JPH0134214B2 - - Google Patents
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- JPH0134214B2 JPH0134214B2 JP56129481A JP12948181A JPH0134214B2 JP H0134214 B2 JPH0134214 B2 JP H0134214B2 JP 56129481 A JP56129481 A JP 56129481A JP 12948181 A JP12948181 A JP 12948181A JP H0134214 B2 JPH0134214 B2 JP H0134214B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、内部冷媒（internal refrigerant）
としてアンモニアを用いてヘキサメチレンジアミ
ン（HMD）の融解物からHMDを結晶化させ
HMDを精製する方法に関する。次にこうしてえ
られた結晶を融解状態の精製されたHMDで洗浄
し次いで結晶を融解して、融解状態の精製された
HMDを回収する。 この発明の方法により精製することができるヘ
キサメチレンジアミン源としては、アジポニトリ
ルを既知の触媒、例えば細かく粉砕された担体上
に沈着した、ニツケル、コバルトまたはこれらの
混合物からなる触媒あるいはラーネーニツケル触
媒等の存在下に触媒的に水素添加して得られる
HMDがあげられる。1972，10，３に発行されE.
I.du Pont de Newoure and Companyに対して
与えられた米国特許第3696153号に示されるよう
に、この水素添加に特に効果のある触媒として
は、鉄化合物があげられる。この発明の方法は、
鉄触媒を用いた水素添加により製造された生成物
の精製に特に適している。 1968，２，20に発行された米国特許第3370082
号には、アジポニトリルと非混和性の内部冷媒、
例えばエタン、エチレン、プロパン等を任意に用
いアジポニトリルを冷却する工程を含むアジポニ
トリルの精製方法が示されている。この特許はま
た、内部冷媒が蒸発した後で分離される結晶に付
着している母液が、適当な液体、例えば結晶状ア
ジポニトリルを融解して得られる、純粋なアジポ
ニトリル等で洗浄することにより除かれることを
示唆している。1974，10，１に発行された米国特
許第3839408号には、アジポニトリルの精製工程
における再循環方法が示されている。この方法
は、結晶化ゾーンで粗アジポニトリルを間接的に
冷却し、結晶化ゾーンから結晶を回収し、えられ
た結晶を液状アジポニトリルで洗浄した後分離さ
れたアジポニトリル母液を結晶化ゾーンに戻すこ
とからなる連続的な精製方法である。この特許は
アンモニアを冷媒として用いることを示してはい
るが、その使用はアジポニトリルに対して非直接
的な使用すなわち熱交換のための使用であつて、
ニトリルと直接接触した状態では用いられていな
い。 ここまでに検討した従来技術は、HMDを精製
するための内部冷媒としてアンモニアを使用する
ことを示唆していない。一般にはHMDは蒸留に
より精製されているが、蒸留法は費用がかかり、
かつ、HMD中の不純物及びHMDが相対的に非
常に低い揮発性しかもつていないために蒸留が困
難である。さらに蒸留に必要な高温は、HMDの
分解を促進する傾向がある。 この発明は、第１ゾーンにおいて本質的に無水
のアンモニアを融解状態の粗HMD中に吸収さ
せ、えられた溶液を第２ゾーンに移送しここで融
解物中に溶解したアンモニアの一部を蒸発させ
て、融解状態のHMDの少くとも一部を結晶化
し、次いで融解物から結晶を分離し、もう一つの
ゾーンにおいて、融解状態の精製されたHMDで
この結晶を洗浄することからなるHMDの精製方
法を提供するものである。好ましい態様において
は、この結晶を第４ゾーンに入れることにより融
