JPS6244714B2 - - Google Patents
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- JPS6244714B2 JPS6244714B2 JP13720678A JP13720678A JPS6244714B2 JP S6244714 B2 JPS6244714 B2 JP S6244714B2 JP 13720678 A JP13720678 A JP 13720678A JP 13720678 A JP13720678 A JP 13720678A JP S6244714 B2 JPS6244714 B2 JP S6244714B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/40—Transceivers
- H04B10/43—Transceivers using a single component as both light source and receiver, e.g. using a photoemitter as a photoreceiver
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は同一の所定波長の光を発生し、かつ検
出するダイオードに関するものである。
出するダイオードに関するものである。
エレクトロルミネツセント・ダイオードすなわ
ち発光ダイオードは光学繊維による遠隔通信の分
野においてとくに用いられており、そのダイオー
ドは順バイアスされた時に光を発生するものであ
ることは知られている。それらの光は情報を運
ぶ。受光時にはこのダイオードは逆バイアスされ
て、入射光の強さの関数である電流を発生する。
ち発光ダイオードは光学繊維による遠隔通信の分
野においてとくに用いられており、そのダイオー
ドは順バイアスされた時に光を発生するものであ
ることは知られている。それらの光は情報を運
ぶ。受光時にはこのダイオードは逆バイアスされ
て、入射光の強さの関数である電流を発生する。
発光と光検出との２つの機能を交互に実行させ
るために同じダイオードを用いる試みが以前から
行われている。しかし、発光と受光との効率を最
高にすることを望む場合には、これら２種類の機
能を実行させるのに必要な諸特性が種々の点で衝
突することになる。
るために同じダイオードを用いる試みが以前から
行われている。しかし、発光と受光との効率を最
高にすることを望む場合には、これら２種類の機
能を実行させるのに必要な諸特性が種々の点で衝
突することになる。
実際に発生した光子を吸収しないようにするた
めには発光領域（層）は薄くなければならない。
また、応答時間を十分に短くするためには発光領
域の不純物濃度を十分高くせねばならない。これ
に反して、光子を吸収して電流を発生するために
は受光領域（層）をかなり厚くせねばならず、ま
た逆バイアス電圧をかけられた時に少くとも部分
的に空間電荷領域を形成するためには、受光領域
の不純物濃度をかなり低くせねばならない。更に
これら２つの層は幅の異なる禁制帯を持たなけれ
ばならない。これらの発光領域と受光領域とに対
するこれらの要求は相反するものであることがわ
かるであろう。
めには発光領域（層）は薄くなければならない。
また、応答時間を十分に短くするためには発光領
域の不純物濃度を十分高くせねばならない。これ
に反して、光子を吸収して電流を発生するために
は受光領域（層）をかなり厚くせねばならず、ま
た逆バイアス電圧をかけられた時に少くとも部分
的に空間電荷領域を形成するためには、受光領域
の不純物濃度をかなり低くせねばならない。更に
これら２つの層は幅の異なる禁制帯を持たなけれ
ばならない。これらの発光領域と受光領域とに対
するこれらの要求は相反するものであることがわ
かるであろう。
本発明の発光・光検出ダイオードはこれらの問
題を解決するものである。
題を解決するものである。
本発明のダイオードは、第１の導電形の第１の
発光層と、この発光層に重ね合わされた第１の導
電形とは逆の第２の導電形の第２の光検出層と、
第１の層と第２の層との間にはさまれる第３の光
閉じ込め層とを備え、第２の層の禁制帯の幅は第
１の層の禁制帯の幅より狭く、第３の層の禁制帯
の幅は第１と第２の層との禁制帯の幅よりも十分
に広い。
発光層と、この発光層に重ね合わされた第１の導
電形とは逆の第２の導電形の第２の光検出層と、
第１の層と第２の層との間にはさまれる第３の光
閉じ込め層とを備え、第２の層の禁制帯の幅は第
１の層の禁制帯の幅より狭く、第３の層の禁制帯
