JPS61243929A - 磁気記録デイスク - Google Patents
磁気記録デイスクInfo
- Publication number
- JPS61243929A JPS61243929A JP61006635A JP663586A JPS61243929A JP S61243929 A JPS61243929 A JP S61243929A JP 61006635 A JP61006635 A JP 61006635A JP 663586 A JP663586 A JP 663586A JP S61243929 A JPS61243929 A JP S61243929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- film
- substrate
- underlayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241000272814 Anser sp. Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZVJRPRFJIXRGV-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Ta] Chemical compound [Cr].[Co].[Ta] TZVJRPRFJIXRGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- JUTRBLIIVLVGES-UHFFFAOYSA-N cobalt tantalum Chemical compound [Co].[Ta] JUTRBLIIVLVGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
- Y10T428/12847—Cr-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
- Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
- Y10T428/12847—Cr-base component
- Y10T428/12854—Next to Co-, Fe-, or Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12944—Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12951—Fe-base component
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は垂直磁気記録媒体、より具体的に言えば垂直磁
気異方性の磁気層を有する合金フィルム記録ディスクに
係る。
気異方性の磁気層を有する合金フィルム記録ディスクに
係る。
Ｂ、開示の概要
垂直磁気記録用の合金フィルムディスクはベータータン
タル（β−Ｔａ）の下地層上に付着された垂直磁気異方
性を有するコバルト−クロム−タンタル（ＯｏＣｒＴａ
）の磁気層を持っている。
タル（β−Ｔａ）の下地層上に付着された垂直磁気異方
性を有するコバルト−クロム−タンタル（ＯｏＣｒＴａ
）の磁気層を持っている。
β−Ｔａ層は、例えばシリコンなどの如き、タンタルの
ベータ相の生成（ｆｏｒｍｌＬｔｉｏｎ）とコンパチブ
ルな適当な基体上に付着される。基体上のβ−Ｔａの高
い優先配向と、磁気フィルム中のタンタルの取り込みは
、改良された垂直磁気異方性、高い垂直方向保磁力及び
低い水平方向保磁力とを有する磁気フィルムを生ずる。
ベータ相の生成（ｆｏｒｍｌＬｔｉｏｎ）とコンパチブ
ルな適当な基体上に付着される。基体上のβ−Ｔａの高
い優先配向と、磁気フィルム中のタンタルの取り込みは
、改良された垂直磁気異方性、高い垂直方向保磁力及び
低い水平方向保磁力とを有する磁気フィルムを生ずる。
ニッケルー鉄（ＮｔＩＰｅ）層が基体とβ−Ｔａと下地
層との間に付着されて、磁束の返還路を与える。
層との間に付着されて、磁束の返還路を与える。
Ｃ０従来技術
垂直磁気記録のための代表的な合金フィルムディスクは
、基体と、磁性又は非磁性の下地層と、基体に全体とし
て垂直に配向された磁化の容易軸を有する順序付けられ
た結晶生成を持った磁気層とで構成されている。磁気層
として使われている１つのタイプの材料は・ディスクの
基体に垂直に配向された（ ００．２ ）軸（Ｃ軸）の
六方晶最密（ｈａｐ）結晶構造を有するフィルムを形成
するためスパッタで付着されたコバルト−クロム（ｃｏ
ｃｒ）の合金である。
、基体と、磁性又は非磁性の下地層と、基体に全体とし
て垂直に配向された磁化の容易軸を有する順序付けられ
た結晶生成を持った磁気層とで構成されている。磁気層
として使われている１つのタイプの材料は・ディスクの
基体に垂直に配向された（ ００．２ ）軸（Ｃ軸）の
六方晶最密（ｈａｐ）結晶構造を有するフィルムを形成
するためスパッタで付着されたコバルト−クロム（ｃｏ
ｃｒ）の合金である。
種々の材料の基体、タンタルの下地層及びｃｏｏｒの垂
直磁気層で作られた合金フィルムディスクの磁気特性は
１９８３年３月の富士通科学技術ジャーナル（Ｆｕｊｉ
ｔｓｕ ５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｔｅｃ
ｈ・ｎ１ｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ）、Ｖｏ １． ｌ
９ 、Ａ ｌの９９頁乃至１２６頁に記載された“リ
ジッドディスクの高密度垂直磁気記録“ （Ｈｌｇｈ
ＤｅｎｓｉｔｙＰｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇｏｎ Ｒｌｇｉｄ
Ｄｉｓｋｓ）と題する小林等の文献に記載されている。
直磁気層で作られた合金フィルムディスクの磁気特性は
１９８３年３月の富士通科学技術ジャーナル（Ｆｕｊｉ
ｔｓｕ ５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｔｅｃ
