JPS61231423A - 真空計 - Google Patents

真空計

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JPS61231423A
JPS61231423A JP7268785A JP7268785A JPS61231423A JP S61231423 A JPS61231423 A JP S61231423A JP 7268785 A JP7268785 A JP 7268785A JP 7268785 A JP7268785 A JP 7268785A JP S61231423 A JPS61231423 A JP S61231423A
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vibrator
excitation
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atmospheric pressure
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Kazuo Sato
一雄 佐藤
Yoshio Kawamura
河村 喜雄
Tsuneo Terasawa
恒男 寺澤
Shinji Tanaka
伸司 田中
Yataro Kondo
近藤 弥太郎
Shigeo Moriyama
森山 茂夫
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0001Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
    • G01L9/0008Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
    • G01L9/0022Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 この発明は真空計、とくに中、低真空の雰囲気圧力の計
測に好適な真空計に関するものである。
〔発明の背景〕
従来、中、低真空の雰囲気圧力を計測する真空計として
は、ピラニ真空計が広く使用されている。
このピラニ真空計は、真空中に抵抗線を設け、この抵抗
線に通電し、抵抗線の電気抵抗の変化から雰囲気圧力を
計測するものである。すなわち、ピラニ真空計は、雰囲
気圧力が高いときには、抵抗線の表面に存在する気体分
子の熱伝導によって。
抵抗線の温度が低下するので、抵抗線の電気抵抗が低下
し、一方、雰囲気圧力が低くなると、抵抗線の電気抵抗
が上昇することを利用したものである。
このように、ビラニ真空計においては、抵抗線に通電し
て、抵抗線を加熱するから、抵抗線に経時変化が生じ、
この経時変化による検出値の変化が無視できないので、
雰囲気圧力を精度よく計測することができない。また、
ビラニ真空計においては、気体分子の熱伝導によって抵
抗線から奪われる熱量の変化を利用しており、この熱量
の変化は雰囲気圧力が10−” T orr以下では生
ぜず、また雰囲気圧力が10 T orr以上になると
、抵抗線が焼損してしまうから、ビラニ真空計の検出可
能範囲は10−3〜10Torrと狭い。
〔発明の目的〕
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
で、雰囲気圧力を精度よく、しかも広範囲に計測するこ
とが可能な真空計を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
この目的を達成するため、この発明においては。
板状の振動体を加振する加振手段を設け、上記加振体の
振動による変位を検出する検出手段を設ける。
〔発明の実施例〕
第1図はこの発明に係る真空計を示す分解斜視図、第2
図は同じく一部正断面図である1図において、3は単一
のシリコン単結晶からなる支持部材、2は支持部材3に
設けられた板状の振動体。
1は支持部材3と振動体2との間に設けられたトーショ
ンバーで、トーションバー1.振動体2は支持部材3と
一体に形成されている。4は単一のシリコン単結晶から
なる基板で、基板4に支持部材3が固定されている。1
1は基板4の表面に設けられた溝、5は溝11の表面に
形成された加振電極。
6は溝11の表面に形成された検出電極、7は溝11の
表面に設けられた支持突起で、支持突起7は加振電極5
と検出電極6との間に設けられており。
支持突起7は振動体2の中央部の下方に位置している。
8は基板4の表面に形成された加振回路で。
加振回路8は支持部材3.加振電極5に接続されており
、加振回路8は振動体2と加振電極5との間に加振電圧
を印加する。9は基板4の表面に形成された検出回路で
、検出回路9は支持部材3゜検出電極6に接続されてお
り、検出回路9は振動体2と検出電極6との間の静電容
量を検出する。
10は基板4の表面i形成された制御回路で、制御回路
10は加振回路8.検出回路9に接続されている。
この真空計を製造するには、まずリソグラフィおよびエ
ツチング技術を応用して、基板4の表面に溝11および
支持突起7を設げ、溝11の表面を酸化して二酸化シリ
コン絶縁膜を形成し、その絶縁膜上にたとえばアルミニ
