JPS61218557A - フェノキシカルボン酸誘導体の製造法 - Google Patents
フェノキシカルボン酸誘導体の製造法Info
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- JPS61218557A JPS61218557A JP6015285A JP6015285A JPS61218557A JP S61218557 A JPS61218557 A JP S61218557A JP 6015285 A JP6015285 A JP 6015285A JP 6015285 A JP6015285 A JP 6015285A JP S61218557 A JPS61218557 A JP S61218557A
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- formula
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野ン
本発明はフェノキシカルメン酸誘導体の製造法に１“、
ワし、さらに詳しくは、一般式（Ｉ）で示されるレゾル
シン誘導体を原料として簡単な操作で効率良く一般式（
７）で示されるフェノキシカル？ン酸誘導体ヲ製造する
方法に関する。
ワし、さらに詳しくは、一般式（Ｉ）で示されるレゾル
シン誘導体を原料として簡単な操作で効率良く一般式（
７）で示されるフェノキシカル？ン酸誘導体ヲ製造する
方法に関する。
（従来の技術）
一般式（至）で示されるフェノキシカルノン酸銹導体は
抗消化性潰瘍剤として有用なカルコン誘導体及びジヒド
ロカルコン誘導体の製造に極めて有用な化合物である。
抗消化性潰瘍剤として有用なカルコン誘導体及びジヒド
ロカルコン誘導体の製造に極めて有用な化合物である。
かかる化合物は、従来、前記一般式（Ｉ）で示されるよ
うなレゾルシン誘導体に臭化プレニル、塩化プレニル、
臭化ポリプレニル、臭化ポリプレニルなどのごときプレ
ニル化合物を反応させて前記一般式（財）で表わされる
フェノキシ誘導体を合成した後、これを反応混合物から
単離し、次いでこれとブロム酢酸、クロル酢酸などのご
ときモノノ為ロダノカル？ン酸化合物と七灰石させるこ
とによって合成できることが知られている（例えば特開
昭５８−８８３４０号、同５８−１０５９３５号など〕
。
うなレゾルシン誘導体に臭化プレニル、塩化プレニル、
臭化ポリプレニル、臭化ポリプレニルなどのごときプレ
ニル化合物を反応させて前記一般式（財）で表わされる
フェノキシ誘導体を合成した後、これを反応混合物から
単離し、次いでこれとブロム酢酸、クロル酢酸などのご
ときモノノ為ロダノカル？ン酸化合物と七灰石させるこ
とによって合成できることが知られている（例えば特開
昭５８−８８３４０号、同５８−１０５９３５号など〕
。
とくに臭化プレニル化合物及び臭化カル？ン醒化合物を
用いる場合に高い収率を与えることが知られているが、
その収率は未だ満足しうるものではなく、しかも従来法
ではフェノキシ誘導体面の単離操作が必要なため操作が
煩雑化するように、その過程で化合物の損失が多く、そ
の結果として収率をさらに低下するという問題があった
。
用いる場合に高い収率を与えることが知られているが、
その収率は未だ満足しうるものではなく、しかも従来法
ではフェノキシ誘導体面の単離操作が必要なため操作が
煩雑化するように、その過程で化合物の損失が多く、そ
の結果として収率をさらに低下するという問題があった
。
（発明が解決しようとする問題点ン
そこで本発明者らは、かかる実情を鑑み、よシ効果的な
合成法について鋭意研究を行なった結果、フェノキシ誘
導体の製造に際して特定な溶媒と塩基を組み合せて使用
することによシきわめて高収率で目的物を得ることがで
き、その結果としてフェノキシ誘導体を単離することな
しに次の反応に供することができることを見い出し、本
発明を完成するに到った。
合成法について鋭意研究を行なった結果、フェノキシ誘
導体の製造に際して特定な溶媒と塩基を組み合せて使用
することによシきわめて高収率で目的物を得ることがで
き、その結果としてフェノキシ誘導体を単離することな
しに次の反応に供することができることを見い出し、本
発明を完成するに到った。
（問題点を解決するための手段）
かくして本発明によれば、下記一般式（Ｉ）で示される
レゾルシン誘導体と下記一般式（ｆｆ）で示されるプレ
ニル化合物をＮ−置換低級脂肪酸アミド系溶媒中で弱塩
