JPH0479273A - 光伝送電気信号増幅デバイス - Google Patents
光伝送電気信号増幅デバイスInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光による伝送を利用した超高速の電気信号増
幅デバイスに関するものである。
幅デバイスに関するものである。
〈従来の技術〉
従来の光伝送乞用いる電気信号増幅デバイスを第４図と
第５図によって説明する。第４図は、そのデバイスを断
面図で示したものであり、半絶縁性ＧａＡｓ基板２１の
上に順次、ｎ＋−ＧａＡｓサブコレクタ層２２ 、 ｎ
−ＧａＡｓ コレクタ層２３゜ｐ−ＡノＧａＡｓベース
層２４．ｐ−ＧａＡｓベース層２５．ｎ−ＡノＧａＡｓ
エミッタ層２６．ｎ＋ＧａＡｓサブエミッタ層２７が積
層して形成されている。また、エミッタ電極２８がサブ
エミツタ層２７上に、ベース電極２９とコレクタ電極２
１０ｉｔ−すれぞれ、メサエッチングにより表面を露出
させたベース層２５とサブコレクタ層２２上に形成され
ている。第４図の構成のデバイスの電極に電源を接続し
た動作時の各層のエネルギーレベルをはエミッターコレ
クタ電極間に接続した電源の電圧Ｖｃｅがベース−コレ
クタ接合に逆バイアスにしてあり、エミッターベース電
極間に接続した電源の電圧Ｖｂｃがエミッターベース接
合に順バイアスにしであるので、ｎ−ＡＪＧａＡｓエミ
ッタ層へ−７・ ２６からｐ −Ｇ ａ ４２５にエミ・り電流による電
子が注入される。この注入された電子はベース層２５で
正孔と再結合して光を放射する。ベース層２５の放射光
はエミッタ２３．コレクタ２２の電荷に吸収され、その
励起より電子−正孔対を生成し、これで生成された電子
が出力のコレクタ電流Ｉｃになる。
第５図によって説明する。第４図は、そのデバイスを断
面図で示したものであり、半絶縁性ＧａＡｓ基板２１の
上に順次、ｎ＋−ＧａＡｓサブコレクタ層２２ 、 ｎ
−ＧａＡｓ コレクタ層２３゜ｐ−ＡノＧａＡｓベース
層２４．ｐ−ＧａＡｓベース層２５．ｎ−ＡノＧａＡｓ
エミッタ層２６．ｎ＋ＧａＡｓサブエミッタ層２７が積
層して形成されている。また、エミッタ電極２８がサブ
エミツタ層２７上に、ベース電極２９とコレクタ電極２
１０ｉｔ−すれぞれ、メサエッチングにより表面を露出
させたベース層２５とサブコレクタ層２２上に形成され
ている。第４図の構成のデバイスの電極に電源を接続し
た動作時の各層のエネルギーレベルをはエミッターコレ
クタ電極間に接続した電源の電圧Ｖｃｅがベース−コレ
クタ接合に逆バイアスにしてあり、エミッターベース電
極間に接続した電源の電圧Ｖｂｃがエミッターベース接
合に順バイアスにしであるので、ｎ−ＡＪＧａＡｓエミ
ッタ層へ−７・ ２６からｐ −Ｇ ａ ４２５にエミ・り電流による電
子が注入される。この注入された電子はベース層２５で
正孔と再結合して光を放射する。ベース層２５の放射光
はエミッタ２３．コレクタ２２の電荷に吸収され、その
励起より電子−正孔対を生成し、これで生成された電子
が出力のコレクタ電流Ｉｃになる。
従って、以上の構成の従来のデバイスの電流利得βは次
の式で与゛見られる。
の式で与゛見られる。
β２ηｌη２／（１−η１η２）
但し、ηｌはエミッターベース接合での再結合放射量子
効率、η２はベーヌーコレクタ接合での光吸収量子効率
である。
効率、η２はベーヌーコレクタ接合での光吸収量子効率
である。
〈発明が解決しようとする課題〉
以上のように、従来の光利用電気信号増幅デバイスにお
いても入出力信号間に光による伝送を利用しているが、
しかし、このデバイスにおけるエミッターベース接合領
域での光放射は、自然再結合による放射であることから
レスポンスを早くすることができず、このデバイスの動
作速度を制限していた。この従来のデバイスにおいて動
作速度が制限されるのはベース層２５に注入された小数
キャリアの電子の動作によるものである。
いても入出力信号間に光による伝送を利用しているが、
しかし、このデバイスにおけるエミッターベース接合領
域での光放射は、自然再結合による放射であることから
レスポンスを早くすることができず、このデバイスの動
作速度を制限していた。この従来のデバイスにおいて動
作速度が制限されるのはベース層２５に注入された小数
キャリアの電子の動作によるものである。
