JPS61246756A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS61246756A
JPS61246756A JP8837085A JP8837085A JPS61246756A JP S61246756 A JPS61246756 A JP S61246756A JP 8837085 A JP8837085 A JP 8837085A JP 8837085 A JP8837085 A JP 8837085A JP S61246756 A JPS61246756 A JP S61246756A
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hexadeca
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Akihiko Kuroiwa
黒岩 顕彦
Noriyoshi Nanba
憲良 南波
Terufumi Kamijo
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工 発明の背景 技術分野 本発明は、フタロシアニン化合物をキャリア生成層に含
有させた電子写真感光体に関する。
先行技術とその問題点 複写機やレーザープリンター等には電子写真感光体が用
いられている。 このなかには1機能分離型積層感光体
が含まれるが、これは電極上にキャリア生成層とキャリ
ア移動層とが積層されているものである。 キャリア生
成層は光を吸収することによりキャリアを生成する層で
あり、またキャリア移動層は生成したキャリアを移動す
る層である。
ところで、フタロシアニン化合物は熱、光、湿度等に対
し堅牢性に優れ、光導電材料としても注目されており、
このフタロシアニン化合物をキャリア生成層に適用する
試みがなされている。
しかし、この化合物は、レーザープリンタ等に必要とさ
れる近赤外ないし赤外域に吸収を持たないため用いるこ
とができず、この点の改善が望まれている。
■ 発明の目的 本発明の目的は、キャリア生成層にフタロシアニン化合
物を含有させることにより近赤外ないし赤外域に吸収を
もつ電子写真感光体を提供することにある。
■ 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち1本発明は、電極上にキャリア生成層およびキ
ャリア移動層を有する電子写真感光体において。
キャリア生成層が下記式(I)または式(II)で示さ
れるフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする
電子写真感光体である。
式(I) MY  P c + YI  R1)  (X) t(
B−nまたは。
式(!■) M Y −P C(−Y 2− R2−Y 3 ) a
(YI  R1)  (X) 1B−2fL−。
履 (式(I)および(II)中、MYは金属もしくは半金
属のVIB族元素化物基を表わす。
Pcはフタロシアニン核を表わす。
R1は、置換または非置換の脂肪族基、脂環式基、芳香
族基または複素環基を表わす。
R2は置換または非置換の2価の脂肪族基。
脂環式基、芳香族基または複素環基を表わす。
Yl、Y2およびY3は、それぞれ、0゜S、Se、T
eまたはNT (Tは水素原子、アルキル基またはアリ
ール基を表わす、)を表わす。
Xは水素原子またはハロゲン原子を表わす。
nは1〜16.1は1〜8、mは0−14の正の整数を
表わす、) ■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の電子写真感光体はキャリア生成層を有し、この
暦には下記式(I)または式(II)で示されるフタロ
シアニン化合物が含有される。
式(I) %式%( 式(II) M Y −P c +Y 2 − R2−Y 3)  
a(Yt  Rt )  (X) lfl−2fL−m
層 上記式(I)および(II)において、MYは、金属ま
たは半金属のVIB族元素化物基を表わす。
この場合の金属または半金属原子としては。
例えば、Mg、AjL、Si 、Ca、Sc。
Ti 、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni 。
Cu、Zn、Ga、Ge、As、Sr、Y。
Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag。
