JPS61218135A - シリコン酸化膜の形成方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の形成方法Info
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- JPS61218135A JPS61218135A JP60059322A JP5932285A JPS61218135A JP S61218135 A JPS61218135 A JP S61218135A JP 60059322 A JP60059322 A JP 60059322A JP 5932285 A JP5932285 A JP 5932285A JP S61218135 A JPS61218135 A JP S61218135A
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- oxide film
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体素子等に用いられる電気的絶縁膜とし
てのシリコン酸化膜の形成方法に関する。
てのシリコン酸化膜の形成方法に関する。
（従来の技術）
シリコン酸化膜は半導体素子の形成の際の選択拡散マス
ク、素子の層間絶縁膜、パッシベーション膜、その他の
目的のために用いられている。
ク、素子の層間絶縁膜、パッシベーション膜、その他の
目的のために用いられている。
従来のシリコン酸化膜の形成方法の一例が文献： ｒＪ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ
５ｏｃｉｅｔｙＪ １２８（？） 、 Ｐ１５４５
〜１５５１に開示されている。
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ
５ｏｃｉｅｔｙＪ １２８（？） 、 Ｐ１５４５
〜１５５１に開示されている。
この従来の方法を簡単に説明する。原料ガスとしてアル
ゴンガス（Ａｒ）よって希釈されたシランガス（５ｉＨ
４）と、笑気ガス（Ｎ２０） 、、二酸化炭素（Ｃ０２
） 、−酸化炭素（ＣＯ）或いはその他のガスとを用い
、この原料ガスを真空に引いた減圧下の反応系に流量を
調整しながら導入する。この反応系に直流（Ｄｃ）或い
は高周波（ＲＦ）グロー放電を起して反応系内部を加熱
し、内部に設置されている被堆積物である下地上へとシ
リコン酸化膜を堆積させる。
ゴンガス（Ａｒ）よって希釈されたシランガス（５ｉＨ
４）と、笑気ガス（Ｎ２０） 、、二酸化炭素（Ｃ０２
） 、−酸化炭素（ＣＯ）或いはその他のガスとを用い
、この原料ガスを真空に引いた減圧下の反応系に流量を
調整しながら導入する。この反応系に直流（Ｄｃ）或い
は高周波（ＲＦ）グロー放電を起して反応系内部を加熱
し、内部に設置されている被堆積物である下地上へとシ
リコン酸化膜を堆積させる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような従来のシリコン酸化膜形成方
法では、アルゴンガスを原料ガスに混入しているので、
シリコン酸化膜が損傷を受け、さらには膜に欠陥が生じ
たりする。従って、被堆積物を加熱する温度（以下、
Ｔｓとする）が１５０ ”Ｏ以下になると、形成したシ
リコン酸化膜の抵抗率が小さくなったり（絶縁性が悪く
なる）、膜にピンホール等が形成されたりして、膜特性
が悪くなるという欠点があった。
法では、アルゴンガスを原料ガスに混入しているので、
シリコン酸化膜が損傷を受け、さらには膜に欠陥が生じ
たりする。従って、被堆積物を加熱する温度（以下、
Ｔｓとする）が１５０ ”Ｏ以下になると、形成したシ
リコン酸化膜の抵抗率が小さくなったり（絶縁性が悪く
なる）、膜にピンホール等が形成されたりして、膜特性
が悪くなるという欠点があった。
この発明の目的は被堆積物の加熱温度↑Ｓを１５０℃以
下にしてシリコン酸化膜を形成しても、膜特性を悪くし
ない当該シリコン酸化膜の形成方法を提供することにあ
る。
下にしてシリコン酸化膜を形成しても、膜特性を悪くし