本発明は、以上で説明した従来の光伝送を利用した電気
信号増幅デバイスがもつ動作速度の課題を解消し、光に
よる信号の伝送を行−て高速な動作ができる増幅デバイ
スを提供することを目的としている。
信号増幅デバイスがもつ動作速度の課題を解消し、光に
よる信号の伝送を行−て高速な動作ができる増幅デバイ
スを提供することを目的としている。
〈課題を解決するための手段〉
以上の説明した本発明のデバイスは、一定光口の光源と
、その光源の波長とエネルギーギャップが整合した２つ
のｐｎ接合から形成される増幅デバイスであり、光源の
光は、入力信号により光吸収量変調ダイオードとしての
動作をする前記の一方のｐｎ接合を透過さした後、受光
ダイオードとして出力信号を形成する他の一方のｐｎ接
合に吸収される構成に配置するもので、以上の動作を最
も効率よく実行するのは、上記の２つのｐｎ接合を積層
構成にしたものである。
、その光源の波長とエネルギーギャップが整合した２つ
のｐｎ接合から形成される増幅デバイスであり、光源の
光は、入力信号により光吸収量変調ダイオードとしての
動作をする前記の一方のｐｎ接合を透過さした後、受光
ダイオードとして出力信号を形成する他の一方のｐｎ接
合に吸収される構成に配置するもので、以上の動作を最
も効率よく実行するのは、上記の２つのｐｎ接合を積層
構成にしたものである。
〈作 用〉
本発明の光伝送を利用する電気信号増幅デバイスは、そ
のデバイス内に信号伝達速度おくれの主要因となる少数
キャリアを用いた再結合による光放射をしないので、本
質的に非常に高速動作のデバイスにすることができる。
のデバイス内に信号伝達速度おくれの主要因となる少数
キャリアを用いた再結合による光放射をしないので、本
質的に非常に高速動作のデバイスにすることができる。
〈実施例〉
以下、本発明の光伝送を利用した電気信号増幅デバイス
の実施例を図面を参照して説明する。
の実施例を図面を参照して説明する。
第２図に示したのは、本発明の一実施例のデバイスの断
面図である。この図は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１の表
面上に、順次、ｎ”−ＧａＡｓ層１２゜ｎ−ＧａＡｓ層
１８．ｐ−Ａ！ＧａＡｓ層１４．ｎ−ＧａＡｓ層１５
、 ｎ−Ａ！ＧａＡｓ層１６ 、 ｎ十−ＧａＡｓ層１
７が積層して形成されている。この構成で、本デバイス
の光変調ダイオードのｎ型半導体に接続した電極（ゲー
ト電極）１８が、本デバイスの半導体の最上層ｎ＋−Ｇ
ａＡｓ層１７上に光源光Ｐがこのデバイスの２つの接合
を照射できるよう入射窓１１１をも−た形状にな−てい
る。
面図である。この図は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１の表
面上に、順次、ｎ”−ＧａＡｓ層１２゜ｎ−ＧａＡｓ層
１８．ｐ−Ａ！ＧａＡｓ層１４．ｎ−ＧａＡｓ層１５
、 ｎ−Ａ！ＧａＡｓ層１６ 、 ｎ十−ＧａＡｓ層１
７が積層して形成されている。この構成で、本デバイス
の光変調ダイオードのｎ型半導体に接続した電極（ゲー
ト電極）１８が、本デバイスの半導体の最上層ｎ＋−Ｇ
ａＡｓ層１７上に光源光Ｐがこのデバイスの２つの接合
を照射できるよう入射窓１１１をも−た形状にな−てい
る。
又、受光ダイオードのｎ形半導体へ接続した電極（コレ
クタ電１ｉ） １１０はデバイスの最下層であるｎ”−
ＧａＡｓ層１２上に形成され、更にデバイスの２つのダ
イオードで共通にしたｐ型半導体への接続電極（コモ７
電極）１９はｐ−Ａ、、１ＧａＡｓ層１４上に、それぞ
れ中央部が九が通過できる環状の形状にな−ている。な
お、以上で最上層のｎ十−ＧａＡｓ層１７は、電極１９
とｎ−ＡＪＧａＡｓ層１６との間のオーミック抵抗低減
のコンタクト層であるから不要な光吸収を生じないよう
電極１８の直下以外を除去していて、更に、光源光Ｐの
光が空乏層が形成されているｎ−ＧａＡｓ層に到達する
迄の光吸収を小さくするために表面にバンドギャップが
広いｎ−Ａ！ＧａＡｓ層１６が設けられている。これと
同じようにｐ型半導体層での光吸収をできるだけ低くす
るためバンドギャップが大きいｐ−Ａ！ＧａＡｓ層１４
が用いられている。
クタ電１ｉ） １１０はデバイスの最下層であるｎ”−
ＧａＡｓ層１２上に形成され、更にデバイスの２つのダ