ｈ・ｎ１ｃａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ）、Ｖｏ １． ｌ
９ 、Ａ ｌの９９頁乃至１２６頁に記載された“リ
ジッドディスクの高密度垂直磁気記録“ （Ｈｌｇｈ
ＤｅｎｓｉｔｙＰｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇｏｎ Ｒｌｇｉｄ
Ｄｉｓｋｓ）と題する小林等の文献に記載されている。
この文献は、大きく改良されたＣｊｏＯｒの垂直磁気異
方性がチタン（Ｔ１）の下地層を使うことによって達成
されたことが開示されており、そして、チタンの下地層
が基体の影響ヲＯｏ Ｏｒフィルムから隔離するので、
Ｃ０ＣｒフィルムのＣ軸配向が改良されることを提示し
ている。小林等により記載されているＣｏ０ｒ磁気フイ
ルムは、Ｘ線反射ロッキングカーブの半値幅Δ゛θ
によって測定された７°と９°の間のＣ軸分数値と、４
７５エルステツド（Ｏθ）の垂直方向保磁力と、３１２
エルステツドの水平方向保磁力とを示した。小林等の文
献はまた、磁束の返還路を与えるため、基体とチタン下
地層との間にニッケルー鉄（Ｎｔｐθ）の軟磁性体層を
開示している。
方性がチタン（Ｔ１）の下地層を使うことによって達成
されたことが開示されており、そして、チタンの下地層
が基体の影響ヲＯｏ Ｏｒフィルムから隔離するので、
Ｃ０ＣｒフィルムのＣ軸配向が改良されることを提示し
ている。小林等により記載されているＣｏ０ｒ磁気フイ
ルムは、Ｘ線反射ロッキングカーブの半値幅Δ゛θ
によって測定された７°と９°の間のＣ軸分数値と、４
７５エルステツド（Ｏθ）の垂直方向保磁力と、３１２
エルステツドの水平方向保磁力とを示した。小林等の文
献はまた、磁束の返還路を与えるため、基体とチタン下
地層との間にニッケルー鉄（Ｎｔｐθ）の軟磁性体層を
開示している。
０ｏＯｒ垂直磁気層の下地層として非磁性コバルト−タ
ンタル（ａｏＴａ）を持つ合金フィルムディスクが諏訪
セイコー社の特許出願（特開昭５９−７７６２０号）に
開示されている。
ンタル（ａｏＴａ）を持つ合金フィルムディスクが諏訪
セイコー社の特許出願（特開昭５９−７７６２０号）に
開示されている。
ティジンの公開ヨーロッパ特許出願（番号９３８３Ｂ）
は無定形の０ｏＴａ合金の軟磁性体下地層と、垂直磁気
異方性を有する磁気層とを持つ垂直磁気記録ディスクを
開示している。この出願はまた０ｏＴａの無定形磁性体
下地層を被う磁気層として０００ｒＴａの３元合金を与
えるため、タンタルの添加を開示している。
は無定形の０ｏＴａ合金の軟磁性体下地層と、垂直磁気
異方性を有する磁気層とを持つ垂直磁気記録ディスクを
開示している。この出願はまた０ｏＴａの無定形磁性体
下地層を被う磁気層として０００ｒＴａの３元合金を与
えるため、タンタルの添加を開示している。
１０００オングストロームのＯｒ下地層上に付着された
８０００オングストロームの０ｏＯｒＴａ磁気層を有す
る垂直磁気ディスクの磁気特性が１９８１年１１月の磁
気に関する工ＦＥＥ会報のＶｏｌ、ＭＡＧ−１７、煮６
の２５４７頁乃至２５４９頁の“リングヘッド“による
垂直異方性媒体上の記録 （Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｏｎ
Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ
Ｍｅｄｉａ ｗｉｔ、ｈ Ｒｌｎｇ Ｈｅａｄｓ）と題
するラングランド（Ｌａｎｇｌａｎ４）及びアルバート
（Ａｌｂｅｒｔ）の文献に記載されている。
８０００オングストロームの０ｏＯｒＴａ磁気層を有す
る垂直磁気ディスクの磁気特性が１９８１年１１月の磁
気に関する工ＦＥＥ会報のＶｏｌ、ＭＡＧ−１７、煮６
の２５４７頁乃至２５４９頁の“リングヘッド“による
垂直異方性媒体上の記録 （Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｏｎ
Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ
Ｍｅｄｉａ ｗｉｔ、ｈ Ｒｌｎｇ Ｈｅａｄｓ）と題
するラングランド（Ｌａｎｇｌａｎ４）及びアルバート
（Ａｌｂｅｒｔ）の文献に記載されている。
Ｄ０問題点を解決するための手段
本発明の垂直磁気記録用ディスクは、ベータータンタル
（β−Ｔａ）として公知であるタンタルの生成相とコン
パチブルである物質の基体と、基体上に付着された０ｏ
ＯｒＴａ合金のフィルムと、基体に垂直に配向されたＣ
軸を有するｈｏｐ結晶構造を形成するため、β−’ｒａ
の下地層上に付着された０ｏＯｒＴ＆合金のフィルムと
で構成されている。他の実施例において、磁束返還路を
与えるＮ１ｃｅのフィルムが・基体とβ−Ｔａ下地層と
の間、又はそれ自身がβ−Ｔａ層でもよい接着層と、β
−Ｔａ下地層との間にとり込まれている。
（β−Ｔａ）として公知であるタンタルの生成相とコン
パチブルである物質の基体と、基体上に付着された０ｏ
ＯｒＴａ合金のフィルムと、基体に垂直に配向されたＣ
軸を有するｈｏｐ結晶構造を形成するため、β−’ｒａ
の下地層上に付着された０ｏＯｒＴ＆合金のフィルムと
で構成されている。他の実施例において、磁束返還路を
与えるＮ１ｃｅのフィルムが・基体とβ−Ｔａ下地層と
の間、又はそれ自身がβ−Ｔａ層でもよい接着層と、β
−Ｔａ下地層との間にとり込まれている。
本発明に従った磁気記録ディスクは、公知のＣｏＣｒ又
は、Ｃｏ０ｒＴａの垂直記録ディスクの構成を上回って
改良された垂直磁気異方性と、高い垂直保磁力と、低い
水平保磁力を有する垂直記録用の磁気層を持っている。
は、Ｃｏ０ｒＴａの垂直記録ディスクの構成を上回って
改良された垂直磁気異方性と、高い垂直保磁力と、低い
水平保磁力を有する垂直記録用の磁気層を持っている。
Ｅ、実施例
タンタルのベータ相は約７５０°Ｃで通常の体心立方（
ｂｅｅ）相に変換する准安定相である。それは、Ｔａの
通常のｂｃｃ相フィルムの比抵抗３０μΩｃｍに比べて
、フィルムの比抵抗が１８０−２００μΩ（ｍであるこ
