JPS61209451A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61209451A JPS61209451A JP60288865A JP28886585A JPS61209451A JP S61209451 A JPS61209451 A JP S61209451A JP 60288865 A JP60288865 A JP 60288865A JP 28886585 A JP28886585 A JP 28886585A JP S61209451 A JPS61209451 A JP S61209451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask
- hard mask
- transparent
- indium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
れるハーｂ−マスク素材によって作成するフォトマスク
の改良ｖｃ１１し、轡にフォトマスク用透明基板嵌面の
マケ防止及びハードマスク薄膜の放電ｄ！ｊ．ｊＩ！防
止に関するものである。
の改良ｖｃ１１し、轡にフォトマスク用透明基板嵌面の
マケ防止及びハードマスク薄膜の放電ｄ！ｊ．ｊＩ！防
止に関するものである。
ハードマスク素材によって作成するフォト７スクは透明
基板上に、Ｃｒ， ＣｒＯ 、 ＦｅＯ 等を蒸着
又はスパッタして作成して込る。そして、現在敢も一般
的に用いられるフォトマスクげ、クロムマスクと叶は１
１基板上にＣ「 を蒸漸又はスパッタしたもの、及びこ
のＣｒ ｇ上にさらｖｃＣ「２０３膜を蒸着又はスパッ
タしている。
基板上に、Ｃｒ， ＣｒＯ 、 ＦｅＯ 等を蒸着
又はスパッタして作成して込る。そして、現在敢も一般
的に用いられるフォトマスクげ、クロムマスクと叶は１
１基板上にＣ「 を蒸漸又はスパッタしたもの、及びこ
のＣｒ ｇ上にさらｖｃＣ「２０３膜を蒸着又はスパッ
タしている。
しかし、このようなフォトマスクには、次のような欠点
がある。
がある。
ｇｔにハードマスク素材は、高精度に研摩、洗浄された
ガラス基板上ｉＣ Ｃｒ．、 Ｃｒ２０３，、Ｆｅ２０
３ 等の膜を浄着又はスパッタしたものであるが、研
摩さｎた基板は、一般外気中では１日以内にヤケが発生
する。主に窒気中の湿度によるものであるが乾燥材と共
に容器に封入して保管しても１ケ月以上の長期間にわた
ってヤケを防止することは非常ｖｃＩｌ！１難で今る。
ガラス基板上ｉＣ Ｃｒ．、 Ｃｒ２０３，、Ｆｅ２０
３ 等の膜を浄着又はスパッタしたものであるが、研
摩さｎた基板は、一般外気中では１日以内にヤケが発生
する。主に窒気中の湿度によるものであるが乾燥材と共
に容器に封入して保管しても１ケ月以上の長期間にわた
ってヤケを防止することは非常ｖｃＩｌ！１難で今る。
ガラス表面のヤケに関して信ずでにいろいろな研究がな
されているがヤケを完全に防止する手段及びヤケ発生原
因はいまたに明確でない。ヤケの大きさ形状等は保管条
汗によっても−１ちまちであるが、初期のヤケけ１〜２
μの小さな，も状であり基板全面に無数発生する。、こ
れらは大きさ苫８！′共ｒ４間と共に増加する。このよ
うなりケノ発生した基板上にＣｒ 、 Ｃｒ２０３、Ｆ
ｅ２０３ 等のメを耐着せしめたハードマスク素材Ｉ
’Ｓ、ビンホール等のマスク欠陥−！５ｚｉ生しやすく
使用することがで＠ない。従って研摩、洗浄された基板
はただゞちにこれらの膜を蒸着又はスパッタしなければ
ならず、ハードマスクのユーザー（一般に基板の研摩工
程を持たず研摩、洗浄された基板を購入する）にとって
けなけだ不便である。
されているがヤケを完全に防止する手段及びヤケ発生原
因はいまたに明確でない。ヤケの大きさ形状等は保管条
汗によっても−１ちまちであるが、初期のヤケけ１〜２
μの小さな，も状であり基板全面に無数発生する。、こ
れらは大きさ苫８！′共ｒ４間と共に増加する。このよ
うなりケノ発生した基板上にＣｒ 、 Ｃｒ２０３、Ｆ
