JPS5957129A - トランスデユ−サの改良 - Google Patents
トランスデユ−サの改良Info
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- JPS5957129A JPS5957129A JP58101040A JP10104083A JPS5957129A JP S5957129 A JPS5957129 A JP S5957129A JP 58101040 A JP58101040 A JP 58101040A JP 10104083 A JP10104083 A JP 10104083A JP S5957129 A JPS5957129 A JP S5957129A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、トランスデー−サまたはセンサに関するも
のであり、特に振動が維持される正帰還路が光学的イン
ターフエ゛イスを備えている共振型のトランスデユーサ
に関するものである。
のであり、特に振動が維持される正帰還路が光学的イン
ターフエ゛イスを備えている共振型のトランスデユーサ
に関するものである。
電気−機械的共振型トランスデー−サは種々の応用にお
いて歪センサとして使用されている。
いて歪センサとして使用されている。
これらの装置4の典型的なものはその固有周波数または
その高調波で正帰還ループ装置によって振動状態に維持
されるJ辰動システムを備えている。振動周波数は例え
ばトランスデユーサに加えられた歪或は圧力の関数であ
る。
その高調波で正帰還ループ装置によって振動状態に維持
されるJ辰動システムを備えている。振動周波数は例え
ばトランスデユーサに加えられた歪或は圧力の関数であ
る。
現用の共振装置の帰還ループは振動素子の全エネルギの
小部分を受け、そのエネルギを増幅し、次いでそれを正
確な位相関係で駆動手段を介して素子に帰還する。帰還
ループは一般に容量的或は電磁的結合手段を介して素子
に結合されている。
小部分を受け、そのエネルギを増幅し、次いでそれを正
確な位相関係で駆動手段を介して素子に帰還する。帰還
ループは一般に容量的或は電磁的結合手段を介して素子
に結合されている。
振動システムからのエネルギの抽出はもちろん共振周波
数の変動を生じ、得られるQの値を低下させる。さらに
危険な環境におけるモニター用のような成る種の用途に
おいては電気的に結合された帰還ループの構成は望まし
くないものである。
数の変動を生じ、得られるQの値を低下させる。さらに
危険な環境におけるモニター用のような成る種の用途に
おいては電気的に結合された帰還ループの構成は望まし
くないものである。
この発明の目的は、これらの欠点を克服し、或は最小の
ものとすることである。
ものとすることである。
この発明によれば、共振素子と、この共振素子をその固
有共振周波数或はその高調波周波数で振動状態に維持す
るだめの正帰還手段とを具備し、共振素子への帰還手段
の結合が光学的通路を含んでいる共振装置が提供される
。
有共振周波数或はその高調波周波数で振動状態に維持す
るだめの正帰還手段とを具備し、共振素子への帰還手段
の結合が光学的通路を含んでいる共振装置が提供される
。
素子の撮動の検出は光学的に行なわれる。したがって実
質上共振システムからのエネルギの除去はなく、共振素
子は自由な阻害されない振動器として動作する。したが
って非常に高度の周波数安定度および正確度が得られる
。さらに、装置に対する結合が光学的に行方われるから
、装置は電気的結合のように火花放電による爆発の危険
を考慮する必要がなく、危険な、例えば潜在的に爆発性
の環境でも本質的に安全である。
質上共振システムからのエネルギの除去はなく、共振素
子は自由な阻害されない振動器として動作する。したが
って非常に高度の周波数安定度および正確度が得られる
。さらに、装置に対する結合が光学的に行方われるから
、装置は電気的結合のように火花放電による爆発の危険
を考慮する必要がなく、危険な、例えば潜在的に爆発性
の環境でも本質的に安全である。
以下添付図面を参照に実施例を説明する。
第1図は共振装置の1実施例を示し、それは2フイラメ
ントねじシ振動装置を構成している。
ントねじシ振動装置を構成している。
例えばシリコンや水晶等の弾性材料の均一体から選択エ
ツチングによって形成されるとよいその装置は、端部支
持体12間に張架された1対のフィラメント11を備え
、端部支持体12は絶縁支持体または基体13に固定さ
