JPS6322301B2 - - Google Patents
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- JPS6322301B2 JPS6322301B2 JP56068694A JP6869481A JPS6322301B2 JP S6322301 B2 JPS6322301 B2 JP S6322301B2 JP 56068694 A JP56068694 A JP 56068694A JP 6869481 A JP6869481 A JP 6869481A JP S6322301 B2 JPS6322301 B2 JP S6322301B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトマスクブランク板に係り、更に
詳しくはハードマスクと一般に呼ばれる透明性基
板表面に金属薄膜、又はそれに代る遮光性物質薄
膜を蒸着又はスパツタによつて設け、フオトエツ
チングにより前記薄膜の不要部を除去して、前記
薄膜からなるIC、LSI等用のパターンを形成して
なるフオトマスクのブランク板に関する。 フオトマスクとしては従来から銀乳剤を用いた
エマルジヨンマスクの他耐久性の優れたクロムマ
スク、低反射クロムマスク、両面低反射クロムマ
スク、酸化クロムマスク、シリコンマスク、酸化
鉄マスク等いわゆるハードマスクが用いられてい
る。さらに近年ではこれらハードマスクに画像形
成後も導電性のある導電性ハードマスクも用いら
れ始めている。この導電性マスクは静電気の帯電
−放電によるパターン欠陥の発生や静電気による
ゴミの付着の減少、又遮光膜が非導電性の場合で
も電子ビームによる露光が可能であり電子ビーム
システムにより寸法測定やマスクのレジストレー
シヨンの評価等に利用出来るという利点を有して
いる。しかしこの導電性薄膜は一般に耐薬品性が
弱いものが多くフオトマスクを通常マスク洗浄に
用いられている酸アルカリ等で何回もくり返し洗
浄されると導電性部分が破壊され導電性マスクと
しての機能を失うだけでなく、導電性薄膜の破壊
とともに遮光用薄膜までも破壊されフオトマスク
としての機能までも失つてしまうという欠点を有
している。又この導電性薄膜は一般に表面硬度が
小さく、せつかく表面硬度の大きいハードマスク
を使用しているにもかかわらず、マスク全体の強
度は導電性薄膜の表面硬度によつて決まる耐久性
しか得られないことになるため特に密着焼付に使
用するフオトマスクの耐久性は小さくなつてしま
う欠点がある。 また導電性薄膜単体では耐薬品性の強いもので
も、この導電性薄膜と遮光性薄膜が直接接触する
ことによりその部分がある種の薬品に対して耐薬
品性を失つてしまうこともある。 本発明者は叙上の欠点を解消したフオトマスク
を開発すべく研究の結果、透明基板上にMo、
Ta、Nb、Ti、Cr、Ｖ、Ｗ、Zr、Au、In2O3、及
びSnO2からなる群から選択される材料よりなる
透明性を有する導電性薄膜、Al2O3、CaO、
MgO、SiO2、CeO2、及びTiO2からなる群から選
択される材料よりなる透明性を有する耐薬品性保
護膜、及びCr、Cr2O3、Si、Ta、Ta2O5、及び
Fe2O3からなる群から選択される材料よりなる遮
光性薄膜が順次積層されているブランク板を用い
れば、パターン焼付時の静電気によるシリコンウ
エーハ素子の破壊及びフオトマスクのパターン欠
陥の発生を防止するに充分な導電性を備え、又、
電子ビームシステムによる寸法測定、及びレジス
トレーシヨンの評価が可能であり、且つ使用中、
反復して強い薬品で洗浄処埋することができるフ
オトマスクを製造し得るのみならず、フオトマス
クの製造をドライエツチングによつて行なうこと
が可能であることを見い出し、かかる知見にもと
づいて本発明を完成したものである。 即ち、本発明の要旨は透明基板上にMo、Ta、
Nb、Ti、Cr、Ｖ、Ｗ、Zr、Au、In2O3、及び
SnO2からなる群から選択される材料よりなる透
明性を有する導電性薄膜、Al2O3、CaO、MgO、
SiO2、CeO2、及びTiO2からなる群から選択され
る材料よりなる透明性を有する耐薬品性保護膜、
及びCr、Cr2O3、Si、Ta、Ta2O5、及びFe2O3か
らなる群から選択される材料よりなる遮光性薄膜
が順次積層されていることを特徴とするフオトマ
スクブランク板である。 以下、本発明につき図面を参照しながら詳細に
