JPS61214538A - 配線構造体の製造方法 - Google Patents
配線構造体の製造方法Info
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- JPS61214538A JPS61214538A JP5441185A JP5441185A JPS61214538A JP S61214538 A JPS61214538 A JP S61214538A JP 5441185 A JP5441185 A JP 5441185A JP 5441185 A JP5441185 A JP 5441185A JP S61214538 A JPS61214538 A JP S61214538A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高分子樹脂を眉間絶縁膜もしくは保護膜として
用いる配線構造体及びその製造方法に係り、特に基板と
配線もしくは配線相互の電気的接続が良好な配線構造体
およびその製造方法を提供することにある。
用いる配線構造体及びその製造方法に係り、特に基板と
配線もしくは配線相互の電気的接続が良好な配線構造体
およびその製造方法を提供することにある。
第２図を用いて従来技術の問題点について述べる、なお
この従来技術は斉木他；電子通信学会誌論文誌；ＶｏＱ
６３−Ｃ（９）（１９８０／９） ｐ５８６に記載さ
れている。まず第２図（ａ）に示すように表面に絶縁層
もしくは配線層（図示せず）が形成されているＳｉウェ
ハなどの基板１０上にポリイミド樹脂からなる高分子樹
脂層１１を形成する０次いで接続口１３を形成するため
の、フォトレジスト等からなるマスク１２を形成し、抱
水ヒドラジン系エツチング液によって接続口１３を形成
する。この接続口１３の形成によって露出した基板１０
表面には一般にはエツチング液ともしくはその後の洗浄
に用いられる水などと表面に露出した物質との反応層１
４が生成される０例えば基板１０表面にＳｉが露出した
場合はＳ ｉ Ｏ，などが、Ａｎなどが露出した場合に
はＡｎ、Ｏ，。
この従来技術は斉木他；電子通信学会誌論文誌；ＶｏＱ
６３−Ｃ（９）（１９８０／９） ｐ５８６に記載さ
れている。まず第２図（ａ）に示すように表面に絶縁層
もしくは配線層（図示せず）が形成されているＳｉウェ
ハなどの基板１０上にポリイミド樹脂からなる高分子樹
脂層１１を形成する０次いで接続口１３を形成するため
の、フォトレジスト等からなるマスク１２を形成し、抱
水ヒドラジン系エツチング液によって接続口１３を形成
する。この接続口１３の形成によって露出した基板１０
表面には一般にはエツチング液ともしくはその後の洗浄
に用いられる水などと表面に露出した物質との反応層１
４が生成される０例えば基板１０表面にＳｉが露出した
場合はＳ ｉ Ｏ，などが、Ａｎなどが露出した場合に
はＡｎ、Ｏ，。
Ａ（１（ＯＨ）ｓなどが生成される。この反応層１４は
多くの場合高抵抗もしくは絶縁性を有し。
多くの場合高抵抗もしくは絶縁性を有し。
この上に直ちに配線層を形成しても、該配線層と下地の
基板１０や配線層（図示せず）と良好な電気的接続を得
ることは困難である。そこでこの反応層１４を除去する
ことが必要である。この反応層１４は除去するには、ス
パッタクリーニングによって行なうことができる。これ
は第１図（ｂ）に示すように、マスク１２を除去した後
に基板１０全面をＡｒなどの不活性ガスイオンによって
エツチングして、高分子樹脂層１１表面を僅かに除去（
厚さ２〜５０ｎｍが多い）して同時に反応層１４をも除
去し、次いで第２図（ｃ）に示すように基板１０を大気
に晒すことなく配線層１５を形成して、これを所定の形
状に加工する。この様にスパッタクリーニングを用いる
ことによって、例えば基板１０表面の配線層（図示せず
）と配線層１５との間の、接続口１３を介しての接触抵
抗はほぼ熱処理を行なわなくともｌ Ｘ ｉ ｏ−”Ω
・−と、十分に低い抵抗値が得られていた。しかし以上
の技術は以下の様な欠点を有することが発明者らの検討
の結果判明した。すなわち上記方法においては、接続口
１３の深さＴの、狭い方の幅Ｗに対する比、即ちアスペ
クト比が１／２よりも小さな場合には、上に説明した如
く良好な接続が得られる。しかしアスペクト比が１７２
