JPS6043820A - プラズマ気相反応方法およびその製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプラズマ気相反応方法およびその製造装置に関
する。

本発明は１つの反応容器内に２つの独立した電界を平行
平板電極により供給することにより、均一な膜厚の被膜
を作製することを目的とする。

本発明ばかがる目的のため、基板の被形成面に概略平行
に第１の電界を発生させ、プラズマ反ｌｉ色をせしめ、
さらにこの電界に直交して第２の電界をアシスト（補助
用）電界として供給せしめたことを目的とする。

従来、プラズマ気相反応方法においては、一対のみの電
極を平行に配し、平行平板型電極とし、その電極間にプ
ラズマ放電をグロー放電法Ｇこより実施することにより
半導体被膜等の形成を行つζいた。かかる一対の電極の
み用いる方式でＧよ、この電極の一方に被形成面を有す
る基板を配設して電極と等電位とする場合は、被膜の均
一性を±５％以内のばらつきの範囲に有せしめることが
できる。

しかしかかる方式では、被形成面を電極面積以上に大き
くすることができない。このため、多量生産に不向きで
あるという欠点を有する。

他方、基板を平行平板型電極の間にその電界力（被形成
面に概略平行になるように多数の基板を互いに一定の距
離（２〜６ｃｍ）を離間して林立せしめて配設する方法
が知られている。

その−例は本発明人の出願になる特許願（プラズマ気相
反応装置　昭和５７年９月２０日出願　特願昭５７−−
１６３７２８　／　１６．３７２９　／　１６３７３０
　）である。

即ち、基板を電位的にいずれの電極からも遊離せしめて
気相反応を行ういわゆるフローティングプラズマ気相反
応方法（以下ＦＰＣＶＤ法という）において、多量に被
膜形成を行うことができるという特徴を有する。このた
め従来より公知の平行平板型電極の一方電極上に基板を
配設する方法に比べて５〜２０倍の生産性をあげること
ができた。しかしかかるＦＰ（：ＶＤ法において、得ら
れる膜厚の均一性はその一例として第１図に示すごとき
ものであった。

図面（Ａ）において、基板（２）と電極（６２）。

（５２）との相対位置関係を示している。基板（２）は
約５０００人の厚さに珪素を形成したものであるが、一
対の電極（６２＞、＜５２）間で（Ｂ＞、（Ｃ）に示す
ごとく、電極近傍が厚くなり、また（１））、（Ｅ）に
示すごとく電極の中央部が厚く、また電極端部が薄くな
ってしまった。このため基板（２）上側端部に形成され
る膜厚は中央部の上下端部の厚さに比べて２０〜３０％
も厚さが薄くなってしまった。

即ち、従来より公知のＰＣＶＤ法において被形成面のス
バ・７タを少なくするため、そのプラズマ反応に用いら
れる高周波の電界は被形成面に添−７て流れるように層
流を構成して供給され、即ち電界は被形成面に概略平行
になるように配設せしめている。しかし一対の電極によ
る電界のみでは端口１９の電界が外方向に放散し、電束
密度が小さくなっ一部しまう。その結果、電極端部下の
被形成面−Ｌでは被膜はその厚さが薄くなったものと判
断される。

このため本発明はかかる膜厚の不均一性を防ぎ四角形の
被形成面のすべての周辺部、中央部も所定の厚さに対し
その厚さのばらつきが±５％以内とするため、電極を２
対とし、それぞれの対をなす電極を互いに直交する方向
に供給して電気エネルギを供給することを特徴としてい
る。

即ち、前記した第１の電界？、こ直交して第２のアシス
ト電界を供給せしめて、端部での電束密度が小さくなる
ことを防いだ。本発明はこれら２つの電極から基板の被
形成面が電気的に浮いた（フローティング）とすること
により、プラズマエネルギが被形成面をスパツクする程
度を軽減せしめた。