説明する。 第１図は本発明に係るフオトマスクブランク板
５を示す。 透明基板１上に透明性を有する導電性薄膜２、
透明性を有する耐薬品性保護膜３、及び遮光性薄
膜４が順次積層されている。 而して、本発明のフオトマスクブランク板にお
いて、透明基板としては例えばソーダライムガラ
ス、石英ガラス、サフアイヤ等の光学的に透明な
任意材料からなるものを適用でき、その厚みには
本質的な制約はないが通常0.2〜６mmのものが用
いられる。 次に透明性を有する導電性薄膜としてはMo、
Ta、Nb、Ti、Cr、Ｖ、Ｗ、Zr、Au、In2O3及び
SnO2からなる群から選択される材料の一種もし
くは二種以上よりなるものを適用できる。この薄
膜としては、波長200〜600nｍの光に対して60％
以上の光透過率を有し、且つ10KΩ以下の面積抵
抗を有するものが望ましい。 又、この薄膜の厚みは10ないし1000Åであるこ
とが好ましい。 次に透明性を有する耐薬品性保護膜としては
Al2O3、CaO、MgO、SiO2、CeO2、及びTiO2か
らなる群から選択される材料よりなるものを適用
できる。この薄膜は波長は200〜600nｍの光に対
して80％以上の光透過率を有するものが望まし
い。この薄膜は耐薬品性に富み、前記導電性薄膜
を保護し、酸、アルカリ等による洗浄処理の反復
による導電性薄膜の破壊を防止する機能を果す。 且つ、この薄膜はガラス等の透明基板から析出
するNaイオンの遮光性薄膜への悪影響を防ぐの
に充分なバリヤー機能を果す、更にこの薄膜は該
薄膜上に設けられる遮光性薄膜をエツチングする
場合のエツチング液もしくはエツチングガスに対
する耐薬品性をも有するものである。この薄膜の
厚みは10ないし1000Åであることが好ましい。 次に遮光性薄膜としてはCr、Cr2O3、Si、Ta、
Ta2O5、及びFe2O3からなる群から選択される１
種もしくは２種以上の材料よりなるものを適用し
得る。 又、この薄膜としては例えばクロム表面に酸化
クロム膜を積層したものの如き積層体を用いても
良い。 第２図ないしダ第５図は本発明のフオトマスク
ブランク板を用いてフオトマスクを製造する過程
を示す。第２図示の如く遮光性薄膜４上にレジス
ト６をコーテイングし、次いで露光現像して第３
図示の如くレジストパターン７を形成後、第４図
示の如く露出した遮光性薄膜部分をエツチング
後、第５図示の如く、レジストを剥膜除去して所
望のフオトマスク８を得る。 遮光性薄膜のエツチングは化学腐食、又はドラ
イエツチングのいずれの方法によつても良い。 化学腐食による場合にはエツチング液として遮
光性薄膜は腐食するが耐薬品性保護膜は侵さない
例えば下記のようなエツチング液を適用し得る。 （遮光膜がCr又はCr2O3の場合のエツチング液の
組成） （NH4）2Ce（NO3）6 165.0ｇ HClO4（70％） 43.0ml 純 水 1000ml （遮光膜がSiの場合のエツチング液の組成） AgNO3 1.0ｇ NH4F 0.5ｇ HNO3 100ml 純 水 100ml （遮光膜がFe2O3の場合のエツチング液の組成） HCl 300ml 純 水 100ml 次にドライエツチングによる場合には平行平板
型プラズマエツチング装置を用い、且つ遮光膜が
Cr、又はCr2O3の場合はエツチングガスとして
CCl4と空気の混合ガスを用い、ガス圧0.3Torr、
印加高周波電力200W、エツチング時間５分間の
エツチング条件で、又、遮光膜がSiの場合はエツ
チングガスとしてCF4を用い、ガス圧0.02Torr、
印加高周波電力250W、エツチング時間１分間の
エツチング条件で、又、遮光膜がTa、Ta2O5の
場合はエツチングガスとしてCF4を用い、ガス圧
0.01Torr、印加高周波電力300W、エツチング時
間２分間のエツチング条件でエツチングを行な
う。 以上のようにして本発明のフオトマスクブラン
ク板を用いて得られたフオトマスクは導電性薄膜
を有するのでパターン焼付時の静電気によるシリ
コンウエーハ素子の破壊及びフオトマスクのパタ
ーン欠陥の発生を防止するに充分な導電性を有す
る。 又、導電性薄膜は耐薬品性保護膜で表面保護さ
れているので酸、アルカリ等による洗浄処理を反
復して受けてもそれによつて損なわれることはな
い。 又、電子ビームシステムによる寸法測定、及び
レジストレーシヨンの評価が可能である。 以上、詳記した通り、本発明のフオトマスクブ
ランク板によれば、パターン焼付時の静電気によ