れている。フィラメント11の中央部分は剛固な薄片部
材であるノソドル(paddle ) 14によって結
合されている。使用に際して装置はフィラメント11中
のねじれに対応した周波数のねじれモードで振動する。
ツチングによって形成されるとよいその装置は、端部支
持体12間に張架された1対のフィラメント11を備え
、端部支持体12は絶縁支持体または基体13に固定さ
れている。フィラメント11の中央部分は剛固な薄片部
材であるノソドル(paddle ) 14によって結
合されている。使用に際して装置はフィラメント11中
のねじれに対応した周波数のねじれモードで振動する。
振動を維持するための駆動力は基体13中の開口中に取
り付けられた光ファイバ15を経て与えられ、その自由
端16はパドル14の一方の自由端に隣接して配置され
ている。光ファイバ15はまた周波数出力が共振装置か
ら得られるだめの手段を与えている。
り付けられた光ファイバ15を経て与えられ、その自由
端16はパドル14の一方の自由端に隣接して配置され
ている。光ファイバ15はまた周波数出力が共振装置か
ら得られるだめの手段を与えている。
第2図は第1図のトランスデー−サの光学的駆動および
検知装置の詳細を示している。電極24は、電極に供給
される交流電位によってパドル14が静電的に駆動され
て振動するように′パドル14の自由端と整合して基体
13上に配置されている。
検知装置の詳細を示している。電極24は、電極に供給
される交流電位によってパドル14が静電的に駆動され
て振動するように′パドル14の自由端と整合して基体
13上に配置されている。
前述のように基体13には開口、25が設けられ、との
開口は電極24中のもっと大きな開口26と整合し実質
上同心である。開口25と電極の開口26との間の基体
領域は環状のフォトダイオード5アレイ27を支持して
おす、と(1’)7オトダイオードアレイ27は電極2
4と固定電位点例えば接地点との間に電気的に接続され
ている。基体13は単結晶シリコンから構成されるのが
好甘しく、フォトダイオードアレイ22のフ第1・ダイ
オードはシリコン表面に集積されるとよい。
開口は電極24中のもっと大きな開口26と整合し実質
上同心である。開口25と電極の開口26との間の基体
領域は環状のフォトダイオード5アレイ27を支持して
おす、と(1’)7オトダイオードアレイ27は電極2
4と固定電位点例えば接地点との間に電気的に接続され
ている。基体13は単結晶シリコンから構成されるのが
好甘しく、フォトダイオードアレイ22のフ第1・ダイ
オードはシリコン表面に集積されるとよい。
基体13中の開口25は光ファイバ15を受け、それに
よって光はパドル14の光ファ゛堕バ端に隣接する領域
に向けられる。この領域は研磨され、実質上平坦で条る
。光ファイバ1.5からの出力光はAドル14VCよっ
て反射される。
よって光はパドル14の光ファ゛堕バ端に隣接する領域
に向けられる。この領域は研磨され、実質上平坦で条る
。光ファイバ1.5からの出力光はAドル14VCよっ
て反射される。
この反射光の大部分はフォトダイオードアレイシフ上に
入射するがその小部分は光ファイバに戻るように反射さ
れる。
入射するがその小部分は光ファイバに戻るように反射さ
れる。
光ファイバ150反対側の端部は方向性結合器29を介
して変調された光源3o1例えば固体レーデに結合され
ている。光源30は駆動回路31によp作動され、その
駆動回路3ノは安定な低いレベルに高レベルのパルスが
重畳された光を放射するように光源3θを動作さ°せる
。
して変調された光源3o1例えば固体レーデに結合され
ている。光源30は駆動回路31によp作動され、その
駆動回路3ノは安定な低いレベルに高レベルのパルスが
重畳された光を放射するように光源3θを動作さ°せる
。
光ファイバ15に反射して戻った光は方向性結合器29
を経て光検出器32に供給され、その出力は増幅器33
に結合され、増幅器33はダート手段34を備え、駆動
回路21からの各高レベルパルスの継続期間中不動作状
態にされる。
を経て光検出器32に供給され、その出力は増幅器33
に結合され、増幅器33はダート手段34を備え、駆動
回路21からの各高レベルパルスの継続期間中不動作状
態にされる。
パドル14が共振装Uりの共振周波数で振動するので、
光検出器32が受光する反射光信号の振幅は同じ周波数
で振幅変調される。
光検出器32が受光する反射光信号の振幅は同じ周波数
で振幅変調される。
駆動回路31で発生される高レベルパルスは光ファイバ
