JPS61213370A - 硫化物薄膜の製造方法 - Google Patents
硫化物薄膜の製造方法Info
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- JPS61213370A JPS61213370A JP5348085A JP5348085A JPS61213370A JP S61213370 A JPS61213370 A JP S61213370A JP 5348085 A JP5348085 A JP 5348085A JP 5348085 A JP5348085 A JP 5348085A JP S61213370 A JPS61213370 A JP S61213370A
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- sulfur
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- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は硫化物の成膜法に係り、特にＺｎＳ。
ＣｄＳ、ＣａＳ等のスパッタリングに関するものである
。
。
ｎ−ｖｒ族材料であるＺｎＳやＣｄＳ、ＣａＳ等を代表
する硫化物は発光特性や光導電性等の実用上有用な特質
を有している。またこのような材料を薄膜とすることに
よりその応用を拡げている。
する硫化物は発光特性や光導電性等の実用上有用な特質
を有している。またこのような材料を薄膜とすることに
よりその応用を拡げている。
例えばＺｎＳにＭｎや希土類フッ化物等を添加した薄膜
を発光層とする薄膜ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素
子は薄型で自己発光型の表示装置として注目されている
。代表的な薄膜ＥＬ素子の構造を第３図に示す。この薄
膜ＥＬ素子は、ガラス基板ｌｌ上にパターン化されたＩ
ＴＯ透明電極１２、第１絶縁体層１３、ＺｎＳ ：Ｍｎ
、ＺｎＳ ：ＬｎＦ３等の発光層１４、第２絶縁体層１
５、背面電極１６からなる。第１．第２絶縁体層として
は透明であり、絶縁耐圧や誘電率が高く、ピンホール等
がないことが要求され、Ａｌ１２ ｏ３．Ｙ２Ｏ３、Ｂ
ａＴｉＯ３，５ｒＴｉ０３ 、Ｓ ｉ３ Ｎ４ 。
を発光層とする薄膜ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素
子は薄型で自己発光型の表示装置として注目されている
。代表的な薄膜ＥＬ素子の構造を第３図に示す。この薄
膜ＥＬ素子は、ガラス基板ｌｌ上にパターン化されたＩ
ＴＯ透明電極１２、第１絶縁体層１３、ＺｎＳ ：Ｍｎ
、ＺｎＳ ：ＬｎＦ３等の発光層１４、第２絶縁体層１
５、背面電極１６からなる。第１．第２絶縁体層として
は透明であり、絶縁耐圧や誘電率が高く、ピンホール等
がないことが要求され、Ａｌ１２ ｏ３．Ｙ２Ｏ３、Ｂ
ａＴｉＯ３，５ｒＴｉ０３ 、Ｓ ｉ３ Ｎ４ 。
Ｔａ２０５等の薄膜が採用されている。これらの薄膜は
スパッタリングにより作成することが一般的である。発
光層の成膜法としては電子銃や抵抗加熱による真空蒸着
法や高周波スパッタリングが一般に採用されている。真
空蒸着法では発光中心物質を均一に添加することが困難
であり、またピンホールができやすい欠点を有している
。これに対してスパッタリング法は多成分系の材料でも
容易に作成可能であり、ピンホール等も少ないことが知
られている。近年、装置の進歩も大きく、特にマグネト
ロン型スパッタリング装置により生産性も大中に改善さ
れてきた。また、絶縁体層をスパッタリングで作成する
ため、絶縁体層と発光層の連続成膜工程が可能となる。
スパッタリングにより作成することが一般的である。発
光層の成膜法としては電子銃や抵抗加熱による真空蒸着
法や高周波スパッタリングが一般に採用されている。真
空蒸着法では発光中心物質を均一に添加することが困難
であり、またピンホールができやすい欠点を有している
。これに対してスパッタリング法は多成分系の材料でも
容易に作成可能であり、ピンホール等も少ないことが知
られている。近年、装置の進歩も大きく、特にマグネト