即ち、本発明は一対の上下方向に配設された（電極間距
離の短い）主電極による主電界を発生せしめ、さらにそ
れに直交してアシスト電界を発生させている。そしてこ
れら２つの電界は互いに直交または概略直交（膜厚の薄
い方向に電界を加える）し、かつ被形成面に概略平行に
配設されるように位置関係を有せしめている。本発明は
この２対の電極を１つの反応容器内に配設し、かかる反
応容器にて被膜例えば非単結晶半導体の形成を行うこと
を特徴としている。

さらに本発明ばかがる半導体層をＰ型半導体、Ｉ型半導
体およびＮ型半導体と積層してＰＩＮ接合を基板上に形
成するに際し、それぞれの反応容器を分離部を介して連
結せしめたマルチチャンバ方式のＰＣＶＤ法を提案する
にある。

本発明は水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶
半導体層、好ましくは珪素、ゲルマニューム、炭化珪素
（ＳｉＣ：のみではなく、本発明においては５ｉＸＣ）
−，０＜　ｘ　＜　１の総称を意味する）、珪化ゲルマ
ニューム（ＳｉｘＧｅ、４０　＜　ｘ　＜　１入珪化ス
ズ（ＳｉｘＳｎ　Ｉ−ｚ　Ｏ＜　ｘ　＜　１　）であっ
て、この被膜中に活性状態の水素またはハロゲン元素を
充填することにより、再結合中心密度の小さなＰ、Ｉお
よびＮ型の導電型を有する半導体層を複数形成し、その
積層境界にてＰＩ接合、Ｎｌ接合またはこれらを組み合
わせてＰＩＦ接合、ＮＩＮ接合、ＰＩＮ接合を形成する
とともに、それぞれの半導体層に他の隣接する半導体層
からの不純物が混入して接合特性を劣化させることなく
形成するとともに、またそれぞれに半導体層を形成する
工程間に大気特に酸素に触れさせて、半導体の一部が酸
化されることにより、眉間絶縁物が形成されることのな
いようにした連続生産を行うためのプラズマ気相反応に
関する。

さらに本発明はかかる多数の反応容器を連結したマルチ
チャンバ方式のプラズマ反応方法において、一度に多数
の基板を同時にその被膜成長速度を大きくしたいわゆる
多量生産方式に関する。

本発明は２〜１０ｃｍ好ましくは３〜５ｃｍの−、定の
間隙を経て被膜形成面に概略平行に配置された基板の上
部、下部および中央１周辺での膜厚の均一性、また膜質
の均質性を促すため、一対をなす電極を２対互いに直交
するように設け、さらに本発明装置においては、基板の
加熱を少なくとも上方向および下方向より棒状赤外線ラ
ンプを互いに９０゜曲げて配向し、均熱化を図った。即
ち１０ｃｍ　Ｘ　１０ｃｍまたは電極方向に１０〜４０
ｃｍ例えば２０ｃｍを有するとともに中１５〜１２０　
ｃｍ例えば６０ｃ１の基板（２０ｃｍ　Ｘ　６Ｑｃｍを
１ハツチ２０枚配設）が、その温度分布において、１０
０〜６５０℃の温度設定において±１０℃以内のばらつ
きとしたことを特徴としている。

かくのごとくにマルチチャンバ方式を基本条件としてい
るため、それぞれの反応容器内での被膜の特性の向上に
加えて、チャンバ内壁に不要の反応生成物が付着するこ
とを防ぎ、逆に加えて供給した反応性気体の被膜になる
割合、即ち収集効率を高めている。このため絶縁性（石
英）ホルダにより囲み、ヂムニー（煙突）状に基板の配
置されている筒状空間に反応性気体を供給フードに選択
的に導入させ、排気フードに排気させている。さらに基
板の被形成面が実質的にチムニ−の内壁を構成せしめた
ことを特徴とするプラズマ気相反応に関する。