とにより特徴づけられる。タンタルのベータ相は基体の
結晶的及び化学的特性によって安定化される。β−Ｔａ
は、酸素を含むか、又は表面酸化物を形成する能力を持
つ基体上にのみ形成することが出来ると考えられている
。β−Ｔａの初期の研究では、β−Ｔａは正方晶構造を
有すると思われていた。最近の研究ではβ−Ｔａフィル
ム中の原子は層の中に付着され、そして各層内で単位セ
ルは六方晶アレー中に充填され、各単位セルは１４４個
の原子と、ａ＝２．８３１オングストロームで且つｃ−
５，３３７オングストロームの格子定数とを持っている
ことが知られている。β−Ｔａの特性のより詳細は１９
７５年のアカデミツクプレス（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐ
ｒｅｓｓ）の第７６頁乃至８８頁のウェストウッド（Ｗ
θｓｔｗｏｏｄ） のタンタル薄膜（Ｔａｎｔａｌｕ
ｍ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍｓ）に記載されている。
ｂｅｅ）相に変換する准安定相である。それは、Ｔａの
通常のｂｃｃ相フィルムの比抵抗３０μΩｃｍに比べて
、フィルムの比抵抗が１８０−２００μΩ（ｍであるこ
とにより特徴づけられる。タンタルのベータ相は基体の
結晶的及び化学的特性によって安定化される。β−Ｔａ
は、酸素を含むか、又は表面酸化物を形成する能力を持
つ基体上にのみ形成することが出来ると考えられている
。β−Ｔａの初期の研究では、β−Ｔａは正方晶構造を
有すると思われていた。最近の研究ではβ−Ｔａフィル
ム中の原子は層の中に付着され、そして各層内で単位セ
ルは六方晶アレー中に充填され、各単位セルは１４４個
の原子と、ａ＝２．８３１オングストロームで且つｃ−
５，３３７オングストロームの格子定数とを持っている
ことが知られている。β−Ｔａの特性のより詳細は１９
７５年のアカデミツクプレス（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐ
ｒｅｓｓ）の第７６頁乃至８８頁のウェストウッド（Ｗ
θｓｔｗｏｏｄ） のタンタル薄膜（Ｔａｎｔａｌｕ
ｍ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍｓ）に記載されている。
垂直記録用の磁気ディスクの下地層としてのβ−Ｔａの
特異な性質は高度の優先配向性（ＰｒｅｆｅｒｒｅｄＯ
’ ｒ ｉ ｅｎ ｔ ａ ｔ ｉ Ｏｎ ） 、即ち
、強力な（００，２）のファイバ軸である。下地層とし
てβ−Ｔａを使用し、そしてＣｏ０ｒＴａ磁気層中に相
対的に小量のＴａをとり込ませることによって、磁気層
が改良されたＣ軸配向と、大きく増大した垂直方向保磁
力と、減少した水平方向保磁力とを有する垂直磁気記録
媒体を作ることが出来る。
特異な性質は高度の優先配向性（ＰｒｅｆｅｒｒｅｄＯ
’ ｒ ｉ ｅｎ ｔ ａ ｔ ｉ Ｏｎ ） 、即ち
、強力な（００，２）のファイバ軸である。下地層とし
てβ−Ｔａを使用し、そしてＣｏ０ｒＴａ磁気層中に相
対的に小量のＴａをとり込ませることによって、磁気層
が改良されたＣ軸配向と、大きく増大した垂直方向保磁
力と、減少した水平方向保磁力とを有する垂直磁気記録
媒体を作ることが出来る。
本発明に従った磁気フィルムディスクはＣｊ ｏ Ｏｒ
。
。
ＮｉＦｅ及びＴａターゲットを有するパリアンＳ−銃ス
パッタリング装置を使って製造された。ディスクは、半
導体製造に使われている普通の清浄法か、又はスパッタ
リングチャンバ中のグロー放電清浄法かの何かの方法で
シリコンの自然酸化物を清浄にしたシリコン基体を使っ
た。シリコンが使われたけれども、β−Ｔａ生成とコン
パチブルな他の基本材料はガラス、カプトン（Ｋａｐｔ
ｏｎ）及び重合体である。
パッタリング装置を使って製造された。ディスクは、半
導体製造に使われている普通の清浄法か、又はスパッタ
リングチャンバ中のグロー放電清浄法かの何かの方法で
シリコンの自然酸化物を清浄にしたシリコン基体を使っ
た。シリコンが使われたけれども、β−Ｔａ生成とコン
パチブルな他の基本材料はガラス、カプトン（Ｋａｐｔ
ｏｎ）及び重合体である。
β−Ｔａ下地層及びＣｏＣｒＴａ磁気層はスパッタリン
グチャンバの単一ポンプの減圧の中で順次に付着された
。スパッタリングチャンバ中の基体気圧は１０ トル
に維持され、そしてアルボ電圧は約２Ｘ１０ ）ル
にされた。
グチャンバの単一ポンプの減圧の中で順次に付着された
。スパッタリングチャンバ中の基体気圧は１０ トル
に維持され、そしてアルボ電圧は約２Ｘ１０ ）ル
にされた。
これらの条件の下で、β−Ｔａは基体にバイアス電圧を
加えずにシリコン基体上に最初に付着された。次に、負
のバイアス電圧が基体に印加されたことを除いて、スパ
ッタリング条件を同じに保って付加的フィルムがその上
に作られた。夫々の場合、β−Ｔａは５００オングスト
ロームの厚すで付着され、その後、約１０．７原子パー
セント（ａｔ、％）の濃度のＴａを有する０ｏＯｒＴａ
のフィルムが５６ｏＯオングストロームの厚さで付着さ
れた。第１図において、ＣｏＣｒＴａフィルムの垂直方
向及び水平方向保磁力が基体に加えられた負のバイアス
電圧の関数としてプロットされている。基体のバイアス
電圧の目的は吸収された残留ガス不純物を優先的に除去
することにあり、これによって成長フィルム中にガス不
純物がとり込まれるのを阻止する。
加えずにシリコン基体上に最初に付着された。次に、負
のバイアス電圧が基体に印加されたことを除いて、スパ
ッタリング条件を同じに保って付加的フィルムがその上
に作られた。夫々の場合、β−Ｔａは５００オングスト
ロームの厚すで付着され、その後、約１０．７原子パー
セント（ａｔ、％）の濃度のＴａを有する０ｏＯｒＴａ
のフィルムが５６ｏＯオングストロームの厚さで付着さ
れた。第１図において、ＣｏＣｒＴａフィルムの垂直方
向及び水平方向保磁力が基体に加えられた負のバイアス
電圧の関数としてプロットされている。基体のバイアス
電圧の目的は吸収された残留ガス不純物を優先的に除去
することにあり、これによって成長フィルム中にガス不