ロン型スパッタリング装置により生産性も大中に改善さ
れてきた。また、絶縁体層をスパッタリングで作成する
ため、絶縁体層と発光層の連続成膜工程が可能となる。
以上の理由で発光層の成膜手段にスパッタリング法を採
用することは工業的に利点が多い。しかしながらスパッ
タリング法により発光層を作成した薄膜ＥＬ素子の発光
輝度や発光効率等の発光特性は優れたものではなかった
。
用することは工業的に利点が多い。しかしながらスパッ
タリング法により発光層を作成した薄膜ＥＬ素子の発光
輝度や発光効率等の発光特性は優れたものではなかった
。
スパッタリング法はイオン化したスパッタリングガ、ス
をターゲットに衝突させることにより成膜するものであ
る。スパッタリングガスとしてはＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、
Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガスが使用される。放電の安定性
、スパッタ率１価格の点でＡｒが優れており最も一般的
である。しかしながら成膜中にＡｒが膜中にとり込まれ
ることが知られており、特にＥＬ発光特性のように各種
の欠陥に敏感なものでは、スパッタリングガス原子が発
光層に混入していることは著しく発光特性を低下させる
ものである。
をターゲットに衝突させることにより成膜するものであ
る。スパッタリングガスとしてはＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、
Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガスが使用される。放電の安定性
、スパッタ率１価格の点でＡｒが優れており最も一般的
である。しかしながら成膜中にＡｒが膜中にとり込まれ
ることが知られており、特にＥＬ発光特性のように各種
の欠陥に敏感なものでは、スパッタリングガス原子が発
光層に混入していることは著しく発光特性を低下させる
ものである。
この問題を低減するためにスパッタリングガスとしてＨ
ｅの使用が有効であることが知られている。Ｈｅの場合
は膜中へのとり込みが少なく、また比較的低温の熱処理
において容易に膜から排出される。このようなＨｅのス
パッタリングガスはＺｎＳ：ＬｎＦ３の成膜にも適用さ
れ、発光特性の改善が報告されている。しかしＨｅをス
パッタリングガスとした場合は、著しくスパッタ率が小
さいために成膜速度が遅く生産性を悪くする問題がある
。
ｅの使用が有効であることが知られている。Ｈｅの場合
は膜中へのとり込みが少なく、また比較的低温の熱処理
において容易に膜から排出される。このようなＨｅのス
パッタリングガスはＺｎＳ：ＬｎＦ３の成膜にも適用さ
れ、発光特性の改善が報告されている。しかしＨｅをス
パッタリングガスとした場合は、著しくスパッタ率が小
さいために成膜速度が遅く生産性を悪くする問題がある
。
以上のような問題に加えて、不活性ガスをスパッタリン
グガスとして成膜された硫化物はＳイオンが欠損してお
り化学量論比のずれを生じている。
グガスとして成膜された硫化物はＳイオンが欠損してお
り化学量論比のずれを生じている。
このようなＳイオンの欠損は発光特性を悪くするととも
に、特性の経時変化も大きくするものである。Ｓイオン
不足を補うためにスパッタリングガスにＨ２Ｓを混入し
てスパッタリングを行う反応性スパッタリング法がある
が、あまり特性の改善は得られず、Ｈ２Ｓが分解して生
じる水素に起因すると思われる素子特性の安定性の欠如
やＩＴＯ透明電極の高抵抗化等の問題があり、有効な方
法ではなかった。
に、特性の経時変化も大きくするものである。Ｓイオン
不足を補うためにスパッタリングガスにＨ２Ｓを混入し
てスパッタリングを行う反応性スパッタリング法がある
が、あまり特性の改善は得られず、Ｈ２Ｓが分解して生
じる水素に起因すると思われる素子特性の安定性の欠如
やＩＴＯ透明電極の高抵抗化等の問題があり、有効な方
法ではなかった。
また、以上のようなスパッタ成膜の場合は、いずれも硫
化物のターゲットが必要であり、一般的に硫化物の焼結
性が悪く、ガス放出やターゲット割れの問題があると共