イオードで共通にしたｐ型半導体への接続電極（コモ７
電極）１９はｐ−Ａ、、１ＧａＡｓ層１４上に、それぞ
れ中央部が九が通過できる環状の形状にな−ている。な
お、以上で最上層のｎ十−ＧａＡｓ層１７は、電極１９
とｎ−ＡＪＧａＡｓ層１６との間のオーミック抵抗低減
のコンタクト層であるから不要な光吸収を生じないよう
電極１８の直下以外を除去していて、更に、光源光Ｐの
光が空乏層が形成されているｎ−ＧａＡｓ層に到達する
迄の光吸収を小さくするために表面にバンドギャップが
広いｎ−Ａ！ＧａＡｓ層１６が設けられている。これと
同じようにｐ型半導体層での光吸収をできるだけ低くす
るためバンドギャップが大きいｐ−Ａ！ＧａＡｓ層１４
が用いられている。
続いて、以上で説明した本発明の実施例のデバイスの製
造方法を示した第３図について説明する。
造方法を示した第３図について説明する。
この第８図ｆａ）は、表面が（１００）の半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板１１上にＭＢＥ法、又はＭＯＣＶＤ法により順
次ｎ”−ＧａＡｓ（Ｓｉドープニ５ Ｘ Ｉ Ｑ” ｃ
ｓ−’０５μｍ）層ｉ２ 、ｎ−ＧａＡｓ（Ｓｉドープ
：Ｉ Ｘ １０” ｆｌ−３，０，５ｐｅｎ ）層１
ｇ 、 ｐ−ＡノＧａＡｓ（Ｂｅドープ： Ｉ Ｘ １
０” ＬＭ−３，０，２μｆｆｉ ）層１４゜ｎ−Ｇａ
Ａｓ（Ｓｉ ドープ： Ｌ Ｘ １０” ｍ−３，０，
８μｍ）層１５．ｎ−ＡノＧａＡｓ（Ｓｉドープ： Ｉ
Ｘ Ｉ Ｑ’ｃｓ−”０．２μ＋！り層１６ 、ｎ”
−ＧａＡｓ（Ｓｉドープ：５×ｌＱ１８ｃｍ“３！０
．１μｍ）層１７を積層成長した断面図を示している。
Ａｓ基板１１上にＭＢＥ法、又はＭＯＣＶＤ法により順
次ｎ”−ＧａＡｓ（Ｓｉドープニ５ Ｘ Ｉ Ｑ” ｃ
ｓ−’０５μｍ）層ｉ２ 、ｎ−ＧａＡｓ（Ｓｉドープ
：Ｉ Ｘ １０” ｆｌ−３，０，５ｐｅｎ ）層１
ｇ 、 ｐ−ＡノＧａＡｓ（Ｂｅドープ： Ｉ Ｘ １
０” ＬＭ−３，０，２μｆｆｉ ）層１４゜ｎ−Ｇａ
Ａｓ（Ｓｉ ドープ： Ｌ Ｘ １０” ｍ−３，０，
８μｍ）層１５．ｎ−ＡノＧａＡｓ（Ｓｉドープ： Ｉ
Ｘ Ｉ Ｑ’ｃｓ−”０．２μ＋！り層１６ 、ｎ”
−ＧａＡｓ（Ｓｉドープ：５×ｌＱ１８ｃｍ“３！０
．１μｍ）層１７を積層成長した断面図を示している。
次に、第３図（ｂｌに示したように、リフトオフ法によ
り形成したゲート電極８をマスクにして、ｎ”−ＧａＡ
ｓ層１７をエツチングしている。
り形成したゲート電極８をマスクにして、ｎ”−ＧａＡ
ｓ層１７をエツチングしている。
続いて第８図（ｃｌに示したように光源光の入射窓１１
１をもつゲート電極１８を含む領域上に形成したフォト
レジスト１１２をマスクにしたメサエッチングによって
ｐ−Ａ〕ＧａＡｓ層１４を露出した状態である。その後
、リフトオフ法により層１４上にコモン電極１９を形成
し、そのコモン電極１９を含む領域以上を被覆するフォ
トレジスト１１８をマスクにしたメサエッチングでｎ−
Ｇ ａ Ａ ｓ層１２を露出した状態を示したのが第３
図（ｄｌである。最後に、以上で露出させたｎ”−Ｇａ
Ａｓ層１２上にリフトオフ法によるコレクタｉ［１ｌｌ
ｏ’ｉリフトオフ法により形成した上、そのコレクタ電
極及び、コモン電極、ゲート電極などを含む領域をフォ
トレジストで被覆し、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１までメ
サエッチングして、第２図で示した本発明の実施例のデ
バイスを完成させた。なお、以上の実施例ではゲート電
極１８とコレクタ電極１１０にはＡｕ−Ｇｅ系のオーミ
ック金属を、コモン電極１９にはＡｕ−Ｚｎｎ系オーミ
ック属を用いた。
１をもつゲート電極１８を含む領域上に形成したフォト
レジスト１１２をマスクにしたメサエッチングによって
ｐ−Ａ〕ＧａＡｓ層１４を露出した状態である。その後
、リフトオフ法により層１４上にコモン電極１９を形成
し、そのコモン電極１９を含む領域以上を被覆するフォ
トレジスト１１８をマスクにしたメサエッチングでｎ−
Ｇ ａ Ａ ｓ層１２を露出した状態を示したのが第３
図（ｄｌである。最後に、以上で露出させたｎ”−Ｇａ
Ａｓ層１２上にリフトオフ法によるコレクタｉ［１ｌｌ
ｏ’ｉリフトオフ法により形成した上、そのコレクタ電