純物がとり込まれるのを阻止する。
Ｃｏ０ｒＴａフイルムの垂直方向及び水平方向保磁力は
また、β−Ｔａ下地層の厚さの関数である。β−Ｔａの
下地層の厚さを除き、すべてのパラメータを一定に保っ
て複数のディスクが作られた。０ｏＯｒＴａ層は約９原
子パーセントのＴａ濃度を有する５５００オングストロ
ームの厚さであった。β−Ｔａの下地層の厚さに依存す
る０ｏＯｒＴａの保磁力が第２図に示されている。
また、β−Ｔａ下地層の厚さの関数である。β−Ｔａの
下地層の厚さを除き、すべてのパラメータを一定に保っ
て複数のディスクが作られた。０ｏＯｒＴａ層は約９原
子パーセントのＴａ濃度を有する５５００オングストロ
ームの厚さであった。β−Ｔａの下地層の厚さに依存す
る０ｏＯｒＴａの保磁力が第２図に示されている。
０ｏＯｒＴａ磁気層の異なった厚さのディスクもまた作
られた。基体にマイナス１００ボルトのバイアス電圧を
加えて６００オングストロームの厚さに付着されたβ−
Ｔａの下地層の上に０ｏＣｒＴａ磁気層を有するディス
クにおいて、０ｏＯｒＴａフイルムの厚さに対して保磁
力が従属することが第３図に示されている。０ｏＯｒＴ
ａ磁気層中のＴａ濃度は約１０ ａｔ、％であった。垂
直記録媒体としての磁気特性に実質的な劣化を全く伴わ
ない１５００オングストロームの厚さのＣｏｏｒＴａ層
を有する磁気ディスクが本発明に従って作られた。
られた。基体にマイナス１００ボルトのバイアス電圧を
加えて６００オングストロームの厚さに付着されたβ−
Ｔａの下地層の上に０ｏＣｒＴａ磁気層を有するディス
クにおいて、０ｏＯｒＴａフイルムの厚さに対して保磁
力が従属することが第３図に示されている。０ｏＯｒＴ
ａ磁気層中のＴａ濃度は約１０ ａｔ、％であった。垂
直記録媒体としての磁気特性に実質的な劣化を全く伴わ
ない１５００オングストロームの厚さのＣｏｏｒＴａ層
を有する磁気ディスクが本発明に従って作られた。
本発明に従って作られたディスクの向上した保磁力は成
る量のタンタルが磁気層中に存在することが必要である
。マイナス１００ｖの基体バイアス電圧で付着された６
００オングストロームのβ−Ｔａフィルム上に付着され
た０ｏＯｒＴａ磁気層を持つディスクに対して、第４図
に示されたグラフのように、Ｔａの濃度が約２原子パー
セントに増加された時、Ｃ０ＣｒＴａのフィルムの保磁
力に著しい改善がある。
る量のタンタルが磁気層中に存在することが必要である
。マイナス１００ｖの基体バイアス電圧で付着された６
００オングストロームのβ−Ｔａフィルム上に付着され
た０ｏＯｒＴａ磁気層を持つディスクに対して、第４図
に示されたグラフのように、Ｔａの濃度が約２原子パー
セントに増加された時、Ｃ０ＣｒＴａのフィルムの保磁
力に著しい改善がある。
本発明の他の実施例において、磁束返還路を与えるため
に、厚さ２５００乃至７５００オングストロームのＮｉ
Ｆｅの軟磁性体層をとり込んだディスクが作られた。そ
のようなタイプの１実施例において、ＮｉＦｅがシリコ
ン基体の上に付着された後、上記のＮｉＦｅ層の上にβ
−Ｔａ及びＣ。
に、厚さ２５００乃至７５００オングストロームのＮｉ
Ｆｅの軟磁性体層をとり込んだディスクが作られた。そ
のようなタイプの１実施例において、ＮｉＦｅがシリコ
ン基体の上に付着された後、上記のＮｉＦｅ層の上にβ
−Ｔａ及びＣ。
ＯｒＴａの層がスパッター付着された。ＮｉＦｅ層の他
の実施例では、ＮｉＦｅ層がβ−Ｔａの２つの中間層の
間に付着された。この実施例において、シリコン基体及
びＮｉｌＰｅ層の間のβ−Ｔａ層はＮ１ｃｅのための単
なる接着層として役立つだけである。またＯｒ又はＴ１
の如き他の物質が接着層として使用することが出来る。
の実施例では、ＮｉＦｅ層がβ−Ｔａの２つの中間層の
間に付着された。この実施例において、シリコン基体及
びＮｉｌＰｅ層の間のβ−Ｔａ層はＮ１ｃｅのための単
なる接着層として役立つだけである。またＯｒ又はＴ１
の如き他の物質が接着層として使用することが出来る。
ＮｉＦｅ層の存在は、ＮｉＦｅ層を取り込んだこれらの
実施例の何れについても、ＯｏＣ！ｒＴａ磁気層の保磁
力やＣ軸配向性に対して、影響を与えなかった。
実施例の何れについても、ＯｏＣ！ｒＴａ磁気層の保磁
力やＣ軸配向性に対して、影響を与えなかった。
Ｃ軸分数値Δθ は、５００オンダストロームのβ−
Ｔａ下地層上に付着された５０００オングストロームの
（ｃｏ Ｏｒ ）のフィルムに対して約２°の
測定値であった。このフィルムを振動サンプル・マグネ
ットメータ （Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ ｓａｍｐｌｅ
ｍａｇｎｅｔｏ−ｍｅｔｅｒ）（ＶＳＭ）で走査した
ところ、第５図に示したように、垂直方向保磁力は１５
００エルステツドで、水平方向保磁力は３５Ｑエルステ
ツドを示した。
Ｔａ下地層上に付着された５０００オングストロームの
（ｃｏ Ｏｒ ）のフィルムに対して約２°の
測定値であった。このフィルムを振動サンプル・マグネ
ットメータ （Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ ｓａｍｐｌｅ
ｍａｇｎｅｔｏ−ｍｅｔｅｒ）（ＶＳＭ）で走査した
ところ、第５図に示したように、垂直方向保磁力は１５
００エルステツドで、水平方向保磁力は３５Ｑエルステ
ツドを示した。
本発明に従って作られたすべてのディスクにおいて、０
ｏＯｒターゲツトはＣｏ Ｏｒ か、８５
ｌ ５ 又はＣｏ８６０ｒ工、の何れがの組成を有していた。然
しなから、コバルトが０ｏＣｒＴａ磁気層中で存在する
０ｏＯｒの８０乃至８６ ａｔ０％を含んでいるとすれ
ば同じ秀れた結果を得ることが出来る。
ｏＯｒターゲツトはＣｏ Ｏｒ か、８５
ｌ ５ 又はＣｏ８６０ｒ工、の何れがの組成を有していた。然
しなから、コバルトが０ｏＣｒＴａ磁気層中で存在する
０ｏＯｒの８０乃至８６ ａｔ０％を含んでいるとすれ
ば同じ秀れた結果を得ることが出来る。
β−Ｔａ下地層を使用し、そして磁気層中にＴａをとり
込むことによって、改良された保磁力及びＣ軸分数値が
得られる理由は完全には知られていない。然しなから、