の幅は第１と第２の層との禁制帯の幅よりも十分
に広い。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図で、化学組成がそれぞれ異なり、したが
つて禁制帯が異なる４つの層、すなわち、Ｎ形の
層２と、N-またはＮ形の層３と、P+形の層１
と、同じくP+形の層４とがこの順序で互いに重
なり合つてN+形の基板１０の上に付着されてダ
イオードを構成している。厚さが１ミクロン台の
層４へは、このダイオードが逆バイアスされた時
に検出されるべき光が照射される。このダイオー
ドが順バイアスされた時は、検出光とほぼ同じ波
長の光が層４から放射される。基板１０及び層２
はたとえばヒ化ガリウムGaAsで作られ、層１，
２，３，４はGa1-x、Al-x、Asの合金で作られ
る。ここに、ｘは層ごとに異なる値をとる。
つて禁制帯が異なる４つの層、すなわち、Ｎ形の
層２と、N-またはＮ形の層３と、P+形の層１
と、同じくP+形の層４とがこの順序で互いに重
なり合つてN+形の基板１０の上に付着されてダ
イオードを構成している。厚さが１ミクロン台の
層４へは、このダイオードが逆バイアスされた時
に検出されるべき光が照射される。このダイオー
ドが順バイアスされた時は、検出光とほぼ同じ波
長の光が層４から放射される。基板１０及び層２
はたとえばヒ化ガリウムGaAsで作られ、層１，
２，３，４はGa1-x、Al-x、Asの合金で作られ
る。ここに、ｘは層ごとに異なる値をとる。
層４は厚さが１ミクロン台で禁制帯の幅は
0.8eV台であり、層１の禁制帯は1.5eV、厚さが
0.3ミクロン台の層３の禁制帯の幅は1.8eVで、厚
さが２ミクロン台の層２の禁制帯の幅は最小であ
つて1.4eVであり、基板は厚さが10〜200ミクロ
ンで、禁制帯の幅は1.4eV台である。
0.8eV台であり、層１の禁制帯は1.5eV、厚さが
0.3ミクロン台の層３の禁制帯の幅は1.8eVで、厚
さが２ミクロン台の層２の禁制帯の幅は最小であ
つて1.4eVであり、基板は厚さが10〜200ミクロ
ンで、禁制帯の幅は1.4eV台である。
第２図は外部バイアスがかけられていない状態
における、各層すなわち各領域内の伝導帯のエネ
ルギーレベルＥvと、価電子帯のエネルギーレベ
ルＥcを示す。
における、各層すなわち各領域内の伝導帯のエネ
ルギーレベルＥvと、価電子帯のエネルギーレベ
ルＥcを示す。
この図で鎖線はフエルミレベルを示す。領域１
と２の間にはさまれている領域３は領域１に対す
る電位障壁を構成していることが明らかにわかる
であろう。領域１と４との価電子帯の中で占めら
れているエネルギーレベルはＰ形ドーピングに対
応する。
と２の間にはさまれている領域３は領域１に対す
る電位障壁を構成していることが明らかにわかる
であろう。領域１と４との価電子帯の中で占めら
れているエネルギーレベルはＰ形ドーピングに対
応する。
同様に、領域３と２の伝導帯中で占められてい
るエネルギーレベルはＮ形ドーピングに対応す
る。これらのエネルギーレベルは接合の片側のみ
において占められているにすぎないから電流は流
れない。
るエネルギーレベルはＮ形ドーピングに対応す
る。これらのエネルギーレベルは接合の片側のみ
において占められているにすぎないから電流は流
れない。
第３図は順バイアス電位をかけた時のダイオー
ドの各層すなわち各領域におけるエネルギーレベ
ルを示す。
ドの各層すなわち各領域におけるエネルギーレベ
ルを示す。
この図から、領域１の価電子帯と伝導帯とには
それぞれ過剰の正孔と電子が同時に存在すること
が明らかに認められるであろう。これらの正孔と
電子は再結合することにより光子を生じてエレク
トロルミネツセンス現象をひき起す。正孔は領域
３の価電子帯により形成されている障壁をこえる
ことはできない。光の周波数は領域１における禁
制帯の幅に比例する。領域１の厚さ（１ミクロン
台）と、不純物濃度（1018at/cm3台）とは、ダイ
オードの発光効率と変調速度ができるだけ高くな
るように選択される。
それぞれ過剰の正孔と電子が同時に存在すること
が明らかに認められるであろう。これらの正孔と
電子は再結合することにより光子を生じてエレク
トロルミネツセンス現象をひき起す。正孔は領域
３の価電子帯により形成されている障壁をこえる
ことはできない。光の周波数は領域１における禁
制帯の幅に比例する。領域１の厚さ（１ミクロン
台）と、不純物濃度（1018at/cm3台）とは、ダイ
オードの発光効率と変調速度ができるだけ高くな
るように選択される。
第４図は高い逆バイアス電位を与えた時のエネ