図面においては、反応性気体の導入口、排気１」におい
て供給フード、排気フードを設け、この間の絶縁物ホル
ダで囲んだ基板の被形成面により実質的に作られた筒状
空間のみに選択的にプラズマ反応による活性気体を導入
せしめることによりチャンバ（反応容器）内の全空間に
反応生成物が拡散し広がることを防いだものである。か
かる気相反応装置により、形成された不純物のそれぞれ
の半導体層から他の半導体層への混合を排除し、またそ
れぞれの反応容器内に形成されるフレークを少なくさせ
て、さらに複数の半導体層の積層界面での混合の厚さを
２００〜３００人と従来よりも約１／１０〜１１５にす
るとともに、基板内、同一ハノチの基板間での膜厚のば
らつきを±５％以内（例えば５０００人の厚さとすると
、そのばらつきが±２５０人以内）とし得たことを特徴
としている。

以下に本発明の実施例を図面に従って説明する。

実施例１ 第２図に従って本発明のプラズマ気相反応装置の実施例
を説明する。

この図面は、ＰＩＮ接合、ＰＩＰ接合、ＮＩＮ接合また
はＰＩＮＰＩＮ・・・ＰＩＮ接合等の基板上の半導体に
、異種導電型でありながらも、形成される半導体の主成
分または化学量論比の異なる半導体層をそれぞれの半導
体層をその前工程において形成された半導体層の影響（
混入）を受けずに積層させるための多層に自動かつ連続
的に形成するための装置である。

図面においてはＰＩ接合、ＩＮ接合をさらに複合化して
ＰＩＮ接合を構成する３つのＰ、ＩおよびＮ型の半導体
層をｆＩ！Ｊ層して形成する３つの反応系（Ｉ、■、■
）とさらに第１および第２の予備室を有するマルチチャ
ンバ（ここでは３つの反応容器）方式のプラズマ気相反
応装置の装置例を示す。

図面における系■、■、■は３つの各反応容器（６＞、
＜　７　＞、＜　８　）を有し、それぞれの反応容器間
に分離部（４４）、＜４５＞、（４６＞；（４７）を有
している。またそれぞれ独立して反応性気体の導入フー
ド（１７）、＜１８）、（１９）と′排気フード＜　１
７’＞、（１８’）、（１９’）とを有し、反応性気体
が供給系または排気系から逆流、または他の系からの反
応性気体の混入を防いでいる。

この装置は入り口側には第１の予備室（５）が設げられ
、まず扉（４２）より基板ホルダ（ホルダともいうＸ１
５）に基板（４）を挿着し、この予備室に配置させた。

この被形成面を有する基板は被膜形成を行わない裏面を
互いに接し、２枚を一対として２〜１０ｃｍ好ましくは
３〜５ｃｍの間隙を有して林立させてい息。この間隙は
基板の反応性気体の流れ方向の長さが１０ｃｍ、　１５
ｃｍ、　２０ｃｍと長くなるにつれて、３〜４ｃｍ、４
〜５ｃｍ、５〜６ｃｍと広げた。

例えば２０ｃｍ　ｘ　６０ｃｍの基板を２０枚同時に形
成させる場合、その間隙は６ｃｒＬｌ　とした。さらに
この第１の予備室（５）を真空ポンプ（３５）にてバル
ブを開けて真空引きをした。この後予め真空引きがされ
ている反応容器（６）、（７）、（８）との分離用のゲ
ート弁（４４＞、（４５＞、＜　４６　＞、＜　４７　
）を開けて基板およびホルダを移した。例えば、予備室
（５）より第１の反応容器（６）に移し、さらにゲート
弁（４４）を閉じることにより基板およびホルダを第１
の反応容器（６）に移動させたものである。この時、第
１の反応容器（６）に保持されていた基板（１）は第２
の反応容器（７）に、また第２の反応容器（７）に保持
されていた基板（２）は第３の反応容器（８）に、また
第３の反応容器（８）に保持されていた基板は出口側の
第２の予備室（９）に同時にゲート弁（４５）、（４６
）、（４７）を開けて移動させた。この後ゲート弁（４
４）、＜４５＞、＜４６＞、＜４７）を閉めた。