るシリコンウエーハ素子の破壊及びフオトマスク
のパターン欠陥の発生を防止するに充分な導電性
を有し、且つ耐薬品性に富み、又、電子ビームシ
ステムによる寸法測定、及びレジストレーシヨン
の評価が可能であるフオトマスクを得ることがで
きる。 又、本発明のフオトマスクブランク板によれ
ば、ウエツトエツチング方式のみならずドライエ
ツチング方式によつてもフオトマスクを製造し得
る。 次に、実施例をあげて本発明につき具体的に説
明する。 実施例 １ ガラス板上に電子ビーム加熱式真空蒸着法によ
りTaを膜厚50Åに被着し、更に、その上に電子
ビーム加熱式真空蒸着法によりSiO2を膜厚200Å
に被着し、更にその上に電子ビーム加熱式真空蒸
着法によりCr薄膜を膜厚1000Åに形成して本発
明のフオトマスクブランク板を得た。 上記の如くして得てブランク板のCr薄膜上に
レジスト（AZ−1350、シブレー社製）をコーテ
イングし、次いで露光現像してレジストパターン
を形成後、下記組成のエツチング液を用いて、液
温20℃で40秒間エツチングして露出しているCr
薄膜部分をエツチング除去して所望のフオトマス
クを得た。 （エツチング液の組成） （NH4）2Ce（NO3）6 165.0ｇ HClO4（70％） 43.0ml 純 水 1000ml このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて耐久試験を行つた。 耐薬品性の試験は濃硫酸に過酸化水素水（30％
水溶液）を20容積％混合し、110℃に加熱した溶
液中にフオトマスクを60分間浸漬することにより
行なつたが、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率も何ら変化しなかつた。 又、静電気に対する試験を、温度22℃、湿度40
％の雰囲気中で銀乳剤被膜をもつたフオトマスク
ブランク板へのパターン転写を100回行つたが、
フオトマスクの欠陥は何ら発生しなかつた。 実施例 ２ ガラス板上に電子ビーム加熱式真空蒸着法によ
りTaを膜厚50Åに被着し、更にその上に電子ビ
ーム加熱式真空蒸着法によりSiO2を膜厚200Åに
被着し、更にその上に電子ビーム加熱式真空蒸着
法によりSi薄膜を膜厚1000Åに形成して本発明の
フオトマスクブランク板を得た。 上記の如くして得たプランク板のSi薄膜上に電
子線レジスト（COP、ミードケミカル社製）を
コーテイングし、次いで電子線露光及び現像を行
なつてレジストパターンを形成後、下記組成のエ
ツチング液を用いて液温20℃、エツチング時間２
分間でエツチングして露出しているSi薄膜部分を
エツチング除去して所望のフオトマスクを得た。 （エツチング液の組成） （AgNO3 1.0ｇ NH4F 0.5ｇ HNO3 100ml 純 水 100ml このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて耐久試験を行つた。 耐薬品性の試験は濃硫酸に過酸化水素（30％水
溶液）を20容積％混合し、110℃に加熱した溶液
中にフオトマスを60分間浸漬することにより行な
つたが、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜず、
又、導電率も何ら変化しなかつた。 又、静電気に対する試験を温度22℃、湿度40％
の雰囲気中で銀乳剤被膜をもつたフオトマスクブ
ランク板へのパターン転写を100回行つたが、フ
オトマスクの欠陥は何ら発生しなかつた。 又、上記の如くして得たフオトマスクに対して
は電子線を用いたマスクのレジストレーシヨンの
測定を精度良く行なうことができた。 実施例 ３ 実施例１におけるブランク板のCr薄膜の一部
を、ドライエツチング法により、エツチングガス
としてCCl4と空気の混合ガスを用い、且つガス
圧0.3Torr、印加高周波電力200W、エツチング
時間５分間のエツチング条件でエツチング除去し
て所望のフオトマスクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。 実施例 ４ ガラス板上に電子ビーム加熱式真空蒸着法によ
りCrを膜厚50Åに被着し、更に、その上に電子
ビーム加熱式真空蒸着法によりSiO2を膜厚200Å
に被着し、更にその上に電子ビーム加熱式真空蒸
着法によりTa薄膜を膜厚1000Åに形成してフオ
トマスクブランク板を得た。 上記の如くして得たブランク板のTa薄膜の一