ない当該シリコン酸化膜の形成方法を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明によれば、シラン
系ガスを含む原料ガスを用い、減圧下でグロー放電によ
ってこの原料ガスをプラズマ分解して下地上にシリコン
酸化膜を形成するに当り、この原料ガスの一成分として
水素ガスを含ませたことを特徴とする。
系ガスを含む原料ガスを用い、減圧下でグロー放電によ
ってこの原料ガスをプラズマ分解して下地上にシリコン
酸化膜を形成するに当り、この原料ガスの一成分として
水素ガスを含ませたことを特徴とする。
（作用）
このように、水素ガス（Ｈ２）を原料ガス成分として混
合してシリコン酸化膜を形成するため、得られたシリコ
ン酸化膜が損傷を受たり、膜に欠陥が生じたりすること
がない、従って、下地である被堆積物の温度を１５０℃
以下の低温でシリコン酸化膜を形成しても、抵抗率が低
下したり、或いは比誦電率が大きく変動したりしないた
め、優れた膜特性が得られる。従って、従来よりも低い
下地温度でシリコン酸化膜の形成が可能となる。
合してシリコン酸化膜を形成するため、得られたシリコ
ン酸化膜が損傷を受たり、膜に欠陥が生じたりすること
がない、従って、下地である被堆積物の温度を１５０℃
以下の低温でシリコン酸化膜を形成しても、抵抗率が低
下したり、或いは比誦電率が大きく変動したりしないた
め、優れた膜特性が得られる。従って、従来よりも低い
下地温度でシリコン酸化膜の形成が可能となる。
さらに、低温で形成出来るため、被堆積物の熱的劣化を
押えることが可能となり１作業性が向上し、製造コスト
の低減を図ることが出来る。
押えることが可能となり１作業性が向上し、製造コスト
の低減を図ることが出来る。
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の実施例につき説明する
。
。
この発明においては、原料ガス成分として水素ガスを含
ませてシリコン酸化膜を形成する方法である。
ませてシリコン酸化膜を形成する方法である。
この場合、原料ガスとして、例えば、水素ガス（Ｈｌ
）で希釈されたシランガス（５ｉＨａ ）と、笑気ガス
（Ｎ２０ ）、二酸化炭素（ＣＯ２） 、−酸化炭素（
ＣＯ）或いはその他の適切なガスとを用いることが出来
るが、水素ガス（Ｈ２）で希釈されたシランガス（Ｓｉ
Ｈ４）と笑気ガス（Ｎ２０ ）とで形成する場合につき
一例として説明する。
）で希釈されたシランガス（５ｉＨａ ）と、笑気ガス
（Ｎ２０ ）、二酸化炭素（ＣＯ２） 、−酸化炭素（
ＣＯ）或いはその他の適切なガスとを用いることが出来
るが、水素ガス（Ｈ２）で希釈されたシランガス（Ｓｉ
Ｈ４）と笑気ガス（Ｎ２０ ）とで形成する場合につき
一例として説明する。
第２図はこのシリコン酸化膜を形成するために使用した
高周波グロー放電装置の概略を示す断面図で、１は減圧
にされる反応炉、２及び３はその内部に設けた上部電極
板及び下部電極板である。
高周波グロー放電装置の概略を示す断面図で、１は減圧
にされる反応炉、２及び３はその内部に設けた上部電極
板及び下部電極板である。
下部電極板３上に下地となる被堆積物４を載置し、これ
を、ヒータ５で制御しながら、加熱する。原料ガス６は
水素ガスで希釈したシランガス用のボンベ及び笑気ガス
用のボンベから流量調節機等を経て反応炉ｌ中に導入し
、上部電極板２に設けた噴出孔からシャワー状に噴出さ
せる。高周波電源７から電゛力を供給して上部電極板２
及び下部電極板３との間で高周波グロー放電を起して原
料ガス（反応ガス）をプラズマ状にし、シリコン酸化膜
を被堆積物４上へと堆積させる。この時被堆積物はヒー
タ５により加熱され、また、被堆積物が置かれた下部電
極板３を、膜に均一性をもたらすため、モータで回転さ
せる構造となている。
を、ヒータ５で制御しながら、加熱する。原料ガス６は
水素ガスで希釈したシランガス用のボンベ及び笑気ガス
用のボンベから流量調節機等を経て反応炉ｌ中に導入し
、上部電極板２に設けた噴出孔からシャワー状に噴出さ
せる。高周波電源７から電゛力を供給して上部電極板２
及び下部電極板３との間で高周波グロー放電を起して原
料ガス（反応ガス）をプラズマ状にし、シリコン酸化膜
を被堆積物４上へと堆積させる。この時被堆積物はヒー
