JPS61231775A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPS61231775A JPS61231775A JP60072617A JP7261785A JPS61231775A JP S61231775 A JPS61231775 A JP S61231775A JP 60072617 A JP60072617 A JP 60072617A JP 7261785 A JP7261785 A JP 7261785A JP S61231775 A JPS61231775 A JP S61231775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- conversion
- electrode
- carriers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体受光装置に係り、特に受光感度が高く、
増倍率の高い素子構造を有する半導体受光装置に関する
。
増倍率の高い素子構造を有する半導体受光装置に関する
。
従来のアバランシェ・ホト・ダイオード（以下ＡＰＤと
略す）は例えば第１図の構造を有している。図において
１はｎ”−ＩｎＰ 、２はｎ−ＩｎＧａＡｓ、 ３はｎ
−ＩｎＰ、４はｐ”−ＩｎＰ層である。ここで、２〜４
の層はメサ型に形成されている。ｐ”−ＩｎＰ 層４の
上面には窓５を残してｐ電極６を形成し、ｎ”−ＩｎＰ
層１の裏面１にはｎ電極７を形成する。、８はパッシ
ベーション膜である。ここで電極６および７に逆方向に
バイアスしておき、窓５から光照射すると、光はｎ −
ＩｎＧａＡｓ層２で吸収され、光−電気変換が行なわれ
る。すなわち、層２で形成された電子−正孔対は各々電
極７および６に向って走行する。層３は強い電界を有し
ているため、正孔の走行過程で多数の電子−正孔対を形
成するナダレ現象を生じ、光子１個に対して複数個の電
子−正孔対を形成する増倍作用が生ずる。この結果、微
弱な入射光でも検知できる。しかし、従来の構造におい
て、実用上の増倍は約２程度と小さく、例えば光フアイ
バ通信においての伝送距離は約５０Ｋｍ程度が限界であ
った。尚、高増倍率を目的としたＡＰＤとしては特開昭
５９−１５１４７５号等がある。
略す）は例えば第１図の構造を有している。図において
１はｎ”−ＩｎＰ 、２はｎ−ＩｎＧａＡｓ、 ３はｎ
−ＩｎＰ、４はｐ”−ＩｎＰ層である。ここで、２〜４
の層はメサ型に形成されている。ｐ”−ＩｎＰ 層４の
上面には窓５を残してｐ電極６を形成し、ｎ”−ＩｎＰ
層１の裏面１にはｎ電極７を形成する。、８はパッシ
ベーション膜である。ここで電極６および７に逆方向に
バイアスしておき、窓５から光照射すると、光はｎ −
ＩｎＧａＡｓ層２で吸収され、光−電気変換が行なわれ
る。すなわち、層２で形成された電子−正孔対は各々電
極７および６に向って走行する。層３は強い電界を有し
ているため、正孔の走行過程で多数の電子−正孔対を形
成するナダレ現象を生じ、光子１個に対して複数個の電
子−正孔対を形成する増倍作用が生ずる。この結果、微
弱な入射光でも検知できる。しかし、従来の構造におい
て、実用上の増倍は約２程度と小さく、例えば光フアイ
バ通信においての伝送距離は約５０Ｋｍ程度が限界であ
った。尚、高増倍率を目的としたＡＰＤとしては特開昭
５９−１５１４７５号等がある。
本発明の目的は電流増倍率の大きい新規な構造を有する
ＡＰＤを提供する事にある６ 〔発明の概要〕 上記の目的を達成するため、本発明は光−電気変換で形
成され、ナダレ現象で増倍されたキャリアを電気−光変
換し、発生した光を上記の光−電気変換に供する構造に
する。本発明の構造を第２図を用いて説明する。例えば
、２１はｎ”−ＩｎＰ、２２はｎ −Ｉ ｎ、、、、Ｇ