解ヘキサメチレンジアミンから分離し、第４ゾー
ンで向流法により洗浄し、次に結晶を洗浄するの
に用いられたジアミンの少くとも一部を第１ゾー
ンに循環し、かつ洗浄されたヘキサメチレンジア
ミン結晶を融解して、一部を結晶洗浄用の精製さ
れたヘキサメチレンジアミンとして用い、洗浄に
用いない残りのヘキサメチレンジアミン結晶の融
解物を回収する。 この発明の方法に従つて精製される好ましい
HMD源は、アジポニトリルの水素添加により得
られるものである。好ましい水素添加方法は、
110〜220℃の温度で約340気圧の圧力下に、水素、
アンモニア及び鉄触媒の存在下、アジポニトリル
を水素と接触させる方法である。触媒は、酸化第
二鉄等の鉄酸化物を600℃までの温度で、酸化物
の酸素含有量が19wt％より少ない量に減少する
まで水素で還元することにより得られる。この方
法により製造されたヘキサメチレンジアミンの典
型的な分析結果を表に示した。 表 化合物 量（wt％） Ｅ―アミノカプロアミド（ACA） 0.01〜0.02 アジポニトリル（ADN） 0.04〜0.09 ２―（アミノメチル）シクロペンチルアミン
（AMC） 0.01〜0.03 ビス（ヘキサメチレン）トリアミン（BHMT）
0.3〜0.5 シアノプレンダイマー（Ｃ−10）及び／又はデ
センジニトリルの水素添加生成物 0.15〜0.5 １，２―ジアミノシクロヘキサン（DCH）
0.24〜0.4 ヘキサメチレンイミン（HMI） 0.25〜0.77 メチルグルタロニトリル（MGN） 0.07〜1.1 メチルペンタメチレンジアミン（MPMD）
0.07〜1.1 イプシロン―アミノカプロニトリル（Ｎ―112）
0.2〜0.5 アンモニア（NH3） 0.3 ｎ―ヘキシルアミン（NHA） 0.4〜0.5 擬似（pseudo）イミン 0.02 テトラヒドロアゼピン 0.02〜0.09 ヘキサンメチレンジアミン（HMD） 残部 この発明の方法は装入原料として粗ジアミンの
融解物を用いる。このことは、ジアミンと不純物
とで液相を構成し、意図的に水又は溶媒を導入し
ないことを意味する。この方法における操作で
は、溶媒を使用する際におこる氷点降下をさける
ことができ、したがつてより高温で工程を実施す
ることができこのため冷却を減らすことができ
る。また融解物から結晶化するために、混入した
溶媒を除去するための余分の工程―これは多くの
場合、低温結晶化剤（Iow temperature
crystllizer）及び／又は蒸留を必要とする―が不
要である。 この発明の方法の好ましい実施態様の１つを示
す添付図面１を参照することにより、この発明は
より完全に理解されると思われる。又ここに記載
された各工程、例えばアンモニア吸収工程、結晶
化工程、結晶洗浄工程等を実施する別の方法も、
この分野の熟練者にとつて明らかであろう。この
発明を実施するための基本的な装置は、図面中の
吸収装置１、結晶化装置２、置換洗浄
（displacement washing）カラム３、及び特に好
ましい態様においては清澄化装置４からなる。水
が導入された交換器５，６，３１，３２、水蒸気
が導入された交換器７及びアンモニアが導入され
た交換器３３，３４により工程の流れの温度がコ
ントロールされている。流体の移送はポンプ９〜
１３により行なわれる。この態様において、粗
HMDはライン１４をへて清澄化装置４に導入さ
れる。吸収したアンモニアを放出することにより
結晶化されるべきHMDは、洗浄カラム３のオー
バフローからポンプ１１、ライン１５をへてアン
モニア吸収装置１の上部に導入される。ライン１
６をへて吸収装置１に導入されるアンモニアは、
結晶化装置２（ライン１７）のオフガスから得ら
れ、吸収装置１に導入される前にコンプレツサー
１９により圧縮されたものである。補充のアンモ
ニアは、いろいろの箇所で、例えば吸収装置１の
底部においてライン１６をへて導入することがで