基の存在下とて下記一般式印で示されるフェノキシ誘導
体を↓造（過程Ａ）した後、反応液に下記一般式（財）
で示されるモノハロダノカル？ン酸誘導体を加えて塩基
の存在下に前記フェノキシ誘導体とを反応させる（過程
Ｂ）ことを特徴とする下記一般式間で示されるフェノキ
シカルボン酸誘導体の製造法が提供される。
レゾルシン誘導体と下記一般式（ｆｆ）で示されるプレ
ニル化合物をＮ−置換低級脂肪酸アミド系溶媒中で弱塩
基の存在下とて下記一般式印で示されるフェノキシ誘導
体を↓造（過程Ａ）した後、反応液に下記一般式（財）
で示されるモノハロダノカル？ン酸誘導体を加えて塩基
の存在下に前記フェノキシ誘導体とを反応させる（過程
Ｂ）ことを特徴とする下記一般式間で示されるフェノキ
シカルボン酸誘導体の製造法が提供される。
Ｃ２＋ＣＨ２−）ｌＣＯＯＲ２・・・■（式中Ｒ１はア
ルキル基、Ｘはハロゲン、ｎは０または１〜１９の整数
、Ｒ２は水素原子またはアルキル基、ｍは１〜５の整数
を表わす。）本発明においては、まず過程Ａにおいて前
記レゾルシン誘導体と前記プレニル化合物とから前記フ
ェノキシ誘導体が製造される。反応に用いられるレゾル
シン誘導体は、前記一般式（Ｉ）中のＲ４がメチル基、
エチル基、プロピルなどのごとき低級アルキル基で示さ
れるものであシ、とくにメチル基で表わされる化合物（
すなわち２．４−ジヒドロキシアセトフエノンンが賞月
される。
ルキル基、Ｘはハロゲン、ｎは０または１〜１９の整数
、Ｒ２は水素原子またはアルキル基、ｍは１〜５の整数
を表わす。）本発明においては、まず過程Ａにおいて前
記レゾルシン誘導体と前記プレニル化合物とから前記フ
ェノキシ誘導体が製造される。反応に用いられるレゾル
シン誘導体は、前記一般式（Ｉ）中のＲ４がメチル基、
エチル基、プロピルなどのごとき低級アルキル基で示さ
れるものであシ、とくにメチル基で表わされる化合物（
すなわち２．４−ジヒドロキシアセトフエノンンが賞月
される。
また前記一般式（Ｉｆ）で表わされるプレニル化合物の
具体例としては、塩化プレニル、塩化ゲラニル、塩化ネ
リル、塩化ファルネシル、塩化ダラニルグラニル、塩化
ソラネシル、塩化デカブレニル及びこれらに対応する臭
化物、沃化物などが例示される。一般に臭化物に比較し
て塩化物の反応性は低いとされているが、本発明におい
ては塩化物であってもきわめて高い反応性を示すので、
経済性の面で塩化物がもっとも賞月される。
具体例としては、塩化プレニル、塩化ゲラニル、塩化ネ
リル、塩化ファルネシル、塩化ダラニルグラニル、塩化
ソラネシル、塩化デカブレニル及びこれらに対応する臭
化物、沃化物などが例示される。一般に臭化物に比較し
て塩化物の反応性は低いとされているが、本発明におい
ては塩化物であってもきわめて高い反応性を示すので、
経済性の面で塩化物がもっとも賞月される。
本発明に於いては、過程ＡＫおける反応溶媒としてＮ−
置換低級脂肪酸アミドが選択的に使用される。その具体
例として、例えばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、 Ｎ
、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミド等が挙げられる。溶媒の使用量は、通常レゾルシ
ン誘導体の０．５〜２０重量倍、好ましくは１〜１０重
量倍である。
置換低級脂肪酸アミドが選択的に使用される。その具体
例として、例えばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、 Ｎ
、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミド等が挙げられる。溶媒の使用量は、通常レゾルシ
ン誘導体の０．５〜２０重量倍、好ましくは１〜１０重
量倍である。
また過程Ａにおける塩基としては、アルカリ金属または
アルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素塩が選択的に使用
される。その具体例として、例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素
す）ＩＪウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素カルシウム
等が挙げられるが、反応速度、反応成績の点でアルカリ
金属塩、とくにカリウム塩が好適である。
アルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素塩が選択的に使用
される。その具体例として、例えば炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、炭酸水素
す）ＩＪウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素カルシウム
等が挙げられるが、反応速度、反応成績の点でアルカリ
金属塩、とくにカリウム塩が好適である。
塩基の使用量は、レゾルシン誘導体１モルに対して、通
常、５モル以下、好ましくは０．５〜３モルであシ、過
剰の塩基の使用は副成物を増加させ収率を低下させるこ
とがある。
常、５モル以下、好ましくは０．５〜３モルであシ、過
剰の塩基の使用は副成物を増加させ収率を低下させるこ
とがある。
本発明においては、Ｎ−置換低級脂肪酸アミド系溶媒と
弱塩基を組合せて用いることが主要な要件であり、アセ
トン、テトラシトロフラン、アセトニトリル、Ｎ−メチ
ルピロリドンなどのごとき溶媒を用いたり、または水酸
化す） ＩＪウム、水酸化カリウムなどのごとき強塩基
を用いる場合には本発明の効果を奏することができない
。
弱塩基を組合せて用いることが主要な要件であり、アセ
トン、テトラシトロフラン、アセトニトリル、Ｎ−メチ
ルピロリドンなどのごとき溶媒を用いたり、または水酸
化す） ＩＪウム、水酸化カリウムなどのごとき強塩基
を用いる場合には本発明の効果を奏することができない
。
過程Ａで使用されるプレニル化合物の量は、レゾルシン
誘導体１モルに対して、通常、３モル以下、好ましくは
１〜１．５モルであシ、過剰に使用すると副生成物を増
加させ収率を低下させることがある。
誘導体１モルに対して、通常、３モル以下、好ましくは
１〜１．５モルであシ、過剰に使用すると副生成物を増
加させ収率を低下させることがある。
過ＮＡの反応温度は適宜選択しつるが１通常、０〜１５
０℃、好ましくは室温〜１２０℃の範囲である。反応は
速やかに進行し、通常、数時間以内に高収率で一般式（
至）で示されるフェノキシ誘導体を得ることができる。
０℃、好ましくは室温〜１２０℃の範囲である。反応は
速やかに進行し、通常、数時間以内に高収率で一般式（
至）で示されるフェノキシ誘導体を得ることができる。
本発明においては、過程Ａの反応終了後、反応液に前記
一般式（財）で表わされるモノへログノカル＋Ｉ？ン酸
誘導体を添加し、反応液中の７工ノキシ誘導体と反応さ
せることによって目的とする前記一般式（７）のフェノ
キシカル？ン酸誘導体が合成される（過程Ｂ）。
一般式（財）で表わされるモノへログノカル＋Ｉ？ン酸
誘導体を添加し、反応液中の７工ノキシ誘導体と反応さ
せることによって目的とする前記一般式（７）のフェノ
キシカル？ン酸誘導体が合成される（過程Ｂ）。
過１ａｈに於いて理論的に十分な量の塩基を添加した場
合、過程Ｂに於りて必ずしも塩基を添加する必要はない
が、過程人ではそこでの反応に必要な量だけを添加し、
過程Ｂでは新たに添加する方が収率の点で有利である。
合、過程Ｂに於りて必ずしも塩基を添加する必要はない
が、過程人ではそこでの反応に必要な量だけを添加し、
過程Ｂでは新たに添加する方が収率の点で有利である。
過程Ｂに於いて使用される塩基としては、過程Ａで使用
されるものの他に、アルカリ金属、アルカリ土類金属の
水酸化物、水素化物及びアルコラードが挙げられる。こ
れらを具体的に例示するならば、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム
、水素化ナトリウム、水素化カルシウム、ナトリウムメ
チラート、ナトリウムエチラート、カリウムメチラート
、カリウムエチラート等である。しかし、過程Ａと同じ
塩基を用いる方が操作の面で簡単である。
されるものの他に、アルカリ金属、アルカリ土類金属の
水酸化物、水素化物及びアルコラードが挙げられる。こ
れらを具体的に例示するならば、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム
、水素化ナトリウム、水素化カルシウム、ナトリウムメ
チラート、ナトリウムエチラート、カリウムメチラート
、カリウムエチラート等である。しかし、過程Ａと同じ
塩基を用いる方が操作の面で簡単である。
過、ＩＩＢで使用される塩基の量は、過程Ａで生成した
フェノキシ誘導体１モルに対して、通常、５モ、ル以下
、好ましくは１〜３モルである。また使用されるモノハ