高い優先配向性の六方晶β−Ｔａフィルムが０ｏＯｒＴ
ａ層の結晶構造の配向を増加する高度に配向された核形
生（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ）層を与える。結果的に減少
したＣ軸分数値は相対的に高い垂直保磁力を証明するこ
とになる。２つのフィルムの結晶セルの間の格子定数の
差異が約８乃至１２％であるけれども、β−’ｒａ下地
層が格子整合を介して０ｏＯｒＴａと配向することが可
能である。
込むことによって、改良された保磁力及びＣ軸分数値が
得られる理由は完全には知られていない。然しなから、
高い優先配向性の六方晶β−Ｔａフィルムが０ｏＯｒＴ
ａ層の結晶構造の配向を増加する高度に配向された核形
生（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ）層を与える。結果的に減少
したＣ軸分数値は相対的に高い垂直保磁力を証明するこ
とになる。２つのフィルムの結晶セルの間の格子定数の
差異が約８乃至１２％であるけれども、β−’ｒａ下地
層が格子整合を介して０ｏＯｒＴａと配向することが可
能である。
既に述べたように、β−Ｔａ生成は基体の性質により広
い範囲で決められる。β−Ｔａを形成するために、基体
は酸化可能であるか又は酸素を含まねばならない。スパ
ッタリングチャンバ中の不純物の存在は微妙であり、そ
してβ−Ｔａの適当な生成を阻害する。この理由のため
、スパツタリンクチヤンハ中の最終的な圧力は１０
トルの範囲以下にあることが重要である。
い範囲で決められる。β−Ｔａを形成するために、基体
は酸化可能であるか又は酸素を含まねばならない。スパ
ッタリングチャンバ中の不純物の存在は微妙であり、そ
してβ−Ｔａの適当な生成を阻害する。この理由のため
、スパツタリンクチヤンハ中の最終的な圧力は１０
トルの範囲以下にあることが重要である。
本発明に従って作られたディスクは０ｏＯｒに 。
対して小比率のＴａを含む垂直磁気異方性を有する磁気
フィルムを利用しているが、同じ結果を得るために、Ｔ
ａに代えて他の物質を代替することも可能である。例え
ばチタン（Ｔ１）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（
Ｍｏ）及びタングステン（Ｗ）のすべてはタンタルの原
子半径と同様の原子半径を持っているので、改良された
Ｃ軸分数値と改良された垂直方向及び水平方向保磁力と
を有する磁気フィルムを作るために、ｃｏＯｒフィルム
中に、相対的に小さな割合でそれらを取り込ませること
が出来る。
フィルムを利用しているが、同じ結果を得るために、Ｔ
ａに代えて他の物質を代替することも可能である。例え
ばチタン（Ｔ１）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（
Ｍｏ）及びタングステン（Ｗ）のすべてはタンタルの原
子半径と同様の原子半径を持っているので、改良された
Ｃ軸分数値と改良された垂直方向及び水平方向保磁力と
を有する磁気フィルムを作るために、ｃｏＯｒフィルム
中に、相対的に小さな割合でそれらを取り込ませること
が出来る。
１０発明の詳細
な説明したように、本発明に従った垂直磁気ディスクは
垂直方向の保磁力と水平方向の保磁力との比率を著しく
改善したので、記録ビット密度の改良を計るばかりでな
く、記録トラック幅及びトラック幅の間隔を狭めること
が出来るので、磁気ディスクの単位面積半りの記憶容量
を著しく増大する。
垂直方向の保磁力と水平方向の保磁力との比率を著しく
改善したので、記録ビット密度の改良を計るばかりでな
く、記録トラック幅及びトラック幅の間隔を狭めること
が出来るので、磁気ディスクの単位面積半りの記憶容量
を著しく増大する。
第１図は基体のバイアス電圧の関数として、本発明に従
って作られたディスクの磁気層の保磁力を示したグラフ
、第２図はβ−Ｔａ下地層の厚さの関数として、本発明
に従って作られたディスクの磁気層の保磁力を示すグラ
フ、第３図は０ｏＯｒＴａの厚さの関数として、本発明
に従って作られたディスクの磁気層の保磁力を示すグラ
フ、第４図はＣｏＣｔｒＴａ層中のＴａの濃度の関数と
して、本発明に従って作られたディスクの磁気層の保磁
力を示すグラフ、第５図は本発明に従って作られたディ
スクの代表的磁気層のヒステリシス曲線を示すグラフで
ある。 出 願 人 インターナショナル・ビジネス・マシー
ンズ・コーホシージョン代理人 弁理士 岡 １
） 次 生（外１名） 茎体のｊぐイＴ入−：ＪＥ（Ｖ） 第１図 １３−Ｔａの下宅藤のｖＬう （ム） 第２図 ＣｏＣｒＴａ１ｌ／）ｊＬｊ（１０３人）第３図 （ＣｏＣｒＴａ）申ノＴａ ／）Ｗ、＋ Ｉ ＜−’ｅ
ント□ 垂直方向 一一！に平方向 Ｈｃ↓＝１５００エルステッド Ｈｃｌｌ ： ３５ＱＺ＋Ｌスｔツｌ’４７ＣＭＳ
−５５００ガウス の７＆ｉＡ雁ｌ；対イＬＭ−Ｈループ 笛５防
って作られたディスクの磁気層の保磁力を示したグラフ
、第２図はβ−Ｔａ下地層の厚さの関数として、本発明
に従って作られたディスクの磁気層の保磁力を示すグラ
フ、第３図は０ｏＯｒＴａの厚さの関数として、本発明
に従って作られたディスクの磁気層の保磁力を示すグラ
フ、第４図はＣｏＣｔｒＴａ層中のＴａの濃度の関数と
して、本発明に従って作られたディスクの磁気層の保磁
力を示すグラフ、第５図は本発明に従って作られたディ
スクの代表的磁気層のヒステリシス曲線を示すグラフで
ある。 出 願 人 インターナショナル・ビジネス・マシー
ンズ・コーホシージョン代理人 弁理士 岡 １
） 次 生（外１名） 茎体のｊぐイＴ入−：ＪＥ（Ｖ） 第１図 １３−Ｔａの下宅藤のｖＬう （ム） 第２図 ＣｏＣｒＴａ１ｌ／）ｊＬｊ（１０３人）第３図 （ＣｏＣｒＴａ）申ノＴａ ／）Ｗ、＋ Ｉ ＜−’ｅ
ント□ 垂直方向 一一！に平方向 Ｈｃ↓＝１５００エルステッド Ｈｃｌｌ ： ３５ＱＺ＋Ｌスｔツｌ’４７ＣＭＳ
−５５００ガウス の７＆ｉＡ雁ｌ；対イＬＭ−Ｈループ 笛５防
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上に付着させたベータタンタル（β−Ｔａ）のフィ