きる。ライン１６中のアンモニアの一部は、ライ
ン３６をへて取出されコンプレツサー３５で圧縮
されて熱交換器３１中で冷却、液化され熱交換器
３３，３４に送られ、ここで液体アンモニアは蒸
発して冷却が行なわれる。コンデンサー３３，３
４からの冷媒の放出物はライン３８をへてライン
３６に送られる。ジアミン―アンモニア溶液は、
吸収装置１の底からライン８をへて連続的に取出
され、熱交換器５を通されて、アンモニアの潜熱
及び溶液の潜熱が除かれる。このように冷却され
た混合物の一部は、ライン２０をへて吸収装置１
に戻され、一方、残りの混合物はライン２１をへ
て熱交換器６，３３を通り、ライン２２をへて結
晶化装置２に送られる。通常の操作においては、
アンモニア吸収カラム１は、25〜60℃好ましくは
35〜50℃の温度範囲で、50〜165psia（3.5〜11.6
Kg／cm2）好ましくは80〜140psia（5.6〜9.8Kg／cm2）
の範囲に維持される。ジアミン融解物中に約３〜
20％好ましくは６〜10％のアンモニアが吸収され
るまで、ジアミン―アンモニア溶液は循環され、
かつ、アンモニアが導入される。過剰のアンモニ
アは吸収装置１（ライン２３）から排出され、適
当な回収手段（図面には示されていない）に送ら
れる。交換器６，３３を出たジアミン―アンモニ
ア溶液は、結晶化装置２に導入される前は26〜60
℃好ましくは30〜40℃の温度範囲に維持される。
いずれにしろ結晶化装置２に向う流れの温度は、
そこに含まれる不純なジアミンの氷点より高く維
持される。結晶化（冷却）は、５〜40psia（0.35
〜2.81Kg／cm2）好ましくは15〜20psia（1.05〜1.4
Kg／cm2）の圧力下で、融解状態のジアミンの約15
〜30％が結晶化するまで、ジアミン―アンモニア
溶液からアンモニアを蒸発させることにより行な
われる。結晶化装置内は撹拌されるのが好まし
い。前にのべた量の固形分を含むスラリーは結晶
化装置２（ライン２４）から連続的に取出されポ
ンプ１０によりライン２５をへて清澄化装置４に
送られる。融解状態のHMDはこの時点で初めに
含まれていた不純物の60％までを含むことができ
るが通常は初めの不純物の15〜30％を含む。結晶
は融解物と平衡状態にある。このスラリーは、ラ
イン１４をへて系に導入された粗HMDと接触さ
せられ、結晶は下方へ下り洗浄カラム３に入る。
洗浄に特に適した装置は、1974，４，２発行の米
国特許第3801370号に示されている。系から不純
物を除去するため、溶融状態のHMDの一部が清
澄化装置４，２６のトツプからパージ（pufge）
として取出される。結晶はゆつくりと洗浄カラム
３内に沈み込み、融解状態のジアミン―これは、
洗浄カラム３の底に到達するHMD結晶を、ライ
ン２７，２８ポンプ１３及び熱交換器７からなる
加熱システム中で融解することにより製造される
―を押しのけ、置換する。洗浄カラム３のトツプ
に入れられた結晶により押しのけ置換された融解
ジアミンは洗浄カラムから除かれライン１５をへ
てポンプ１１によりアンモニア吸収カラム１に送
られる。60℃で融解する精製されたジアミンはラ
イン３０をへて系から回収される。洗浄カラム３
は内部に清掃バー（bor）を備えているのが好ま
しい。融解されたジアミンの結晶の表面に付着し
ている不純物の最も効率の良い除去は、洗浄カラ
ム３を実質的に結晶がいつぱいの状態に維持する
ことにより達成される。パージ（purge）２６
は、存在するジアミン及びアンモニアを回収する
ために適当な回収装置（図には示されていない）
に送られ、これらの化合物は工程中に再循環され
ることができる。結晶は洗浄の間、ジアミン融解
物に比較してわずかに過冷されるのが好ましい。
この過冷却状態は、結晶上に融解物がいくらか結
晶化することによつて解消される。結晶を取扱う
操作全体において、注意する点は、温度及び不純
物濃度をゆつくりと変化させて結晶の塊状集積や