第２の予備室に移された基板はゲート弁（４７）が閉じ
られた後（４１）より窒素が導入されて大気圧にされ、
（４３）の扉より外へ出した。

即ちゲート弁の動きは扉（４２）、（４３）が大気圧で
開けられた時は分離部のゲート弁（４４）、（４５）ズ
４６）。

（４７）は閉しられ、各チャンバにおいてばプラズマ気
相反応が行われている。また逆に扉（４２）、＜４３）
が閉じられていて予備室（５＞、＜　９　）が十分真空
引きされた時は、ゲート弁（４４＞、＜４５＞、（４６
）、＜４７）が開けられ、各チャンバ′の基板、ホルダ
は隣のチャンバに移動する機構を有している。

系Ｉにおける第１の反応容器（６）でＰ型半導体層をＩ
ＩｃＶＤ法により形成する場合を以下に示す。

反応系ｌ　（反応容器（６）を含む）は１０１〜１０ｔ
ｏｒｒ好ましくは０．０１〜ｌ　ｔｏｒｒ例えば０．０
８ｔｏｒｒとした。

反応性気体は珪化物気体（２４）に対してはシラン（Ｓ
ｉｎｌｌ、、、、Ｌｎン１特に５ｉｌ１４＞、ジクロー
ルシラン（ＳｉｎＬＣＩＬ＞、トリクロールシラン（Ｓ
ＩＩＩＣＩＪ　）、四フッ化珪素（Ｓｉｒ、）等がある
が、取扱が容易なシランを用いた。

本実施例の５ｉｘＣ＋−、Ｉ（０＜　ｘ　＜　１　）を
形成するため、炭化物気体（２３）に対してはメタン（
Ｃａｌ、　）を用いた。

炭化珪素（ＳｉｘＣ２−ＬＯ＜　ｘ　＜　１　）に対し
ては、Ｐ型の不純物としてボロンを水素にて２０００１
１ＰＭに希釈されたジボランより　（２５）より供給し
た。またガリュームをＴＭＧ　（Ｇａ　（Ｃｌｌ　３　
）Ｊ　）により１０Ｆｊ〜９　Ｘ　１０”　ｃｍ−ヨの
濃度になるように加えてもよい。

必要に応し水素（Ｈ４）または窒素（Ｎ２）を液体窒素
より気化して用いた。これらの反応性気体はそれぞれの
流量計（３３）およびバルブ（３２）を経て、反応性気
体の供給フード（１７）より高周波電源（１４）の負電
極（６１）を経て反応容器（６）に供給された。反応性
気体は（７０）のホルダ（７４）に囲まれた筒状空間内
に供給され、この空間を構成する基板（１）に被膜形成
を行った。さらに負電極（６１）と正電極（５１）間に
電気エネルギ例えば１３．５６１１１１２の高周波エネ
ルギ（１４）を加えてプラズマ反応せしめ、基板上に反
応生成物を被膜形成せしめた。

基板はｉｏｏ〜４００　’ｃ例えば２００°Ｃに赤外線
ヒータ（１１）、（１１’）により加熱した。

この赤外線ヒータは、近赤外用ハロゲンランプ（発光波
長１〜３μ）ヒータまたは遠赤外用セラミックヒータ（
発光波長８〜２５μ）を用い、棒状を有するため上方の
ヒータと下方のヒータとが互いに直交する方向に配置し
て、この反応容器内におけるホルダにより取り囲まれた
筒状空間を２００±１０℃好ましくは±５°Ｃ以内に設
置した。

この後、前記したが、この容器に前記した反応性気体を
導入し、さらに１０〜５００Ｗ例えば１００訂こ高周波
エネルギ（１４）を供給してプラズマ反応を起こさせた
。

さらに上下の電極（ｔ＋ｌ１ｌＩ状のステンレス製電極
（図示されず）にも同様に電気エネルギを加えた。

ここでは１３．５６ＭＨｚを５０Ｗの出力で加えた。即
しアシスト電界（補助電界）により第１の電界の端部で
の電界が弱くなる部分を中央部とほぼ同しようにするこ
とが可能になった。