極及び、コモン電極、ゲート電極などを含む領域をフォ
トレジストで被覆し、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１までメ
サエッチングして、第２図で示した本発明の実施例のデ
バイスを完成させた。なお、以上の実施例ではゲート電
極１８とコレクタ電極１１０にはＡｕ−Ｇｅ系のオーミ
ック金属を、コモン電極１９にはＡｕ−Ｚｎｎ系オーミ
ック属を用いた。
以上で本発明のデバイスを実施例によって説明したが、
本発明は実施例によって限定されるものでなく、例えば
実施例のｎｐｎ型の構造をｐｎｐ型にしてもよく、又、
実施例ではｐｎ接合に垂直に照射した光源を垂直以外の
照射にしてもよい。
本発明は実施例によって限定されるものでなく、例えば
実施例のｎｐｎ型の構造をｐｎｐ型にしてもよく、又、
実施例ではｐｎ接合に垂直に照射した光源を垂直以外の
照射にしてもよい。
続いて以上の第２図の構成による本発明のデバイスの動
作を、第１図！ａｔ 、 （ｂｌを用いて説明する。
作を、第１図！ａｔ 、 （ｂｌを用いて説明する。
第１図ｆａ）は、実施例のデバイスに電源を接続して動
作させたとき、その各層のエネルギーレベルの状態を示
すものである。このデバイスは２つのｐｎダイオードか
ら形成されているが、１層のｐ型半導体の両側に同種材
料のｎ型半導体層を接合していて、その双方のダイオー
ドは電源Ｖｉｎにより逆バイアスされている。
作させたとき、その各層のエネルギーレベルの状態を示
すものである。このデバイスは２つのｐｎダイオードか
ら形成されているが、１層のｐ型半導体の両側に同種材
料のｎ型半導体層を接合していて、その双方のダイオー
ドは電源Ｖｉｎにより逆バイアスされている。
以上の接続にすると光源の光Ｐが照射するｐｎｌダイオ
ードはＦｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果を用いて、その
ダイオードの光吸収量をその接合へのバイアス電圧によ
−て変化できる光吸収電流値ダイオード（光変調ダイオ
ード）の動作をする。そして、他の一方のｐｎ３ダイオ
ードは、そのダイオードまで到達した光の大部分を吸収
して、その光吸収電流に変換する受光ダイオードの動作
をするよう各層厚を調整しである。
ードはＦｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果を用いて、その
ダイオードの光吸収量をその接合へのバイアス電圧によ
−て変化できる光吸収電流値ダイオード（光変調ダイオ
ード）の動作をする。そして、他の一方のｐｎ３ダイオ
ードは、そのダイオードまで到達した光の大部分を吸収
して、その光吸収電流に変換する受光ダイオードの動作
をするよう各層厚を調整しである。
ここでｎ型半導体のバンドギャップに相当する波長にし
た光源の光Ｐを先ず光変調ダイオードに照射し、そのダ
イオードに吸収されないで透過した光Ｐは受光ダイオー
ドに吸収される構成にしている。
た光源の光Ｐを先ず光変調ダイオードに照射し、そのダ
イオードに吸収されないで透過した光Ｐは受光ダイオー
ドに吸収される構成にしている。
従って、以上の２つの接合での光吸収電流値は相補の関
係になり、入力電圧Ｖｉｎを変化させて変調ダイオード
の吸収電流ＩＩ を増加させると受光ダイオードの吸収
電流１ ｏｕｔが減少する。逆に変調ダイオードの吸収
電流■、を減少させると受光ダイオードの吸収電流１
ｏｕｔは増加する。
係になり、入力電圧Ｖｉｎを変化させて変調ダイオード
の吸収電流ＩＩ を増加させると受光ダイオードの吸収
電流１ ｏｕｔが減少する。逆に変調ダイオードの吸収
電流■、を減少させると受光ダイオードの吸収電流１
ｏｕｔは増加する。
以上のような入力電圧Ｖｉｎに対する”ｘ＋Ｉｏｕｔ及
びＩｉｎは、概要を第１図＋ｂ＋に示した関係で変化し
、ＩｌとＩ ｏｕｔとの和がｆｉｎになっている。
びＩｉｎは、概要を第１図＋ｂ＋に示した関係で変化し
、ＩｌとＩ ｏｕｔとの和がｆｉｎになっている。
以上の関係を利用することで本デバイスによる増幅が可
能になυ、それは次のような式で示すことができる。
能になυ、それは次のような式で示すことができる。
光変調ダイオードの光吸収電流１１は次の式で与えられ
る。
る。
Ｉ １ ＝ Ｑ Ｉ Ｐ ｑ ／ ｈ ｕ
