことが艮い。
次に、この実力例の動作を第４図により説明する。
磁気抵抗効果索子２ｊ４の磁化（→印〕は。
磁石７により、素子長手方向に対して角度θ傾むくよう
に設定されている。この傾きはりニアリテイを良（し、
かつ抵抗変化の紋も大きいところを用いて感度を向上さ
せるためには、０２４５°と設定することが良い。
に設定されている。この傾きはりニアリテイを良（し、
かつ抵抗変化の紋も大きいところを用いて感度を向上さ
せるためには、０２４５°と設定することが良い。
磁気テープあるいはディスクからの再生信号磁界Ｈ（ミ
印〕が磁気抵抗効果素子２，４に加わると、磁化（→印
）はともに磁気抵抗効果素子２．４の長手方向（−→印
〕の方向に回転する。丁なはち、第５図の磁気抵抗駕化
曲瞭上でＢ点の動作点から一一一印方向に抵抗が変化す
ることになる。磁気抵抗効果素子２．４の変化の方向は
同じであるから、磁気抵抗効果素子２゜４の抵抗変化分
は加算され、再生ヘッドとしての出力（抵抗変化分Ｘ配
流ｉ〕は２倍となる。
印〕が磁気抵抗効果素子２，４に加わると、磁化（→印
）はともに磁気抵抗効果素子２．４の長手方向（−→印
〕の方向に回転する。丁なはち、第５図の磁気抵抗駕化
曲瞭上でＢ点の動作点から一一一印方向に抵抗が変化す
ることになる。磁気抵抗効果素子２．４の変化の方向は
同じであるから、磁気抵抗効果素子２゜４の抵抗変化分
は加算され、再生ヘッドとしての出力（抵抗変化分Ｘ配
流ｉ〕は２倍となる。
磁気抵抗効果索子２．４の抵抗変化率、および電流を一
定としたとき、ヘッドの感度の向上策として磁気抵抗効
果素子２，４の抵抗値を大さくすることが良いことは明
らかであるが、抵抗１直を大さくするために夫々の長さ
′ｌｚｒ：長（することは、トラック幅の制限を受ける
ために出来ない。また、磁気抵抗効果素子２，４の膜厚
を薄（することは、抵抗変化率を小さくする等薄膜形底
上の問題が生じる。
定としたとき、ヘッドの感度の向上策として磁気抵抗効
果素子２，４の抵抗値を大さくすることが良いことは明
らかであるが、抵抗１直を大さくするために夫々の長さ
′ｌｚｒ：長（することは、トラック幅の制限を受ける
ために出来ない。また、磁気抵抗効果素子２，４の膜厚
を薄（することは、抵抗変化率を小さくする等薄膜形底
上の問題が生じる。
本発明はこの感度向上の意味でも大きな効果がある。
第６図は本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの他の
実施例を示す断面図である。第１図で示した実施例は磁
気抵抗効果系子を媒体幽接面に露出させたいわゆる７Ｑ
ント型磁気抵抗効来再生ヘツドであるが１本笑鳳例のよ
うに、磁気ヨーク９．９′により信号磁界を後方く設け
た磁気抵抗効果系子２，４まで専び（、いわゆるリア型
磁気抵抗効果再生ヘッドとしても構成できる。
実施例を示す断面図である。第１図で示した実施例は磁
気抵抗効果系子を媒体幽接面に露出させたいわゆる７Ｑ
ント型磁気抵抗効来再生ヘツドであるが１本笑鳳例のよ
うに、磁気ヨーク９．９′により信号磁界を後方く設け
た磁気抵抗効果系子２，４まで専び（、いわゆるリア型
磁気抵抗効果再生ヘッドとしても構成できる。
第６図において、１０が再生磁気ギャップとして動作し
、１１は導体であって紙面に垂直に電流を流子こ件によ
り、磁石と同僚にバイアス磁界を素子に加えることが出
来る。
、１１は導体であって紙面に垂直に電流を流子こ件によ
り、磁石と同僚にバイアス磁界を素子に加えることが出
来る。
本実施例のよプに、リア盃として宿成丁れば、素子自体
が媒体と接触することを避けられるので熱ノイズの低減
、信頼性向上等の効果がある。
が媒体と接触することを避けられるので熱ノイズの低減
、信頼性向上等の効果がある。
また、第７図のように１Ｍｉ気抵尻効果素子２゜４．１
２を多層化しても還流磁路（→印〕を形成でき、しかも
感度は多層化しただけ向上する。
２を多層化しても還流磁路（→印〕を形成でき、しかも
感度は多層化しただけ向上する。
また、磁気抵抗効果素子２ｓ４ｓ１２を端部で直接接続
せずに、接硯層ｊ３をＡｔ等の非磁性導体で形成しても
良い。
せずに、接硯層ｊ３をＡｔ等の非磁性導体で形成しても
良い。
以上説明した様ｉＣ，本発明によれば、高感度でしかも
バルクハウゼンノイズを抑圧することが小米、上記従米
技術の欠点を除いて優れた機能の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドを提供出来る。
バルクハウゼンノイズを抑圧することが小米、上記従米
技術の欠点を除いて優れた機能の磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドを提供出来る。
第１図は本発明の一実施例に係る磁気抵抗効果素子庄ヘ
ッドを示す外観斜視図、第２囚は同還流磁路の様子を示
す図、第３図は変形実施例に係る堀流嶽路の様子を示す
図、第４図は動作時の磁化方向の変化を示す図、第５図
は磁気抵抗効果素子を示す図、第６図は他の実施例く係
る磁気抵抗効果型再生ヘッドの要部側面図、第７図はさ
らに他の実施例に係る磁気抵抗効果素子＠成因である。 １・・・基板 ２．４．ｉ２・・・磁気抵抗効果素子 ５．６・・・導体リード ７・・・バイアス凪石 ９・・・磁気ヨーク １１・・・バイアス導体
ッドを示す外観斜視図、第２囚は同還流磁路の様子を示
す図、第３図は変形実施例に係る堀流嶽路の様子を示す
図、第４図は動作時の磁化方向の変化を示す図、第５図
は磁気抵抗効果素子を示す図、第６図は他の実施例く係
る磁気抵抗効果型再生ヘッドの要部側面図、第７図はさ
らに他の実施例に係る磁気抵抗効果素子＠成因である。 １・・・基板 ２．４．ｉ２・・・磁気抵抗効果素子 ５．６・・・導体リード ７・・・バイアス凪石 ９・・・磁気ヨーク １１・・・バイアス導体
Claims (1)
- 少なくとも２つの磁気抵抗効果素子を非磁性絶縁層を介
して積層すると共に、隣り合う２つの磁気抵抗効果素子
の一方の端部同志のみを直接あるいは導体を介して電気
的に接続したことを特徴とする磁気抵抗効果型再生ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8857785A JPS61248210A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 磁気抵抗効果再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8857785A JPS61248210A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 磁気抵抗効果再生ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248210A true JPS61248210A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13946703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8857785A Pending JPS61248210A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 磁気抵抗効果再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116181A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
| EP0573148A2 (en) * | 1992-06-05 | 1993-12-08 | Hewlett-Packard Company | Conductor configuration for magnetoresistive transducers |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP8857785A patent/JPS61248210A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116181A (ja) * | 1988-10-26 | 1990-04-27 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
| EP0573148A2 (en) * | 1992-06-05 | 1993-12-08 | Hewlett-Packard Company | Conductor configuration for magnetoresistive transducers |
| EP0573148A3 (en) * | 1992-06-05 | 1994-06-15 | Hewlett Packard Co | Conductor configuration for magnetoresistive transducers |
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