部を、ドライエツチング法により、エツチングガ
スとしてCF4を用い、且つガス圧0.01Torr、印加
高周波電力300W、エツチング時間２分間のエツ
チング条件でエツチング除去して所望のフオトマ
スクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。 実施例 ５ 実施例２におけるブランク板のSi薄膜の一部
を、ドライエツチング法により、エツチングガス
としてCCl4ガスを用い、且つ、ガス圧0.02Torr、
印加高周波電力250W、エツチング時間１分間の
エツチング条件でエツチング除去して所望のフオ
トマスクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。 実施例 ６ ガラス板上に電子ビーム加熱式真空蒸着法によ
りCrを膜厚50Åに被着し、更にに、その上に電
子ビーム加熱式真空蒸着法によりSiO2を膜厚200
Åに被着し、更にその上に電子ビーム加熱式真空
蒸着法によりSi薄膜を膜厚1000Åに形成してフオ
トマスクブランク板を得た。 上記の如くして得たブランク板のSi薄膜の一部
を実施例２の場合と同様にしてエツチング除去し
て所望のフオトマスクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。 実施例 ７ 実施例６におけるブランク板のSi薄膜の一部
を、ドライエツチング法により、エツチングガス
としてCCl4ガスを用い、且つ、ガス圧0.02Torr、
印加高周波電力250W、エツチング時間１分間の
エツチング条件でエツチング除去して所望のフオ
トマスクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。
詳しくはハードマスクと一般に呼ばれる透明性基
板表面に金属薄膜、又はそれに代る遮光性物質薄
膜を蒸着又はスパツタによつて設け、フオトエツ
チングにより前記薄膜の不要部を除去して、前記
薄膜からなるIC、LSI等用のパターンを形成して
なるフオトマスクのブランク板に関する。 フオトマスクとしては従来から銀乳剤を用いた
エマルジヨンマスクの他耐久性の優れたクロムマ
スク、低反射クロムマスク、両面低反射クロムマ
スク、酸化クロムマスク、シリコンマスク、酸化
鉄マスク等いわゆるハードマスクが用いられてい
る。さらに近年ではこれらハードマスクに画像形
成後も導電性のある導電性ハードマスクも用いら
れ始めている。この導電性マスクは静電気の帯電
−放電によるパターン欠陥の発生や静電気による
ゴミの付着の減少、又遮光膜が非導電性の場合で
も電子ビームによる露光が可能であり電子ビーム
システムにより寸法測定やマスクのレジストレー
シヨンの評価等に利用出来るという利点を有して
いる。しかしこの導電性薄膜は一般に耐薬品性が
弱いものが多くフオトマスクを通常マスク洗浄に
用いられている酸アルカリ等で何回もくり返し洗
浄されると導電性部分が破壊され導電性マスクと
しての機能を失うだけでなく、導電性薄膜の破壊
とともに遮光用薄膜までも破壊されフオトマスク
としての機能までも失つてしまうという欠点を有
している。又この導電性薄膜は一般に表面硬度が
小さく、せつかく表面硬度の大きいハードマスク
を使用しているにもかかわらず、マスク全体の強
度は導電性薄膜の表面硬度によつて決まる耐久性
しか得られないことになるため特に密着焼付に使
用するフオトマスクの耐久性は小さくなつてしま
う欠点がある。 また導電性薄膜単体では耐薬品性の強いもので
も、この導電性薄膜と遮光性薄膜が直接接触する
ことによりその部分がある種の薬品に対して耐薬
品性を失つてしまうこともある。 本発明者は叙上の欠点を解消したフオトマスク
を開発すべく研究の結果、透明基板上にMo、
Ta、Nb、Ti、Cr、Ｖ、Ｗ、Zr、Au、In2O3、及
びSnO2からなる群から選択される材料よりなる
透明性を有する導電性薄膜、Al2O3、CaO、
MgO、SiO2、CeO2、及びTiO2からなる群から選
択される材料よりなる透明性を有する耐薬品性保
護膜、及びCr、Cr2O3、Si、Ta、Ta2O5、及び
Fe2O3からなる群から選択される材料よりなる遮
光性薄膜が順次積層されているブランク板を用い
れば、パターン焼付時の静電気によるシリコンウ
エーハ素子の破壊及びフオトマスクのパターン欠
陥の発生を防止するに充分な導電性を備え、又、