を越えると第２図（ｄ）に示すように、接続口１３底部
の反応層１４はスパッタクリーニングによっても十分に
は除去されず、逆に高分子樹脂層１１表面からエツチン
グされた物質などが堆積したり、接続口１３底部に露出
した物質と反応したりして出来る再付着物層１６が却っ
て形成されてしまい、低い接触抵抗が実現されなくなる
場合のあることがわかった。これは接続口１３のアスペ
クト比が大きくなるにつれて不活性ガスイオンの入射が
少なくなり１反応層１４の除去速度の低下する反面、高
分子樹脂層１１表面からエツチングされた物質が、接続
口１３底部に堆積したり、被エツチング物質が分解して
酸素などが生成されこの酸素などが接続孔１３底部に露
出した物質と反応したりして、再付着物層が形成される
ためであることがわかった。従って従来技術においては
アスベスト比１７２以上の接続口１３を用いることは困
難であった。
基板１０や配線層（図示せず）と良好な電気的接続を得
ることは困難である。そこでこの反応層１４を除去する
ことが必要である。この反応層１４は除去するには、ス
パッタクリーニングによって行なうことができる。これ
は第１図（ｂ）に示すように、マスク１２を除去した後
に基板１０全面をＡｒなどの不活性ガスイオンによって
エツチングして、高分子樹脂層１１表面を僅かに除去（
厚さ２〜５０ｎｍが多い）して同時に反応層１４をも除
去し、次いで第２図（ｃ）に示すように基板１０を大気
に晒すことなく配線層１５を形成して、これを所定の形
状に加工する。この様にスパッタクリーニングを用いる
ことによって、例えば基板１０表面の配線層（図示せず
）と配線層１５との間の、接続口１３を介しての接触抵
抗はほぼ熱処理を行なわなくともｌ Ｘ ｉ ｏ−”Ω
・−と、十分に低い抵抗値が得られていた。しかし以上
の技術は以下の様な欠点を有することが発明者らの検討
の結果判明した。すなわち上記方法においては、接続口
１３の深さＴの、狭い方の幅Ｗに対する比、即ちアスペ
クト比が１／２よりも小さな場合には、上に説明した如
く良好な接続が得られる。しかしアスペクト比が１７２
を越えると第２図（ｄ）に示すように、接続口１３底部
の反応層１４はスパッタクリーニングによっても十分に
は除去されず、逆に高分子樹脂層１１表面からエツチン
グされた物質などが堆積したり、接続口１３底部に露出
した物質と反応したりして出来る再付着物層１６が却っ
て形成されてしまい、低い接触抵抗が実現されなくなる
場合のあることがわかった。これは接続口１３のアスペ
クト比が大きくなるにつれて不活性ガスイオンの入射が
少なくなり１反応層１４の除去速度の低下する反面、高
分子樹脂層１１表面からエツチングされた物質が、接続
口１３底部に堆積したり、被エツチング物質が分解して
酸素などが生成されこの酸素などが接続孔１３底部に露
出した物質と反応したりして、再付着物層が形成される
ためであることがわかった。従って従来技術においては
アスベスト比１７２以上の接続口１３を用いることは困
難であった。
例えば、高分子樹脂層１１の厚さが１μｍである場合、
幅Ｗが２μｍ以下の微細な接続口２３を用いることは困
難であった。
幅Ｗが２μｍ以下の微細な接続口２３を用いることは困
難であった。
本発明は上記従来技術の欠点を克服し、１７２以上のよ
り望ましくは１以上の高アスベスト比の接続口を用いる
ことが可能な配線構造体とその製造方法とを提供するこ
とを目的とする。
り望ましくは１以上の高アスベスト比の接続口を用いる
ことが可能な配線構造体とその製造方法とを提供するこ
とを目的とする。
上記従来技術の欠点の生ずる原因は、スパッタクリーニ
ングの際に第２図（ｄ）に示した如く再付着物層１６が
形成されるためである。詳細な検討の結果、この様な再
付着物層１６は、接続層１３が高分子樹脂層中に形成さ
れる場合に特に形成され易いことがわかった。他方接続
口がＳｉｎ。
ングの際に第２図（ｄ）に示した如く再付着物層１６が
形成されるためである。詳細な検討の結果、この様な再
付着物層１６は、接続層１３が高分子樹脂層中に形成さ
れる場合に特に形成され易いことがわかった。他方接続
口がＳｉｎ。
や金属などからなる層に形成される場合、接続口のアス
ペクト比比が１以上であっても再付着物の層は殆ど形成