ロｒノカル？ン酸誘導体の量は、過程Ａで生成したフェ
ノキシ誘導体１モルに対して、通常、３モル以下、好ま
しくは１〜１．５モルの範囲である。
フェノキシ誘導体１モルに対して、通常、５モ、ル以下
、好ましくは１〜３モルである。また使用されるモノハ
ロｒノカル？ン酸誘導体の量は、過程Ａで生成したフェ
ノキシ誘導体１モルに対して、通常、３モル以下、好ま
しくは１〜１．５モルの範囲である。
過程Ｂの反応温度は、通常、０〜１５０℃の範囲である
が、反応速度及び副灰石抑制の観点から４０℃〜９５℃
の範囲で行なうのが好ましい。反応は速やかに進行し、
通常、数時間以内に高収率で目的とするフーノキシカル
ポン酸誘導体を得ることができる。
が、反応速度及び副灰石抑制の観点から４０℃〜９５℃
の範囲で行なうのが好ましい。反応は速やかに進行し、
通常、数時間以内に高収率で目的とするフーノキシカル
ポン酸誘導体を得ることができる。
（発明の効果）
かくして本発明によれば、反応に用いる溶媒と塩基を選
択することによシ過程Ａ、過程Ｂの双方で高収率で目的
物を得ることを可能とし、また過程Ａの反応後における
生成物の単離工程全省略化ならしめることによって、従
来法に比して極めて簡単な操作で効率良くフェノキシカ
ルゼン酸誘導体を得ることができる。
択することによシ過程Ａ、過程Ｂの双方で高収率で目的
物を得ることを可能とし、また過程Ａの反応後における
生成物の単離工程全省略化ならしめることによって、従
来法に比して極めて簡単な操作で効率良くフェノキシカ
ルゼン酸誘導体を得ることができる。
（実施例）
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例及び比較例中の部及び％はとくに断りの
ないかぎシ重量基準である。
。なお、実施例及び比較例中の部及び％はとくに断りの
ないかぎシ重量基準である。
実施例１
攪拌器を備えた反応器に２．４−ジヒドロキシアセトフ
ェノン１００部、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド５０
０部および無水炭酸カリウム９０．８部を入れ８０℃に
加熱した。同温度で３０分加熱攪拌後、塩化プレニル８
２．５部１１時間かけて添加した後、１．５時間８０℃
〜８５１℃で加熱攪拌した。
ェノン１００部、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド５０
０部および無水炭酸カリウム９０．８部を入れ８０℃に
加熱した。同温度で３０分加熱攪拌後、塩化プレニル８
２．５部１１時間かけて添加した後、１．５時間８０℃
〜８５１℃で加熱攪拌した。
反応液をガスクロマトグラフィーで分析した結果。
２．４−ジヒドロキシアセトフェノンの転化率は９８１
２−ヒドロキシ−４−プレノキシアセトフェノンの収率
は、仕込みの２，４−ジヒドロキシアセトフェノン基準
で８８幅（モル数基準）であった。次に無水炭酸カリウ
ム９０．８部を反応液に添加し、３０分間８０〜８５℃
で加熱攪拌後、クロロ酢酸メチル７５．３部Ｑ３０分か
けて添加した後、２時間同温度で反応させた。反応後、
反応液をガスクロマトグラフィーで分析した結果、２−
ヒドロキシ−４−プレノキシアセトフェノンの転化率は
９７％、２−メトキシカル−ニルメトキシ−４−プレノ
キシアセトフェノンの収率は、２−ヒドロキシ−４−プ
レノキシアセトフェノン基準で８９１（モル数基準）、
２．４−ジヒドロキシアセトフェノン基準で７８係（モ
ル数基準）であった。
２−ヒドロキシ−４−プレノキシアセトフェノンの収率
は、仕込みの２，４−ジヒドロキシアセトフェノン基準
で８８幅（モル数基準）であった。次に無水炭酸カリウ
ム９０．８部を反応液に添加し、３０分間８０〜８５℃
で加熱攪拌後、クロロ酢酸メチル７５．３部Ｑ３０分か
けて添加した後、２時間同温度で反応させた。反応後、
反応液をガスクロマトグラフィーで分析した結果、２−
ヒドロキシ−４−プレノキシアセトフェノンの転化率は
９７％、２−メトキシカル−ニルメトキシ−４−プレノ
キシアセトフェノンの収率は、２−ヒドロキシ−４−プ
レノキシアセトフェノン基準で８９１（モル数基準）、
２．４−ジヒドロキシアセトフェノン基準で７８係（モ
ル数基準）であった。
比較例１
（Ｉ） ２−ヒドロキシ−４−７’レノキシアセトフエ
ノンの合成 攪拌器を備えた反応器に２，４−ジヒドロキシアセトフ
ェノン１００部、アセトン５００部および無水炭酸カリ