かくしてＰ型半導体層はＢＬｌ１６／　Ｓ　＋　１１４
　＝　０　、５％。

Ｃｔｌ、／　（Ｓｉｌｌ＋　＋ＣＩ味）　’＝０．５％
の条件にて、この反応系■で約１００人の厚さを有する
薄膜（ＩＷＪソのばらつき９５〜１０３人）として形成
させた。Ｅｇ＝２．Ｏｅν。

σ−ＩＸＩＯ−Ｇ〜３Ｘ１０’（Ωｃｍ戸であった。

基板は導体基板（ステンレス、チタン、アルミニューム
、その他の金属）２半導体（珪素、ゲルマニューム）、
絶縁体くアルミナ、ガラス、有機物質）または複合基板
（アルミニューム、ステンレス上に絶縁薄を形成させた
絶縁性表面を有する可曲性基板またはガラス絶縁基板の
上面に弗素が添加された酸化スズ、ＩＴＯ等の導電膜が
単層またはＩＴＯ上に５ｎＯｓが形成された２Ｎ膜が形
成されたもの、さらにまたは絶縁基板上にＰまたはＮ型
の半導体が形成されたもの）を用いた。本実施例のみな
らず本発明のすべてにおいてこれらを総称して基板とい
う。勿論この基板は可曲性であってもまた固い坂であっ
てもよい。

かくして１〜５分間プラズマ気相反応をさせて、Ｐ型不
純物゛としてホウ素またはガリュームが添加された炭化
珪素膜を約１００人の厚さに作製した。

さらにこの第１の半導体層上に基板を前記した操作順序
に従って第２の反応容器（７）に移動し、ここで真性の
半導体層を約５０００人の厚さに形成させた。

即ち第１図における反応系Ｈにおいて、半導体の反応性
気体としてシランを（２８）より、また、１０”　ｃｍ
１以下のホウ素を添加するため、水素、ソラン等により
５〜３０ＰＰＭに希釈したＢ２Ｉ＋、を（２７）より、
また、キャリアガスを必要に応じて（２Ｇ）より供給し
た。

反応性気体は基板（２）の被形成面にそって」三方より
下方に流れ、真空ポンプ（３７）に至る。系■において
り４３）の出口側よりみた縦断面図を第３図に示す。

第３図を概説する。

第３図において、アシスト電界を用いて被膜を形成せし
めたものである。

図面において、ヒータ（１２）、（１２）はジルコン（
ＺｒＳｉＯ−発熱体を用い、８μ以上の光が十分に放射
できる遠赤外線ヒ〜りとした。反応空間ばヒータにより
１００〜４００℃例えば２５０°Ｃとした。反応性気体
は例えばシランを分解した。

さらに基板（２０）に対し、その被形成面に概略平行に
第１の電界（９０）を一対の主の電極（６２）、（５２
）により供給し、プラズマ気相反応を行った。

さらに同時にアシスト電界（９１）を第２の一対をなす
電極（７２＞、＜８２）により供給して、それぞれが高
周波発振器（１５）および他の高周波発振器（８５）に
より連結している。反応性気体を（２６入（２７＞、（
２Ｂ）より供給フード（１Ｂ）、ホルダ（７４）、排気
フード（１８’）により真空ポンプ（３７）へ排気させ
た。被膜としてシランによりアモルファス珪素を作製し
た場合、５０００人の厚さに５ｉｌｌｐ　６０ｃｃ／分
、被膜形成速度２．５人／秒、基板（２０ｃｍ　Ｘ　６
０ｃｍを２０枚、延べ面積２４０００　ｃシ）で圧力０
．０８ｔｏｒｒとした。

すると中央部が５０００人とばらつき、縦方向の周辺部
がアシスト電界がない従来方法の場合は３０００人（ば
らつき±２０％）であったのが、本発明方法では４５０
０人（±５％）ときわめて均一性を向上させることがで
きた。