Cd、In、Sn、Sb、Ba、La、Hf 。
Ta、W、Re、Os、Ir、Pt  、Au。
Hg 、 T l 、 P b 、 B i 、 T 
h 、 E u等があり、コノなかでsi 、”rt 
、V、Cr、Mn。
Fe、Ge、As、Zr、Nb、Mo、Pd。
Sn  、  Sb  、If  、Ta、W、Re 
 、Os  。
Pb 、Thが好ましい。
また、VIB族原子は、例えばO,S、Se。
Te等であり、なかでもOlSが好ましい。
この場合、MYとしては、Mの酸価数■値以上のものが
好ましく、MYとしてはY′をO9S、Se、Teとし
たとき、MY’ 、MY2 f)ものが好ましい。
これらのうちでは、VO,TiO,ZrO。
ThO,HfO,OsO,SiO,GeO。
SnO,TiS、VS、UO2等が特に好ましい。
Pcは、下記式(m)で表わされるフタロシアニン核で
ある。
式(m) 上記式(m)で、−Y、R,、 −Y2 R2y3−もしくはXが置換する位置は1−1
6のいずれかである。
R1は1価、R2は2価であっ て、炭素数1〜20の置換もしくは非置換の脂肪族基、
脂環式基1例えば、メチル基、エチル基、プロピIし基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、エチレン基、プ
ロピレン基、フチレン基、ベンチレン基、ヘキシレン基
、ベンジル基、フェネチル基、シクロヘキシル基、アリ
ル基、ドデシル基。
−CH2CH2CH= CH−CH2−、シクロヘキセ
ン&、 C2H4() 、インプロペニル基、−c2 
H4−C見、−CH2−NH2等; 炭素数6〜24の置換もしくは非置換の芳香族基1例え
ば、フェニル基、トリル基、フェニレン基、ナフチレン
基、メトキシフェニル基、ナフチル基、塩化フェニル基
、キシリル基、00C2H5、 0 CH2C見、OCH20H、スチリル基、1シンナ
ミル基、フェネチル基、メチルフェニレン基、−0−C
OOCH3等; 置換もしくは非置換の複素環基1例えば、ピリジル基、
ピロリル基、キノリル基、フリル基、フルフリル基、フ
ェニル基、ピペリジル基、ピリミジル基等; である。
Xは、水素原子; ハロゲン原子、例えば、Cl、Br、I、F等; であり、なかでも、H,C1、Br、Iが好ましい。
Yt+Y2およびY3は、 ツレツレ、 o 。
S、Se、TeまたはNT(Tは水素原子、アルキル基
またはアリール基を表わす、)である。
nは、1−16の正の整数を表わし、なかでも3〜16
であることが好ましい。
見は1〜8、mは0−14の正の整数を表わす。
以下に本発明のフタロシアニン化合物の具体例を挙げる
(I)テトラ−3,6−(4−メチル フェノキシ)−VOPc (2)テトラ−(メトキシ)−VOPc(3) テト5
− (−0C2Hs )Ti0Pc (4)ヘキサ−3、6−(−3C3H? )UO2Pc (5)ヘキサ−3,6−(−0C4I(9)VOPc (6)へブタ−(−5−Q )−VOPc(7)オクタ
−(−0(> C2H5)VOPc (8)オクタ−3,6−(−50CfL)Ti0Pc (9)y’カー (−000CH3) −T  i  OP  C (I0)デカ−(−QCs Hll)−UO2PcVO
Pc (I2)ペンタデカ−(−0C2H5)VOPc (I3)ペンタデカ−(−SOCOOCH3)VOPc ctD’<7タデカ (−SC3H7)VOPc (I5) オフl −3、6−(−0−C)−0CH3
)VOPc (I8)ペンタデカ−(−00)−VOPcVOPc (I8)ペンタデカ−(−5−02H5)Ti0Pc (I9)ペンタデカー(−S −CH3)VOPc (20)ペンタデカ−(−0−CH3)−T  i  
OP  c (21)ペンタデカ−(−50CH3)VOPc (22)ペンタデカ−(−3oOCH3)VOPc (23)へキサデカ−(−00)−VOPc(24) 
へキサデカ−(−5−0−CH3)VOPc (25)へキサデカ−(−5e−CH3)Ti0Pc (2B)ヘキサデカ−(−0−C2H5) VOPc (27)オクタ−3,6一 (28)オクタ−3,6− (29)へキサデカ−(−TeC3H7)VOPc VOPc (31)オクタ−3,6− (−0−C2Hs)テトラ−4,5− ジー4 、5− (−0−Ca Hf2−0−)VOP
c (33)へキサデカ−(−00CH3)モノ−(34)
オクタ−3、6−(−3CH3)Ti0Pc (35)オクタ−3,6−(−0C2H5)Ti0Pc (3B)オクタ−3,6−(−50) VOPc (37)オクタ−3,6−(−0C3H7)−Z  r