タ５により加熱され、また、被堆積物が置かれた下部電
極板３を、膜に均一性をもたらすため、モータで回転さ
せる構造となている。
また、８は真空排気系への排気管である。
このような装置を用い、被堆積物の温度を変えてシリコ
ン酸化膜を形成した。その時の条件は、原料ガスとして
水素ガスＨ２で１％に希釈されたシランガスＳ ｉＨ４
と笑気ガスＮ２０を用い、シランガスと笑気ガスとの比
を５ＩＨ４／ ＮＺＯ＝ ５０トし、ガス総流量を毎分
０．５リツトルとし、放電電力を５腸Ｗ／ｃ腸２として
行った。
ン酸化膜を形成した。その時の条件は、原料ガスとして
水素ガスＨ２で１％に希釈されたシランガスＳ ｉＨ４
と笑気ガスＮ２０を用い、シランガスと笑気ガスとの比
を５ＩＨ４／ ＮＺＯ＝ ５０トし、ガス総流量を毎分
０．５リツトルとし、放電電力を５腸Ｗ／ｃ腸２として
行った。
第１図（Ａ）はこのようにして得られたシリコン酸化膜
と、上述と同一の条件であるが、水素ガスＨ２の代わり
にアルゴンガスＡｒを含む原料ガスで得られた従来のシ
リコン酸化膜とについて膜特性、特に抵抗率の温度債存
性を示す曲線図である。この図において、横軸に被堆積
物を加熱する温度Ｔｇ（”０）を取り、縦軸に堆積した
シリコン酸化膜の抵抗率（Ω・Ｃ■）を取り、白丸印が
この発明によるシリコン酸化膜の曲線で、黒丸印が従来
のシリコン酸化膜をそれぞれ示す、尚、抵抗率の測定は
測定電界強度をＩＭＶ／ｃｍとして行った。
と、上述と同一の条件であるが、水素ガスＨ２の代わり
にアルゴンガスＡｒを含む原料ガスで得られた従来のシ
リコン酸化膜とについて膜特性、特に抵抗率の温度債存
性を示す曲線図である。この図において、横軸に被堆積
物を加熱する温度Ｔｇ（”０）を取り、縦軸に堆積した
シリコン酸化膜の抵抗率（Ω・Ｃ■）を取り、白丸印が
この発明によるシリコン酸化膜の曲線で、黒丸印が従来
のシリコン酸化膜をそれぞれ示す、尚、抵抗率の測定は
測定電界強度をＩＭＶ／ｃｍとして行った。
この実験結果から明らかな°ように、この発明によるシ
リコン酸化膜は、従来方法による酸化膜よりも、Ｔｓ＝
１５０℃で１桁、Ｔｓ＝１００℃で５桁も高い抵抗率を
持っていることが分かる。また、 Ｔｇ＝２００℃から
Ｔｓ＝ １００℃に温度を下げると、従来のシリコン酸
化膜は抵抗率が５桁低下するが、この発明によるシリコ
ン酸化膜はその低下はほとんどない、このように、この
発明により形成したシリコン酸化膜の抵抗率はＴｓ依存
性がほとんど無いという特性を有している。
リコン酸化膜は、従来方法による酸化膜よりも、Ｔｓ＝
１５０℃で１桁、Ｔｓ＝１００℃で５桁も高い抵抗率を
持っていることが分かる。また、 Ｔｇ＝２００℃から
Ｔｓ＝ １００℃に温度を下げると、従来のシリコン酸
化膜は抵抗率が５桁低下するが、この発明によるシリコ
ン酸化膜はその低下はほとんどない、このように、この
発明により形成したシリコン酸化膜の抵抗率はＴｓ依存
性がほとんど無いという特性を有している。
第１［１（Ｂ）はこの発明の方法で形成したシリコン酸
化膜と、従来方法で形成したシリコン酸化膜との比誘電
率の温度丁ｓに対する特性変化を示す曲線図である。
化膜と、従来方法で形成したシリコン酸化膜との比誘電
率の温度丁ｓに対する特性変化を示す曲線図である。
同図において、横軸に被堆積物を加熱する温度Ｔｓを取
り、縦軸に堆積したシリコン酸化物の比誘電率を取って
示し、測定周波数をＩ ＫＨｚとした。
り、縦軸に堆積したシリコン酸化物の比誘電率を取って
示し、測定周波数をＩ ＫＨｚとした。
この場合にも、白丸印がこの発明によるシリコン酸化膜
の曲線で、黒丸印が従来のシリコン酸化膜をそれぞれ示
す。
の曲線で、黒丸印が従来のシリコン酸化膜をそれぞれ示
す。
この結果からも明らかなように、この発明によるシリコ
ン酸化膜の比誘電率は温度Ｔｓに対する゛依存性がほと
んどないことが理解出来る０例えば。
ン酸化膜の比誘電率は温度Ｔｓに対する゛依存性がほと
んどないことが理解出来る０例えば。
この発明のシリコン酸化物によれば、丁５＝２５０℃及
びτｇ＝１００℃間での比誘電率の変化はほとんど無く
ほぼ一定である。これに対し従来のシリコン酸化膜の場
合には、これら温度間での比誘電率の変化は約２倍とな