ａ、、４．Ａ ｓ 、２３はｎ−ＩｎＰ、２４はｐ”
−１ｎＰ、２５はｎ ” −ＩｎＰである０層２１〜２
５はメサ型に形成する６層２５の表面は窓２６であり、
その外周には電極２７、ｎ”−ＩｎＰ２１の裏面には電
極２８が形成される。２９はパッシベーション膜である
。ここで電極２７には○、電極２８には■を印加すると
、層２４と層２５間には順バイアス、層２３と層２４間
には逆バイアスが印加され１層２３は強い電界が生じて
いる。この状態で窓２６から光を照射すると、パッドキ
ップの小さい層２２において光吸収が行なわれ、光−電
気変換が起きる。この変換で生じた電子−正孔対のうち
、正孔は層２３を走行するが強い電界によってナダレ現
象を生じ、多数の電子−正孔対を形成する。発生したキ
ャリアのうち、電子は電極２８方向に走行するが、正孔
は層２４に達した後、順方向バイアスに印加された層２
５に注入される。この時、層２５に注入さた正孔は層２
５中の多数キャリアである電子と再結合を生じ、電気−
光変換、すなわち、層２５のバンドギャップに相当する
光を発生する。この光は層２４〜２３を通過した後、層
２２で再び光−電気変換を誘起し、上記の工程を繰返す
事になる。上記の工程は、窓２６から照射される光が続
く間、継続する。本発明において重要な事は、従来の素
子ではキャリアの増倍が窓から入射された信号光につい
て１度だけであるが、本発明では信号光はもちろん、増
倍されたキャリアを光として再利用する光学的フィード
バック作用により、増倍率を大きくできる事に特徴があ
る。
ＡＰＤを提供する事にある６ 〔発明の概要〕 上記の目的を達成するため、本発明は光−電気変換で形
成され、ナダレ現象で増倍されたキャリアを電気−光変
換し、発生した光を上記の光−電気変換に供する構造に
する。本発明の構造を第２図を用いて説明する。例えば
、２１はｎ”−ＩｎＰ、２２はｎ −Ｉ ｎ、、、、Ｇ
ａ、、４．Ａ ｓ 、２３はｎ−ＩｎＰ、２４はｐ”
−１ｎＰ、２５はｎ ” −ＩｎＰである０層２１〜２
５はメサ型に形成する６層２５の表面は窓２６であり、
その外周には電極２７、ｎ”−ＩｎＰ２１の裏面には電
極２８が形成される。２９はパッシベーション膜である
。ここで電極２７には○、電極２８には■を印加すると
、層２４と層２５間には順バイアス、層２３と層２４間
には逆バイアスが印加され１層２３は強い電界が生じて
いる。この状態で窓２６から光を照射すると、パッドキ
ップの小さい層２２において光吸収が行なわれ、光−電
気変換が起きる。この変換で生じた電子−正孔対のうち
、正孔は層２３を走行するが強い電界によってナダレ現
象を生じ、多数の電子−正孔対を形成する。発生したキ
ャリアのうち、電子は電極２８方向に走行するが、正孔
は層２４に達した後、順方向バイアスに印加された層２
５に注入される。この時、層２５に注入さた正孔は層２
５中の多数キャリアである電子と再結合を生じ、電気−
光変換、すなわち、層２５のバンドギャップに相当する
光を発生する。この光は層２４〜２３を通過した後、層
２２で再び光−電気変換を誘起し、上記の工程を繰返す
事になる。上記の工程は、窓２６から照射される光が続
く間、継続する。本発明において重要な事は、従来の素
子ではキャリアの増倍が窓から入射された信号光につい
て１度だけであるが、本発明では信号光はもちろん、増
倍されたキャリアを光として再利用する光学的フィード
バック作用により、増倍率を大きくできる事に特徴があ
る。
また本発明において重要な事は、光を吸収して電気に変
換する光吸収層、発生したキャリアを増倍する増倍層、
キャリアを光に変換する発光層、増倍層に高電界を印加
するための逆バイアス層がある事、および、光透過性の
点から、光吸収層のバンドギャップが最も小さく、発光
層のバンドギャップは光吸収層以外の層と同じか、小さ
い方が望ましい事である。また、上記の各層以外の層、