装置の詰まりの原因となる急激な結晶化をさけ、
結晶相と液相とを平衡状態に維持することであ
る。結晶の十分な洗浄は、カラム３の底部に到達
している結晶（すべての結晶が最終的には融解す
るのであるが）の少くとも60％通常70〜95％を系
から精製された生成物として取出し、残りを前に
のべた置換洗浄用に用いる時達成される。 アンモニア、粗HMD（前に述べたような分析
値をもつ）、水蒸気及び冷却水等が、先に述べた
説明に従つて設計された系に導入され、表に示
されるような流量及び条件がえられた。粗HMD
中の不純物の少くとも97％がこの方法で除去され
た。 【表】
としてアンモニアを用いてヘキサメチレンジアミ
ン（HMD）の融解物からHMDを結晶化させ
HMDを精製する方法に関する。次にこうしてえ
られた結晶を融解状態の精製されたHMDで洗浄
し次いで結晶を融解して、融解状態の精製された
HMDを回収する。 この発明の方法により精製することができるヘ
キサメチレンジアミン源としては、アジポニトリ
ルを既知の触媒、例えば細かく粉砕された担体上
に沈着した、ニツケル、コバルトまたはこれらの
混合物からなる触媒あるいはラーネーニツケル触
媒等の存在下に触媒的に水素添加して得られる
HMDがあげられる。1972，10，３に発行されE.
I.du Pont de Newoure and Companyに対して
与えられた米国特許第3696153号に示されるよう
に、この水素添加に特に効果のある触媒として
は、鉄化合物があげられる。この発明の方法は、
鉄触媒を用いた水素添加により製造された生成物
の精製に特に適している。 1968，２，20に発行された米国特許第3370082
号には、アジポニトリルと非混和性の内部冷媒、
例えばエタン、エチレン、プロパン等を任意に用
いアジポニトリルを冷却する工程を含むアジポニ
トリルの精製方法が示されている。この特許はま
た、内部冷媒が蒸発した後で分離される結晶に付
着している母液が、適当な液体、例えば結晶状ア
ジポニトリルを融解して得られる、純粋なアジポ
ニトリル等で洗浄することにより除かれることを
示唆している。1974，10，１に発行された米国特
許第3839408号には、アジポニトリルの精製工程
における再循環方法が示されている。この方法
は、結晶化ゾーンで粗アジポニトリルを間接的に
冷却し、結晶化ゾーンから結晶を回収し、えられ
た結晶を液状アジポニトリルで洗浄した後分離さ
れたアジポニトリル母液を結晶化ゾーンに戻すこ
とからなる連続的な精製方法である。この特許は
アンモニアを冷媒として用いることを示してはい
るが、その使用はアジポニトリルに対して非直接
的な使用すなわち熱交換のための使用であつて、
ニトリルと直接接触した状態では用いられていな
い。 ここまでに検討した従来技術は、HMDを精製
するための内部冷媒としてアンモニアを使用する
ことを示唆していない。一般にはHMDは蒸留に
より精製されているが、蒸留法は費用がかかり、
かつ、HMD中の不純物及びHMDが相対的に非
常に低い揮発性しかもつていないために蒸留が困
難である。さらに蒸留に必要な高温は、HMDの
分解を促進する傾向がある。 この発明は、第１ゾーンにおいて本質的に無水
のアンモニアを融解状態の粗HMD中に吸収さ
せ、えられた溶液を第２ゾーンに移送しここで融
解物中に溶解したアンモニアの一部を蒸発させ
て、融解状態のHMDの少くとも一部を結晶化
し、次いで融解物から結晶を分離し、もう一つの
ゾーンにおいて、融解状態の精製されたHMDで
この結晶を洗浄することからなるHMDの精製方
法を提供するものである。好ましい態様において
は、この結晶を第４ゾーンに入れることにより融
解ヘキサメチレンジアミンから分離し、第４ゾー
ンで向流法により洗浄し、次に結晶を洗浄するの
に用いられたジアミンの少くとも一部を第１ゾー
ンに循環し、かつ洗浄されたヘキサメチレンジア