OPc (38)オクタ−3、8−(−3C2Hs )VOPc (38)オクタ−3,6− (40)デカ−(−5OCH3) Hf0Pc (41)デカ−(−〇 −C2H5) −V OP C
(43)ペンタデカ−(−00J1) −Z  rOPc (44)ペンタデカ−(−300CH3)−Hf0Pc (45)ベンタデ、1)J−(−500C2H5)Th
0Pc (46)ペンタデカ−(−8−C2H5)−5iOPc (47)ペンタデカ−(−0−C2Hs )−Ge0P
c (48)へキサデカ−(−5O)−0sOPc(50)
へキサデカ−(−0−C2H5)VOPc (51)へキサデカ−(−SC3H7)−Ti  5P
c (52)へキサデカ−(−00CH3)VOPc (53)ペンタデカ−(−Sac文) −T  i  OP  c (50ウンデカ−(−0−C2Hs ) VOPc (55)オクタ−3,6− (−0−C2H5)テトラ−4,5− ジー(−0−Cs Hlo−0)−VOPc(57)へ
キサデカ−(−0−C> CH3)%/ −(58)へ
キサデカ−(−5−C2H5)VSPc (58)ヘキサデカ−(−5−■) VOPc (BO)へキサデカ−(−S−■) −Ti0Pc (81)へキサデカ−(−3−−0−)5iOPc (B2)へキサデカ−(−3−0−CH3)Ge0Pc (63)へキサデカ−(−0−6) −T  i  OP  c (64)テトラゾカー(−0−C2Hs)(65)デカ
−(−3−C2Hs) (6B)オクタ−(−5−C2Hs) (67)オクタ−(−S−C2H5) (68)オクタ−(−〇−C2Hs)テトラ−(−5−
C2Hs) (69)オクタ−(−3−C2Hs)モノ−(70)へ
キサデカ−(−0−C2Hs)Ti0Pc (71)へキサデカ−(−3−CH3)−T  i  
OP  c VOPc (73)へキサデカ−(−〇−C3H7) VOPc 本発明のフタロシアニン化合物は、一般に次のスキーム
に従う方法で合成することができる。
スキームl R,yt −K+ nRIYl−に◆ +MY−P c  (X)  1s
=  MY −PC(−YtRt) n (X)H41
80〜180℃、lhr。
+副生成物 (Yl :OまたはS) この方法を用いた場合の反応生成物の精製は次のように
行なう。
反応生成物を100℃に冷却し、エタノールで希釈した
後、室温に戻して濾過する。 この濾別したものをエタ
ノールで洗浄し、さらにエタノール−水溶液で洗浄し、
乾燥する。 こうして得られた組生成物をシリカカラム
でトルエンによって展開し1分離して精製する。
スキーム2 L i 2 P c(−Yt Rt ) ts + n
MYX2この場合の反応生成物の精製は、スキームlと
同様に行う。
次に、本発明のフタロシアニン化合物の合成例を挙げる
合成例1、  六    38 C2HsSH12gとKOH6gとをキノリン中で14
5℃にて2時間反応させた。
これにVOPc C(I)I6 7 gを加え、160
−180℃にて2時間反応させた。 得られた反応生成
物を100℃に冷却した後、エタノール(E t OH
)で希釈して室温に戻し。
濾過した。 濾別したものをEtOHで洗浄し、さらに
EtOH−H20(I: 1)溶液で洗浄し、乾燥した
このようにして得られた粗生成物をシリカカラムでトル
エンによって展開し1分離、精製した。 これを2回繰
り返して目的物を得た。
収    率    35% 元素分析 CSN    V 計算値/%  43.28 19.23 8゜41 3
゜83実測値/%  42.35 19.31 8.4
9 3.92吸収極大  入m a x 750 n m (スピンナー塗布に より0.1糾m厚の薄膜を形成 して測定) 合成例2.  ス    36 合成例1と同様にして目的物を得た。
収   率    39% 元素分析 C3N    V 計算値/%  55.i38 14.93  B、53
 2.97実測値/%  5B、41 13.88  
B、50 2.89合成例3.  六    53 合成例1と同様にして目的物を得た。
収    率    29% 元素分析 CS   N   Ti 計算値/%  53.27 1?、50 4.08 1
.75実測値/%  52.92 1?、21 4.1
3 1.78合成例4.  ス    41 合成例1と同様にして目的物を得た。
収    率    28% 元素分析 CHN    V 計算値/%  51.02 4.09 9.18 4.