ｅ２０３ 等のメを耐着せしめたハードマスク素材Ｉ
’Ｓ、ビンホール等のマスク欠陥−！５ｚｉ生しやすく
使用することがで＠ない。従って研摩、洗浄された基板
はただゞちにこれらの膜を蒸着又はスパッタしなければ
ならず、ハードマスクのユーザー（一般に基板の研摩工
程を持たず研摩、洗浄された基板を購入する）にとって
けなけだ不便である。
第２にこのハードマスク素材をフォトエツチング法によ
って薄膜部分を蝕刻し一微細パターンを作成しフォトマ
スクと、して使用するわけであるが、このフォトマスク
は上述の表面硬度の大きい膜部分と基板表面が露出する
部分から成っている。
って薄膜部分を蝕刻し一微細パターンを作成しフォトマ
スクと、して使用するわけであるが、このフォトマスク
は上述の表面硬度の大きい膜部分と基板表面が露出する
部分から成っている。
露出した。基板表面の部分げ、４部分にくらべて表面硬
度も小さくヤケも発生する。ヤケの発生した部分は、一
般に傷つき易い。基板表面部分のヤケ、傷等はそれ目体
マスクとしての解像力低下につながるし、パターンを形
成する膜部分にも影響を与え、ぜつか〈表面硬度の大き
いノ・−ドマスクを使用しているにもかかわらず、マス
クとしての強度げ、基板表面の強度に大きく偽存するこ
とになる。クロムマスク又はクロム＋は化クロムを用い
たマスクも結局基板の表面強度によって決まる耐久性し
か借られないわけである。
度も小さくヤケも発生する。ヤケの発生した部分は、一
般に傷つき易い。基板表面部分のヤケ、傷等はそれ目体
マスクとしての解像力低下につながるし、パターンを形
成する膜部分にも影響を与え、ぜつか〈表面硬度の大き
いノ・−ドマスクを使用しているにもかかわらず、マス
クとしての強度げ、基板表面の強度に大きく偽存するこ
とになる。クロムマスク又はクロム＋は化クロムを用い
たマスクも結局基板の表面強度によって決まる耐久性し
か借られないわけである。
この第ｌ及び第２のハードマスク欠点を除去した発明は
特公昭４６−３２６９３号公°報によって仰られている
。しかし、該発明にも次のような欠点力めった。すなわ
ち、該発明のフォトマスクは、該マスクの像を半導体ウ
ェハーに焼付ける際に、繰返し行わｎるフォトマスクと
半導体ウエノ・−との接触剥離によって静電気が生じそ
れに基づき放電現象が生じそｔｌに起因してフォトマス
クの金属板覆膜たとえばクロム膜が破壊してしまう。そ
の理由は、ガラス７ｇ板に５ＩＯＡ１２０３、ｓｉｃ、
Ｂｅ。
特公昭４６−３２６９３号公°報によって仰られている
。しかし、該発明にも次のような欠点力めった。すなわ
ち、該発明のフォトマスクは、該マスクの像を半導体ウ
ェハーに焼付ける際に、繰返し行わｎるフォトマスクと
半導体ウエノ・−との接触剥離によって静電気が生じそ
れに基づき放電現象が生じそｔｌに起因してフォトマス
クの金属板覆膜たとえばクロム膜が破壊してしまう。そ
の理由は、ガラス７ｇ板に５ＩＯＡ１２０３、ｓｉｃ、
Ｂｅ。
’ａ膜等の非導電性膜が被覆しているためによるもので
ある。
ある。
本発明１以上のような欠点を除去したハードマスクによ
って作成したフォトマスクを提供するもしめその上にＣ
ｒ、 ＣｒＯ、ＦｅＯ等のハードマスフとして従来用い
られている膜（単−又は複合層）を形成せしめたフォト
マスクに関するものである。
って作成したフォトマスクを提供するもしめその上にＣ
ｒ、 ＣｒＯ、ＦｅＯ等のハードマスフとして従来用い
られている膜（単−又は複合層）を形成せしめたフォト
マスクに関するものである。
本発明をまず図面を用いて説明する〇
＠１図は従来からよく用いられているＩ・−ドマスク素
材の一例でその構成拡大断面図で、ｌけＣｒＯ嗅、２は
Ｃｒ 膜、３は支持体であるガラス基板である。即ちハ
ードマスク素材はクロム＋酸化クロムを用いたものであ
る。
材の一例でその構成拡大断面図で、ｌけＣｒＯ嗅、２は
Ｃｒ 膜、３は支持体であるガラス基板である。即ちハ
ードマスク素材はクロム＋酸化クロムを用いたものであ
る。
第２図は本発明のフォトマスクを作成するＩ・−ドマス
