JPS6212772B2 - - Google Patents
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- JPS6212772B2 JPS6212772B2 JP58073590A JP7359083A JPS6212772B2 JP S6212772 B2 JPS6212772 B2 JP S6212772B2 JP 58073590 A JP58073590 A JP 58073590A JP 7359083 A JP7359083 A JP 7359083A JP S6212772 B2 JPS6212772 B2 JP S6212772B2
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Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Epoxy Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な4−ヒドロキシ−4′−ビニルビ
フエニル誘導体及びその製造方法に関する。
フエニル誘導体及びその製造方法に関する。
本発明の4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニ
ル誘導体は、文献未載の新規化合物であつて、下
記一般式〔〕で表わされる。
ル誘導体は、文献未載の新規化合物であつて、下
記一般式〔〕で表わされる。
〔式中Rはアリル基を示す。〕
上記一般式〔〕で表わされる4−ヒドロキシ
−4′−ビニルビフエニル誘導体は、以下の有用性
を有している。
−4′−ビニルビフエニル誘導体は、以下の有用性
を有している。
上記一般式〔〕で表わされる4−ヒドロキシ
−4′−ビニルビフエニル誘導体(以下「O−アリ
ル誘導体」という)は、それ自体液晶材料として
有用であると共に、アリル基の反応性を利用して
医薬、農薬を始め種々の有機材料の中間体として
有用である。例えばクライゼン転位により酸化防
止剤、特にゴムの老化防止剤として使用できる。
また耐熱性ポリマー、光硬化性樹脂等の製造原料
として有用であるし、機能性高分子原料として電
子工業、印写材料にも活用できる。さらにビニル
重合性モノマーとの共重合も可能であり、耐熱性
や光硬化性を有する塗料、接着剤を始めとして広
範な用途への合成樹脂原料になり得る。
−4′−ビニルビフエニル誘導体(以下「O−アリ
ル誘導体」という)は、それ自体液晶材料として
有用であると共に、アリル基の反応性を利用して
医薬、農薬を始め種々の有機材料の中間体として
有用である。例えばクライゼン転位により酸化防
止剤、特にゴムの老化防止剤として使用できる。
また耐熱性ポリマー、光硬化性樹脂等の製造原料
として有用であるし、機能性高分子原料として電
子工業、印写材料にも活用できる。さらにビニル
重合性モノマーとの共重合も可能であり、耐熱性
や光硬化性を有する塗料、接着剤を始めとして広
範な用途への合成樹脂原料になり得る。
本発明の化合物に類似の化合物としては、例え
ばp−ビニルフエノール類が知られているが、p
−ビニルフエノールは安定性に乏しく、ビニル基
の脱離、異性化が起こりやすく、モノマーとして
単離精製することも困難である。それに対し本発
明の4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニル誘導
体は常温では極めて安定であり、単離精製するこ
とも容易であるなど、その性状において顕著な差
異を有している。電子工業分野などで使用される
高分子材料は極めて高い純度のものが要求される
傾向にあり、モノマー段階での単離精製が可能な
ことは重要な特性の一つであると云える。
ばp−ビニルフエノール類が知られているが、p
−ビニルフエノールは安定性に乏しく、ビニル基
の脱離、異性化が起こりやすく、モノマーとして
単離精製することも困難である。それに対し本発
明の4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニル誘導
体は常温では極めて安定であり、単離精製するこ
とも容易であるなど、その性状において顕著な差
異を有している。電子工業分野などで使用される
高分子材料は極めて高い純度のものが要求される
傾向にあり、モノマー段階での単離精製が可能な
ことは重要な特性の一つであると云える。
本発明の4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニ
ル誘導体は、種々の方法により製造されるが、そ
の好ましい一例を挙げれば4−ヒドロキシ−4′−
ビニルビフエニルにハロゲン化アリルを反応させ
ることにより製造される。
ル誘導体は、種々の方法により製造されるが、そ
の好ましい一例を挙げれば4−ヒドロキシ−4′−
ビニルビフエニルにハロゲン化アリルを反応させ