例えば、光吸収層と増倍層の間に入れるバッファ層、発
光層をダブルへテロ構造とする閉込層、電極形成を容易
にするための表面層等があっても良い。各層の伝導型は
逆バイアス層とその他の層は互に反対である事が必要で
ある。
換する光吸収層、発生したキャリアを増倍する増倍層、
キャリアを光に変換する発光層、増倍層に高電界を印加
するための逆バイアス層がある事、および、光透過性の
点から、光吸収層のバンドギャップが最も小さく、発光
層のバンドギャップは光吸収層以外の層と同じか、小さ
い方が望ましい事である。また、上記の各層以外の層、
例えば、光吸収層と増倍層の間に入れるバッファ層、発
光層をダブルへテロ構造とする閉込層、電極形成を容易
にするための表面層等があっても良い。各層の伝導型は
逆バイアス層とその他の層は互に反対である事が必要で
ある。
以下１本発明を実施例によって説明する。
実施例１
第２図を示した構造により、受光素子を作製した。ｎ
’ｆｉ Ｉ ｎ Ｐ基板（不純物濃度：１Ｘ１０”ｃｍ
−３）２１にｎ型Ｉ ｎ、−、Ｇ ａ 、Ａ ｓ （ｘ
＝０．４７±０．０５．５ Ｘ １０１ｓａｍ−’、
厚み：３μｍ）の光吸収層２２、ｎ型Ｉ ｎ Ｐ （Ｉ
Ｘ １０”ｃｍ−’、２μｍ）の増倍層２３、ｐ層Ｉ
ｎ Ｐ （Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−３゜０．５μｍ）
の逆バイアス層２４、ｎ型Ｉ ｎ、、、、Ｇ ａｏ、ｔ
ｓＡ Ｓｏ、ｉｓ Ｐａ、１１１（Ｉ Ｘ １０１８ｃ
ｍ−Ｊ、２μｍ）２５を順次成長した。次いで、層２２
〜２５を直径１００μｍの円形に残して他をエツチング
した。後１層２５およびエツチングによって露出した面
のすべてを厚さ３０００人のＳｉ３Ｎ４膜２９で被覆し
た後、層２５の表面上のＳｉ、Ｎ４膜は外径８０μｍ、
内径７０μｍのリング状に除去し、層２５の表面を露出
させた。次に上記の露出面に直径９０μｍ、円径６０μ
ｍのリング状にＡｕＧｅＮｉを被着して電極２７とし、
基板２１の裏面にもＡｕＧｅＮｊ−を被着して電極２８
とした。
’ｆｉ Ｉ ｎ Ｐ基板（不純物濃度：１Ｘ１０”ｃｍ
−３）２１にｎ型Ｉ ｎ、−、Ｇ ａ 、Ａ ｓ （ｘ
＝０．４７±０．０５．５ Ｘ １０１ｓａｍ−’、
厚み：３μｍ）の光吸収層２２、ｎ型Ｉ ｎ Ｐ （Ｉ
Ｘ １０”ｃｍ−’、２μｍ）の増倍層２３、ｐ層Ｉ
ｎ Ｐ （Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−３゜０．５μｍ）
の逆バイアス層２４、ｎ型Ｉ ｎ、、、、Ｇ ａｏ、ｔ
ｓＡ Ｓｏ、ｉｓ Ｐａ、１１１（Ｉ Ｘ １０１８ｃ
ｍ−Ｊ、２μｍ）２５を順次成長した。次いで、層２２
〜２５を直径１００μｍの円形に残して他をエツチング
した。後１層２５およびエツチングによって露出した面
のすべてを厚さ３０００人のＳｉ３Ｎ４膜２９で被覆し
た後、層２５の表面上のＳｉ、Ｎ４膜は外径８０μｍ、
内径７０μｍのリング状に除去し、層２５の表面を露出
させた。次に上記の露出面に直径９０μｍ、円径６０μ
ｍのリング状にＡｕＧｅＮｉを被着して電極２７とし、
基板２１の裏面にもＡｕＧｅＮｊ−を被着して電極２８
とした。
上記によって得たものをステム（図では省略）にボンデ
ィングし、電極２７および電極２８に各々−１十に９０
Ｖのバイアスを印加し、層２５の表面２６を窓として波
長１．５μｍの赤外光を信号光として入射した。この結
果、信号光のパルス周波数２８０ Ｍｂｉｔ／ｓにおい
て、エラーレイト１０−９を得られる平均受信光量は一
４０ｄＢｍであった。一方、本発明に依らない素子では
同じ測定条件において一３７ｄＢｍであり、本発明の素
子は従来の約１／２の光量でも良好な特性を示した。
ィングし、電極２７および電極２８に各々−１十に９０
Ｖのバイアスを印加し、層２５の表面２６を窓として波