17実測値/%  50.01 4.20 9.14 
4.00合成例5.  ス    26 1モルとエタノール(E t OH)  4モルとを1
30℃で3時間反応させ、 を得た。 この化合物4モルに Li◆(QCs Hu ) ”’  2 モルを加えて
、130℃で2時間反応させ。
L i2 Pc(−OE t)16を得た。 さらに、
この化合物1モルにVCJL31モルを加えてアミルア
ルコール中で120℃で2時間反応させ、目的物を得た
精製は実施例1と同様に行なった。
収   率    28% 元素分析 CHN    V 計算値/%  59.09  B、35 8.90 4
.05実測値/%  59.99 8.42 8.80
 4.01吸収極大  入max 820nm(スピンナー塗布に より0 、 l ILm厚の薄膜を形成して測定) 合成例6、  六ヒ   70 の 合成例5と同様にして目的物を得た。
収    率    34 。2% 元素分析 CHN   Ti 計算値/%  59゜24 8.37 8.92 3.
81実測値/%  58.!32  B、41 8,8
9 3.75合成例7−   /″X71 合成例5と同様にして目的物を得た。
収   率    25.9% 元素分析 CHN   Ti 計算値/%  43.87 3.H8,533,85実
測値/%  43.82 3.81 8.57 3.8
9合成例8.  六    17 の 合成例5と同様にして目的物を得た。
収   率    36.2% 元素分析 CHN    V 計算値/%  79.11!1 3.83 4.08 
1.81+実測値/%  78.89 3.79 4.
12 1.89合成例9   7″X27  の 4モルとを140℃、2時間で反応させ、この化合物4
モルにL i ”(OCs Hu)−2モルを加えて1
50℃で2時間反応させ、さらに、この化合物1モルに
T1Cu41モルを加えて、アミルアルコール中で13
0℃で1時間反応させ、目的物を得た。 この反応生成
物を100℃に冷却した後、エタノール(E t OH
)で希釈して室温に戻し、濾過した。 濾別したものを
EtOHで洗浄し、さらにEtOH−H20(I: 1
)溶液で洗浄し、乾燥した。 このようにして得られた
粗生成物をシリカカラムでトルエンによって展開し1分
離、精製して目的物を得た。
収率 2762% 元素分析 CHN   Ti 計算値7%87.61 2.82  5.83 2.4
1実測値/%H,822,915,592゜44吸収極
大  λ鳳龜! 770n層(スピンナー塗布により 0.1p層厚の薄膜を形成 して測定) 合成例1O;Xヒ   72 の 合成例9と同様にして目的物を得た。
収率 27.9% 元素分析 CHN    V 計算値/%89.38 3.59  5.58 2.5
4実測値/%88.27 3.e2  5゜53 2.
57合成例11    バ    73 プロパツ一ル16モルとKOH16モルとをキノリン中
で140℃にて1時間反応させた。
コレニV OP c (Cl ) +G1 モJL/を
加え、160〜180℃にて1時間反応させた。
得られた反応生成物の精製は合成例11と同様に行った
・ 収率 29.1% 元素分析 CHN    V 計算値/%83.71 7.43  7.43 3゜3
B実測値/%62.99 7.39   ?、48 3
.51吸収極大  λlla! 840 ns (スピンナー塗布により0、I IL履
厚の薄膜を形成 して測定) 合成例12   六ヒ   12 合成例11と同様にして目的物を得た。
収率 27.3% 元素分析 CHN    V 計算値/%58−43 5.119  8.80 4−
G。
実測値/%5B、21 5.92  8.78 4.1
2キャリア生成層は上述したフタロシアニン化合物のみ
で構成してもよく、さらにはアゾ系、インジゴ系、シア
ニン系、ペリレン系染顔料あるいは、各種樹脂、オリゴ
マー、各種添加剤等を混合して用いてもよい、 混合す
る場合はフタロシアニン化合物が50〜100wt%含
まれることが望ましい。
キャリア生成層の厚さは0.03〜1101Lとするの
がよい。
本発明の電子写真感光体はキャリア移動層を有する。 
キャリア移動層は静電荷受容性や帯電保持正に優れ、キ
ャリア移動度が大きく、可視および近赤外光に分光感度
を持たないか非常に小さいかのいずれかであり、イオン
化ポテンシャルが小さいことが必要である。
この層を構成する材料としては上記フタロシアニン化合
物を用いてもよいが通常は、TNF系化合物、ヒドラゾ
ン系化合物、ポリビニルカルバゾール(PVK)系化合
物、オキサゾール系化合物、ジヒドロキシ化合物、ジカ
ルボン酸含有ポリエステル等が挙げられる。
以下に具体例を示す。
(a)2.5−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)
−才キサジアゾール−1,3,4(b)ポリ−ビニル−