ウム９０．８部を入れ加熱し、還流下に３０分攪拌した
。この後、塩化プレニル８２．５部を１時間かけて添加
した後、１．５時間還流下とた。反応後、反応液をガス
クロマトグラフィーで分析した結果、２−ヒドロキシ−
４−プレノキシアセトフェノンの収率は、２．４−ジヒ
ドロキシアセトフェノン基準で１８係（モル数基準）で
あった。
ノンの合成 攪拌器を備えた反応器に２，４−ジヒドロキシアセトフ
ェノン１００部、アセトン５００部および無水炭酸カリ
ウム９０．８部を入れ加熱し、還流下に３０分攪拌した
。この後、塩化プレニル８２．５部を１時間かけて添加
した後、１．５時間還流下とた。反応後、反応液をガス
クロマトグラフィーで分析した結果、２−ヒドロキシ−
４−プレノキシアセトフェノンの収率は、２．４−ジヒ
ドロキシアセトフェノン基準で１８係（モル数基準）で
あった。
（２） ２−メトキシカル−ニルメトキシ−４−プレノ
キシアセトフェノンの合成 攪拌器を備えた反応器に２−ヒドロキシ−４プレノキシ
アセトフ工ノン１００部、アセトン５００部および無水
炭酸カリウム８０，０部を入れ加熱し、還流下ＶＣ３０
分攪拌した。この後、モノクロル酢酸メチル５９．１部
を３０分かけて添加した後、還流下に２時間灰石させた
。反応後、反応液をガスクロマトグラフィーで分析した
結果、２−メトキシカルゲニルメトキシー４−プレノキ
シアセトフェノンの収率は、２−ヒドロキシ−４−プレ
ノキシアセトフェノン基準で４係（モル数基準）であっ
た０ 比較例２ （Ｉ）２−ヒドロキシ−４−７’レノキシアセトフエノ
ンの合成 塩化プレニルの代わりに臭化プレニル１１８部を用いる
こと以外は比較例１の（Ｉ）と同様とた、その結果、２
−ヒドロキシ−４−プレノキシアセトフェノンの収率は
、２，４−ジヒドロキシアセトフェノン基準で６８係（
モル数基準）であったＯったＯ 反応終了後、無機物’ｋＦ別し、ケーキをアセトンにて
洗浄を行ない、Ｆ液と合併した後、アセトンを減圧下に
留去した。残渣をエタノール−水素゛よシ再結晶し、融
点４３−４４℃を持つ淡黄色の２−ヒドロキシ−４−プ
レノキシアセトフェノン８６．７Ｗｔ−ｉた。２，４−
ジヒドロキシアセトフェノン基準の収率は６０％（モル
数基準）であった。
キシアセトフェノンの合成 攪拌器を備えた反応器に２−ヒドロキシ−４プレノキシ
アセトフ工ノン１００部、アセトン５００部および無水
炭酸カリウム８０，０部を入れ加熱し、還流下ＶＣ３０
分攪拌した。この後、モノクロル酢酸メチル５９．１部
を３０分かけて添加した後、還流下に２時間灰石させた
。反応後、反応液をガスクロマトグラフィーで分析した
結果、２−メトキシカルゲニルメトキシー４−プレノキ
シアセトフェノンの収率は、２−ヒドロキシ−４−プレ
ノキシアセトフェノン基準で４係（モル数基準）であっ
た０ 比較例２ （Ｉ）２−ヒドロキシ−４−７’レノキシアセトフエノ
ンの合成 塩化プレニルの代わりに臭化プレニル１１８部を用いる
こと以外は比較例１の（Ｉ）と同様とた、その結果、２
−ヒドロキシ−４−プレノキシアセトフェノンの収率は
、２，４−ジヒドロキシアセトフェノン基準で６８係（
モル数基準）であったＯったＯ 反応終了後、無機物’ｋＦ別し、ケーキをアセトンにて
洗浄を行ない、Ｆ液と合併した後、アセトンを減圧下に
留去した。残渣をエタノール−水素゛よシ再結晶し、融
点４３−４４℃を持つ淡黄色の２−ヒドロキシ−４−プ
レノキシアセトフェノン８６．７Ｗｔ−ｉた。２，４−
ジヒドロキシアセトフェノン基準の収率は６０％（モル
数基準）であった。
（２） ２−メトキシカル−ニルメトキシ−４−プレノ
キシアセトフェノンの合成 攪拌器を備えた反応器に（Ｉ）で得られた２−ヒドロキ
シ−４−プレノキシアセトフェノン８６．７ 部、アセ
トン５００部、無水炭酸カリウム６５．３部を入れ３０
分加熱還流した。この後、モツプロム酢酸メチル７０．
４部を３０分で添加した後、還流下に２時間反゛応させ
た。反応後、反応液金ガスクロマトグラフィーで分析し
た結果、２−メトキシカルノニルメトキシ−４−プレノ
キシアセトフェノンの収率は、２−ヒドロキシ−４−プ
レノキシアセトフェノン基準で２０４（モル数基準）
、（Ｉ）の２．４−ジヒドロキシアセトフェノンの仕込
み基準で１３．６４（モル数基準）であった。
キシアセトフェノンの合成 攪拌器を備えた反応器に（Ｉ）で得られた２−ヒドロキ
シ−４−プレノキシアセトフェノン８６．７ 部、アセ
トン５００部、無水炭酸カリウム６５．３部を入れ３０