長１．５μｍの赤外光を信号光として入射した。この結
果、信号光のパルス周波数２８０ Ｍｂｉｔ／ｓにおい
て、エラーレイト１０−９を得られる平均受信光量は一
４０ｄＢｍであった。一方、本発明に依らない素子では
同じ測定条件において一３７ｄＢｍであり、本発明の素
子は従来の約１／２の光量でも良好な特性を示した。
これは、本発明の素子は発生したキャリアを使用して発
生した光を使用できる事から、入射光量の実効的な増加
ができるためである。
生した光を使用できる事から、入射光量の実効的な増加
ができるためである。
実施例２
第３図に示した構造の受光装置を作製した。ｎ型ＩｎＰ
基板（Ｉ Ｘ １０”ｃｍ−３） ３１にｎ型Ｉ ｎ
Ｑ、６３ Ｇ ａ １１．４？ Ａ Ｓ光吸収層（５Ｘ
１０”Ｃｍ−’。
基板（Ｉ Ｘ １０”ｃｍ−３） ３１にｎ型Ｉ ｎ
Ｑ、６３ Ｇ ａ １１．４？ Ａ Ｓ光吸収層（５Ｘ
１０”Ｃｍ−’。
３μｍ）３２、ｎ型工ｎ＋１ Ｈ’Ｊ Ｇ ａＯ）３
Ａ ｓＯＨ＠ ４ Ｐ ＯＨ３ｇバラフッ層（５Ｘ １
０”Ｃ１’、０．３ μｍ）３３゜ｎ型ＩｎＰ層（Ｉ
Ｘ １０”Ｃｍ−’、４μｍ）３４を成長した。層３４
の表面から深さ１μｍ、直径１００μｍにわたってＺｎ
を拡散（表面濃度３×１０′ｇＣＩ１１−３）シ、Ｐ型
の領域３５を形成した。次に、層３４およびｐ壁領域３
５の表面に、ｎ型Ｉ ｎ。、、１．Ｇ ａｎ、１．Ａ
ｓ、、、、Ｐ、、、、層（ＩＸＩＯ”ｃｍ″３．０．５
μｍ）３６、ｎ型ＩｎＰ層（ＩＸＩＯ”Ｃｌ１− ’
、０．５μｍ）３７を成長し、層３６および層３７をｐ
壁領域３５の直上において直径９０μｍの円形に残し、
他をエツチングによって除去した。
Ａ ｓＯＨ＠ ４ Ｐ ＯＨ３ｇバラフッ層（５Ｘ １
０”Ｃ１’、０．３ μｍ）３３゜ｎ型ＩｎＰ層（Ｉ
Ｘ １０”Ｃｍ−’、４μｍ）３４を成長した。層３４
の表面から深さ１μｍ、直径１００μｍにわたってＺｎ
を拡散（表面濃度３×１０′ｇＣＩ１１−３）シ、Ｐ型
の領域３５を形成した。次に、層３４およびｐ壁領域３
５の表面に、ｎ型Ｉ ｎ。、、１．Ｇ ａｎ、１．Ａ
ｓ、、、、Ｐ、、、、層（ＩＸＩＯ”ｃｍ″３．０．５
μｍ）３６、ｎ型ＩｎＰ層（ＩＸＩＯ”Ｃｌ１− ’
、０．５μｍ）３７を成長し、層３６および層３７をｐ
壁領域３５の直上において直径９０μｍの円形に残し、
他をエツチングによって除去した。
次１ｃ、 ５ｌｆｆＮ４膜３８を層３７の表面の直径８
０μｍを除いて被着した。ＡｕＧａＮｉ層を層３７の表
面に外径７０μｍ、内径６０μｍのリングに形成して電
極３９、および基板３１の裏面にもＡｕＧｅＮｉ層を被
着して電極４０とした。ここで、領域３５は逆バイアス
層であり、層３４のうち、領域３５の直下の部分は増倍
層となる。また、層３６は発光層であるが５層３７は発
光を有効に行なわせるためのダブルへテロ構造を形成す
るキャリア閉込と電極を形成するための表面層とを兼て
いる。電極３９および電極４０に○、■の９０Ｖの電圧
を印加し、層３７の表面４１を窓として波長１．５μｍ
の赤外線の信号光を入射し、特性を測定した。
０μｍを除いて被着した。ＡｕＧａＮｉ層を層３７の表
面に外径７０μｍ、内径６０μｍのリングに形成して電
極３９、および基板３１の裏面にもＡｕＧｅＮｉ層を被
着して電極４０とした。ここで、領域３５は逆バイアス
層であり、層３４のうち、領域３５の直下の部分は増倍
層となる。また、層３６は発光層であるが５層３７は発
光を有効に行なわせるためのダブルへテロ構造を形成す
るキャリア閉込と電極を形成するための表面層とを兼て
いる。電極３９および電極４０に○、■の９０Ｖの電圧
を印加し、層３７の表面４１を窓として波長１．５μｍ
の赤外線の信号光を入射し、特性を測定した。
この結果、信号光のパルス周波数２８０ Ｍｂｉｔ／Ｓ
において、エラーレイト１０−９を得られる平均受信光
量は一４１ｄＢｍであり１発光層をダブルへテロとしな