ルムと、該ベータタンタルフィルム上にあつて、式（Ｃ
ｏＣｒ）＿ｙＸ＿（＿１＿０＿０＿−＿ｙ＿）に従つた
コバルト及びクロームを含む合金の磁気フィルムとから
成り、 上記合金は基体全体に垂直に配向されたＣ軸を有する六
方晶構造であり、上記合金中の素子Ｘの量は２原子パー
セントよりも大きく、且つ上記素子ＸはＴｉ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ及びＷから成るグループから選ばれていること
を特徴とする磁気記録用ディスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/725,977 US4632883A (en) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | Vertical recording medium with improved perpendicular magnetic anisotropy due to influence of beta-tantalum underlayer |
| US725977 | 1985-04-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243929A true JPS61243929A (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=24916708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61006635A Pending JPS61243929A (ja) | 1985-04-22 | 1986-01-17 | 磁気記録デイスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4632883A (ja) |
| JP (1) | JPS61243929A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256017A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH02285506A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH02285507A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2003203324A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-07-18 | Toda Kogyo Corp | 垂直磁気記録媒体 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101495B2 (ja) * | 1985-07-03 | 1995-11-01 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
| US4749628A (en) * | 1986-04-29 | 1988-06-07 | International Business Machines Corporation | Multilayered vertical magnetic recording medium |
| US4789598A (en) * | 1987-01-20 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer |
| US4939045A (en) * | 1987-03-23 | 1990-07-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5063120A (en) * | 1988-02-25 | 1991-11-05 | International Business Machines Corporation | Thin film magentic media |
| JPH02161617A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-06-21 | Ulvac Corp | 面内記録型磁気記録体の製造方法 |
| JP2513893B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1996-07-03 | 日立金属株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5162158A (en) * | 1989-07-24 | 1992-11-10 | Magnetic Peripherals Inc. | Low noise magnetic thin film longitudinal media |
| US5432012A (en) * | 1992-06-30 | 1995-07-11 | Hmt Technology Corporation | Thin-film medium with compositional gradient |
| US6156404A (en) * | 1996-10-18 | 2000-12-05 | Komag, Inc. | Method of making high performance, low noise isotropic magnetic media including a chromium underlayer |
| US5750270A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-12 | Conner Peripherals, Inc. | Multi-layer magnetic recording media |