かくして第１の反応室にてプラズマ気相法によりＰ型半
導体層を形成した上にＬＴ　ＣＶＤ法によりＩ型半導体
層を形成させてＰＩ接合を構成させた。

またかくして系■にて約５０００人の厚さに形成させた
（＆、基板は前記した操作に従って第１図の糸■の反応
容器（８）に移され、Ｎ型半導体層が形成させた。この
Ｎ型半導体層は、ｌ’ｃＶＤ法によりフォスヒンを円１
３／　Ｓ　ｉＨ＋　＝　１　、０％としく３１）よりま
たシランを（３０）より、またキャリアガスの水素を（
３８）より５１１１ｆ／　Ｈｚ　＝　５０％として供給
し、系Ｉと同様にして約２００人の厚さにＮ型の微結晶
性または繊維構造を有する多結晶の半導体層を形成させ
、さらにその上面にメタンをＣＩ＋、　／　（Ｓｉｌ＋
、＋Ｃ１ｌ、）−〇、１　として（２９）より供給して
５ｉＸＣ＋−（（０＜　ｘ〈１）で示されるＮ型半導体
層を１０〜２００人の厚さ例えば５０人の厚さに積層し
て形成させたものである。その他反応装置については系
Ｊと同様である。

かかる工程の後、第２の予備室（９）より外に１”ＩＮ
接合を構成して出された基板上に１００〜１．５０　［
）人の厚さのＩＴＯをさらにその上に反射性電極として
のアルミニューム電極を真空蒸着法により約１μの厚さ
に作り、ガラス基板上ζこ（ＩＴＯ４ＳｎＯｑ−）表面
電極−（ＰＩＮ半導体〉−（裏面電極）を構成させた。

その光電変換装置としての特性は７〜９％平均８％を１
０ｃｍ　Ｍ　１０ｃｍの基板でＡＭｌ（１００ｍＷ　／
ｃＪ）の条件下にて真性効率特性として有し、集積化し
てハイブリッド型にした２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍのガラ
ス基板においても、３〜５％を実効効率で得ることがで
きた。この効率の向上は大きい面積の基板の周辺部での
膜厚が従来の３０００人よりｌｆｆ１としての最適の膜
厚の５０００人とすることができたこと、さらに同様に
′従来はＰまたはＮ型半導体層では膜厚がばらつきすぎ
て十分な開放電圧がでなかったことに比べて、本発明方
法はきわめて均一な膜厚にさせることができたことによ
り、その結果、１つの素子で開放電圧は０．８５〜０．
９Ｖ　（０，８７±０．０２Ｖ）であったが、短絡電流
は２０〜２２ｍＡ／ｃ己と大きく、またＦＦも０，７０
〜０．７８と大きく゛かつそのばらつきもパネル内、バ
ッチ内で小さく工業的に本発明方法はきわめて有効であ
ることが判明した。

第４図は第３図における第２の反応系（Ｉｔ）で非単結
晶珪素を０．５μの膜厚に形成した場合の分布を示す。

図面より明らかなように、基板（２）、主電極（６２＞
、（５２＞、アシスト電極（７２）、＜８２）を配し、
それぞれの断面での厚さの分布を（Ｂ　＞、＜　Ｃ＞、
＜　Ｄ　）、（Ｅ　）に示す。このすべての断面図にお
いて、第１図に比べてきわめて均一性を有し、実用上十
分±５％以内のばらつきになっていることが判明した。

さらにこの珪素または炭素の不対結合手を水素により５
ｔ−１１，Ｃ−Ｈにて中和するのではなく、５ｉ−ｐ、
ｃｆｆＦとハロゲン化物特に弗化物気体を用いて実施し
てもよいことばいうまでもなく、この濃度は１０原子％
以下、例えば２〜５原子％が好ましかった。