ミン結晶を融解して、一部を結晶洗浄用の精製さ
れたヘキサメチレンジアミンとして用い、洗浄に
用いない残りのヘキサメチレンジアミン結晶の融
解物を回収する。 この発明の方法に従つて精製される好ましい
HMD源は、アジポニトリルの水素添加により得
られるものである。好ましい水素添加方法は、
110〜220℃の温度で約340気圧の圧力下に、水素、
アンモニア及び鉄触媒の存在下、アジポニトリル
を水素と接触させる方法である。触媒は、酸化第
二鉄等の鉄酸化物を600℃までの温度で、酸化物
の酸素含有量が19wt％より少ない量に減少する
まで水素で還元することにより得られる。この方
法により製造されたヘキサメチレンジアミンの典
型的な分析結果を表に示した。 表 化合物 量（wt％） Ｅ―アミノカプロアミド（ACA） 0.01〜0.02 アジポニトリル（ADN） 0.04〜0.09 ２―（アミノメチル）シクロペンチルアミン
（AMC） 0.01〜0.03 ビス（ヘキサメチレン）トリアミン（BHMT）
0.3〜0.5 シアノプレンダイマー（Ｃ−10）及び／又はデ
センジニトリルの水素添加生成物 0.15〜0.5 １，２―ジアミノシクロヘキサン（DCH）
0.24〜0.4 ヘキサメチレンイミン（HMI） 0.25〜0.77 メチルグルタロニトリル（MGN） 0.07〜1.1 メチルペンタメチレンジアミン（MPMD）
0.07〜1.1 イプシロン―アミノカプロニトリル（Ｎ―112）
0.2〜0.5 アンモニア（NH3） 0.3 ｎ―ヘキシルアミン（NHA） 0.4〜0.5 擬似（pseudo）イミン 0.02 テトラヒドロアゼピン 0.02〜0.09 ヘキサンメチレンジアミン（HMD） 残部 この発明の方法は装入原料として粗ジアミンの
融解物を用いる。このことは、ジアミンと不純物
とで液相を構成し、意図的に水又は溶媒を導入し
ないことを意味する。この方法における操作で
は、溶媒を使用する際におこる氷点降下をさける
ことができ、したがつてより高温で工程を実施す
ることができこのため冷却を減らすことができ
る。また融解物から結晶化するために、混入した
溶媒を除去するための余分の工程―これは多くの
場合、低温結晶化剤（Iow temperature
crystllizer）及び／又は蒸留を必要とする―が不
要である。 この発明の方法の好ましい実施態様の１つを示
す添付図面１を参照することにより、この発明は
より完全に理解されると思われる。又ここに記載
された各工程、例えばアンモニア吸収工程、結晶
化工程、結晶洗浄工程等を実施する別の方法も、
この分野の熟練者にとつて明らかであろう。この
発明を実施するための基本的な装置は、図面中の
吸収装置１、結晶化装置２、置換洗浄
（displacement washing）カラム３、及び特に好
ましい態様においては清澄化装置４からなる。水
が導入された交換器５，６，３１，３２、水蒸気
が導入された交換器７及びアンモニアが導入され
た交換器３３，３４により工程の流れの温度がコ
ントロールされている。流体の移送はポンプ９〜
１３により行なわれる。この態様において、粗
HMDはライン１４をへて清澄化装置４に導入さ
れる。吸収したアンモニアを放出することにより
結晶化されるべきHMDは、洗浄カラム３のオー
バフローからポンプ１１、ライン１５をへてアン
モニア吸収装置１の上部に導入される。ライン１
６をへて吸収装置１に導入されるアンモニアは、
結晶化装置２（ライン１７）のオフガスから得ら
れ、吸収装置１に導入される前にコンプレツサー
１９により圧縮されたものである。補充のアンモ
ニアは、いろいろの箇所で、例えば吸収装置１の
底部においてライン１６をへて導入することがで
きる。ライン１６中のアンモニアの一部は、ライ
ン３６をへて取出されコンプレツサー３５で圧縮
されて熱交換器３１中で冷却、液化され熱交換器
３３，３４に送られ、ここで液体アンモニアは蒸