されないことがわかった。
ペクト比比が１以上であっても再付着物の層は殆ど形成
されないことがわかった。
本発明は以上の検討結果に基づき、スパッタクリーニン
グを行なう際に高分子樹脂層表面を再付着物層が生成さ
れにくく、また基板を汚染することのない物質からなる
第１の層でおおった構造とし、しかる後にスパッタクリ
ーニングと第２の層の形成を行なうことによって、アス
ペクト比が１／２以上の接続口部分においても十分に低
い接触抵抗の実現を可能としたものである。第１の層と
してＣｒもしくはＣｒを主成分とした合金もしくは化合
物を用いないのは以下の理由による。第１図（ａ）にお
いて、ポリイミド等の高分子樹脂層２１にアスペクト比
１／２以上の接続口２３を形成するためには湿式の化学
エツチング液を用いることは一般に困難であることが知
られている。これに代る方法としては水量、他、アイ・
イー・デー・エム・テクニカル・ダイジェスト（Ｈｏｗ
謹ａ。
グを行なう際に高分子樹脂層表面を再付着物層が生成さ
れにくく、また基板を汚染することのない物質からなる
第１の層でおおった構造とし、しかる後にスパッタクリ
ーニングと第２の層の形成を行なうことによって、アス
ペクト比が１／２以上の接続口部分においても十分に低
い接触抵抗の実現を可能としたものである。第１の層と
してＣｒもしくはＣｒを主成分とした合金もしくは化合
物を用いないのは以下の理由による。第１図（ａ）にお
いて、ポリイミド等の高分子樹脂層２１にアスペクト比
１／２以上の接続口２３を形成するためには湿式の化学
エツチング液を用いることは一般に困難であることが知
られている。これに代る方法としては水量、他、アイ・
イー・デー・エム・テクニカル・ダイジェスト（Ｈｏｗ
謹ａ。
ｅｔ ａ Ｑ ： ＩＥＤＭ Ｔｅｈｎｉｃａｌ Ｄｉ
ｇｅｓｔ） １９７９． ｐ ５４に示されているよう
に、ｏ、もしくは０１とＡｒ、０２ とフレオン系ガス
との混合ガスを用いたドライエツチング法が用いられる
。しかるにこのドライエツチング法によって第１の層２
７も僅かにエツチングされる。エツチングされた第１の
層はエツチング装置内部や基板２０表面に付着する。基
板２ｏが主にＳｉから成り、第１の層が主にＣｒから成
る場合、付着したＣｒは比較的低温（３５０℃以上）で
速やかに基板２０のＳｉ中に拡散するために、そこに形
成されている素子（図示せず）の特性を損う結果となる
ためである。接続口２３の形成の際に露出した基板２０
表面には、主に基板２０表面を構成する物質の酸化物か
らなる反応層２４が形成される。なお第１の層２７に接
続口２３のパターンを形成するためには、多くの場合フ
ォトレジストによるエツチングマスク（図示せず）が用
いられるが、このエツチングマスクは。
ｇｅｓｔ） １９７９． ｐ ５４に示されているよう
に、ｏ、もしくは０１とＡｒ、０２ とフレオン系ガス
との混合ガスを用いたドライエツチング法が用いられる
。しかるにこのドライエツチング法によって第１の層２
７も僅かにエツチングされる。エツチングされた第１の
層はエツチング装置内部や基板２０表面に付着する。基
板２ｏが主にＳｉから成り、第１の層が主にＣｒから成
る場合、付着したＣｒは比較的低温（３５０℃以上）で
速やかに基板２０のＳｉ中に拡散するために、そこに形
成されている素子（図示せず）の特性を損う結果となる
ためである。接続口２３の形成の際に露出した基板２０
表面には、主に基板２０表面を構成する物質の酸化物か
らなる反応層２４が形成される。なお第１の層２７に接
続口２３のパターンを形成するためには、多くの場合フ
ォトレジストによるエツチングマスク（図示せず）が用
いられるが、このエツチングマスクは。
殆どの場合、高分子樹脂層２１のエツチングの際に同時
にエツチングされてしまう０次に第１図（ｂ）に示すよ
うに、基板２０の表面にスパッタクリーニングを施し、
第１の層２７の一部と反応層２４とをエツチング除去す
る。さらに基板２０を大気に晒すことなく第２の層２５
を被着する。
にエツチングされてしまう０次に第１図（ｂ）に示すよ
うに、基板２０の表面にスパッタクリーニングを施し、
第１の層２７の一部と反応層２４とをエツチング除去す
る。さらに基板２０を大気に晒すことなく第２の層２５
を被着する。
第１図（ｃ）に示すように必要に応じて第２の層２５を