にターゲット自体が高価であった。
化物のターゲットが必要であり、一般的に硫化物の焼結
性が悪く、ガス放出やターゲット割れの問題があると共
にターゲット自体が高価であった。
本発明の目的は、スパッタリング法を用いて良好な特性
を示すＺｎＳ等の硫化物薄膜を作成する方法を提供する
ことにある。
を示すＺｎＳ等の硫化物薄膜を作成する方法を提供する
ことにある。
本発明は、スパッタリングにより硫化物薄膜を製造する
にあたり、イオウまたはイオウと不活性ガスを混合した
ものをスパッタリングガスとして使用することを特徴と
している。
にあたり、イオウまたはイオウと不活性ガスを混合した
ものをスパッタリングガスとして使用することを特徴と
している。
本発明の一実施例によれば、金属または合金をターゲッ
トとして使用するのが好適である。
トとして使用するのが好適である。
本発明はイオウ単独か不活性ガスにイオウを混合したも
のをスパッタリングガスとして使用するものである。一
般的にスパッタリングに際してはガス圧を１０’）−ル
からＩＱ−１１−−ル程度とする必要がある。イオウは
常温では固体であり、従来の製造方法ではスパッタリン
グガスとして使用されていなかった。しかしイオウの蒸
気圧は比較的大きく、７９℃で１×１０うトール、１０
７℃でｌＸｌ０−２）−ルの蒸気圧を存している。本発
明はスパッタ室系を１００℃程度に保持することにより
イオウをスパッタリングガスとして使用できることに注
目して得られたものである。特にマクネトロン型スパッ
タ装置では１０’）−ルの低圧でもスパッタすることが
可能であり、より容易にイオウをスパッタリングガスと
して使用することができる。
のをスパッタリングガスとして使用するものである。一
般的にスパッタリングに際してはガス圧を１０’）−ル
からＩＱ−１１−−ル程度とする必要がある。イオウは
常温では固体であり、従来の製造方法ではスパッタリン
グガスとして使用されていなかった。しかしイオウの蒸
気圧は比較的大きく、７９℃で１×１０うトール、１０
７℃でｌＸｌ０−２）−ルの蒸気圧を存している。本発
明はスパッタ室系を１００℃程度に保持することにより
イオウをスパッタリングガスとして使用できることに注
目して得られたものである。特にマクネトロン型スパッ
タ装置では１０’）−ルの低圧でもスパッタすることが
可能であり、より容易にイオウをスパッタリングガスと
して使用することができる。
実施例１
第１図にイオウをスパッタリングガスとしてスパッタを
行う装置を簡略に示した。スパッタ室１はシースヒータ
ー２により加熱できるようになっており、バルブ３．液
体窒素で冷却されたコールドトラップ４を通して排気さ
れる。ここでバルブ３も１１０℃以上に全体を加熱でき
る構造となっている。またイオウ５を入れた容器６が加
熱されたパイプ７によりスパッタ室１に接続されている
。
行う装置を簡略に示した。スパッタ室１はシースヒータ
ー２により加熱できるようになっており、バルブ３．液
体窒素で冷却されたコールドトラップ４を通して排気さ
れる。ここでバルブ３も１１０℃以上に全体を加熱でき
る構造となっている。またイオウ５を入れた容器６が加
熱されたパイプ７によりスパッタ室１に接続されている
。
イオウ容器６は温度制御して加熱できるようになってい
る。スパッタ用の陰極８は内部に永久磁石を装着したマ
グネトロン型となっており、陰極内部には１１０℃程度
に制御されたオイルが循環するようになっている。陰極
８にはターゲット９が固定され、基板１０がスパッタ室
ｌ内に設置される。このような構成により、イオウ容器
６を加熱してスパッタ室１を１０−２ト一ル程度のイオ
ウ蒸気圧としても全体が高温に保持されているためにス
パッタ室内壁、陰極８．ターゲット９．バルブ３、基板
１０．その他各種の内部治具類にイオウが凝固付着する
ことがない。
る。スパッタ用の陰極８は内部に永久磁石を装着したマ
グネトロン型となっており、陰極内部には１１０℃程度
に制御されたオイルが循環するようになっている。陰極
８にはターゲット９が固定され、基板１０がスパッタ室
ｌ内に設置される。このような構成により、イオウ容器
６を加熱してスパッタ室１を１０−２ト一ル程度のイオ