電子ビームシステムによる寸法測定、及びレジス
トレーシヨンの評価が可能であり、且つ使用中、
反復して強い薬品で洗浄処埋することができるフ
オトマスクを製造し得るのみならず、フオトマス
クの製造をドライエツチングによつて行なうこと
が可能であることを見い出し、かかる知見にもと
づいて本発明を完成したものである。 即ち、本発明の要旨は透明基板上にMo、Ta、
Nb、Ti、Cr、Ｖ、Ｗ、Zr、Au、In2O3、及び
SnO2からなる群から選択される材料よりなる透
明性を有する導電性薄膜、Al2O3、CaO、MgO、
SiO2、CeO2、及びTiO2からなる群から選択され
る材料よりなる透明性を有する耐薬品性保護膜、
及びCr、Cr2O3、Si、Ta、Ta2O5、及びFe2O3か
らなる群から選択される材料よりなる遮光性薄膜
が順次積層されていることを特徴とするフオトマ
スクブランク板である。 以下、本発明につき図面を参照しながら詳細に
説明する。 第１図は本発明に係るフオトマスクブランク板
５を示す。 透明基板１上に透明性を有する導電性薄膜２、
透明性を有する耐薬品性保護膜３、及び遮光性薄
膜４が順次積層されている。 而して、本発明のフオトマスクブランク板にお
いて、透明基板としては例えばソーダライムガラ
ス、石英ガラス、サフアイヤ等の光学的に透明な
任意材料からなるものを適用でき、その厚みには
本質的な制約はないが通常0.2〜６mmのものが用
いられる。 次に透明性を有する導電性薄膜としてはMo、
Ta、Nb、Ti、Cr、Ｖ、Ｗ、Zr、Au、In2O3及び
SnO2からなる群から選択される材料の一種もし
くは二種以上よりなるものを適用できる。この薄
膜としては、波長200〜600nｍの光に対して60％
以上の光透過率を有し、且つ10KΩ以下の面積抵
抗を有するものが望ましい。 又、この薄膜の厚みは10ないし1000Åであるこ
とが好ましい。 次に透明性を有する耐薬品性保護膜としては
Al2O3、CaO、MgO、SiO2、CeO2、及びTiO2か
らなる群から選択される材料よりなるものを適用
できる。この薄膜は波長は200〜600nｍの光に対
して80％以上の光透過率を有するものが望まし
い。この薄膜は耐薬品性に富み、前記導電性薄膜
を保護し、酸、アルカリ等による洗浄処理の反復
による導電性薄膜の破壊を防止する機能を果す。 且つ、この薄膜はガラス等の透明基板から析出
するNaイオンの遮光性薄膜への悪影響を防ぐの
に充分なバリヤー機能を果す、更にこの薄膜は該
薄膜上に設けられる遮光性薄膜をエツチングする
場合のエツチング液もしくはエツチングガスに対
する耐薬品性をも有するものである。この薄膜の
厚みは10ないし1000Åであることが好ましい。 次に遮光性薄膜としてはCr、Cr2O3、Si、Ta、
Ta2O5、及びFe2O3からなる群から選択される１
種もしくは２種以上の材料よりなるものを適用し
得る。 又、この薄膜としては例えばクロム表面に酸化
クロム膜を積層したものの如き積層体を用いても
良い。 第２図ないしダ第５図は本発明のフオトマスク
ブランク板を用いてフオトマスクを製造する過程
を示す。第２図示の如く遮光性薄膜４上にレジス
ト６をコーテイングし、次いで露光現像して第３
図示の如くレジストパターン７を形成後、第４図
示の如く露出した遮光性薄膜部分をエツチング
後、第５図示の如く、レジストを剥膜除去して所
望のフオトマスク８を得る。 遮光性薄膜のエツチングは化学腐食、又はドラ
イエツチングのいずれの方法によつても良い。 化学腐食による場合にはエツチング液として遮
光性薄膜は腐食するが耐薬品性保護膜は侵さない
例えば下記のようなエツチング液を適用し得る。 （遮光膜がCr又はCr2O3の場合のエツチング液の
組成） （NH4）2Ce（NO3）6 165.0ｇ HClO4（70％） 43.0ml 純 水 1000ml （遮光膜がSiの場合のエツチング液の組成） AgNO3 1.0ｇ NH4F 0.5ｇ HNO3 100ml 純 水 100ml （遮光膜がFe2O3の場合のエツチング液の組成） HCl 300ml 純 水 100ml 次にドライエツチングによる場合には平行平板
型プラズマエツチング装置を用い、且つ遮光膜が
Cr、又はCr2O3の場合はエツチングガスとして
CCl4と空気の混合ガスを用い、ガス圧0.3Torr、
印加高周波電力200W、エツチング時間５分間の
エツチング条件で、又、遮光膜がSiの場合はエツ