ることにより製造される。
出発原料として用いられる4−ヒドロキシ−
4′−ビニルビフエニルは、本発明者が始めて見い
出した新規化合物であり、該化合物はすでに工業
的に生産されているp−フエニルフエノールを出
発原料として合成される。すなわち、酸触媒の存
在下常温で、p−フエニルフエノールを無水酢酸
で4−アセトキシビフエニルにし、次いでフリー
ス転位により4−ヒドロキシ−4′−アセチルビフ
エニルにする。さらにこのものをメタノール溶媒
中水素化ホウ素ナトリウムを用いて還元し、4−
ヒドロキシ−4′−(エチル−2−オール)ビフエ
ニルを得る。このものをジメチルスルホキシド溶
媒中で塩化亜鉛、トリクロロ酢酸存在下180℃で
脱水反応させると高収率で4−ヒドロキシ−4′−
ビニルビフエニルが得られる(後記参考例参
照)。
4′−ビニルビフエニルは、本発明者が始めて見い
出した新規化合物であり、該化合物はすでに工業
的に生産されているp−フエニルフエノールを出
発原料として合成される。すなわち、酸触媒の存
在下常温で、p−フエニルフエノールを無水酢酸
で4−アセトキシビフエニルにし、次いでフリー
ス転位により4−ヒドロキシ−4′−アセチルビフ
エニルにする。さらにこのものをメタノール溶媒
中水素化ホウ素ナトリウムを用いて還元し、4−
ヒドロキシ−4′−(エチル−2−オール)ビフエ
ニルを得る。このものをジメチルスルホキシド溶
媒中で塩化亜鉛、トリクロロ酢酸存在下180℃で
脱水反応させると高収率で4−ヒドロキシ−4′−
ビニルビフエニルが得られる(後記参考例参
照)。
O−アリル誘導体は、例えば4−ヒドロキシ−
4′−ビニルビフエニルのナトリウム又はカリウム
塩にハロゲン化アリルを反応させることにより製
造される。ハロゲン化アリルとしては例えば塩化
アリル、臭化アリル等を挙げることができるが、
塩化アリルを使用するのが好適である。ハロゲン
化アリルの使用量としては特に制限されず広い範
囲内で適宜選択することができるが、通常原料で
ある4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニルのナ
トリウム又はカリウム塩に対して等モル〜3倍モ
ル、好ましくは1.5〜2.5倍モル使用するのがよ
い。該反応は一般に溶媒中にて行なわれ、斯かる
溶媒としては例えばエーテル、テトラヒドロフラ
ン、アセトン、ジメチルスルホキシド等を挙げる
ことができる。該反応は冷却下、室温下及び加温
下のいずれでも進行するが、通常0〜100℃、好
ましくは30〜70℃にて反応を行なうのがよい。該
反応は一般に2〜5時間程度で終了する。
4′−ビニルビフエニルのナトリウム又はカリウム
塩にハロゲン化アリルを反応させることにより製
造される。ハロゲン化アリルとしては例えば塩化
アリル、臭化アリル等を挙げることができるが、
塩化アリルを使用するのが好適である。ハロゲン
化アリルの使用量としては特に制限されず広い範
囲内で適宜選択することができるが、通常原料で
ある4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニルのナ
トリウム又はカリウム塩に対して等モル〜3倍モ
ル、好ましくは1.5〜2.5倍モル使用するのがよ
い。該反応は一般に溶媒中にて行なわれ、斯かる
溶媒としては例えばエーテル、テトラヒドロフラ
ン、アセトン、ジメチルスルホキシド等を挙げる
ことができる。該反応は冷却下、室温下及び加温
下のいずれでも進行するが、通常0〜100℃、好
ましくは30〜70℃にて反応を行なうのがよい。該
反応は一般に2〜5時間程度で終了する。
上記方法により得られる本発明の化合物は、慣
用の分離手段、例えば再結晶、液体クロマトグラ
フイー等により反応混合物から容易に単離精製さ
れる。
用の分離手段、例えば再結晶、液体クロマトグラ
フイー等により反応混合物から容易に単離精製さ
れる。
以下に参考例及び実施例を挙げる。
参考例
塩化アルミニウム20gと食塩4gとの混合物を
塩化カルシウム管を備えたフラスコに入れ180℃
に加熱すると融解して均一な液状になる。これを
140℃まで冷却し、4−アセトキシビフエニル
(融点81〜82℃)10gを加え攪拌下に再び180℃ま
で加熱し3分間保持する。反応混合物を室温まで
冷却したのち、塩酸を含む氷水中に投入し、塩化
メチレン60mlを加えてかきまぜる。塩化メチレン
層を分離し、水洗、乾燥後、ヘキサンを少量ずつ
加えて黄褐色の油状物を分離する。残りの溶液を
濃縮し、得られた固形物をアセトン−ヘキサン混
合溶媒から再結晶すると融点207.5〜208.5℃の4
−ヒドロキシ−4′−アセチルビフエニルが得られ
る。
塩化カルシウム管を備えたフラスコに入れ180℃
に加熱すると融解して均一な液状になる。これを
140℃まで冷却し、4−アセトキシビフエニル
(融点81〜82℃)10gを加え攪拌下に再び180℃ま