カルバゾール(PVK)(c)1−フェニル−3−〔p
−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン (d)N−メチル−N−フェニルヒドラゾノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバゾール(e)4.4’ジエチ
ルアミノ−トリフェニルメタン 局H−cH2+n (g) (h) (i) (j)(3−(N−メチル−N−フェニルヒドラゾン)
メチル−9−エチルカルバゾール](k)1−フェニレ
ン3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジ
エチルアミノフェニル)2Δピラゾリン (m) (II)ポリエステル中に分散した2@5−ビス−(4
−ジエチルアミノフェニル)−103・4−オキサジア
ゾール (p) (q) このキャリア移動層の厚さは4〜35ILmとするのが
よい。
本発明の電子写真感光体に用いる電極は、金属材質から
なり1通常ドラム状をなす。
本発明の電子写真感光体は電極上にキャリア生成層とキ
ャリア移動層とを設層するが、どちらを上に設層しても
かまわない。
上述の層の他に保護層、バリア一層等を設けてもよい。
このような感光体を用いて、画像を形成するには常法に
従えばよい。
■ 発明の具体的作用効果 本発明によれば、キャリア生成層に前記式(I)または
(II)で示されるフタロシアニン化合物を含有させて
いるため、近赤外ないし赤外域用のきわめて高い光ない
し熱に対する堅牢性をもつ電子写真感光体が得られる。
■ 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明の効果をさ
らに詳細に説明する。
実施例 アルミ電極上に1表1に示すフタロシアニン化合物から
なる厚さ0.1pmのキャリア生成層を設層した。 さ
らに、その上にオキサザール材料からなる厚さ12gm
のキャリア移動層を設層して感光体とした。
このようにして得られた電子写真感光体を表1に示すよ
うに試料1〜20.111および112とする。
各ピーク感度波長での感度を表1に示す。
表    1 これらの試料を実際レーザープリンターに実装して画像
形成を行い、画質を評価した。
この結果、本発明の試料を用いると、いずれも良好な画
像が得られたが、比較の試料の場合はレーザー光を吸収
しないためキャリアを生成せず、画像は得られなかった
また、電極上にキャリア移動層、キャリア生成層の順に
設層した以外は上記と同様に試料を作成し、同様に処理
したが、上記と同じ結果が得られた。
以上より本発明の効果は明らかである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 電極上にキャリア生成層およびキャリア移動層を有する
    電子写真感光体において、 キャリア生成層が下記式( I )または式 (II)で示されるフタロシアニン化合物を含有すること
    を特徴とする電子写真感光体。 式( I ) MY−Pc−(Y_1R_1)_n(X)_1_6_−
    _nまたは、 式(II) MY−Pc−(Y_2−R_2−Y_3)_l(Y_1
    R_1)_m(X)_1_6_−_2_l_−_m {式( I )および(II)中、MYは金属もしくは半金
    属のVIB族元素化物基を表わす。 Pcはフタロシアニン核を表わす。 R_1は、置換または非置換の脂肪族基、脂環式基、芳
    香族基または複素環基を表わす。 R_2は置換または非置換の2価の脂肪族基、脂環式基
    、芳香族基または複素環基を表わす。 Y_1、Y_2およびY_3は、それぞれ、O、S、S
    e、TeまたはNT(Tは水素原子、アルキル基または
    アリール基を表わす。)を表わす。 Xは水素原子またはハロゲン原子を表わす。 nは1〜16、lは1〜8、mは0〜14の正の整数を
    表わす。}
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61109056A (ja) * 1984-11-01 1986-05-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 積層型電子写真感光体

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JPS61109056A (ja) * 1984-11-01 1986-05-27 Mitsubishi Chem Ind Ltd 積層型電子写真感光体

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JPH06100834B2 (ja) 1994-12-12

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