ルギーレベルＥv，Ｅcを示す。直流電源の正極と
負極に基板１０と領域４がそれぞれ接続される。
第４図から、電位障壁が接合の近くでは高くさ
れ、領域３と２が空間電荷領域となつていること
がわかるであろう。光子は領域４，１，３の禁制
帯の幅が比較的広いためにそれらの領域で吸収さ
れることなしに通過し、禁制帯の幅が最も狭い領
域２では吸収される。各光子は一対の正孔と電子
を生じ、正孔は負極へ向つて動き、電子は正極へ
向つて動く。したがつて、光検出作用が主として
行われるのは領域２においてである。そのため
に、領域２は光子を吸収するのに十分な厚さ（た
とえば２ミクロン）とし、空間電荷状態に容易に
おけるようにするために不純物濃度は低く（たと
えば1015at/cm3）する。領域３の目的は発光と光
検出との２種類の機能を分離するのに必要な電位
障壁を設けることである。この領域３の厚さは、
たとえば0.3ミクロンと薄くできる。この領域３
の禁制帯の幅は広くしなければならず、また空間
電荷領域を層２の中まで延ばすためには、領域３
の不純物濃度を十分に低くしなければならい。
ルギーレベルＥv，Ｅcを示す。直流電源の正極と
負極に基板１０と領域４がそれぞれ接続される。
第４図から、電位障壁が接合の近くでは高くさ
れ、領域３と２が空間電荷領域となつていること
がわかるであろう。光子は領域４，１，３の禁制
帯の幅が比較的広いためにそれらの領域で吸収さ
れることなしに通過し、禁制帯の幅が最も狭い領
域２では吸収される。各光子は一対の正孔と電子
を生じ、正孔は負極へ向つて動き、電子は正極へ
向つて動く。したがつて、光検出作用が主として
行われるのは領域２においてである。そのため
に、領域２は光子を吸収するのに十分な厚さ（た
とえば２ミクロン）とし、空間電荷状態に容易に
おけるようにするために不純物濃度は低く（たと
えば1015at/cm3）する。領域３の目的は発光と光
検出との２種類の機能を分離するのに必要な電位
障壁を設けることである。この領域３の厚さは、
たとえば0.3ミクロンと薄くできる。この領域３
の禁制帯の幅は広くしなければならず、また空間
電荷領域を層２の中まで延ばすためには、領域３
の不純物濃度を十分に低くしなければならい。
第５図は、第１図に示す本発明のダイオード
と、各領域の導電形を逆にした本発明のダイオー
ドの別の実施例を示す。各部の記号と不純物濃度
は第１図に示すダイオードのそれと同じである。
と、各領域の導電形を逆にした本発明のダイオー
ドの別の実施例を示す。各部の記号と不純物濃度
は第１図に示すダイオードのそれと同じである。
第６図はメサ形として作つた本発明のダイオー
ドの別の実施例を示す。このダイオードでは、光
にさらされる領域４に環状接点４０がとりつけら
れている。基板１０の自由表面には接点４１が設
けられる。
ドの別の実施例を示す。このダイオードでは、光
にさらされる領域４に環状接点４０がとりつけら
れている。基板１０の自由表面には接点４１が設
けられる。
本発明の更に別の実施例を第７図に示す。この
実施例では基板１０は透明であり、その自由表面
に光が照射される。また、その自由表面には環状
接点４１が設けられる。この実施例では、層１，
２，３，４は第１，５，６図に示す順序とは逆の
順序で基板１０に付着される。層２は金属サポー
ト４２にハンダづけされる。このサポート４２は
放熱器と接点の２種類の機能を果す。この金属サ
ポート４２を設けることによりこのダイオードの
放熱性が改善される。このダイオードはいわゆる
「フリツプ・フロツプ接合」形と呼ばれている。
実施例では基板１０は透明であり、その自由表面
に光が照射される。また、その自由表面には環状
接点４１が設けられる。この実施例では、層１，
２，３，４は第１，５，６図に示す順序とは逆の
順序で基板１０に付着される。層２は金属サポー
ト４２にハンダづけされる。このサポート４２は
放熱器と接点の２種類の機能を果す。この金属サ
ポート４２を設けることによりこのダイオードの
放熱性が改善される。このダイオードはいわゆる
「フリツプ・フロツプ接合」形と呼ばれている。
第８図に示す実施例では、狭い禁制帯を有する
Ｎ層５が層２と３の間に設けられる。この層５は
層２の中で発生された電子を増倍する電子なだれ
増倍層として機能する。これと同じ効果は、層３
の不純物濃度を層２の不純物濃度より高くするこ
とによつて得ることができ、その場合には電子な
だれ現象は層３の内部で起る。不純物濃度が過度
に高くなると層２，３を空間電荷状態に置くこと
が困難となることがある。第８図に示すように層
５を設けるとそのような困難は生じない。