で加熱し3分間保持する。反応混合物を室温まで
冷却したのち、塩酸を含む氷水中に投入し、塩化
メチレン60mlを加えてかきまぜる。塩化メチレン
層を分離し、水洗、乾燥後、ヘキサンを少量ずつ
加えて黄褐色の油状物を分離する。残りの溶液を
濃縮し、得られた固形物をアセトン−ヘキサン混
合溶媒から再結晶すると融点207.5〜208.5℃の4
−ヒドロキシ−4′−アセチルビフエニルが得られ
る。
次いで、4−ヒドロキシ−4′−アセチルビフエ
ニル15gを300mlのテトラヒドロフランに溶解
し、室温で水素化アルミニウムリチウム3gを少
量ずつ加える。反応溶液を濃縮し、残りの溶液を
水中に投入すると黄白色沈澱を生ずる。この沈澱
を酢酸エチルより再結晶し融点145〜146℃の4−
ヒドロキシ−4′−(1−ヒドロキシエチル)ビフ
エニルが得られる。
ニル15gを300mlのテトラヒドロフランに溶解
し、室温で水素化アルミニウムリチウム3gを少
量ずつ加える。反応溶液を濃縮し、残りの溶液を
水中に投入すると黄白色沈澱を生ずる。この沈澱
を酢酸エチルより再結晶し融点145〜146℃の4−
ヒドロキシ−4′−(1−ヒドロキシエチル)ビフ
エニルが得られる。
4−ヒドロキシ−4′−(1−ヒドロキシエチ
ル)ビフエニル50gをジメチルスルホキシド150
mlに溶解し、塩化亜鉛10gを加えて180℃まで加
熱する。攪拌下にトリクロロ酢酸10gを加え3分
間180℃で反応させる。反応溶液を水中に投じて
析出する固形物をアセトン−ヘキサン混合溶媒か
ら再結晶すると、融点190〜191.5℃の4−ヒドロ
キシ−4′−ビニルビフエニルが得られる。
ル)ビフエニル50gをジメチルスルホキシド150
mlに溶解し、塩化亜鉛10gを加えて180℃まで加
熱する。攪拌下にトリクロロ酢酸10gを加え3分
間180℃で反応させる。反応溶液を水中に投じて
析出する固形物をアセトン−ヘキサン混合溶媒か
ら再結晶すると、融点190〜191.5℃の4−ヒドロ
キシ−4′−ビニルビフエニルが得られる。
実施例 1
O−アリル誘導体の合成
4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニル40gを
500mlのテトラヒドロフランに溶解し、10gの水
酸化ナトリウムを水溶液にして加えた。この溶液
60℃に加熱し、攪拌しながら塩化アリル31gを約
1時間で滴下した。その後2時間60℃に保ち、反
応終了後溶媒を濃縮し、氷水中に注ぎ白色結晶物
を得た。メタノール−アセトン混合溶媒から再結
晶を繰返し、融点151〜153℃の4−(4′−ビニ
ル)ビフエニルアリルエーテルを得た。収量は50
gであつた。この生成物についての元素分析、赤
外線吸収スペクトル及び核磁気共鳴スペクトルの
測定結果は次のとおりである。
500mlのテトラヒドロフランに溶解し、10gの水
酸化ナトリウムを水溶液にして加えた。この溶液
60℃に加熱し、攪拌しながら塩化アリル31gを約
1時間で滴下した。その後2時間60℃に保ち、反
応終了後溶媒を濃縮し、氷水中に注ぎ白色結晶物
を得た。メタノール−アセトン混合溶媒から再結
晶を繰返し、融点151〜153℃の4−(4′−ビニ
ル)ビフエニルアリルエーテルを得た。収量は50
gであつた。この生成物についての元素分析、赤
外線吸収スペクトル及び核磁気共鳴スペクトルの
測定結果は次のとおりである。
1600、1520、1490cm-1(芳香族環)
1640、990、900cm-1(ビニル基)
1250cm-1(芳香族エーテル結合)
820cm-1(パラ置換芳香族)
〔13C核磁気共鳴パラメーター〕(CDCl3溶媒)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中Rはアリル基を示す。〕 で表わされる4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエ
ニル誘導体。 2 4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニルにハ
ロゲン化アリルを反応させて一般式 〔式中Rはアリル基を示す。〕 で表わされる4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエ
ニル誘導体を得ることを特徴とする4−ヒドロキ