ウ蒸気圧としても全体が高温に保持されているためにス
パッタ室内壁、陰極８．ターゲット９．バルブ３、基板
１０．その他各種の内部治具類にイオウが凝固付着する
ことがない。
この装置を用い、ＺｎＳを成膜した手順を簡単に述べる
。焼結体のＺｎＳターゲット９を陰極８に固定し、基板
１０を設置した後、１×１０″６トール以下まで排気し
た。その間、スパッタ室１やバルブ３等をシースヒータ
ー２により１１０℃以上に加熱保持した。基板温度は１
５０℃とした。
。焼結体のＺｎＳターゲット９を陰極８に固定し、基板
１０を設置した後、１×１０″６トール以下まで排気し
た。その間、スパッタ室１やバルブ３等をシースヒータ
ー２により１１０℃以上に加熱保持した。基板温度は１
５０℃とした。
イオウ容器６を加熱しイオウガスをスパッタ室１へ流出
させた。イオウ容器温度とバルブ３の調整によりスパッ
タ室内の圧力を３Ｘ１０−３トールとした。陰極８に１
３ 、 ５ Ｍｌｌｚの高周波高電圧を印加することに
よりスパッタリングを行った。投入電圧を２Ｗ／ｃｍ２
とした時６人／秒の成膜速度が得られた。これはＡｒを
スパッタリングガスとした場合とほぼ同じであった。
させた。イオウ容器温度とバルブ３の調整によりスパッ
タ室内の圧力を３Ｘ１０−３トールとした。陰極８に１
３ 、 ５ Ｍｌｌｚの高周波高電圧を印加することに
よりスパッタリングを行った。投入電圧を２Ｗ／ｃｍ２
とした時６人／秒の成膜速度が得られた。これはＡｒを
スパッタリングガスとした場合とほぼ同じであった。
同様の工程によりＺｎＳにＭｎやＴｂＦ３等を微量混合
焼成したターゲットを使用することにより、発光中心と
してＭｎやＴｂＦ３が均一に添加された螢光体薄膜を作
成することができた。
焼成したターゲットを使用することにより、発光中心と
してＭｎやＴｂＦ３が均一に添加された螢光体薄膜を作
成することができた。
また、スパッタガスとしてイオウ単独ではなく、例えば
Ａｒガスと混合して成膜しても良い。
Ａｒガスと混合して成膜しても良い。
実施例２
１原子％のＭｎを固溶させたＺｎ板のターゲットを第１
図の装置に装着して、実施例１で述べた手順でスパッタ
した。なお、本実施例ではメタルターゲットであり直流
スパッタとした。このスパッタにより得られた薄膜は透
明であり、スパッタリングガスのイオウと反応してＭｎ
が添加されたＺｎＳ薄膜であった。本実施例によれば、
硫化物の焼結体ターゲットを用いるよりも安価で扱いや
すく高純度のものが得られ、またスパッタ時の不純物吸
着ガス放出の少ないメタルターゲットを利用できるため
工業的価値も大きい。
図の装置に装着して、実施例１で述べた手順でスパッタ
した。なお、本実施例ではメタルターゲットであり直流
スパッタとした。このスパッタにより得られた薄膜は透
明であり、スパッタリングガスのイオウと反応してＭｎ
が添加されたＺｎＳ薄膜であった。本実施例によれば、
硫化物の焼結体ターゲットを用いるよりも安価で扱いや
すく高純度のものが得られ、またスパッタ時の不純物吸
着ガス放出の少ないメタルターゲットを利用できるため
工業的価値も大きい。
実施例３
透明ガラス基板上にＩＴＯ透明導電膜、第１絶縁体層と
してＴａ−Ａ１−０スパツタ膜をそれぞれ０．２ミクロ
ン、０．４ミクロン成膜後、実施例２で示した方法によ
りＺｎＳ：Ｍｎを成膜した。
してＴａ−Ａ１−０スパツタ膜をそれぞれ０．２ミクロ
ン、０．４ミクロン成膜後、実施例２で示した方法によ
りＺｎＳ：Ｍｎを成膜した。
基板温度は２１０℃とし、イオウのスパッタリングガス
圧は５×１０−３トールとした。成膜速度は５人／秒で
０．５ミクロンの厚さとした。この後、再びＴａ−Ａｊ
？−０膜を０．４ミクロン成膜後、背面電極としてＡ７
！を蒸着して薄膜ＥＬ素子を作成した。従来のＡｒをス
パッタリングガスとしてＺｎＳ：Ｍｎを高周波スパッタ
により成膜した薄ｌ！ｊ！ＥＬ素子と本実施例の薄膜Ｅ
Ｌ素子の交流パルス印加による発光特性を第２図に示す
。
圧は５×１０−３トールとした。成膜速度は５人／秒で
０．５ミクロンの厚さとした。この後、再びＴａ−Ａｊ
？−０膜を０．４ミクロン成膜後、背面電極としてＡ７
！を蒸着して薄膜ＥＬ素子を作成した。従来のＡｒをス