15を介して対応する高い強度の光パルスの送信を行な
う。これらの光・ぐルスはフォトダイオ−ドアl/イ2
7に入射し、フォトダイオードアレイ27はそれに応答
して電極24と接地点との間に供給される電圧パルスを
発生させる。これは静電的駆動電位を与え、それによっ
て装置を振動状態に維持する。フォトダイオ−rの電位
はもちろん漏洩によってパルスとA’ルスの間で減衰す
る。しかしこの減衰は成る種の応用においては電極24
から接地点への高抵抗漏洩路を設けることによって増加
させることができる。振動しているパドル14と駆動回
路31の同期は増幅器34を含む帰還回路によって与え
られる。
15を介して対応する高い強度の光パルスの送信を行な
う。これらの光・ぐルスはフォトダイオ−ドアl/イ2
7に入射し、フォトダイオードアレイ27はそれに応答
して電極24と接地点との間に供給される電圧パルスを
発生させる。これは静電的駆動電位を与え、それによっ
て装置を振動状態に維持する。フォトダイオ−rの電位
はもちろん漏洩によってパルスとA’ルスの間で減衰す
る。しかしこの減衰は成る種の応用においては電極24
から接地点への高抵抗漏洩路を設けることによって増加
させることができる。振動しているパドル14と駆動回
路31の同期は増幅器34を含む帰還回路によって与え
られる。
第1図に示す共振、トランスデユーサ装置は密封容器中
に配置され、或は不活性ガスで充填されるとよい。その
ような装置が第3図に示されている。それは密封された
共振装置のパドル部材の長手方向の軸に沿った(フィラ
メントに垂直な)断面図でろ、る。この装置は基体41
および基体4ノとの間にある枠部材43と−・−メ“r
ツクノールされて基体41と間隔を置いて配F5された
蓋42とよりなる密封容器を備えている。省・:H42
もシリコンで作られることが好ましい。枠部拐もまたシ
リコンで作られることが好廿しく、フィラメントおよび
パドル共振装置と一体であることが好ましい。枠部材4
3はフィラメントの支持体となっている。
に配置され、或は不活性ガスで充填されるとよい。その
ような装置が第3図に示されている。それは密封された
共振装置のパドル部材の長手方向の軸に沿った(フィラ
メントに垂直な)断面図でろ、る。この装置は基体41
および基体4ノとの間にある枠部材43と−・−メ“r
ツクノールされて基体41と間隔を置いて配F5された
蓋42とよりなる密封容器を備えている。省・:H42
もシリコンで作られることが好ましい。枠部拐もまたシ
リコンで作られることが好廿しく、フィラメントおよび
パドル共振装置と一体であることが好ましい。枠部材4
3はフィラメントの支持体となっている。
基体4ノには開口45が設けられ、光は光ファイバ15
を通ってパドル14に向けられることができる。図面を
判シ易くするために、光ファイバ15およびパドル14
と関連するフォトダイオードアレイは図では省略されて
いる。開口45は透明な窓46を設けられ、それによっ
て容器の−・−メチツクシールがされるとよい。
を通ってパドル14に向けられることができる。図面を
判シ易くするために、光ファイバ15およびパドル14
と関連するフォトダイオードアレイは図では省略されて
いる。開口45は透明な窓46を設けられ、それによっ
て容器の−・−メチツクシールがされるとよい。
容器はフィラメントに歪を伝達してその振動周波数を決
定するように充分に可撓性のものである。
定するように充分に可撓性のものである。
以上説明した装置は歪或は圧力センサとして各種の応用
に使用できる。それらは危険な環境例えば潜在的な爆発
を起し易い雰囲気中或は原子炉中で使用できる。それは
トランスデユーサ素子へ直接電気結合がないためそれら
を固有的に安全にするからである。
に使用できる。それらは危険な環境例えば潜在的な爆発
を起し易い雰囲気中或は原子炉中で使用できる。それは
トランスデユーサ素子へ直接電気結合がないためそれら
を固有的に安全にするからである。
この発明のトランスデー−サは単結晶シリコン体から選
択エツチングによる一体構造体として形成することがで
きる。
択エツチングによる一体構造体として形成することがで
きる。
典型的にはシリコン体は最終的な装置を構成する領域が
硼素を4. X ]、 019原子/CC以上のレベル
で選択的にドープされる。ウェー・−はそれかう例えば
ブレンツカチキン(catechol ) 、エチレン
ソアミンおよび水の混合液或は水酸化カリウム、イソブ
ルチアルコールおよび水の混合液によってエツチングさ