Ｎ層５が層２と３の間に設けられる。この層５は
層２の中で発生された電子を増倍する電子なだれ
増倍層として機能する。これと同じ効果は、層３
の不純物濃度を層２の不純物濃度より高くするこ
とによつて得ることができ、その場合には電子な
だれ現象は層３の内部で起る。不純物濃度が過度
に高くなると層２，３を空間電荷状態に置くこと
が困難となることがある。第８図に示すように層
５を設けるとそのような困難は生じない。
Ga1-x、Al-x、As形の合金の場合には禁制帯の
幅はｘの値の増加関数であることに注意された
い。先に説明した例では、ｘの値は、層１に対し
ては0.07、層２に対しては０附近、層３，４に対
しては0.3である。このダイオードの自由表面
（領域４または基板１０）に既知の４分の１波長
誘電体層を設ける反射防止処理を施すことによ
り、100A/w近い感度を達成できる。
幅はｘの値の増加関数であることに注意された
い。先に説明した例では、ｘの値は、層１に対し
ては0.07、層２に対しては０附近、層３，４に対
しては0.3である。このダイオードの自由表面
（領域４または基板１０）に既知の４分の１波長
誘電体層を設ける反射防止処理を施すことによ
り、100A/w近い感度を達成できる。
全てのキヤリヤが空間電荷領域で発生されるか
ら、光検出時の応答時間は短い。したがつて、自
然拡散過程が介在することはない。最後に、厚さ
が２ミクロンの空間電荷領域内で作られたキヤリ
ヤの走行時間は100ピコ秒以下である。
ら、光検出時の応答時間は短い。したがつて、自
然拡散過程が介在することはない。最後に、厚さ
が２ミクロンの空間電荷領域内で作られたキヤリ
ヤの走行時間は100ピコ秒以下である。
以上の説明で示した各種の値は全て単なる例で
ある。また、Ga、Al、As形合金以外の材料も使
用できる。たとえば、周期律表の３、５族に含ま
れる３種類または４種類の元素を基にした材料を
使用できる。
ある。また、Ga、Al、As形合金以外の材料も使
用できる。たとえば、周期律表の３、５族に含ま
れる３種類または４種類の元素を基にした材料を
使用できる。
第９図は本願で上に開示した事項と、1977年10
月18日付のフランス特許出願第7731274号に開示
されている事項とを組合わせたダイオードの構造
を示す。この場合には、ダイオードの中央部分に
おける電流線を伝送に集中できるようにする環状
の絶縁領域４５が層４に設けられる。
月18日付のフランス特許出願第7731274号に開示
されている事項とを組合わせたダイオードの構造
を示す。この場合には、ダイオードの中央部分に
おける電流線を伝送に集中できるようにする環状
の絶縁領域４５が層４に設けられる。
本発明は半導体レーザにも適用できる（第１０
図）。この場合には全体が、２つの側面上でへき
開された単結晶である。光学繊維１００が図示の
ように結合され、層２のへき開面から光が受けら
れ、層１のへき開面から光が放射される。
図）。この場合には全体が、２つの側面上でへき
開された単結晶である。光学繊維１００が図示の
ように結合され、層２のへき開面から光が受けら
れ、層１のへき開面から光が放射される。
第１図は本発明のダイオードの一実施例を示す
略図、第２図は第１図のダイオードにおける無バ
イアス時のエネルギーレベル図、第３図は第１図
のダイオードにおける順バイアス時のエネルギー
レベル図、第４図は第１図のダイオードにおける
逆バイアス時のエネルギーレベル図、第５図は第
１図のダイオードの各領域の導電形を逆にしたダ
イオードの略図、第６，７，８，９，１０図は本
発明のダイオードのそれぞれ異なる実施例を示す
略図である。 １…発光層、２…受光層、３…分離層、４…
P+層、１０…基板、４０，４１…接点。
略図、第２図は第１図のダイオードにおける無バ
イアス時のエネルギーレベル図、第３図は第１図
のダイオードにおける順バイアス時のエネルギー
レベル図、第４図は第１図のダイオードにおける
逆バイアス時のエネルギーレベル図、第５図は第
１図のダイオードの各領域の導電形を逆にしたダ
イオードの略図、第６，７，８，９，１０図は本
発明のダイオードのそれぞれ異なる実施例を示す
略図である。 １…発光層、２…受光層、３…分離層、４…
P+層、１０…基板、４０，４１…接点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の導電形の半導体基体と、この基体表面
に形成され、禁制帯の幅がE1である、前記第１
の導電形の光検出半導体層と、この光検出層に接
合され、禁制帯の幅がE3である、前記第１導電