パッタリングガスとしてＺｎＳ：Ｍｎを高周波スパッタ
により成膜した薄ｌ！ｊ！ＥＬ素子と本実施例の薄膜Ｅ
Ｌ素子の交流パルス印加による発光特性を第２図に示す
。
本実施例の薄膜ＥＬ素子は発光輝度が大巾に改善され、
また発光開始電圧も若干低くなっている。
また発光開始電圧も若干低くなっている。
また、イオウをスパッタリングガスとして焼結体のＺｎ
Ｓ：ＭｎやＺｎＳ ：ＴｂＦ３ 、ＺｎＳ ：Ｓ ｍ
Ｆ ３をターゲットとしても同様に発光特性の改善され
た薄膜ＥＬ素子が実現された。
Ｓ：ＭｎやＺｎＳ ：ＴｂＦ３ 、ＺｎＳ ：Ｓ ｍ
Ｆ ３をターゲットとしても同様に発光特性の改善され
た薄膜ＥＬ素子が実現された。
実施例４
透明ガラス基板上にＩＴＯ透明導電膜、第１絶縁体層Ｔ
ａ−Ａｊ！−０スパツタ膜をそれぞれ０゜２ミクロン、
０．４ミクロン成膜後、Ｃｅを微量添加したＣａ Ｓ
： Ｃｅ粉末を石英型に入れターゲットとして第１図に
示した装置に装着し、実施例１に述べた手順でイオウを
スパッタリングガスとして高周波スパッタを行いＣａ
Ｓ ： Ｃｅの薄膜を０．８ミクロン厚さに形成した。
ａ−Ａｊ！−０スパツタ膜をそれぞれ０゜２ミクロン、
０．４ミクロン成膜後、Ｃｅを微量添加したＣａ Ｓ
： Ｃｅ粉末を石英型に入れターゲットとして第１図に
示した装置に装着し、実施例１に述べた手順でイオウを
スパッタリングガスとして高周波スパッタを行いＣａ
Ｓ ： Ｃｅの薄膜を０．８ミクロン厚さに形成した。
基板温度は、３００℃、イオウのスパッタリングカス圧
は５×１０−３トールとした。ＣａＳ：Ｃｅ膜を成膜後
、再びＴ ａ −Ａ １−０膜を０．４ミクロン成膜し
、更に背面電極としてＡＩを蒸着し薄膜ＥＬ素子とした
。この素子に交流パルスを印加することにより明るい緑
色の発光を得た。従来ＣａＳ：Ｃｅを蒸発源としてＥガ
ン（電子銃）蒸着により成膜した素子では非常に微弱な
発光しか得られなかったが、本実施例の方法により成膜
されたＣａＳ：Ｃｅ膜は化学量論比からのずれが少なく
、良好な結晶性を有しており、高い発光輝度特性を示し
た。
は５×１０−３トールとした。ＣａＳ：Ｃｅ膜を成膜後
、再びＴ ａ −Ａ １−０膜を０．４ミクロン成膜し
、更に背面電極としてＡＩを蒸着し薄膜ＥＬ素子とした
。この素子に交流パルスを印加することにより明るい緑
色の発光を得た。従来ＣａＳ：Ｃｅを蒸発源としてＥガ
ン（電子銃）蒸着により成膜した素子では非常に微弱な
発光しか得られなかったが、本実施例の方法により成膜
されたＣａＳ：Ｃｅ膜は化学量論比からのずれが少なく
、良好な結晶性を有しており、高い発光輝度特性を示し
た。
ＣａＳ：Ｃｅ以外に、ＳｒＳやＢａＳあるいはこれらの
混晶を母体として、各種の希土類等を発光中心とした素
子の作成にも、本製造方法は有効である。
混晶を母体として、各種の希土類等を発光中心とした素
子の作成にも、本製造方法は有効である。
〔発明の効果〕
本発明によればスパッタリング法により高品質な硫化物
薄膜を作成することが可能となった。ＣｄＳやｚｎ３．
Ｃａ３等の硫化物は光導電性や発光特性を示し高品質な
膜形成は種々の素子の特性改善を実現するものである。
薄膜を作成することが可能となった。ＣｄＳやｚｎ３．
Ｃａ３等の硫化物は光導電性や発光特性を示し高品質な
膜形成は種々の素子の特性改善を実現するものである。
特にＺｎＳを母体とした薄膜発光層を本発明の製造方法
により作成した薄膜ＥＬ素子は高輝度でありディスプレ
イ等の実現に寄与するものである。
により作成した薄膜ＥＬ素子は高輝度でありディスプレ
イ等の実現に寄与するものである。
第１図はイオウをスパッタリングガスとして使用できる
実施例１を実施するためのスパッタ装置の概略図、 第２図は実施例３で得られた薄膜ＥＬ素子の発光特性を
示す図、 第３図は薄膜ＥＬ素子の代表的な構造を示す図である。 １・・・・・スパッタ室 ２・・・・・シースヒーター ３・・・・・バルブ ４・・・・・コールドトラップ ５・・・・・イオウ ６・・・・・イオウ容器 ７・・・・・パイプ ８・・・・・陰極 ９・・・・・ターゲット ＩＯ・・・・基板
実施例１を実施するためのスパッタ装置の概略図、 第２図は実施例３で得られた薄膜ＥＬ素子の発光特性を