チングガスとしてCF4を用い、ガス圧0.02Torr、
印加高周波電力250W、エツチング時間１分間の
エツチング条件で、又、遮光膜がTa、Ta2O5の
場合はエツチングガスとしてCF4を用い、ガス圧
0.01Torr、印加高周波電力300W、エツチング時
間２分間のエツチング条件でエツチングを行な
う。 以上のようにして本発明のフオトマスクブラン
ク板を用いて得られたフオトマスクは導電性薄膜
を有するのでパターン焼付時の静電気によるシリ
コンウエーハ素子の破壊及びフオトマスクのパタ
ーン欠陥の発生を防止するに充分な導電性を有す
る。 又、導電性薄膜は耐薬品性保護膜で表面保護さ
れているので酸、アルカリ等による洗浄処理を反
復して受けてもそれによつて損なわれることはな
い。 又、電子ビームシステムによる寸法測定、及び
レジストレーシヨンの評価が可能である。 以上、詳記した通り、本発明のフオトマスクブ
ランク板によれば、パターン焼付時の静電気によ
るシリコンウエーハ素子の破壊及びフオトマスク
のパターン欠陥の発生を防止するに充分な導電性
を有し、且つ耐薬品性に富み、又、電子ビームシ
ステムによる寸法測定、及びレジストレーシヨン
の評価が可能であるフオトマスクを得ることがで
きる。 又、本発明のフオトマスクブランク板によれ
ば、ウエツトエツチング方式のみならずドライエ
ツチング方式によつてもフオトマスクを製造し得
る。 次に、実施例をあげて本発明につき具体的に説
明する。 実施例 １ ガラス板上に電子ビーム加熱式真空蒸着法によ
りTaを膜厚50Åに被着し、更に、その上に電子
ビーム加熱式真空蒸着法によりSiO2を膜厚200Å
に被着し、更にその上に電子ビーム加熱式真空蒸
着法によりCr薄膜を膜厚1000Åに形成して本発
明のフオトマスクブランク板を得た。 上記の如くして得てブランク板のCr薄膜上に
レジスト（AZ−1350、シブレー社製）をコーテ
イングし、次いで露光現像してレジストパターン
を形成後、下記組成のエツチング液を用いて、液
温20℃で40秒間エツチングして露出しているCr
薄膜部分をエツチング除去して所望のフオトマス
クを得た。 （エツチング液の組成） （NH4）2Ce（NO3）6 165.0ｇ HClO4（70％） 43.0ml 純 水 1000ml このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて耐久試験を行つた。 耐薬品性の試験は濃硫酸に過酸化水素水（30％
水溶液）を20容積％混合し、110℃に加熱した溶
液中にフオトマスクを60分間浸漬することにより
行なつたが、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率も何ら変化しなかつた。 又、静電気に対する試験を、温度22℃、湿度40
％の雰囲気中で銀乳剤被膜をもつたフオトマスク
ブランク板へのパターン転写を100回行つたが、
フオトマスクの欠陥は何ら発生しなかつた。 実施例 ２ ガラス板上に電子ビーム加熱式真空蒸着法によ
りTaを膜厚50Åに被着し、更にその上に電子ビ
ーム加熱式真空蒸着法によりSiO2を膜厚200Åに
被着し、更にその上に電子ビーム加熱式真空蒸着
法によりSi薄膜を膜厚1000Åに形成して本発明の
フオトマスクブランク板を得た。 上記の如くして得たプランク板のSi薄膜上に電
子線レジスト（COP、ミードケミカル社製）を
コーテイングし、次いで電子線露光及び現像を行
なつてレジストパターンを形成後、下記組成のエ
ツチング液を用いて液温20℃、エツチング時間２
分間でエツチングして露出しているSi薄膜部分を
エツチング除去して所望のフオトマスクを得た。 （エツチング液の組成） （AgNO3 1.0ｇ NH4F 0.5ｇ HNO3 100ml 純 水 100ml このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて耐久試験を行つた。 耐薬品性の試験は濃硫酸に過酸化水素（30％水
溶液）を20容積％混合し、110℃に加熱した溶液
中にフオトマスを60分間浸漬することにより行な
つたが、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜず、
又、導電率も何ら変化しなかつた。 又、静電気に対する試験を温度22℃、湿度40％
の雰囲気中で銀乳剤被膜をもつたフオトマスクブ
ランク板へのパターン転写を100回行つたが、フ