ウムからなる加振電極5゜検出電極6をリングラフイッ
クに形成し、また基板4の表面に加振回路8.検出回路
9.制御回路10を形成し、一方リソグラフイおよびエ
ツチングにより、支持部材3にトーションバー1および
振動体2を形成して、基板4に支持部材3を固定する。
なお、真空計の使用条件に応じて、加振電極5、検出電
極6の表面を保護する表面処理を行なう。
このような真空計においては、加振回路8によって振動
体2と加振電極5との間に加振電圧を印加すると、振動
体2が振動する。そして、振動体2が振動すると、振動
体2と検出電極6との間の距離が変化するため、振動体
2と検出電極6との間の静電容量が変化するので、検出
回路9により振動体2と検出電極6との間の静電容量の
変化を検出すれば、振動体2の傾き角を検出することが
できる。
第3図は加振回路8.加振電極5により振動体2をその
共振周波数で振動させた場合の雰囲気圧力と振動体2の
最大傾き角θとの関係を示すグラフである。図において
、線Aは第1図に示した寸法a、b、d、Q、tがそれ
ぞれ2m、1.1mm。
0.1m、1.5■、O,1mm、振動体2と加振電極
5゜検出電極6との間の距離が0.1m、加振電圧が4
00V、加振周波数(共振周波数)が17kHzの場合
を示し、線Bは寸法am be de Q* tがそれ
ぞれ2m、17.5■、0.1閣、2■、0.1閣、振
動体2と加振電極5.検出電極6との間の距離が0.1
m。
加振電圧が60v、加振周波数2.6kHzの場合を示
す。
図から明らかなように、雰囲気圧力が高いときには、最
大傾き角θが小さく、雰囲気圧力が低くなると、最大傾
き角θが大きくなる。これは雰囲気圧力が高いときには
振動体2の振動に対する気体分子の抵抗が大きく、雰囲
気圧力が低くなると振動体2の振動に対する気体分子の
抵抗が小さくなるため!ある。したがって、検出電極6
.検出回路9によって最大傾き角θを検出すれば、雰囲
気圧力を計測することができる。そして、線Aの場合に
は、雰囲気圧力が約10−2〜10” T orrの範
囲で最大傾き角θが変化するから、雰囲気圧力が約10
1〜103T orrの範囲で検出可能であり、また線
Bの場合には、雰囲気圧力が約10−’−10−”To
rrの範囲で最大傾き角θが変化するから、雰囲気圧力
が約10−5〜10−T orrの範囲で検出可能であ
る。
このため、両者を併用すれば、雰囲気圧力が約10−5
〜10’Torrの範囲で検出可能である。また、寸法
す等を任意に定めることにより、さらに広範囲の検出も
可能である。
さらに、雰囲気圧力が高いときには、振動体2の加振を
停止した時点から、振動体2の傾き角が最大傾き角θの
たとえば2分の1になるまで時間が短く、一方、雰囲気
圧力が低くなると、上記時間が長くなる。これは雰囲気
圧力が高いときには気体分子の抵抗が大きく、雰囲気圧
力が低くなると気体分子の抵抗が小さくなるためである
。したがって、振動体2の加振を停止したとき、加振回
路8から制御回路10を介して検出回路9に信号を送り
、検出回路9により上記信号を入力した時点から振動体
2の傾き角が最大傾き角θのたとえば2分の1になるま
での時間を検出すば、雰囲気圧力を計測することができ
る。
また、第4図は雰囲気圧力と振動体2の傾き角が最大と
なる加振周波数との関係を示すグラフである。このグラ
フから明らかなように、雰囲気圧力が高いときには、上
記加振周波数が低く、雰囲気圧力が低くなると、上記加
振周波数が高くなる。
これは雰囲気圧力が高いときには気体分子の抵抗が大き
く、雰囲気圧力が低くなると気体分子の抵抗が小さくな
るためである。したがって、制御回路10から加振回路
8に信号を出力することにより、振動体2の固有振動数
に近い領域で加振周波数を変化させ、同時に制御回路1
0から検出回路9に上記信号を出力し、検出回路9で振
動体2の傾き角が最大となる加振周波数を検出すれば、
雰囲気圧力を計測することができる。この場合、傾き角
が最大となる加振周波数の信号と振動体2の固有振動数
の信号とを干渉させて1両者の周波数差に起因するうな
りの周波数を検出すれば、最大振幅を示す周波数を精密
に検出することが可能である。
第5図はこの発明に係る他の真空計の一部を示す分解斜
視図、第6図は同じく正断面図である。
第1図、第2図に示した真空計においては、振動体2の
支持部としてトーションバー1を用いたが。
第5図、第6図に示した真空計においては、振動体2の
支持部として片持ち梁12を用いており、この真空計に
おいても第1図、第2図に示した真空計と同様に雰囲気
圧力を計測することが可能である。
なお、上述実施例においては、加振手段を加振電極5と
加振回路8とで構成した場合について説明したが、加振
手段として電磁力を利用したもの等を用いてもよい、ま
た、上述実施例においては、検出手段を検出電極6と検
出回路9とで構成した場合について説明したが、検出手
段として磁気を検出するもの等を用いてもよい。さらに
、上述実施例においては、振動体2を単一のシリコン単
結晶からなる支持部材3と一体に形成したが、支持部材
3の材質を金属等としてもよく、しかも振動体2の材質
と支持部材3の材質とが異なってもよい。また、上述実
施例においては、加振電極5゜検出電極6を単一シリコ
ン単結晶からなる基板4上に形成したが、加振電極5.