れる。そのようなエツチング液の組成は硼素をドープし
たシリコンに使用される時に化学的に選択性を有するも
のであることが認められた。通常エツチング速度はドー
プしないシリコンとエツチング速度が実質上ゼロの硼素
がr−プされた部分との境界部において判然とした相違
−があシ、そのためエツチングされない領域は硼素をド
ープした領域の形状によって正確に決定される。典型的
には単結晶シリコン体はマスクを使用してエツチングを
要しない区域に硼素がドープされ、次いでエツチング処
理が施されてドープしない材料だけが除去される。場合
によっては複数のマスキング、ドーピングおよびエツチ
ング工程が必要とされる。そのような技術は英国特許第
1211496号明細書中に詳しく説明されている。
硼素を4. X ]、 019原子/CC以上のレベル
で選択的にドープされる。ウェー・−はそれかう例えば
ブレンツカチキン(catechol ) 、エチレン
ソアミンおよび水の混合液或は水酸化カリウム、イソブ
ルチアルコールおよび水の混合液によってエツチングさ
れる。そのようなエツチング液の組成は硼素をドープし
たシリコンに使用される時に化学的に選択性を有するも
のであることが認められた。通常エツチング速度はドー
プしないシリコンとエツチング速度が実質上ゼロの硼素
がr−プされた部分との境界部において判然とした相違
−があシ、そのためエツチングされない領域は硼素をド
ープした領域の形状によって正確に決定される。典型的
には単結晶シリコン体はマスクを使用してエツチングを
要しない区域に硼素がドープされ、次いでエツチング処
理が施されてドープしない材料だけが除去される。場合
によっては複数のマスキング、ドーピングおよびエツチ
ング工程が必要とされる。そのような技術は英国特許第
1211496号明細書中に詳しく説明されている。
第1図の実施例においては単一の装置のみについて説明
したがそのような装置が複数個同時に例えば単一の半導
体ウェー・上に製造され、次いでそのウェー・が通常の
技術によって個々の装置を形成するように分割されるこ
とも可能であるととは当業者には明白であろう。
したがそのような装置が複数個同時に例えば単一の半導
体ウェー・上に製造され、次いでそのウェー・が通常の
技術によって個々の装置を形成するように分割されるこ
とも可能であるととは当業者には明白であろう。
第1図は本発明の1実施例の共振装置を示し、第2図は
第1図の装置と共に使用する帰還および駆動装置をブロ
ック図で示し、第3図は密刺された共振装置の断面図を
示す。 1F・・・フィラメント、12・・・端部支持体、13
・・・基体、 J 4・・・ノぐドル、15・・・光
ファイツマ。 16・・・光フアイバ端部、24・・・電極、25・・
・開口、26・・・電極の開口、27・・・ダイオード
プレイ、29・・・方向性結合器、30・・・光源、3
1・・・駆動回路、32・・・光検出器、33・・・増
幅器、34・・・ゲート手段、4ノ・・・基体、42・
・・蓋、43・・・枠部利、45・・・開口、46・・
・透明悠。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦昭和 年
月 11 特許辰官若杉和夫 殿 ■、事件の表示 特願昭58−101040号 2、発明の名称 トランスデユーサの改良 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 インターナショナル・スタンダード・ エレクトリック嗜コー4?レイジョン 4、代理人 5、補正命令の日付 7、補正の内容 別紙の通り 図面の浄苫(内容に変更なし) 160−
第1図の装置と共に使用する帰還および駆動装置をブロ
ック図で示し、第3図は密刺された共振装置の断面図を
示す。 1F・・・フィラメント、12・・・端部支持体、13
・・・基体、 J 4・・・ノぐドル、15・・・光
ファイツマ。 16・・・光フアイバ端部、24・・・電極、25・・
・開口、26・・・電極の開口、27・・・ダイオード
プレイ、29・・・方向性結合器、30・・・光源、3
1・・・駆動回路、32・・・光検出器、33・・・増
幅器、34・・・ゲート手段、4ノ・・・基体、42・
・・蓋、43・・・枠部利、45・・・開口、46・・
・透明悠。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦昭和 年