発して冷却が行なわれる。コンデンサー３３，３
４からの冷媒の放出物はライン３８をへてライン
３６に送られる。ジアミン―アンモニア溶液は、
吸収装置１の底からライン８をへて連続的に取出
され、熱交換器５を通されて、アンモニアの潜熱
及び溶液の潜熱が除かれる。このように冷却され
た混合物の一部は、ライン２０をへて吸収装置１
に戻され、一方、残りの混合物はライン２１をへ
て熱交換器６，３３を通り、ライン２２をへて結
晶化装置２に送られる。通常の操作においては、
アンモニア吸収カラム１は、25〜60℃好ましくは
35〜50℃の温度範囲で、50〜165psia（3.5〜11.6
Kg／cm2）好ましくは80〜140psia（5.6〜9.8Kg／cm2）
の範囲に維持される。ジアミン融解物中に約３〜
20％好ましくは６〜10％のアンモニアが吸収され
るまで、ジアミン―アンモニア溶液は循環され、
かつ、アンモニアが導入される。過剰のアンモニ
アは吸収装置１（ライン２３）から排出され、適
当な回収手段（図面には示されていない）に送ら
れる。交換器６，３３を出たジアミン―アンモニ
ア溶液は、結晶化装置２に導入される前は26〜60
℃好ましくは30〜40℃の温度範囲に維持される。
いずれにしろ結晶化装置２に向う流れの温度は、
そこに含まれる不純なジアミンの氷点より高く維
持される。結晶化（冷却）は、５〜40psia（0.35
〜2.81Kg／cm2）好ましくは15〜20psia（1.05〜1.4
Kg／cm2）の圧力下で、融解状態のジアミンの約15
〜30％が結晶化するまで、ジアミン―アンモニア
溶液からアンモニアを蒸発させることにより行な
われる。結晶化装置内は撹拌されるのが好まし
い。前にのべた量の固形分を含むスラリーは結晶
化装置２（ライン２４）から連続的に取出されポ
ンプ１０によりライン２５をへて清澄化装置４に
送られる。融解状態のHMDはこの時点で初めに
含まれていた不純物の60％までを含むことができ
るが通常は初めの不純物の15〜30％を含む。結晶
は融解物と平衡状態にある。このスラリーは、ラ
イン１４をへて系に導入された粗HMDと接触さ
せられ、結晶は下方へ下り洗浄カラム３に入る。
洗浄に特に適した装置は、1974，４，２発行の米
国特許第3801370号に示されている。系から不純
物を除去するため、溶融状態のHMDの一部が清
澄化装置４，２６のトツプからパージ（pufge）
として取出される。結晶はゆつくりと洗浄カラム
３内に沈み込み、融解状態のジアミン―これは、
洗浄カラム３の底に到達するHMD結晶を、ライ
ン２７，２８ポンプ１３及び熱交換器７からなる
加熱システム中で融解することにより製造される
―を押しのけ、置換する。洗浄カラム３のトツプ
に入れられた結晶により押しのけ置換された融解
ジアミンは洗浄カラムから除かれライン１５をへ
てポンプ１１によりアンモニア吸収カラム１に送
られる。60℃で融解する精製されたジアミンはラ
イン３０をへて系から回収される。洗浄カラム３
は内部に清掃バー（bor）を備えているのが好ま
しい。融解されたジアミンの結晶の表面に付着し
ている不純物の最も効率の良い除去は、洗浄カラ
ム３を実質的に結晶がいつぱいの状態に維持する
ことにより達成される。パージ（purge）２６
は、存在するジアミン及びアンモニアを回収する
ために適当な回収装置（図には示されていない）
に送られ、これらの化合物は工程中に再循環され
ることができる。結晶は洗浄の間、ジアミン融解
物に比較してわずかに過冷されるのが好ましい。
この過冷却状態は、結晶上に融解物がいくらか結
晶化することによつて解消される。結晶を取扱う
操作全体において、注意する点は、温度及び不純
物濃度をゆつくりと変化させて結晶の塊状集積や
装置の詰まりの原因となる急激な結晶化をさけ、
結晶相と液相とを平衡状態に維持することであ
る。結晶の十分な洗浄は、カラム３の底部に到達
している結晶（すべての結晶が最終的には融解す