検出電極6をガラス等からなる基板上に形成してもよい
、さらに。
上述実施例においては、加振回路8.検出回路9を基板
4上に形成したが、加振回路8.検出回路9を支持部材
3上に形成してもよい。そして、上述実施例のように、
支持部材3.基板4の材質を単一シリコン単結晶とし、
振動体2を支持部材3と一体に形成するとともに、加振
電極5.検出電極6.加振回路8.検出回路9.制御回
路10を基板4上に形成すれば、極めてコンパクトな真
空計が実現可能である。また、上述実施例においては、
加振電極5.検出電極6を設けたが、加振と検出とを交
互に行なう場合には、加振用電極と検出用電極とを単一
の電極で共用することも可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明に係る真空計においては
、振動体の振動に対する気体分子の抵抗の変化によって
雰囲気圧力を計測するから、経時変化による検出値の変
化が生ずることがなく、雰囲気圧力を精度よく計測する
ことができる。また、振動体の面積を変えること等によ
り、振動体の振動に対する気体分子に抵抗の変化を広範
囲で生じさせることができるとともに、雰囲気圧力が1
0T orr以上となっても雰囲気圧力の計測が可能で
あるから、極めて広範囲の雰囲気圧力を計測することが
できる。このように、この発明の効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る真空計を示す分解斜視図、第2
図は同じく一部正断面図、第3図は雰囲気圧力と振動体
の最大傾き角θとの関係を示すグラフ、第4図は雰囲気
圧力と振動体の傾き角が最大となる加振周波数との関係
を示すグラフ、第5図はこの発明に係る他の真空計の一
部を示す分解斜視図、第6図は同じく正断面図である。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)板状の振動体と、その振動体を加振する加振手段
    と、上記振動体の振動による変位を検出する検出手段と
    を具備することを特徴とする真空計。
  2. (2)上記加振手段が、上記振動体に近接して設けた加
    振電極およびその加振電極と上記振動体との間に加振電
    圧を印加する加振回路からなることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の真空計。
  3. (3)上記検出手段が、上記振動体に近接して設けた検
    出電極およびその検出電極と上記振動体との間に静電容
    量を検出する検出回路からなることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項または第2項記載の真空計。
  4. (4)上記振動体を単一のシリコン単結晶からなる支持
    部材と一体に形成したことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項、第2項または第3項記載の真空計。
  5. (5)上記加振電極および上記検出電極を単一のシリコ
    ン単結晶からなる基板上に形成したことを特徴とする特
    許請求の範囲第3項または第4項記載の真空計。
  6. (6)上記加振回路および上記検出回路を上記基板上に
    形成したことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の
    真空計。
  7. (7)上記加振回路および上記検出回路を上記支持部材
    上に形成したことを特徴とする特許請求の範囲第4項ま
    たは第5項記載の真空計。
  8. (8)上記振動体の支持部がトーションバーであること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第7項のいず
    れかに記載の真空計。
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