月 11 特許辰官若杉和夫 殿 ■、事件の表示 特願昭58−101040号 2、発明の名称 トランスデユーサの改良 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 インターナショナル・スタンダード・ エレクトリック嗜コー4?レイジョン 4、代理人 5、補正命令の日付 7、補正の内容 別紙の通り 図面の浄苫(内容に変更なし) 160−
Claims (6)
- (1)共振素子と、この共振素子をその固有共振周波数
またはその高調波で振動状態に保持するだめの正帰還手
段とを具備し、前記共振素子に対する帰還手段の結合は
光学的通路を含んでいることを特徴とする共振装置。 - (2)共振素子が単結晶シリコン体で構成されている特
許請求の範囲第1項記載の共振装置。 - (3) 共振素子がフォトダイオードを介して動作可
能な静電的駆動手段を備えている特許請求の範囲第1項
または第2項記載の共振装置。 - (4) 前記光学的通路が光フアイバリンクを含んで
いる特許請求の範囲第1項乃至第3項の何れか記載の共
振装置。 - (5)支持体間に張架された第1および第2の並列した
フィラメントと、これらフィラメントの中間部分に結合
された薄片部材と、フィラメントに加えられた力に対応
する固有周波数のねじれモード振動を形成する構体と薄
片部材に隣接して配置され、固有周波数で振動を維持す
るように勃片部月に静電的信号を与える手段とを具備し
ている特許請求の範囲第1項記載の歪応答用の共振装置
。 - (6)遠隔トランスポンダ用として構成されている特許
請求の範囲第1項または第5項記載の共振装置。 るための正帰還手段とを具備し、前記共振素子に対する
帰還手段の結合は光学的通路を含んでいる共振装置を設
け、前記共振素子を圧力または歪を加えて振動させ、前
記共振素子から前記光学的通路に沿って前記帰還手段に
帰還信号を結合させて圧力または歪を測定することを特
徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB08216846A GB2121953B (en) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | Improvements in transducers |
GB8216846 | 1982-06-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5957129A true JPS5957129A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=10530938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58101040A Pending JPS5957129A (ja) | 1982-06-10 | 1983-06-08 | トランスデユ−サの改良 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4567451A (ja) |
JP (1) | JPS5957129A (ja) |
GB (1) | GB2121953B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61231423A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Hitachi Ltd | 真空計 |
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- 1982-06-10 GB GB08216846A patent/GB2121953B/en not_active Expired
-
1983
- 1983-06-01 US US06/500,129 patent/US4567451A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-06-08 JP JP58101040A patent/JPS5957129A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US4567451A (en) | 1986-01-28 |
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GB2121953A (en) | 1984-01-04 |
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