JPS61218535A - スチレン精製方法 - Google Patents

スチレン精製方法

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JPS61218535A
JPS61218535A JP2929585A JP2929585A JPS61218535A JP S61218535 A JPS61218535 A JP S61218535A JP 2929585 A JP2929585 A JP 2929585A JP 2929585 A JP2929585 A JP 2929585A JP S61218535 A JPS61218535 A JP S61218535A
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JP
Japan
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styrene
ethylbenzene
crude
distillation
boiling
Prior art date
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Pending
Application number
JP2929585A
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English (en)
Inventor
Shoichi Terasawa
寺沢 正一
Tadatsugu Yamamoto
忠嗣 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はスチレンの精製方法に関するものである。更に
詳しくはスチレン中に含まれる微量成分を除き純度の高
いスチレンに精製する方法に関する。
(従来の技術) 化学工業原料として重要なスチレンは主としてエチルベ
ンゼンの脱水素反応によって工業的に造られる。こ−の
脱水素反応は、550℃〜650℃の高温で水蒸気の存
在下に、原料を触媒層にとおすことによっておこなわれ
る。  脱水素反応は、反応の平衡からエチルベンゼン
の転化率で60〜70%の条件が選ばれ、未反応のエチ
ルベンゼンは蒸溜塔で分離1回収され再使用される。脱
水素反応工程で副生ずるイソプロピルベンゼン、フェニ
ルアセチレン等の副生物は、蒸溜法によって分離、精製
される。
これらの副生物質の沸点は第1表に示す関係成分の沸点
から明らかなように、フェニルアセチレンは、その沸点
がスチレンの沸点と近接しており、蒸溜による分離が困
難である。 フェニルアセチレンの除去方法として、例
えば特開昭59−21638号公報に記載されているよ
うな選択的水素添加方法が提案されている所以もここに
ある。また、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン点
がスチレンと比較的近接しているため,高度な精製をす
る場合には、蒸溜塔の段数を増したり。
環流比を大きくとるなどのために多量のエネルギーの投
入が必要になる。
一般に、市販のスチレンモノマーはエチルベンゼン10
0〜500ppm、イソプロピルベンゼン50〜300
ppm、フェニルアセチレン50〜200 ppmを含
んでいる。最近になり、スチレン中のこれらの不純物の
少ない高純度スチレンへの要求が高まってきた。
第1表 関係成分の沸点及び融点 成分      沸点(’C)  融点(’C)スチレ
ン        145゜2   −30.69エチ
ルベンゼン     136.19  −94.98イ
ソプロピルベンゼン  152.39  −96.02
フエニルアセチレン   141.7   −44.8
注)化学便覧・基礎編1 (改定第2版、丸善、昭和5
0年6月発行) (問題点を解決するための手段) 本発明者らは、かかる問題点の解決のため、高度に純度
の高いスチレンの製造方法につき鋭意検討したところ、
微量の不純物を含む粗スチレンに晶析法を適用してスチ
レンを分離することにより、高純度のスチレンを低コス
トで製造できることを見出し、本発明を完成した。
本発明でいう粗スチレンは、不純物の濃度について特定
されるものではないが、蒸溜による分離に要するコスト
を低減させ、かっ晶析により分離のコストを増加させな
い程度の不純物濃度を有するものが好ましい。エチルベ
ンゼン濃度が4微量%、好ましくは1微量%の粗スチレ
ンを用いるのが望ましい。粗スチレンは市販のスチレン
であってもよい。前述のような微量の不純物を含む市販
スチレンに本発明の精製方法を適用することにより、高
純度のスチレンモノマーに精製することができる。
本発明の精製方法は、エチルベンゼンの脱水素によりえ
られるスチレンとエチルベンゼンを主成分とする混合物
を一度蒸溜にかけて、4微量%以下ノエチルヘンゼン濃
度を有する粗スチレンに適用するのが有利である。例え
ば、低沸分離塔の下部段の蒸気相からサイドカットして
得られる前記濃度でエチルベンゼンを含むスチレン溜分
を晶析工程につなぎ粗スチレンを冷却してスチレンを晶
析させれば、蒸溜用エネルギー費の大幅に低減した書 プロセスで高純度のスチレンを一挙に製造することがで
きる。
晶析温度としては−31”C以下の温度がが選ばれる。
粗スチレン中の不純物濃度によって異なってくるが、概
ね一50℃以上の温度でスチレンを晶析させることが好
ましい。晶析操作をおこなうにあたって、冷却速度はス
チレンの結晶中に不純物が持ち込まれないよう配慮する
ことが好ましい。
例えば、特公昭54−34705号公報に記載されてい
る連続的熱抽出手段をもった固液連続向流純化装置(以
下、連続晶析溶融装置とよぶ)を用いて精製部の還流比
を調整することにより純度をあげることができる。
以下に、本発明の実施態様を第1図により説明する。第
1図は本発明を用いるスチレンの精製プロセスフローを
示す。図中、(1)、(3)はそれぞれ低沸分離蒸溜塔