って低温になるに従って比誘電率が増大することがわか
る。
びτｇ＝１００℃間での比誘電率の変化はほとんど無く
ほぼ一定である。これに対し従来のシリコン酸化膜の場
合には、これら温度間での比誘電率の変化は約２倍とな
って低温になるに従って比誘電率が増大することがわか
る。
これらの測定結果からも明らかなように、従来方法に形
成されたシリコン酸化膜は温度〒８が１５０℃以下で急
激に膜特性が悪化することがわかるが、この発明の方法
により形成されたシリコン酸化膜の場合には、膜特性は
温度Ｔｓにほとんど依存してない、このような理由によ
り、この発明の方法によれば、従来よりも充分に低い温
度Ｔｓでシリコン酸化膜の形成が可能となる。
成されたシリコン酸化膜は温度〒８が１５０℃以下で急
激に膜特性が悪化することがわかるが、この発明の方法
により形成されたシリコン酸化膜の場合には、膜特性は
温度Ｔｓにほとんど依存してない、このような理由によ
り、この発明の方法によれば、従来よりも充分に低い温
度Ｔｓでシリコン酸化膜の形成が可能となる。
尚、上述した実施例では水素ガスＨ２でシランガスＳｉ
’Ｈ４を希釈した場合につき説明したが、希釈濃度は所
要に応じて任意に設定することが出来１例えば、水素ガ
スＨ２と１００％シランガス５ｆＨ４とを（ＩｙＩＩＪ
に反応系に導入しても良い、また、シラン系ガスとして
シランガス５ｉｎ４の代りに、ジシランガス５ｒｚＨ６
を用いても前述と同様な効果を得ることが出来る。
’Ｈ４を希釈した場合につき説明したが、希釈濃度は所
要に応じて任意に設定することが出来１例えば、水素ガ
スＨ２と１００％シランガス５ｆＨ４とを（ＩｙＩＩＪ
に反応系に導入しても良い、また、シラン系ガスとして
シランガス５ｉｎ４の代りに、ジシランガス５ｒｚＨ６
を用いても前述と同様な効果を得ることが出来る。
尚、上述した被堆積物としてはこれを特に限定するもの
ではがいので、シリコン酸化物が堆積されるべき任意好
適な材料とし得る。
ではがいので、シリコン酸化物が堆積されるべき任意好
適な材料とし得る。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明によれば
、アルゴンガスではなく水素ガスを原料ガスの一成分と
して加えているので、被堆積物（下地）の加熱温度Ｔｓ
が１５０℃以下の低温であっても、抵抗率変化も、比銹
電率変化も小さく、ピンホールも生ずることがなく、従
って、膜特性が優れたシリコン酸化膜を形成することが
出来る。
、アルゴンガスではなく水素ガスを原料ガスの一成分と
して加えているので、被堆積物（下地）の加熱温度Ｔｓ
が１５０℃以下の低温であっても、抵抗率変化も、比銹
電率変化も小さく、ピンホールも生ずることがなく、従
って、膜特性が優れたシリコン酸化膜を形成することが
出来る。
また、従来よりも低い温度でシリコン酸化膜を形成する
ことが出来る０例えば、シリコン酸化膜を用いてアモル
ファスシリコン半導体素子を形成する場合には、アモル
ファスシリコン自体ヲ２ｏｏ、〜２５０℃という温度で
成長させるので、シリコン酸化物の形成時の下地の被堆
積物の温度を２００ ”０以下とする必要があるが、こ
の発明によればこの要求を充分溝すことが出来る。
ことが出来る０例えば、シリコン酸化膜を用いてアモル
ファスシリコン半導体素子を形成する場合には、アモル
ファスシリコン自体ヲ２ｏｏ、〜２５０℃という温度で
成長させるので、シリコン酸化物の形成時の下地の被堆
積物の温度を２００ ”０以下とする必要があるが、こ
の発明によればこの要求を充分溝すことが出来る。
このように、低温でシリコン酸化膜を形成することが出
来るので、被堆積物の熱的劣化を押えることが出来、作
業性が向上し、製造コストも低減を図ること力【出来る
。
来るので、被堆積物の熱的劣化を押えることが出来、作
業性が向上し、製造コストも低減を図ること力【出来る
。
（応用分野）
第３図はアモルファスシリコン（ａ−３ｉ）＠用いた光
センサ、太陽電池の等の素子構造の概略を示す部分的断
面図である。この構造はこの発明のシリコン酸化膜形成
方法を適用して得られたものであり、 ２０は透明電極
基板、２！は基板２０上に被着した透明導電膜、２２は
加工形成されたａ−Ｓｉ暦、２３は層間絶縁膜を形成す