い場合に比較して（実施例１）良好な特性を得た。これ
は、発光量３６のバンドギャップが小さい事から、逆バ
イアス層３５から発光層への注入が容易となり、かつ、
閉込層３７によって注入キャリアの発光層内への閉込効
果があるため、発光効率が向上したためである。
において、エラーレイト１０−９を得られる平均受信光
量は一４１ｄＢｍであり１発光層をダブルへテロとしな
い場合に比較して（実施例１）良好な特性を得た。これ
は、発光量３６のバンドギャップが小さい事から、逆バ
イアス層３５から発光層への注入が容易となり、かつ、
閉込層３７によって注入キャリアの発光層内への閉込効
果があるため、発光効率が向上したためである。
以上説明した様に、本発明によれば、キャリアの増倍が
大きくなる事から、従来の素子に比較して信号光の入射
光量は少なくても良好に電気信号を得る事ができる。平
均受信光量が減少できる事は、ファイバ通信においては
直に伝送距離が延長できる事を意泳するので、通信シス
テムのコスト低減上、極めて重要である。なお、本発明
の構造は実施例に示した以外にも考えられるが本発明の
要点である増倍されたキャリアを用いて発光し、光吸収
層へフィードバックするのであれば、本発明は有効であ
る。例えば、発光量の面積は逆バイアス層の面積よりも
極く小さくしても良いし、逆バイアス層にも電極を形成
し、トランジスタとして動作させても良い。また、装置
を構成する結晶母材は実施例の他に、Ｇ ａ ｐ Ｉ
ｎ ＋ Ａ Ｑ ｒ Ａ Ｓ ＋ｐ、ｓｂ等の■族と■
族の元素の自由な組合せからなる結晶でも可能である。
大きくなる事から、従来の素子に比較して信号光の入射
光量は少なくても良好に電気信号を得る事ができる。平
均受信光量が減少できる事は、ファイバ通信においては
直に伝送距離が延長できる事を意泳するので、通信シス
テムのコスト低減上、極めて重要である。なお、本発明
の構造は実施例に示した以外にも考えられるが本発明の
要点である増倍されたキャリアを用いて発光し、光吸収
層へフィードバックするのであれば、本発明は有効であ
る。例えば、発光量の面積は逆バイアス層の面積よりも
極く小さくしても良いし、逆バイアス層にも電極を形成
し、トランジスタとして動作させても良い。また、装置
を構成する結晶母材は実施例の他に、Ｇ ａ ｐ Ｉ
ｎ ＋ Ａ Ｑ ｒ Ａ Ｓ ＋ｐ、ｓｂ等の■族と■
族の元素の自由な組合せからなる結晶でも可能である。
また、少なくとも発光層は■族とＶ族からなる組合せに
し、他をＳｉ。
し、他をＳｉ。
Ｇｅなどの■族元素で構成しても良い。
第１図は従来素子の縦断面図、第２図、第３図は本発明
の素子の縦断面図である。
の素子の縦断面図である。
Claims (2)
- １．バンドギャップの小さい第１の半導体層と、該第１
の層上に設けられ、該第１の層と同じ伝導型を有し、か
つ第１の層よりも大きなバンドギャップを有する第２の
半導体層と、該第２の層上に設けられ、かつ第１の層と
伝導型が異なる第３の半導体層と、該第３の層上に設け
られ、かつ第１の層よりもバンドギャップが大きく、第
１の層と同じ伝導型を有する第４の半導体層を少なくと
も有することを特徴とする半導体受光装置。 - ２．前記第１の層がｎ型のＩｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡ
ｓ（１＞ｘ＞０）、第２の層がｎ型ＩｎＰ、第３の層が
ｐ型のＩｎＰ、第４の層がｎ型のＩｎＰまたはＩｎ＿１
＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿１＿−＿ｙＰ＿ｙ（１＞ｘ＞０