ク素材の一例で第１図に示した従来のハードマスク素材
のＣｒ 膜と基板の間ｖｃ透明禿−化インジウム膜４
を肩するものである。
ク素材の一例で第１図に示した従来のハードマスク素材
のＣｒ 膜と基板の間ｖｃ透明禿−化インジウム膜４
を肩するものである。
第３図は本発明のフォトマスクの一例で第２図に示した
ハードマスク素材をフォトエツチングして得られたもの
でめる。
ハードマスク素材をフォトエツチングして得られたもの
でめる。
本発明のフォトマスクに用いるば化インジウムＸ４−ｅ
ｉｉ暢導琴峠層４け仄の物理、化学的性貞を有するもの
である。
ｉｉ暢導琴峠層４け仄の物理、化学的性貞を有するもの
である。
（１１表表面度が基板表面よりも大さく耐久性がのる。
１２１７オトエツチングの際の露光光源（超高圧水釧灯
使用波長域３５０ｍμ〜４５０ｍμ）に対し、はぼ透明
である。
使用波長域３５０ｍμ〜４５０ｍμ）に対し、はぼ透明
である。
（３）ハードマスクｈｙＸｃｃｒ、ｃｒｏ 、ｐｅｏ
等）のフォトエツチング液によってエツチングされない
。
等）のフォトエツチング液によってエツチングされない
。
この透明な酸化インジウム膜４け、抵抗加熱又は電子銃
等の蒸着法やスパッタ法によって容易に基板３面に耐着
せしめることができる。
等の蒸着法やスパッタ法によって容易に基板３面に耐着
せしめることができる。
フォトマスク用として研摩、洗浄した基板３に対したた
ちに透明な酸化インジウム膜４゛を耐着せしめｔｌに、
基板３の表面のヤケはほとんど完全に防止することがで
きる。そして、酸化インジウム膜け、我々の央駁では晋
通外気中１年放重しても伺んら、ヤケの発生がみられな
かった。
ちに透明な酸化インジウム膜４゛を耐着せしめｔｌに、
基板３の表面のヤケはほとんど完全に防止することがで
きる。そして、酸化インジウム膜け、我々の央駁では晋
通外気中１年放重しても伺んら、ヤケの発生がみられな
かった。
この透明な酸化インジウム膜４を有するｉ楓３であｎは
マスクユーザーは一括してハードマスク素材を購入しい
つでも必暮秋数だけフォトマスクを作成することができ
、前述のハードマスクの欠点のａｔ′ｆ解決することが
できる。
マスクユーザーは一括してハードマスク素材を購入しい
つでも必暮秋数だけフォトマスクを作成することができ
、前述のハードマスクの欠点のａｔ′ｆ解決することが
できる。
次に基板に透明なぼ１【インジウム膜を可潜したハード
マスク素材をフォトエツチングする際Ｃｒ、ＣｒＯ３膜
の通常用いられている硝酸セリウム系エツチング液では
酸化インジウム膜はエツチングされずに基板全面に渡っ
て残る。
マスク素材をフォトエツチングする際Ｃｒ、ＣｒＯ３膜
の通常用いられている硝酸セリウム系エツチング液では
酸化インジウム膜はエツチングされずに基板全面に渡っ
て残る。
従って、フォトマスクＴｆｌハ、従来のようにパターン
形成する薄膜以外の基板表面が、じかに露出することな
く、ヤケの心配もない。又、酸化インジウム膜の表面硬
１３Ｅによって従来のｌ・−ドマスク工り飛ツー的に耐
久性を増加させることができる。
形成する薄膜以外の基板表面が、じかに露出することな
く、ヤケの心配もない。又、酸化インジウム膜の表面硬
１３Ｅによって従来のｌ・−ドマスク工り飛ツー的に耐
久性を増加させることができる。
このようにしてハードマスクの第２の欠点を解決するこ
とができた。
とができた。
インジウム自体の導電性という特性を具備している。し
たがって、フォトマスクの像を半導体ウェハーに焼付け
るｓｖｃｍ返し行われるフォトマスクと半導坏ウェハー
との接触剥離によってフォトマスクの金属板覆膜たとえ
ばクロム膜に静電気が生じても酸化インジウム膜が導１
性であるために静電気ケー化インジウム膜に接地する。
たがって、フォトマスクの像を半導体ウェハーに焼付け
るｓｖｃｍ返し行われるフォトマスクと半導坏ウェハー
との接触剥離によってフォトマスクの金属板覆膜たとえ
ばクロム膜に静電気が生じても酸化インジウム膜が導１
性であるために静電気ケー化インジウム膜に接地する。
その結果、静電気のクロム膜からの放電はあり得す、し