分加熱還流した。この後、モツプロム酢酸メチル７０．
４部を３０分で添加した後、還流下に２時間反゛応させ
た。反応後、反応液金ガスクロマトグラフィーで分析し
た結果、２−メトキシカルノニルメトキシ−４−プレノ
キシアセトフェノンの収率は、２−ヒドロキシ−４−プ
レノキシアセトフェノン基準で２０４（モル数基準）
、（Ｉ）の２．４−ジヒドロキシアセトフェノンの仕込
み基準で１３．６４（モル数基準）であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（Ｉ）で示されるレゾルシン誘導体と下
記一般式（ｎ）で示されるプレニル化合物をＮ−置換低
級脂肪酸アミド系溶媒中で弱塩基の存在下に反応させ下
記一般式（III）で示されるフェノキシ誘導体を製造し
たのち、反応液に下記一般式（IV）で示されるモノハロ
ゲノカルボン酸化合物を加えて塩基の存在下に前記フェ
ノキシ誘導体と反応せしめることを特徴とする下記一般
式（Ｖ）で示されるフェノキシカルボン酸誘導体の製造
法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） Ｘ−（ＣＨ＿２）−＿ｍＣＯＯＲ＿２（IV）▲数式、化
学式、表等があります▼（Ｖ） （式中、Ｒ＿１はアルキル基、Ｘはハロゲン、ｎは０ま
たは１〜１９の整数、Ｒ＿２は水素原子またはアルキル
基、ｍは１〜５の整数を表わす）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6015285A JPS61218557A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | フェノキシカルボン酸誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6015285A JPS61218557A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | フェノキシカルボン酸誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61218557A true JPS61218557A (ja) | 1986-09-29 |
| JPH0425939B2 JPH0425939B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=13133892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6015285A Granted JPS61218557A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | フェノキシカルボン酸誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61218557A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5888340A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | フエノキシカルボン酸誘導体の製造方法 |
| JPS5888337A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | イソプレニルエ−テル誘導体の製造方法 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP6015285A patent/JPS61218557A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5888340A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | フエノキシカルボン酸誘導体の製造方法 |
| JPS5888337A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | イソプレニルエ−テル誘導体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425939B2 (ja) | 1992-05-06 |
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