ると共にａ −５ｉ暦２２の端面を保護するための端面
保Ｍ＃ｌを形成するシリコン酸化膜、２４はａ−Ｓｉか
らなる第二電極を形成すると共に配線となる金属電極膜
、２５は表面保護膜を形成するシリコン酸化膜である。
センサ、太陽電池の等の素子構造の概略を示す部分的断
面図である。この構造はこの発明のシリコン酸化膜形成
方法を適用して得られたものであり、 ２０は透明電極
基板、２！は基板２０上に被着した透明導電膜、２２は
加工形成されたａ−Ｓｉ暦、２３は層間絶縁膜を形成す
ると共にａ −５ｉ暦２２の端面を保護するための端面
保Ｍ＃ｌを形成するシリコン酸化膜、２４はａ−Ｓｉか
らなる第二電極を形成すると共に配線となる金属電極膜
、２５は表面保護膜を形成するシリコン酸化膜である。
そして、光りは基板２０側から入射し、ａ−Ｓｉ層２２
で電気エネルギー変換する構造となっている。
で電気エネルギー変換する構造となっている。
ところで、ａ−Ｓｉ層２２は熱的に金属等と容易に反応
し、ａ−９ｉの膜特性が変わるという性質をもっている
、従って、この第３図に示す構造では、ａ−Ｓｉ層２２
と透明電極膜２１との間、或いは、ａ−３ｉ層２２と金
属電極９Ｉ２４との間の反応を防ぐため、この発明によ
る低温でのシリコン融化膜の形成方法を用いるのが好適
である。
し、ａ−９ｉの膜特性が変わるという性質をもっている
、従って、この第３図に示す構造では、ａ−Ｓｉ層２２
と透明電極膜２１との間、或いは、ａ−３ｉ層２２と金
属電極９Ｉ２４との間の反応を防ぐため、この発明によ
る低温でのシリコン融化膜の形成方法を用いるのが好適
である。
第１図（Ａ）はこの発明のシリコン酸化膜の形成方法に
より得られたシリコン酸化膜と従来方法で得られたシリ
コン酸化膜とでの抵抗率の温度依存性を示す特性曲線図
、 第１図（Ｂ）はこの発明のシリコン酸化膜の形成方法に
より得られたシリコン酸化膜と従来方法で得られたシリ
コン酸化膜とでの比誘電率の温度依存性を示す特性曲線
図。 第２図はこの発明のシリコン酸化膜の形成方法に用いた
高周波グロー放電装置の概略を示す線図、 第３図はこの発明のシリコン酸化膜の形成方法を適用し
て形成した光センサ等の素子構造の一部分を概略的に示
す断面図である。 １・・・反応炉、 ２・・・上部電極板３・・
・下部電極板、 ４・・・被堆積物５・・・ヒータ
、 ６・・・原料ガス７・・・高周波電源、
１４・・・排気管。 ２０・・・透明電極基板、 ２１・・・透明導電膜２
２・・・ａ −Ｓｉ層、 ２３．２５−シリコン
酸化膜２４・・・金属電極膜、 Ｌ・・・光。 特許出願人 沖電気工業株式会社第１図 １００ １５０ ＺＯＯ２５０ 植建種彎を加熱する遥護（丁５） （’ｃ） ○１３１本発明；；よ令シリコン駿イζ膿・・嗟・）技
りＣ；よるシリコン１１４じ１美第１図 湘わ噌は貴鞠ロロ寿外遣るＪ （Ｔｓ）（０Ｃ） ○・・・袴明（：よろシリコン線ｄｌ ・・ｔ！Ｊ！猜竹ｆ：よるシリコン酸化鏝第２図 １ ：反衾スＰ ６：浮幹トブス２：工
館電掻ａｔ ７：あ側諏電遥ｊ：下ｖｙ’ｔｈＶ
Ｌ ｓ：排気１４：椋堆精鞠 ５：こ−タ 第３図 ム 、；：１１：；；コｊ；；；！１；、１１ｉｊ）；１・
１１１１：：；；１１；１１ｉｊ；１１１；；、；ｊｊ
ｉ；１１． １；：１；；１：ｚ′１：ｉｉ；：
′；、（Ｉｌｌ；、−１１１１ｊ：１；１１［；１１１
Ｈ莞２ｆ ： ｉｆｉ明４１極ｍｌ ＬニーｙｔＪ
２２：１−５ｉ層 ２Ｊ ２５ ： Ｅ／ ’） ニア ＞ 峠４ＥＩｌ
１手続補正書 昭和８１年６月６日
より得られたシリコン酸化膜と従来方法で得られたシリ
コン酸化膜とでの抵抗率の温度依存性を示す特性曲線図
、 第１図（Ｂ）はこの発明のシリコン酸化膜の形成方法に
より得られたシリコン酸化膜と従来方法で得られたシリ
コン酸化膜とでの比誘電率の温度依存性を示す特性曲線
図。 第２図はこの発明のシリコン酸化膜の形成方法に用いた
高周波グロー放電装置の概略を示す線図、 第３図はこの発明のシリコン酸化膜の形成方法を適用し
て形成した光センサ等の素子構造の一部分を概略的に示
す断面図である。 １・・・反応炉、 ２・・・上部電極板３・・
・下部電極板、 ４・・・被堆積物５・・・ヒータ
、 ６・・・原料ガス７・・・高周波電源、