及び高沸分離蒸溜塔である。
2は連続晶析分離塔を示す。スチレンとエチルベンゼン
を主成分とするスチレン原料(10)は低沸分離蒸溜塔
(1)でエチルベンセンを主成分とする低沸溜置(12
)とタール分を含む高沸溜分(14)に分離される。こ
の間、低沸分離蒸溜塔のサイドストリーム(13)から
スチレンを主成分とする溜置をとりだし、これを連続晶
析分離塔(2)に導く。晶析、分離された精製スチレン
(11)は製品タンク(図示していない)にみちびかれ
る。晶析分離塔での母液(19)は高沸分離蒸溜塔(3
)へ送られエチルベンゼンとスチレンは回収ライン(1
6)を経て低沸分離蒸溜塔に導かれる。高沸分離蒸溜塔
(3)の塔底部がらはタール分を含む高沸溜分(17)
が分離される。
第2図は比較のため蒸溜法のみによるスチレンの精製プ
ロセスフローを示す。図において、低沸分離塔(1)の
塔底からの粗スチレンを精溜塔(4)及び(5)により
蒸溜して製品純度のスチレンが取得される。
(発明の効果) 本発明のスチレンの精製方法は以下の効果を奏する。
1)不純物含有量のきわめて少ない高純度のスチレンが
製造出来る。
2)蒸溜塔数を少なくできるので、多量のスチームが節
減でき、スチレンの分離、精製コストを大幅に低減させ
ることができる。
3)蒸溜塔数を減らすことができるので、蒸溜時の熱に
よるスチレン重合物の生成を抑制することができる。
(実施例) 以下の実施例により本発明のスチレンの精製方法を具体
的に説明側る。
実施例1 エチルベンゼン300ppm、イソプロピルベンゼン3
00ppm、フェニルアセチレン1100ppを含む粗
スチレンを500m1の冷却器にとり、約5”C/Hr
で冷却をおこなったところ、−31°C〜−32℃でス
チレンの結晶が析出した。析出した結晶を濾過法により
分離した。斯くして得られたスチレンはエチルヘンゼン
loppm、イソプロピルベンゼンおよびフェニルアセ
チレンは共に5 ppm以下と高度に精製されたもので
あった。
実施例2 エチルベンゼン1微量%、イソプロピルベンゼンo、5
重t%、フェニルアセチレン0.05微量%を含む粗ス
チレンを502の連続晶析溶融精製装置にかけた。晶析
部の温度を一39℃〜−41℃に保ち、精製部への還流
比を0.5として連続運転した。抜き出した製品スチレ
ンを分析したところ前記の不純物は製品スチレン中いず
れも5 ppm以下であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるスチレンの精製方法を用いたス
チレンの精製プロセスフローの1例をしめす。第2図は
、蒸溜法による従来のスチレンの精製プロセスフローの
1例を示す。 1、低沸分離蒸溜塔、2.連続晶析分離塔、3.高沸分
離蒸溜塔、40.5.精留塔、スチレン原料、11.精
製スチレン、14.高沸溜置、162回収ライン、17
、タール分を含む高沸留分 特許出願人  旭化成工業株式会社 手続補正書(自発) 昭和61年4月15日 特許庁長官  宇 賀 道 部 殿 1、事件の表示 昭和60年特許願第29295号 2、発明の名称 スチレン精製方法 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番6号4゜補正の対象 (1)  明細書の「発明の詳細な説明」及び「図面の
5、補正の内容 (11明細書第5頁第7行「温度がが選ばれ」を「温度
が選ばれ」と訂正する。 (2)同第5頁末行〜第6頁末行「図中、(1)、(3
)は・・・・・・製品純度のスチレンが取得される。」
を次の通り訂正する。 [図中、1.3はそれぞれ低沸分離蒸溜塔及び高沸分離
蒸溜塔である。2は連続晶析分離塔を示す。スチレンと
エチルベンゼンを主成分とする粗スチレン1°0は低沸
分離蒸溜塔1でエチルベンゼンを主成分とする低沸溜置
12とタール分を含む高沸溜置14に分離される。 この間、低沸分離蒸溜塔のサイドストリーム13からス
チレンを主成分とする溜升をとりだし、これを連続晶析
分離塔2に導く。晶析、分離された精製スチレン11は
製品タンク(図示していない)にみちびかれる。晶析分
離塔での母液15は高沸分離蒸溜塔3へ送られエチルベ
ンゼンとスチレンは回収ライン16を経て低沸分離蒸溜
塔に導かれる。高沸分離蒸溜塔3の塔底部からはタール
分を含む高沸溜置17が分離される。第2図は比較のた
め蒸溜法のみによるスチレンの精製プロセスフローを示
す。図において、低沸分離塔1の塔底からの粗スチレン
を精溜塔4及び5により蒸溜して製品純度のスチレンが
取得される。 第3図は本発明の別の実施B様を示すものである。第1
図の実施態様との差は、連続晶析分離塔2から母液15
が低沸分離蒸溜塔1へ反送され、高沸分離塔3の塔頂か
らフェニルアセチレン含存スチレン11”が得られるこ
とである。」 (3)同第7頁第14行「説明側る。」を「説明する。 」と訂正する。 (4)同第8頁第15行「第1図は、」を「第1図及び
第3図は、」と訂正する。 (5)同第8頁第16〜18行「1例をしめす。・・、
・・・・プロセスフローの1例を示す。」を「1例であ
る。・・・・・・・・プロセスフローの1例である。」
と訂正する。 (6)同第8頁末行「40.5.精留塔、スチレン原料
、」をr4.、5.精留塔、10粗スチレン、」と訂正
する。 (7)図面第3図を追加する。 以上 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)微量不純物成分を含む粗スチレンから精製スチレン
    を取得するにあたり、粗スチレンに晶析法を適用するこ
    とを特徴とするスチレンの精製方法 2)エチルベンゼンを脱水素したスチレン及びエチルベ
    ンゼンを主成分とする混合物を蒸溜塔でエチルベンゼン
    を4%以下に蒸溜して得た粗スチレンを用いる特許請求
    の範囲第1項のスチレンの精製方法
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