| US6174582B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic disk having reactive element doped refractory metal seed layer |
| US6210819B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-04-03 | Hmt Technology Corporation | Magnetic recording media having a CrTi underlayer deposited under a substrate bias |
| US6395148B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-05-28 | Lexmark International, Inc. | Method for producing desired tantalum phase |
| US20020058159A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-16 | Yukiko Kubota | Soft magnetic underlayer (SUL) for perpendicular recording medium |
| KR100374792B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 기록 디스크 |
| JP4707265B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-06-22 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| US7138196B2 (en) | 2001-11-09 | 2006-11-21 | Maxtor Corporation | Layered thin-film media for perpendicular magnetic recording |
| AU2003240813A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-23 | Seagate Technology Llc | Intermediate layer for perpendicular magnetic recording media |
| SG135003A1 (en) * | 2002-11-26 | 2007-09-28 | Fuji Elec Device Tech Co Ltd | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| JP4247575B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2009-04-02 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US7651794B2 (en) * | 2005-04-28 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Adhesion layer for thin film magnetic recording medium |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3515606A (en) * | 1966-03-25 | 1970-06-02 | Massachusetts Inst Technology | Methods of improving magnetic characteristics of films for memory application |
| US3520664A (en) * | 1966-11-10 | 1970-07-14 | Ibm | Magnetic thin-film device |
| US4411963A (en) * | 1976-10-29 | 1983-10-25 | Aine Harry E | Thin film recording and method of making |
| US4079169A (en) * | 1976-11-15 | 1978-03-14 | International Business Machines Corporation | Cobalt base alloy as protective layer for magnetic recording media |
| US4245008A (en) * | 1978-10-30 | 1981-01-13 | International Business Machines Corporation | Corrosion resistant magnetic recording media |
| JPS5634141A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-06 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| US4277809A (en) * | 1979-09-26 | 1981-07-07 | Memorex Corporation | Apparatus for recording magnetic impulses perpendicular to the surface of a recording medium |
| JPS5758226A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-07 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
| JPS58141433A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-22 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法 |