るのであるが）の少くとも60％通常70〜95％を系
から精製された生成物として取出し、残りを前に
のべた置換洗浄用に用いる時達成される。 アンモニア、粗HMD（前に述べたような分析
値をもつ）、水蒸気及び冷却水等が、先に述べた
説明に従つて設計された系に導入され、表に示
されるような流量及び条件がえられた。粗HMD
中の不純物の少くとも97％がこの方法で除去され
た。 【表】
添付された図面は、この発明の方法を連続的に
実施するための装置を示している。
実施するための装置を示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１ゾーンにおいて本質的に無水のアンモニ
アを融解状態の粗ヘキサメチレンジアミン中に吸
収させ、第２ゾーンにおいて溶解したアンモニア
の一部を蒸発させて冷却しこれによりヘキサメチ
レンジアミンの少くとも一部を結晶化し、次いで
第３ゾーンにおいて融解状態のヘキサメチレンジ
アミンから結晶状ヘキサメチレンジアミンを分離
し、その後、第４ゾーンにおいて、このように得
られた結晶状ジアミンを融解状態の精製されたヘ
キサメチレンジアミンで洗浄することからなるヘ
キサメチレンジアミンの精製方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法であつて、
第２ゾーンで蒸発したアンモニアを第１ゾーンに
循環することを特徴とする方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の方法であつて、
融解状態の粗ヘキサメチレンジアミン原料を第３
ゾーンに導入し、結晶状ヘキサメチレンジアミン
と接触させることを特徴とする方法。 ４ 特許請求の範囲第３項記載の方法であつて、
第３ゾーンからの融解状態のヘキサメチレンジア
ミンの一部と一緒に、不純物を工程から除去する
ことを特徴とする方法。 ５ 第１ゾーンにおいて本質的に無水のアンモニ
アを融解状態の粗ヘキサメチレンジアミン中に吸
収させ、第２ゾーンにおいて溶解したアンモニア
の一部を蒸発させて冷却しこれによりヘキサメチ
レンジアミンの少くとも一部を結晶化し、次いで
第３ゾーンにおいて融解状態のヘキサメチレンジ
アミンから結晶状ヘキサメチレンジアミンを分離
し、その後、第４ゾーンにおいて、このように得
られた結晶状ジアミンを融解状態の精製されたヘ
キサメチレンジアミンで向流法により置換洗浄
し、次に結晶の洗浄に用いられたジアミンの少く
とも一部を第１ゾーンに循環し、かつ洗浄された
ヘキサメチレンジアミンの結晶を融解して、一部
を結晶洗浄用の精製されたヘキサメチレンジアミ
ンとして用い、洗浄に用いない残りのヘキサメチ
レンジアミン結晶の融解物を回収することからな
るヘキサメチレンジアミンの精製方法。 ６ 特許請求の範囲第５項記載の方法であつて、
第２ゾーンで蒸発したアンモニアを第１ゾーンに
循環することを特徴とする方法。 ７ 特許請求の範囲第５項記載の方法であつて、
融解状態の粗ヘキサメチレンジアミン原料を第３
ゾーンに導入し、結晶状ヘキサメチレンジアミン
と接触させることを特徴とする方法。 ８ 特許請求の範囲第７項記載の方法であつて、
第３ゾーンからの融解状態のヘキサメチレンジア
ミンの一部と一緒に、不純物を工程から除去する
ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/179,949 US4282381A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Process for purifying hexamethylenediamine |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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