型の光閉じ込め半導体層と、この光閉じ込め層に
接合され、禁制帯の幅がE2である、前記第１の
導電形とは反対の第２の導電形の発光半導体層
と、この発光層に接合され、禁制帯の幅がE4で
ある、前記第２の導電形のもう一つの半導体層と
を有し、これら各層の禁制帯の幅が E1＜E2＜E3≦E4 なる関係を満たしていることを特徴とする所定波
長の光の発生及び検出が可能なダイオード。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のダイオードにお
いて、 E1＝1.4ev E2＝1.5ev E3＝E4＝1.8ev であることを特徴とするダイオード。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のダイオードにお
いて、前記基体はGaAsで作られ、その他の前記
半導体層はGa1-xAlxAs形でＸがＯと１との間の
値である合金で作られていることを特徴とするダ
イオード。 ４ 特許請求の範囲第２項記載のダイオードにお
いて、前記受光層はGaAsで作られ、前記光閉じ
込め層はGa0.7Al0.3Asで作られ、前記発光層は
Ga0.93Al0.07Asで作られ、前記もう一つの半導体
層はGa0.7Al0.3Asで作られていることを特徴とす
るダイオード。 ５ 第１の導電形の半導体基体と、この基体表面
に形成され、禁制帯の幅がE4である、前記第１
の導電形の第１の半導体層と、この第１の層に接
合され、禁制帯の幅がE2である、前記第１の導
電形の発光半導体層と、この発光層に接合され、
禁制帯の幅がE3である、前記第１の導電形とは
反対の第２の導電形の光閉じ込め半導体層と、こ
の光閉じ込め層に接合され、禁制帯の幅がE1で
ある、前記第２の導電形の光検出半導体層とを有
し、これら各層の禁制帯の幅が E1＜E2＜E3≦E4 なる関係を満たしていることを特徴とする所定波
長の光の発生及び検出が可能なダイオード。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7733354A FR2408222A1 (fr) | 1977-11-07 | 1977-11-07 | Diode emettrice et receptrice de rayons lumineux de meme longueur d'onde predeterminee et dispositif de telecommunication optique utilisant une telle diode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5475288A JPS5475288A (en) | 1979-06-15 |
| JPS6244714B2 true JPS6244714B2 (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=9197316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13720678A Granted JPS5475288A (en) | 1977-11-07 | 1978-11-07 | Diode capable of generating and detecting light |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4217597A (ja) |
| EP (1) | EP0001952B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5475288A (ja) |
| CA (1) | CA1121490A (ja) |
| DE (1) | DE2860308D1 (ja) |
| FR (1) | FR2408222A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3046140A1 (de) * | 1980-12-06 | 1982-07-15 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | "signaluebertragungsverfahren, ein halbleiter-bauelement sowie ein elektro-optisches bauelement zur durchfuehrung des verfahrens" |