| JPS5977620A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-05-04 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| US4552820A (en) * | 1984-04-25 | 1985-11-12 | Lin Data Corporation | Disc media |
-
1985
- 1985-04-22 US US06/725,977 patent/US4632883A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-01-17 JP JP61006635A patent/JPS61243929A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256017A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH02285506A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH02285507A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2003203324A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-07-18 | Toda Kogyo Corp | 垂直磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4632883A (en) | 1986-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61243929A (ja) | 磁気記録デイスク | |
| US6468670B1 (en) | Magnetic recording disk with composite perpendicular recording layer | |
| US5851643A (en) | Magnetic recording media and magnetic recording read-back system which uses such media | |
| JP2524514B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US4677032A (en) | Vertical magnetic recording media with multilayered magnetic film structure | |
| US6723450B2 (en) | Magnetic recording medium with antiparallel coupled ferromagnetic films as the recording layer | |
| EP1275110B1 (en) | Magnetic recording medium | |
| US6063491A (en) | Magnetoresistance effects film | |
| US5834085A (en) | Grain isolated multilayer perpendicular recording medium | |
| US20010038931A1 (en) | Method for recording magnetic transitions on recording layer having antiferromagnetically coupled ferromagnetic films | |
| US20020132140A1 (en) | Magnetic recording medium | |
| US20050084716A1 (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus | |
| JPS62257618A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH05766B2 (ja) | ||
| US5952097A (en) | CoCrTa/Cocrptta bi-layer magnetic thin films | |
| JP3612087B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US6777077B2 (en) | Perpendicular magnetic thin film for ultrahigh density recording | |
| JP2539349B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US6706426B1 (en) | Longitudinal magnetic recording media | |
| JPH0313646B2 (ja) | ||
| JP3226254B2 (ja) | 交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果ヘッド | |
| US6835476B2 (en) | Antiferromagnetically coupled magnetic recording media with CoCrFe alloy first ferromagnetic film | |
| US20020001736A1 (en) | Magnetic recording medium | |
| JPS61113122A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US7115329B1 (en) | Magnetic recording medium and magnetic storage device |