マスクとして第１の層２７の露出部分を除去することに
よって本発明の配線構造体が形成される。なお第１の層
２７が導電性でない場合にはその露出部分を必ずしも除
去する必要はない。
マスクとして第１の層２７の露出部分を除去することに
よって本発明の配線構造体が形成される。なお第１の層
２７が導電性でない場合にはその露出部分を必ずしも除
去する必要はない。
第１の層としてはＮｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ。
Ｐｔ、Ｐｄなどの金属やこれらとＡΩやＣｕとの合金、
さらにはＡ（１，Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉなどの窒化物や窒化
物と酸化物の混合物が適している。第２の層は導電路の
主体となるものでＡＭやＣｕ。
さらにはＡ（１，Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉなどの窒化物や窒化
物と酸化物の混合物が適している。第２の層は導電路の
主体となるものでＡＭやＣｕ。
もしくはこれらとＳｉ、Ｂｅ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ。
Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等との合金が望ましいが、必ずしも単一
の層である必要はなく上記物質の積層膜であっても良い
０本発明の配線構造体においては、第２の層２５の下の
第１の層２７として耐湿性や耐熱性に優れた上記の金属
や合金もしくは化合物などを用いると、高分子樹脂層２
１中の水分等による第２の層２５の腐食が起こりにくく
なり、配線構造体の信頼性が著しく向上する。なお、高
分子樹脂層２１中の水分とは、本来樹脂層中に含まれる
ものでなく、外部より高分子樹脂層２１中に侵入・透過
して、配線層にまで達するものとされている。また第２
の層２５と接続口２３底部に露出した層（図示せず）と
の接触抵抗は、従来技術においては、ＩＸｌ、０−”Ω
・ｄ以下に低減化することは困難であるが１本発明を用
いるとスパッタクリーニングの際に高分子樹脂層２１が
エツチングされることが殆どないために、第３図に示す
様に、接続口２３の７スペクト比が１を超える場合にお
いても抵抗低減のための熱処理を行なう前において１〜
３ Ｘ １０−’Ω・ｄ（いずれも熱処理前）という低
い接触抵抗を実現できるなど、従来技術に比して著しい
利点を有するものである。
の層である必要はなく上記物質の積層膜であっても良い
０本発明の配線構造体においては、第２の層２５の下の
第１の層２７として耐湿性や耐熱性に優れた上記の金属
や合金もしくは化合物などを用いると、高分子樹脂層２
１中の水分等による第２の層２５の腐食が起こりにくく
なり、配線構造体の信頼性が著しく向上する。なお、高
分子樹脂層２１中の水分とは、本来樹脂層中に含まれる
ものでなく、外部より高分子樹脂層２１中に侵入・透過
して、配線層にまで達するものとされている。また第２
の層２５と接続口２３底部に露出した層（図示せず）と
の接触抵抗は、従来技術においては、ＩＸｌ、０−”Ω
・ｄ以下に低減化することは困難であるが１本発明を用
いるとスパッタクリーニングの際に高分子樹脂層２１が
エツチングされることが殆どないために、第３図に示す
様に、接続口２３の７スペクト比が１を超える場合にお
いても抵抗低減のための熱処理を行なう前において１〜
３ Ｘ １０−’Ω・ｄ（いずれも熱処理前）という低
い接触抵抗を実現できるなど、従来技術に比して著しい
利点を有するものである。
以下に第１図を用いて実施例を説明する。
実施例１
第１図（ａ）において、基板２０は半導体素子（＠示せ
ず）などが形成された集積回路基板であり、その表面の
絶縁層（図示せず）の所定の部分が除去されて素子と配
線層との接続部が露出されたものを表す、その上に厚さ
１μｍのポリイミド樹脂からなる高分子樹脂層２１が塗
布法によって形成されている。その上に厚さ約５０ｎｍ
のＴｉの窒素化合物（Ｔ ｉ Ｎ）からなる第１の層２
７を被着し、素子と配線層との接続部に相当する１μｍ
角の部分がエツチングによって除去され、これをマスク