シ−4′−ビニルビフエニル誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58073590A JPS59199649A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニル誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58073590A JPS59199649A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニル誘導体及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22673086A Division JPS62187432A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニル誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59199649A JPS59199649A (ja) | 1984-11-12 |
JPS6212772B2 true JPS6212772B2 (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=13522677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58073590A Granted JPS59199649A (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 4−ヒドロキシ−4′−ビニルビフエニル誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59199649A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0122389B1 (de) * | 1983-03-16 | 1987-08-05 | F. HOFFMANN-LA ROCHE & CO. Aktiengesellschaft | Flüssigkristallkomponenten mit einer Alkenylseitenkette |
EP0169327B1 (de) * | 1984-05-25 | 1988-01-13 | F. HOFFMANN-LA ROCHE & CO. Aktiengesellschaft | Phenylisothiocyanate |
EP0167912B1 (de) * | 1984-07-12 | 1990-01-03 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Flüssigkristalline Gemische enthaltend Komponenten mit einer 4-Alkenyl- oder 2Z-Alkenyl-Seitenkette |
EP0168683B1 (de) * | 1984-07-16 | 1990-11-28 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Flüssigkristalle mit Alkenyl- oder Alkenyloxygruppen |
US5238602A (en) * | 1984-07-16 | 1993-08-24 | Hoffmann La Roche Inc. | Liquid crystals |
JPS61127708A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Teiichi Tanigaki | 4−(4′−ビニル)ビフエニル2,3−エポキシプロピルエ−テル重合体およびその製造方法 |
EP0195974B1 (de) * | 1985-03-26 | 1989-11-29 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Alkenylsubstituierte Phenylisothiocyanate und Benzonitrile |
CA1320728C (en) * | 1987-09-07 | 1993-07-27 | Kazuhiko Sakaguchi | Liquid crystalline compounds and process for production thereof |
JP5776554B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2015-09-09 | 日本ゼオン株式会社 | フルオレン化合物、当該フルオレン化合物を含有する合成ポリマーの安定化剤、及び当該フルオレン化合物を含有する組成物 |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP58073590A patent/JPS59199649A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59199649A (ja) | 1984-11-12 |
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