オトマスクの欠陥は何ら発生しなかつた。 又、上記の如くして得たフオトマスクに対して
は電子線を用いたマスクのレジストレーシヨンの
測定を精度良く行なうことができた。 実施例 ３ 実施例１におけるブランク板のCr薄膜の一部
を、ドライエツチング法により、エツチングガス
としてCCl4と空気の混合ガスを用い、且つガス
圧0.3Torr、印加高周波電力200W、エツチング
時間５分間のエツチング条件でエツチング除去し
て所望のフオトマスクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。 実施例 ４ ガラス板上に電子ビーム加熱式真空蒸着法によ
りCrを膜厚50Åに被着し、更に、その上に電子
ビーム加熱式真空蒸着法によりSiO2を膜厚200Å
に被着し、更にその上に電子ビーム加熱式真空蒸
着法によりTa薄膜を膜厚1000Åに形成してフオ
トマスクブランク板を得た。 上記の如くして得たブランク板のTa薄膜の一
部を、ドライエツチング法により、エツチングガ
スとしてCF4を用い、且つガス圧0.01Torr、印加
高周波電力300W、エツチング時間２分間のエツ
チング条件でエツチング除去して所望のフオトマ
スクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。 実施例 ５ 実施例２におけるブランク板のSi薄膜の一部
を、ドライエツチング法により、エツチングガス
としてCCl4ガスを用い、且つ、ガス圧0.02Torr、
印加高周波電力250W、エツチング時間１分間の
エツチング条件でエツチング除去して所望のフオ
トマスクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。 実施例 ６ ガラス板上に電子ビーム加熱式真空蒸着法によ
りCrを膜厚50Åに被着し、更にに、その上に電
子ビーム加熱式真空蒸着法によりSiO2を膜厚200
Åに被着し、更にその上に電子ビーム加熱式真空
蒸着法によりSi薄膜を膜厚1000Åに形成してフオ
トマスクブランク板を得た。 上記の如くして得たブランク板のSi薄膜の一部
を実施例２の場合と同様にしてエツチング除去し
て所望のフオトマスクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。 実施例 ７ 実施例６におけるブランク板のSi薄膜の一部
を、ドライエツチング法により、エツチングガス
としてCCl4ガスを用い、且つ、ガス圧0.02Torr、
印加高周波電力250W、エツチング時間１分間の
エツチング条件でエツチング除去して所望のフオ
トマスクを得た。 このようにして得られたフオトマスク10枚につ
いて実施例１の場合と同様にして耐久試験及び静
電気に対する試験を行つた。 その結果、導電性薄膜には何らの欠陥も生ぜ
ず、又、導電率の変化もみられなかつた。又、静
電気によつて生ずる欠陥も何らみられなかつた。
第１図は本発明のフオトマスクブランク板の断
面図、第２図ないし第５図は前記ブランク板を用
いたフオトマスクの製造過程を示す断面図であ
る。 １……透明基板、２……透明性を有する導電性
薄膜、３……透明性を有する耐薬品性保護膜、４
……遮光性薄膜。
面図、第２図ないし第５図は前記ブランク板を用
いたフオトマスクの製造過程を示す断面図であ
る。 １……透明基板、２……透明性を有する導電性
薄膜、３……透明性を有する耐薬品性保護膜、４
……遮光性薄膜。
Claims (1)
- １ 透明基板上にTaまたはCrよりなる透明性を
有する導電性薄膜、Al2O3、CaO、MgO、SiO2、
CeO2、及びTiO2からなる群から選択される材料
よりなる透明性を有する耐薬品性保護膜、及び
Cr、Cr2O3、Si、Ta、Ta2O5、及びFe2O3からな
る群から選択される材料よりなる遮光性薄膜が順
次積層されていることを特徴とするフオトマスク
ブランク板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6869481A JPS57182741A (en) | 1981-05-07 | 1981-05-07 | Photomask blank plate |
| DE8181107702T DE3173769D1 (en) | 1980-10-09 | 1981-09-28 | Photomask blank and photomask |
| EP81107702A EP0049799B1 (en) | 1980-10-09 | 1981-09-28 | Photomask blank and photomask |
| US06/318,201 US4440841A (en) | 1981-02-28 | 1981-11-04 | Photomask and photomask blank |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6869481A JPS57182741A (en) | 1981-05-07 | 1981-05-07 | Photomask blank plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57182741A JPS57182741A (en) | 1982-11-10 |
| JPS6322301B2 true JPS6322301B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=13381119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6869481A Granted JPS57182741A (en) | 1980-10-09 | 1981-05-07 | Photomask blank plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57182741A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123843A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-02 | Hoya Corp | フォトマスクブランクとフォトマスク |
| JP5637485B2 (ja) | 2012-10-15 | 2014-12-10 | クリーンサアフェイス技術株式会社 | マスクブランクス及びフォトマスク |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576102B2 (ja) * | 1972-06-20 | 1982-02-03 | ||
| JPS5352073A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hoya Denshi Kk | Photomask for ic |
| US4138692A (en) * | 1977-09-12 | 1979-02-06 | International Business Machines Corporation | Gas encapsulated cooling module |
| JPS5451831A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomask material |
| JPS55147628A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-17 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Mask base material |
| JPS55161240A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask |
| JPS5619054A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | Metal photomask |
| JPS57144550A (en) * | 1981-02-28 | 1982-09-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Blank plate for photomask |
-
1981
- 1981-05-07 JP JP6869481A patent/JPS57182741A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57182741A (en) | 1982-11-10 |
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