として高分子樹脂層２１がｏｓを用いた反応性スパッタ
エツチングによって除去され。
ず）などが形成された集積回路基板であり、その表面の
絶縁層（図示せず）の所定の部分が除去されて素子と配
線層との接続部が露出されたものを表す、その上に厚さ
１μｍのポリイミド樹脂からなる高分子樹脂層２１が塗
布法によって形成されている。その上に厚さ約５０ｎｍ
のＴｉの窒素化合物（Ｔ ｉ Ｎ）からなる第１の層２
７を被着し、素子と配線層との接続部に相当する１μｍ
角の部分がエツチングによって除去され、これをマスク
として高分子樹脂層２１がｏｓを用いた反応性スパッタ
エツチングによって除去され。
素子の接続部表面にはＳｉ酸化物からなる反応層２４が
生成されている状態を示す、この反応層２４は物質やエ
ツチング条件等によって異なるが一般には５〜２０ｎｍ
といわれている１次に第２図（ｂ）に示すようにＡｒを
用いたスパッタクリーニングによって、第１の層２７を
３０ｎｍエツチングした。このエツチングの際に、反応
物層２４も同時に除去された０次いで第２の層２５とし
て厚さ約０．９μｍのＡΩ−２％Ｓｉ合金を被着し、フ
ォトレジストをマスクとして所定の形状に加工した。更
に第２の層をマスクとして第１の層をも加工して、配線
構造体を形成した０本実施例においては、第２の層２５
の下にＴｉＮからなる第１の層２７が存在し、このＴｉ
Ｎが水分等を透過させないために第２の層２５の腐食が
防止されるという効果を有する。いわゆる耐湿信頼性試
験では従来構造に比して約１桁寿命が向上した。
生成されている状態を示す、この反応層２４は物質やエ
ツチング条件等によって異なるが一般には５〜２０ｎｍ
といわれている１次に第２図（ｂ）に示すようにＡｒを
用いたスパッタクリーニングによって、第１の層２７を
３０ｎｍエツチングした。このエツチングの際に、反応
物層２４も同時に除去された０次いで第２の層２５とし
て厚さ約０．９μｍのＡΩ−２％Ｓｉ合金を被着し、フ
ォトレジストをマスクとして所定の形状に加工した。更
に第２の層をマスクとして第１の層をも加工して、配線
構造体を形成した０本実施例においては、第２の層２５
の下にＴｉＮからなる第１の層２７が存在し、このＴｉ
Ｎが水分等を透過させないために第２の層２５の腐食が
防止されるという効果を有する。いわゆる耐湿信頼性試
験では従来構造に比して約１桁寿命が向上した。
なお接続孔２３内部において第２の層は高分子樹脂層２
１と直接に接しており、他の部分よりも腐食が起こり易
いといえる。しかし腐食の進行は局所的もしくは確率的
なものであり、接続口２３部の接触面積は僅かであるた
め、実用上は殆ど問題とならない０本実施例において、
接続抵抗は１．５×１０１Ω・−という低い値が得られ
た。
１と直接に接しており、他の部分よりも腐食が起こり易
いといえる。しかし腐食の進行は局所的もしくは確率的
なものであり、接続口２３部の接触面積は僅かであるた
め、実用上は殆ど問題とならない０本実施例において、
接続抵抗は１．５×１０１Ω・−という低い値が得られ
た。
実施例２
基板２０および高分子樹脂層２１は実施例と同一のもの
を用いた。第１の層２７として、厚さ６０ｎｍのスパッ
タリングによりＴａを形成した。
を用いた。第１の層２７として、厚さ６０ｎｍのスパッ
タリングによりＴａを形成した。
接続口２３に対応する部分をフォトレジストをマスクと
して、ＣＦ４ガスを用いた反応性スパッタエツチングに
よって除去し、実施例１と同じ方法によって接続口２３
を形成した。その後実施例１と同じ条件によって第２の
層２５を被着し、配線パターンに形成した０本構造によ
り効果は大略実施例１と同等であるが、ＴｉＮ膜は反応
性スパッタリングやＣＶＤ法によって形成しなければな
らないのに対し１本実施例におけるＴａは通常のスパッ
タ法で被着でき、より簡便な方法であるといえる。
して、ＣＦ４ガスを用いた反応性スパッタエツチングに
よって除去し、実施例１と同じ方法によって接続口２３
を形成した。その後実施例１と同じ条件によって第２の
層２５を被着し、配線パターンに形成した０本構造によ
り効果は大略実施例１と同等であるが、ＴｉＮ膜は反応
性スパッタリングやＣＶＤ法によって形成しなければな
らないのに対し１本実施例におけるＴａは通常のスパッ
タ法で被着でき、より簡便な方法であるといえる。