示す図、 第３図は薄膜ＥＬ素子の代表的な構造を示す図である。 １・・・・・スパッタ室 ２・・・・・シースヒーター ３・・・・・バルブ ４・・・・・コールドトラップ ５・・・・・イオウ ６・・・・・イオウ容器 ７・・・・・パイプ ８・・・・・陰極 ９・・・・・ターゲット ＩＯ・・・・基板
Claims (2)
- （１）スパッタリングにより硫化物薄膜を製造するにあ
たり、イオウまたはイオウと不活性ガスを混合したもの
をスパッタリングガスとして使用することを特徴とする
硫化物薄膜の製造方法。 - （２）金属または合金をターゲットとして使用すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の硫化物薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348085A JPS61213370A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 硫化物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348085A JPS61213370A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 硫化物薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61213370A true JPS61213370A (ja) | 1986-09-22 |
Family
ID=12944007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5348085A Pending JPS61213370A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 硫化物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61213370A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195259A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
| US5466494A (en) * | 1993-01-29 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method for producing thin film |
| JP2012172180A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Kanazawa Inst Of Technology | スパッタリング装置 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5348085A patent/JPS61213370A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195259A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
| US5466494A (en) * | 1993-01-29 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method for producing thin film |
| US5542979A (en) * | 1993-01-29 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Apparatus for producing thin film |
| JP2012172180A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Kanazawa Inst Of Technology | スパッタリング装置 |
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