形成させる半導体の種類に関しては、前記したごとく、
複数層ではなく　ＩＶ族のＳ　ｌ　＋　Ｇｅ、　Ｉ　５
ＩＸＬＩＪＬ（０＜ｘ＜１）、５ｉｘＧｅ＋−（（０＜
ｘ＜ｌ　入５ｉｘＳｎ＋−＜（０＜ｘ＜１）単層であっ
ても、またこれら以外にＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、　Ｂ
Ｐ、ＣｄＳ等の化合物半導体であってもよいことはいう
までもない。

本発明は３つの反応容器を用いてマルチチャンバ方式で
のＰＣＶＤ法を示した。しかしこれを１つの反応容器と
し、そこでＰＣＶＤ法により窒化珪素をシランとアンモ
ニアとのＰＣＶＤ反応により形成させることは有効であ
る。また酸化珪素をシランをＮ２０とのｐｃｖｏ反応に
より形成させることも有効である。

また酸化スズをＳｉＣｌ２と窒素とのＰＣＶＤ反応によ
り、１１’ＯをＩｎＣｌ７．５ｎＣＩ４　と窒素゛との
プラズマ気相方法により形成することも有効である。

本発明で形成された非単結晶半導体被膜は、絶縁ディト
型電界効果半導体装置におけるＮ（ソース）Ｉ（チャネ
ル形成領域）Ｎ（ドレイン）接合またはＰＩＦ接合に対
しても有効である。さらにＰＩＮダイオードであってエ
ネルギハンド１ｊがＷ−Ｎ−ｗ　（ＷＩＤＥ−ＮＡＬＬ
ＯＷ−ＷＩＤＥ）または５ｉｘＣ１，ｔ−５ｉ−５ｉｘ
Ｃ＋ｇ（Ｑ＜ｘ＜ｌ）構造のＰＩＮ接合型の可視光レー
ザ、発光素子または光電変換装置を作ってもよい。特に
先入射光側のエネルギハンド１Ｊを大きくしたベテロ接
合構造を有するいわゆるＷ（ＰまたはＮ型）−Ｎ（Ｉ型
＞ｏｏｏＥＴＯＮｐ、ＬＬｏ匈）と各反応室にて導電型
のみではなく生成物を異ならせてそれぞれに独立して作
製して積層させることが可能になり、工業的にきわめて
重要なものであると信する。

本発明において、分離部は単にゲイト弁のみではなく、
２つのゲート弁と１つのバッファ室を系Ｉと系２との間
に設けてＰ型半導体の不純物のＩ型半導体層中への混入
をさらに防ぎ、特性を向上せしめることは有効であった
。

また本発明の実施例は第２図に示すマルチチャンバ方式
であり、そのすべての反応容器にてアシスト電界を供給
した。しかし必要に応じ、この一部を従来の一対の電極
のみとするＰＣＶＤ法またはプラズマを用いない光ＣＶ
Ｄ法、ＬＴ　ＣＶＤ法を採用して複合被膜を形成しても
よい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の方法で得られた基板上の膜厚の不均一性
を示す。 第２図、第３図は本発明を実施するための半導体膜形成
用製造装置の概略を示す。 第４図は本発明方法によってｉｑられた基板の膜厚の均
一性を示す。 、６２ ，４−ＡＪｕ−ｏｒ （１３）　（Ｃ） （Ｏ） （Ｆ） ポ１口 −−１’ Ｃ−Ｃ’　（１）ノ ″−２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板の表面に概略平行に第１の電界が供給されるプ
   ラズマ気相反応方法において、前記第１の電界に直交し
   て第２の電界を供給することにより被形成面上に導体、
   半導体または絶縁体の被膜を形成することを特徴とする
   プラズマ気相反応方法。 ２、基板を互いに離間して概略平行に設けた前記基板表
   面に概略平行の電界を供給する第１の一対の電極と、該
   第１の一対の電極に直交して第２の電界を供給する第２
   の一対の電極とを具備したプラズマ気相反応用製造装置
   。