実施例３
第１図（ａ）において基板２０として、ＭＯ８素子とそ
れに接続するＡｌ１−１％Ｃｕ合金からなる下部配線層
（図示せず）を含むＳｉウェハを用いた。この上に厚さ
約２μｍのポリイミド樹脂２１を被着し、第１の層２７
として１１００ｎのシリカフィルム（塗布性のＳ ｉ
Ｏ，膜）を形成した。下部配線層との接続予定部の１．
５Ｘ１．５μｍ２に相当するシリカフィルムを除去し、
実施例１と同様に高分子樹脂層２１をエツチングして接
続口２３を形成した。以下実施例１と同様な手順によっ
て配線構造体を形成した０本実施例においては、第１の
層２７は絶縁性であって、第２の層２５の加工後に必ず
しも第２の層２５に沿って露出部を除去する必要はない
、しかし、第１の層２７下部の高分子樹脂層２１は機械
的に柔かく、一方第１の層２７は機械的に硬く、もろい
ために外部から機械的な力が加わった際に破損し、その
破片などによって高分子樹脂層２１や第２の層２７等に
損傷を及ぼす可能性もあるために、露出部を除去したも
のである０本実施例の効果は前２例と同様であるが、第
１の層２７が塗布法によって形成可能であるという点で
より簡便である。
れに接続するＡｌ１−１％Ｃｕ合金からなる下部配線層
（図示せず）を含むＳｉウェハを用いた。この上に厚さ
約２μｍのポリイミド樹脂２１を被着し、第１の層２７
として１１００ｎのシリカフィルム（塗布性のＳ ｉ
Ｏ，膜）を形成した。下部配線層との接続予定部の１．
５Ｘ１．５μｍ２に相当するシリカフィルムを除去し、
実施例１と同様に高分子樹脂層２１をエツチングして接
続口２３を形成した。以下実施例１と同様な手順によっ
て配線構造体を形成した０本実施例においては、第１の
層２７は絶縁性であって、第２の層２５の加工後に必ず
しも第２の層２５に沿って露出部を除去する必要はない
、しかし、第１の層２７下部の高分子樹脂層２１は機械
的に柔かく、一方第１の層２７は機械的に硬く、もろい
ために外部から機械的な力が加わった際に破損し、その
破片などによって高分子樹脂層２１や第２の層２７等に
損傷を及ぼす可能性もあるために、露出部を除去したも
のである０本実施例の効果は前２例と同様であるが、第
１の層２７が塗布法によって形成可能であるという点で
より簡便である。
実施例４
第１図（ａ）枚における基板２０および高分子樹脂層２
１は実施例３と同等のものを用いた１次にこの上に減圧
ＣＶＤ法によって１１００ｎのＷ膜を形成した。Ｗ膜は
ＷＦ、をガス源とし、０．５〜ＩＴｏｒｒの圧力下、基
板温度約３５０’Ｃで形成した０次にこのＷ膜を過酸化
水素水によってエツチングした。高分子樹脂層２１表面
にはＷ膜形成時にポリイミド樹脂との反応によって生成
された約３０ｎｍのＷＣ（タングステンカーバイドの層
）が残り、これを第１の層２７として用いた０次いでレ
ジストをマスクとし、Ａｒイオンビームによって接続口
２３形成予定部の２μｍ角のｗｃを除去し、以下、実施
例１と同様な配線構造体を形成した、なお本実施例にお
いては第２の層としてＡ Ｑ ／ Ｔ ａ ／ Ａ Ｑ
が各々４００ ｎ ｍ ／ １０ ｎ ｍ ／４００ｎ
ｍの積層膜を用いた０本実施例においては、第１の層２
７の形成にやつ手数を要するが、形成されたものは高分
子樹脂層２１との反応生成物であるために、高分子樹脂
層２１と第２の層２５との接着が極めて良好であるとの
利点を有している。
１は実施例３と同等のものを用いた１次にこの上に減圧
ＣＶＤ法によって１１００ｎのＷ膜を形成した。Ｗ膜は
ＷＦ、をガス源とし、０．５〜ＩＴｏｒｒの圧力下、基
板温度約３５０’Ｃで形成した０次にこのＷ膜を過酸化
水素水によってエツチングした。高分子樹脂層２１表面
にはＷ膜形成時にポリイミド樹脂との反応によって生成
された約３０ｎｍのＷＣ（タングステンカーバイドの層
）が残り、これを第１の層２７として用いた０次いでレ
ジストをマスクとし、Ａｒイオンビームによって接続口
２３形成予定部の２μｍ角のｗｃを除去し、以下、実施
例１と同様な配線構造体を形成した、なお本実施例にお
いては第２の層としてＡ Ｑ ／ Ｔ ａ ／ Ａ Ｑ
が各々４００ ｎ ｍ ／ １０ ｎ ｍ ／４００ｎ
ｍの積層膜を用いた０本実施例においては、第１の層２
７の形成にやつ手数を要するが、形成されたものは高分
子樹脂層２１との反応生成物であるために、高分子樹脂
