JPS61222703A - 半導体ウエ−ハ分割方法 - Google Patents

半導体ウエ−ハ分割方法

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JPS61222703A
JPS61222703A JP60064708A JP6470885A JPS61222703A JP S61222703 A JPS61222703 A JP S61222703A JP 60064708 A JP60064708 A JP 60064708A JP 6470885 A JP6470885 A JP 6470885A JP S61222703 A JPS61222703 A JP S61222703A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
semiconductor wafer
common electrode
semiconductor
adhesive sheet
Prior art date
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Pending
Application number
JP60064708A
Other languages
English (en)
Inventor
寛之 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 血1上皇■里丘豊 本発明は半導体ウェーハを多数の半導体素子毎に細分割
する方法に関する。
災米立肢歪 多数の半導体素子を形成した半導体ウェーハを半導体素
子毎に分割する方法は半導体ウェーハの裏面に粘着テー
プを貼着しておいて、半導体ウェーハの表面より分割予
定線に沿ってブレードで溝切りをし、その後ゴムローラ
で押し割る等して細分割する方法が一般的である。しか
し、この方法はブレードで半導体ウェーハを溝切りする
際に半導体素子に機械的ダメージを与える等の問題があ
り、そこで最近は半導体つ工−ハの分割予定線をレーザ
光で切断する非接触のレーザスクライブ方式が注目され
ている。
このレーザスクライブ方式の一般例を第8図及び第9図
を参照して説明すると次の還りである。
先ず第8図に示すように半導体ウェーハ(以下ウェーハ
と称す) (1)の裏面に粘着シート(2)を貼着する
。ウェーハ(1)は不純物選択拡散で多数の半導体素子
(以下素子と称す)(3)が格子状配列で形成されたも
ので、その片面(裏面)には各素子共通の裏面電極(以
下共通電極と称す)(4)が、他の片面(表面)には各
素子5毎に独立した電極(5)が形成され、共通電極(
4)が粘着シート(2)に貼着、される、粘着シート(
2)は塩化ビニール等のシ−ト本体(6)の片面に粘着
剤(7)を塗着したものである。
次に第9図に示すようにウェーハ(1)を粘着テープ(
2)を介してレーザスクライブ用のステージ(8)上に
載置しておいて、ウェーハ(1)の表面より各素子間の
分割予定線に沿ってレーザ光(9)を照射し、レーザ光
(9)でウェーハ(1)の分割予定線部分を溶断してつ
工−ハ(1)を各素子に分割する。
ところが、このようなレーザスクライブ法ではレーザ光
(9)でウェーハ(1)を切断する時に溶けた溶断屑(
10)が周辺に飛散して素子(3)の表面電極(5)に
付着することがある。この溶断屑(10)は後で素子(
3)の表面電極(5)から除去することが難しく、その
まま残って微細パターンで形成された表面電極(5)を
ショートさせる等して素子(3)を不良品にすることが
ある。
そこで、この問題を解決するための手段として、従来は
第10図に示すようにウェーハ(1)の表面側にシリコ
ン系等の樹脂材(11)を予め塗布し保護しておいてか
ら、この樹脂材(11)の上よりレーザ光(9)を照射
するようにしている。このようにすればレーザ光(9)
の照射で飛散した熔断屑(10)は樹脂材(11)上に
付着するので、後で樹脂材(11)を除去すれば共に溶
断屑(10)も除去されて上記問題が無くなる。
1遭しJ゛ しよ゛と る  占 上記ウェーハ(1)の表面を樹脂材(11)で保護する
レーザスクライブ法は分割された素子(3)の歩留まり
を良くするが、ウェーハ分割前にウェーハ(1)に樹脂
材(11)を塗着する工程、ウェーハ分割後に素子(3
)から樹脂材(11)を除去する工程が必要となってウ
ェーハ分割工程の工数が多くなり、生産性が悪くなる問
題があり、これがレーザスクライブ法の実用化を遅らせ
ていた。
それ故に本発明の目的はウェーハの表面を樹脂で保護す
ること無くして、ウェーハをレーザスクライブ法で良好
に分割する方法を提供することにある。
口 占  ゞ るための 従って本発明は上記目的を達成するために、ウェーハの
各素子毎の電極のある片面に粘着シートを貼着して、ウ
ェーハを各素子の共通電極のある他の片面よりレーザ光
で分割するようにしたものである。
作且 この本発明のようにウェーハに従来と逆の片面に粘着シ
ートを貼着し、ウェーハの従来と逆の片面からレーザ光
を照射するようにすれば、レーザ光照射により飛散した
溶断屑はウェーハの共通電極に付着するのみとなり、ま
たこの共通電極に溶断屑が付着して残っても素子の特性
上はとんど問題が無く、従って歩留まり良(つ工−ハを
レーザスクライブ法で各素子に分割することができ、上
記目的が達成される。
11皿 以下本発明を上記ウェーハ(1)の分割方法に適用し、
第1図乃至第7図の実施例に基づき説明する。
先ず第1図に示すようにウェーハ(1)の表面電極(5
)側に粘着シート(2)を貼着して共通電極(4)を露
呈させる。次に第2図に示すようにウェーハ(1)を粘
着シート(2)を介してステージ(8)上に載置して、
ウェーハ(1)に共通電極(4)側からレーザ光(9)
を照射してウェーハ(1)を分割予定線から順次に切断
して各素子毎に細分割する。この時、レーザ光(9)が
粘着シート(2)にウェーハ分割予定線に沿って熱的ダ