（１）ここで、ｃｌは変調ダイオードの入射吸収
比率、Ｐは入射光強度、ｑは単位電荷、υは入射光の波
長、ｈはブランク定数である。又、受光ダイオードの光
吸収電流は次の式で与えられる。
（１）ここで、ｃｌは変調ダイオードの入射吸収
比率、Ｐは入射光強度、ｑは単位電荷、υは入射光の波
長、ｈはブランク定数である。又、受光ダイオードの光
吸収電流は次の式で与えられる。
Ｉｏｕｔ＝ａ２ （ｉ−ａｘ ）Ｐｑ／ｈυ（２）α２
は受光ダイオードの光吸収比率である。
は受光ダイオードの光吸収比率である。
以上から、
ｌ１ｎ＝１１＋Ｉｏｕｔ
＝（ａｘ（１−ａ２）十ａｚ）Ｐｑ／ｈｌｊ （３）
従−て、！分電流利得Ｇは次のようになる。
従−て、！分電流利得Ｇは次のようになる。
Ｇ＝ｄ （Ｉｏｕｔ）／ｄ（ｌ１ｎ）
−一α２／（１−α２ ） （
４）この（４）式から分るように、本発明のデバイスに
よる電流利得Ｇは、構成するダイオードのバンドギャッ
プにマ・ノチングしだ光源光の波長の選定、デバイスの
各層の結晶性及びその配置等によって電流利得を改良す
ることができる。
４）この（４）式から分るように、本発明のデバイスに
よる電流利得Ｇは、構成するダイオードのバンドギャッ
プにマ・ノチングしだ光源光の波長の選定、デバイスの
各層の結晶性及びその配置等によって電流利得を改良す
ることができる。
〈発明の効果〉
以上で説明したように本発明による光伝送の電気信号増
幅デバイスは、そのデバイスの動作に少数キャリアを利
用していない。又、その構造も簡単であるから、非常に
高速で電気信号を増幅するデバイスを容易に作製して利
用できることになる。
幅デバイスは、そのデバイスの動作に少数キャリアを利
用していない。又、その構造も簡単であるから、非常に
高速で電気信号を増幅するデバイスを容易に作製して利
用できることになる。
第１図は本発明の光伝送電気信号増幅デバイスの実施例
の動作原理を説明する図、第２図は実施例のデバイスの
構成を示す断面図、第３図は実施例のデバイスの製造工
程を示す断面図、第４図は従来例のデバイスの構成を示
す断面図、第５図は従来例のデバイスの動作を説明する
図である。 １１．２１＝−・半絶縁性ＧａＡｓ基板、１２．１？、
２２．２７−ｎ −ＧａＡｓ層、１Ｂ 、１５．２８
−・ｎ−ＧａＡｓ層、１４ 、２４−−− ｐ −Ａ！
ＧａＡｓ層、１６．２６−＝ｎ−ＡｊＪＧａＡｓ層、２
５−・−ｐ−ＧａＡｓ層、 １８．１９．２８，２９，１１０，２ｉ０・・電極、１
１１・・・入射窓、 １１２．１１１・・・フォトレジスト。 代理人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）Ｐ梵専烹 （ａ） １１１１２図 （ａ） （ｂ） 第３図 （Ｃ）
の動作原理を説明する図、第２図は実施例のデバイスの
構成を示す断面図、第３図は実施例のデバイスの製造工
程を示す断面図、第４図は従来例のデバイスの構成を示
す断面図、第５図は従来例のデバイスの動作を説明する
図である。 １１．２１＝−・半絶縁性ＧａＡｓ基板、１２．１？、
２２．２７−ｎ −ＧａＡｓ層、１Ｂ 、１５．２８
−・ｎ−ＧａＡｓ層、１４ 、２４−−− ｐ −Ａ！
ＧａＡｓ層、１６．２６−＝ｎ−ＡｊＪＧａＡｓ層、２
５−・−ｐ−ＧａＡｓ層、 １８．１９．２８，２９，１１０，２ｉ０・・電極、１
１１・・・入射窓、 １１２．１１１・・・フォトレジスト。 代理人 弁理士 梅 １） 勝（他２名）Ｐ梵専烹 （ａ） １１１１２図 （ａ） （ｂ） 第３図 （Ｃ）
Claims (2)
- １．一定光量の光を照射するバイアス光源と２つのｐｎ
接合からなる光伝送電気信号増幅デバイスにおいて、前
記バイアス光源の光が入力電気信号により光吸収量変調
動作をする前記の一方のｐｎ接合を通った後、受光ダイ
オードとして出力電気信号を形成する他方のｐｎ接合に
吸収される構成にしたことを特徴とする光伝送電気信号
増幅デバイス。 - ２．前記２つのｐｎ接合は単１の積層構造で形成され、
かつ、２つのｐｎ接合にそれぞれ逆バイアス電圧を印加
する電源を接続したことを特徴とする請求項１記載の光
伝送電気信号増幅デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2193452A JPH0479273A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 光伝送電気信号増幅デバイス |