層２１と第２の層２５との接着が極めて良好であるとの
利点を有している。
上記説明から明らかように本発明の配線構造体及びその
製造方法は従来技術に対して下記の利点を有している。
製造方法は従来技術に対して下記の利点を有している。
１）アスペクト比が１７２以上の接続口を用いても十分
に低い接触抵抗が得られるため、配線構造の微細化が可
能となる。接触抵抗は１〜３×１０１０・−と従来の約
１７１０に低減される。
に低い接触抵抗が得られるため、配線構造の微細化が可
能となる。接触抵抗は１〜３×１０１０・−と従来の約
１７１０に低減される。
２）高分子樹脂層と導電路の主体となる配線層との間に
耐湿性もしくは耐熱性に優れた層が介在するため、高分
子樹脂層／配線層界面からの配線層の腐食が抑制され、
耐湿信頼性は従来技術に比して１桁以上自害する。
耐湿性もしくは耐熱性に優れた層が介在するため、高分
子樹脂層／配線層界面からの配線層の腐食が抑制され、
耐湿信頼性は従来技術に比して１桁以上自害する。
第１図は本発明の配線構造体及びその製造方法を示す断
面図、第２１１１は従来技術による配線構造体及びその
製造方法を示すための断面図、第３図は本発明の特長の
一つを説明するための図である。 １０．２０・・・基板、１１．２１・・・高分子樹脂層
。 １２・・・マスク、１３．２３・・・接続口、１４．２
４・・・反応層、１５．２５・・・配線層となる第２の
層。 ′ＪＩＪ１ 品 篤３ 図 葛２ 目
面図、第２１１１は従来技術による配線構造体及びその
製造方法を示すための断面図、第３図は本発明の特長の
一つを説明するための図である。 １０．２０・・・基板、１１．２１・・・高分子樹脂層
。 １２・・・マスク、１３．２３・・・接続口、１４．２
４・・・反応層、１５．２５・・・配線層となる第２の
層。 ′ＪＩＪ１ 品 篤３ 図 葛２ 目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表面に絶縁層を有する基板上に高分子樹脂層と配線
層とが各々一層ずつ以上積層され、高分子樹脂層もしく
は絶縁層の所望の位置に形成された接続口を介して、配
線層と基板もしくは配線層が相互に接続された構造を含
む配線基板において、接続口の深さの接続口の直径もし
くはその狭い方の幅に対する比（アスペクト比という）
が１／２以上である様な接続口を有し、かつ高分子樹脂
層上の配線層が、少なくとも第１の層と第２の層よりも
厚い第２の層とを含むことを特徴とする配線構造体。 ２、上記高分子樹脂層がポリイミド系樹脂やポリアミド
系樹脂等の耐熱性樹脂であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の配線構造体。 ３、上記第１の層がＣｒもしくはＣｒを主成分とする合
金を除く金属もしくは合金からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項乃至第２項記載の配線構造体。 ４、上記第１の層がＣｒもしくはＣｒを主成分とする化
合物を除く酸化物もしく窒化物からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の配線構造体。 ５、高分子樹脂層上に第１の層を形成して、所望の接続
口を形成すべき部分の第１の層を除去する工程、第１の
層の除去によつて露出した高分子樹脂層を除去して接続
口を形成する工程、次に第２の層を被着する工程、を含
むことを特徴とする配線構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054411A JP2509175B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 配線構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054411A JP2509175B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 配線構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214538A true JPS61214538A (ja) | 1986-09-24 |
| JP2509175B2 JP2509175B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=12969955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60054411A Expired - Lifetime JP2509175B2 (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 配線構造体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2509175B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237438A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の電極形成方法 |
| JPH0231445A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH03262148A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04250651A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-07 | Nec Corp | ポリイミド層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
| JP2000349301A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-12-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2000349299A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559741A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPS5571040A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | Multilayer interconnection structure |
| JPS5571089A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Method of cleaning through hole portion |
| JPS58176950A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-17 | Sony Corp | 多層配線基板 |
| JPS594024A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Hitachi Ltd | 有機質絶縁膜における貫通孔の形成法 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60054411A patent/JP2509175B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
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| JP2000349299A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-12-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2000349301A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-12-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2509175B2 (ja) | 1996-06-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |