JPS61209992A - 集光加熱装置によるルビ−単結晶の製造方法 - Google Patents

集光加熱装置によるルビ−単結晶の製造方法

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Publication number
JPS61209992A
JPS61209992A JP4875485A JP4875485A JPS61209992A JP S61209992 A JPS61209992 A JP S61209992A JP 4875485 A JP4875485 A JP 4875485A JP 4875485 A JP4875485 A JP 4875485A JP S61209992 A JPS61209992 A JP S61209992A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
ruby
single crystal
aluminum
heating apparatus
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Pending
Application number
JP4875485A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Hirose
広瀬 敏幸
Hiromi Ueda
上田 廣実
Katsumi Yoshihara
吉原 勝己
Hiroshi Motegi
浩 茂手木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Matsushima Kogyo KK
Original Assignee
Matsushima Kogyo KK
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Publication date
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Publication of JPS61209992A publication Critical patent/JPS61209992A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/22Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集光加熱装置によるルビー単結晶の製造方法に
関する。
〔発明の概要〕
集光加熱装置によるルビー単結晶の製造方法におiて、
有機アルミニウムを加水分解し熱処理により得られた#
Rfとアルミニウムに酸化クロム、酸化鉄を各々2〜7
 wtTo 、 0.5〜Z wtチを添加した棒状焼
結体原料を集中加熱装置で融液体を形成しかつ移動させ
ることにより高品質なルビーを安価に製造できるように
したものである。
〔従来技術〕
従来集光加熱装置によるルビー単結晶の製造は市販され
ている酸化アルミニウム(αアルミ)lC酸化クロム、
酸化鉄を添加した焼結原料棒を使用するのが一般的であ
った。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし前述
の従来技術では育成するスピードが1〜2 m / H
時間であり、これ以上の育成スピードとなると結晶内に
気泡等の内部包有物が発生する問題点を持っていた。そ
こで本発明はこのよりな問題点を解決するものでその目
的とするところは育成スピード?上げても結晶内部には
気泡等の包有物のない高品質のルビー単結晶を育成スピ
ードを上げたことにより安価に製造できる方法を提供す
るものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の集光加熱装置によるルビー単結晶の製造方法は
、有機アルミニウムを加水分解し、かつ加熱処理するこ
とにより得られる酸比アルミニウム ムに酸化クロム2
〜7 wtq6、酸化数0−5〜2.0wt%を添加物
とした棒状焼結体原料を集中加熱g置により、合成する
ことを特徴とする。
〔実施例〕
以下に本発明の内容を実施例により説明する。
実施例1 市販アルミニウムイソプロホキシード100Fを水20
0(n中に入れ攪拌した後、20時間靜置後沈殿物をル
ツボに入れ900℃に設定された電気炉中で2時間の加
熱処理を行なった。これにより得た酸化アルミニウムの
粉末に添加材としての酸1ヒクロム、酸化鉄を各々5 
wt%、1.wt%を秤量混合し風船状のゴムチューブ
に詰め静水圧100($/ aff2 で成形し更に1
700℃設定した電気炉中で20時間焼結した。これに
より得られた長す70 ttx 、外径IImの焼結原
料棒をハロゲンランプを使用した集中加熱btxにセッ
トした。原料棒真下にはベルヌイルビーヲ種子結晶とし
てセットした。その後原料棒、種子結晶相方が溶けるま
でパワーを上昇させ、相方を融着させる。融着後3u/
時間で結晶育成させた。5時間後に育成スピードを5 
w 7時間に変更し、更VC5時間結晶育成させた。そ
の結果10時間後に長す40u、外径10Uのルビー単
結晶を得た。この結晶を誼微鏡下で観察すると、育成ス
ピード8期/時間で結晶育成した部分は気泡等の内部包
有物はまったく見られなかった。しかし育成スピード5
u/時間で結晶育成した部分には顕微鏡倍率×40下に
おいて観察できる気泡がところどころ見られた。
実施fil 2 市販アルミニウムインプロホキシード1009を各々P
H,1,2,8,4の塩酸水溶液200匡中に入れ攪拌
した後、20時間放置後沈殿物?、各々ルツボに入れ9
00℃に設定した電気炉中で2時間加熱処理を行なった
。これにより得られた各々の酸化アルミニウム粉末を使
って実mfl11と同様の方法により4本の焼結原料棒
?得た。更に実施911と同様の方法によりルビー単結
晶を4本得た。このルビー単結晶を顕微鏡下で観察した
ところ次の表1の様になまた。
表 1 〔発明の効果〕 以上実施例で述べた様に本発明によれば、有機アルミニ
ウムを加水分解し、熱処理し得た酸化アルミニウムを使
用することにより育成スピードの向上が計れるものであ
る。また加水分解するのに塩酸水浴液(PH2〜3)を
使用することによりこの効果は更に向上し、育成スピー
ドを上げても結晶内部に気泡等の包有物のない高品質ル
ビー単結晶を安価に製造できるという効果を有するもの
である。
以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)有機アルミニウムを加水分解し、熱処理により得
    られた酸化アルミニウムに酸化クロム、酸化鉄を各々2
    〜7wt%、0.5〜2.0wt%を添加した棒状焼結
    体原料にハロゲンランプから発する赤外線を回転楕円面
    鏡により集中して、融帯域を形成する集光加熱装置で融
    帯域を形成しかつ移動させることにより種子結晶上に結
    晶育成を行なうことを特徴とする集光加熱装置によるル
    ビー単結晶の製造方法。
  2. (2)有機アルミニウムを加水分解する際使用する塩酸
    水溶液の濃度をPH2〜3とすることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の集光加熱装置によるルビー単結
    晶の製造方法。
JP4875485A 1985-03-12 1985-03-12 集光加熱装置によるルビ−単結晶の製造方法 Pending JPS61209992A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007005118A1 (de) * 2007-02-01 2008-08-07 Saphirwerk Industrieprodukte Ag Synthetischer Kristall und Verfahren zu dessen Herstellung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007005118A1 (de) * 2007-02-01 2008-08-07 Saphirwerk Industrieprodukte Ag Synthetischer Kristall und Verfahren zu dessen Herstellung

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