| US07/731,787 US5216538A (en) | 1990-07-20 | 1991-07-18 | Electric-signal amplifying device using light transmission |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2193452A JPH0479273A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 光伝送電気信号増幅デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0479273A true JPH0479273A (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=16308235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2193452A Pending JPH0479273A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 光伝送電気信号増幅デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5216538A (ja) |
| JP (1) | JPH0479273A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645633A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Nec Corp | 半導体光スイッチとその駆動方法 |
| US5508829A (en) * | 1992-12-18 | 1996-04-16 | International Business Machines Corporation | LTG AlGaAs non-linear optical material and devices fabricated therefrom |
| US6137123A (en) * | 1999-08-17 | 2000-10-24 | Honeywell International Inc. | High gain GaN/AlGaN heterojunction phototransistor |
| US6528827B2 (en) | 2000-11-10 | 2003-03-04 | Optolynx, Inc. | MSM device and method of manufacturing same |
| US20160228991A1 (en) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | Siemens Energy, Inc. | Acoustic manipulation and laser processing of particles for repair and manufacture of metallic components |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1102749A (en) * | 1964-07-29 | 1968-02-07 | Hitachi Ltd | A light modulator arrangement |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP2193452A patent/JPH0479273A/ja active Pending
-
1991
- 1991-07-18 US US07/731,787 patent/US5216538A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5216538A (en) | 1993-06-01 |
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