たかつて放電現象に起因して生ずるクロム膜の破壊がな
い。
たかつて放電現象に起因して生ずるクロム膜の破壊がな
い。
以上のことから明らかなように本発明による透明ナハ化
インジウム膜を有するハードマスク素材によって作成し
たフォトマスクは、従来のフォトマスクの持つ主要な欠
点の全てを改良せしめた画期的なものである。
インジウム膜を有するハードマスク素材によって作成し
たフォトマスクは、従来のフォトマスクの持つ主要な欠
点の全てを改良せしめた画期的なものである。
８１図はハードマスク素材の構成を示す拡大断面図。
第２図は透明な酸化インジウム膜を有するノ・−ドマス
ク素材の構成を示す拡大断面図。 第３図は本発明の透明な鹸化インジウム１ｉ５Ｉｆｒ肩
するフォトマスクの構成を示す拡大断面図である。 ｔ ’ ａ ａ Ｃｒ２Ｏ２［ ２ａ ＠ ＊ Ｃｆ ｆ７ｊ４ ３・・・支持体 ４ｅ・・透明ホ午ンジウム膜 と −１−一一一 １ 牙１図 ］ 牙Ｚ図 す
ク素材の構成を示す拡大断面図。 第３図は本発明の透明な鹸化インジウム１ｉ５Ｉｆｒ肩
するフォトマスクの構成を示す拡大断面図である。 ｔ ’ ａ ａ Ｃｒ２Ｏ２［ ２ａ ＠ ＊ Ｃｆ ｆ７ｊ４ ３・・・支持体 ４ｅ・・透明ホ午ンジウム膜 と −１−一一一 １ 牙１図 ］ 牙Ｚ図 す
Claims (1)
- フォトマスク用透明基盤全面を被覆した酸化インジウム
を含む導電性の透明境界膜と、該透明境界膜の上にフォ
トエッチング処理によって形成したハードマスク薄膜と
からなるフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288865A JPS61209451A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288865A JPS61209451A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | フオトマスク |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3992076A Division JPS52144969A (en) | 1976-04-08 | 1976-04-08 | Photo mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61209451A true JPS61209451A (ja) | 1986-09-17 |
Family
ID=17735751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60288865A Pending JPS61209451A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61209451A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113577A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-03 | Western Electric Co | |
| JPS5451831A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60288865A patent/JPS61209451A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113577A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-03 | Western Electric Co | |
| JPS5451831A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
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