，１＞ｙ＞０）であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60072617A JPS61231775A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60072617A JPS61231775A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231775A true JPS61231775A (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=13494521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60072617A Pending JPS61231775A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61231775A (ja) |
-
1985
- 1985-04-08 JP JP60072617A patent/JPS61231775A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4202000A (en) | Diode capable of alternately functioning as an emitter and detector of light of the same wavelength | |
| JPS6328506B2 (ja) | ||
| KR20000052787A (ko) | 광전반도체장치 | |
| US5055894A (en) | Monolithic interleaved LED/PIN photodetector array | |
| JP3287458B2 (ja) | 超高速・低電圧駆動アバランシェ増倍型半導体受光素子 | |
| US5281829A (en) | Optical semiconductor device having semiconductor laser and photodetector | |
| JPS6244434B2 (ja) | ||
| JPH04111478A (ja) | 受光素子 | |
| KR20000024447A (ko) | 애벌란치형 광검출기 및 제작 방법 | |
| CA1182200A (en) | High sensitivity photon feedback photodetectors | |
| JPS61231775A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPS61229371A (ja) | フオトダイオ−ド | |
| JPS61170079A (ja) | 半導体受光素子 | |
| Scavennec et al. | High-gain low-noise GaAlAs-GaAs phototransistors | |
| JPH0479273A (ja) | 光伝送電気信号増幅デバイス | |
| JPS6133658Y2 (ja) | ||
| JPS6244714B2 (ja) | ||
| JPS63142683A (ja) | アバランシエホトダイオ−ド | |
| JPH0719917B2 (ja) | 発光・受光集積素子 | |
| JPS6113681A (ja) | 発光素子 | |
| JPH0389566A (ja) | 超格子アバランシェ・フォトダイオード | |
| JPS63233575A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH01149486A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2754652B2 (ja) | アバランシェ・フォトダイオード | |
| JP2995751B2 (ja) | 半導体受光素子 |