メージを与えて後でシート分断を容易にする。尚、この
レーザ光照射・イブはレーザ光(9)が粘着シート(2
)をほぼ完全に切断する深さでレーザスクライブを行う
ようにしてもよい。またウェーハ(1)の共通電極(4
)上に分割予定線の認識マークを予めマーキングして、
レーザスクライブをしてもよい。
このようなレーザスクライブではレーザ光(9)による
ウェーハ(1)の溶断屑(10)が飛散して共通電極(
4)上に付着する。しかし、共通電極(4)は素子(3
)の裏面全体に形成されたもので、これに溶断屑(10
)が付着して残ってもショート等のトラブル発生は皆無
で問題無い。
次にレーザスクライプが完了すると粘着シート(2)を
放射状に引き伸ばして、第3図に示すように素子(3)
と共に粘着シート(2)を細分割する。後は素子(3)
から粘着シート(2)を剥し、素子(3)を例えば第4
図に示すようにその共通裏面電極(4)を下にして放熱
板等の基板(12)上に半田(13)で固着する、この
時、電極(4)に付着した溶断屑(10)による突起物
を素子(3)と基板(12)との間隔を規制するスペー
サとして役立たせるようにすることができる。
また本発明は上記粘着シート(2)に代り第5図乃至第
7図に示す粘着シート(14)を用いるようにしてもよ
い。この粘着シート(14)はシート本体(15)上に
ウェーハ分割予定線に沿った格子状の粘着剤(16)を
塗着したもので、この粘着剤(16)にウェーハ(1)
の表面の分割予定線を貼着しく第5図)、ウェーハ(1
)の共通電極(4)からレーザ光(9)を照射する(第
6図)。このようにするとレーザ光(9)が粘着剤(1
6)を溶断して粘着剤(16)の粘着性を弱め、シート
本体(15)の溶けたものが素子(3)の仮固着に寄与
する。従って、分割された素子(3)からの粘着テープ
(14)の剥離作業が容易になる。
血肌夏班果 本発明によればレーザスクライブ方式によるウェーハ分
割工程の工数低減化が図れて、レーザスクライブ方式の
ウェーハ分割の実用性が− 段と増して、歩留まりの良
い且つ生産性に優れたウェーハ分割方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図と第5図乃至第7図は本発明の方法の
二側を説明するための半導体ウェーハと粘着テープの各
工程での部分断面図である、第8図乃至第10図は従来
の半導体ウェーハ分割方法を説明するための半導体ウェ
ーハと粘着テープの部分断面図である。 (1) −・半導体ウェーハ、(2)・−粘着テープ、
(3) −半導体素子、(4) −共通電極、(9) 
−レーザ光、(14) −・粘着テープ。 特 許 出 願 人  関西日本電気株式会社代   
 理    人  江  原  省  吾第1図 第2図 第8図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の半導体素子を形成し、片面に半導体素子の
    共通電極を設けた半導体ウェーハをその共通電極と反対
    の片面でもって粘着シートに貼着し、この半導体ウェー
    ハを共通電極面よりレーザ光にてスクライビングして個
    々の半導体素子に分割することを特徴とする半導体ウェ
    ーハ分割方法。
JP60064708A 1985-03-28 1985-03-28 半導体ウエ−ハ分割方法 Pending JPS61222703A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60064708A JPS61222703A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 半導体ウエ−ハ分割方法

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JP60064708A JPS61222703A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 半導体ウエ−ハ分割方法

Publications (1)

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JPS61222703A true JPS61222703A (ja) 1986-10-03

Family

ID=13265917

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60064708A Pending JPS61222703A (ja) 1985-03-28 1985-03-28 半導体ウエ−ハ分割方法

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JP (1) JPS61222703A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006035277A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Nitto Denko Corp レーザー加工品の製造方法、及びレーザー加工用粘着シート
JP2008187148A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法およびマーキング装置
JP2014003115A (ja) * 2012-06-18 2014-01-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006035277A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Nitto Denko Corp レーザー加工品の製造方法、及びレーザー加工用粘着シート
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