| EP0096509A3 (en) * | 1982-06-09 | 1986-02-26 | National Research Development Corporation | Electroluminescent devices |
| JPS60230329A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-15 | オプテツクス株式会社 | 赤外線式光電スイツチ |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS51105283A (en) * | 1974-05-28 | 1976-09-17 | Thomson Csf | Kotaihatsuko jukososhi |
| JPS53116792A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting-photo detecting composite device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2175571B1 (ja) * | 1972-03-14 | 1978-08-25 | Radiotechnique Compelec | |
| US3946334A (en) * | 1973-11-14 | 1976-03-23 | Nippon Electric Company, Limited | Injection semiconductor laser device |
| FR2275078A1 (fr) * | 1974-06-14 | 1976-01-09 | Thomson Csf | Systeme de telecommunications optiques bidirectionnelles |
| JPS51146196A (en) * | 1975-06-11 | 1976-12-15 | Hitachi Ltd | Diode laser |
-
1977
- 1977-11-07 FR FR7733354A patent/FR2408222A1/fr active Granted
-
1978
- 1978-10-27 EP EP78400155A patent/EP0001952B1/fr not_active Expired
- 1978-10-27 DE DE7878400155T patent/DE2860308D1/de not_active Expired
- 1978-10-31 CA CA000315358A patent/CA1121490A/en not_active Expired
- 1978-11-02 US US05/957,196 patent/US4217597A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-11-07 JP JP13720678A patent/JPS5475288A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51105283A (en) * | 1974-05-28 | 1976-09-17 | Thomson Csf | Kotaihatsuko jukososhi |
| JPS53116792A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting-photo detecting composite device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0001952B1 (fr) | 1980-12-10 |
| FR2408222B1 (ja) | 1980-04-25 |
| CA1121490A (en) | 1982-04-06 |
| FR2408222A1 (fr) | 1979-06-01 |
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| DE2860308D1 (en) | 1981-02-19 |
| JPS5475288A (en) | 1979-06-15 |
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| EP0001952A2 (fr) | 1979-05-16 |
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