１４・・・排気管。 ２０・・・透明電極基板、 ２１・・・透明導電膜２
２・・・ａ −Ｓｉ層、 ２３．２５−シリコン
酸化膜２４・・・金属電極膜、 Ｌ・・・光。 特許出願人 沖電気工業株式会社第１図 １００ １５０ ＺＯＯ２５０ 植建種彎を加熱する遥護（丁５） （’ｃ） ○１３１本発明；；よ令シリコン駿イζ膿・・嗟・）技
りＣ；よるシリコン１１４じ１美第１図 湘わ噌は貴鞠ロロ寿外遣るＪ （Ｔｓ）（０Ｃ） ○・・・袴明（：よろシリコン線ｄｌ ・・ｔ！Ｊ！猜竹ｆ：よるシリコン酸化鏝第２図 １ ：反衾スＰ ６：浮幹トブス２：工
館電掻ａｔ ７：あ側諏電遥ｊ：下ｖｙ’ｔｈＶ
Ｌ ｓ：排気１４：椋堆精鞠 ５：こ−タ 第３図 ム 、；：１１：；；コｊ；；；！１；、１１ｉｊ）；１・
１１１１：：；；１１；１１ｉｊ；１１１；；、；ｊｊ
ｉ；１１． １；：１；；１：ｚ′１：ｉｉ；：
′；、（Ｉｌｌ；、−１１１１ｊ：１；１１［；１１１
Ｈ莞２ｆ ： ｉｆｉ明４１極ｍｌ ＬニーｙｔＪ
２２：１−５ｉ層 ２Ｊ ２５ ： Ｅ／ ’） ニア ＞ 峠４ＥＩｌ
１手続補正書 昭和８１年６月６日
Claims (1)
- シラン系ガスを含む原料ガスを用い、減圧下でグロー放
電によって該原料ガスをプラズマ分解して下地上にシリ
コン酸化膜を形成するに当り、前記原料ガスの一成分と
して水素ガスを含ませたことを特徴とするシリコン酸化
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059322A JPS61218135A (ja) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059322A JPS61218135A (ja) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61218135A true JPS61218135A (ja) | 1986-09-27 |
| JPH0255940B2 JPH0255940B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=13110004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60059322A Granted JPS61218135A (ja) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | シリコン酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61218135A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006007313A2 (en) * | 2004-06-25 | 2006-01-19 | Applied Materials, Inc. | Improving water-barrier performance of an encapsulating film |
| US7183197B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Water-barrier performance of an encapsulating film |
| US7214600B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method to improve transmittance of an encapsulating film |
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1985
- 1985-03-23 JP JP60059322A patent/JPS61218135A/ja active Granted
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| JPH0255940B2 (ja) | 1990-11-28 |
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