JPS61207486A

JPS61207486A - カイラルスメクチツク液晶組成物

Info

Publication number: JPS61207486A
Application number: JP4854685A
Authority: JP
Inventors: Kenji Furukawa; 古川　顕治; Kenji Terajima; 寺島　兼詞
Original assignee: Hitachi Ltd; Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp; Hitachi Ltd
Priority date: 1985-03-12
Filing date: 1985-03-12
Publication date: 1986-09-13
Anticipated expiration: 2009-02-23
Also published as: JPH0613702B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はカイラルスメクチック液晶組成物（二関する。

さら（−詳しくは、らせん軸のねじれ方向が右回りのカ
イラルスメクチック化合物とらせん軸のねじれ方向が左
回りのカイラルスメクチック化合物とを混合すること（
；よる、らせんのピッチが長く、シかも自発分極の大き
さが大きく、かつ・応答性の優れた強誘電性液晶材料（
＝関する。

（従来の技術）現在、液晶は表示材料として広く用いられているが、そ
うした液晶表示素子の殆んどはＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　
Ｎｅｍａ目ｃ＞ｍ表示方式のものであり、液晶材料とし
てネマチック相（二属する液晶な用いるものである。こ
のＴＮ型表示方式は受光型の為、目が疲れない、消費電
力が極めて少ないといった特長を持つ反面、応答が遅い
、見る角度（：よっては表示が見えないといった欠点が
ある。最近は、表示装置Ｃ二対して特に高速応答性が要
求されており、こうした要求に答えるべく液晶材料の改
良が試みられてきた。しかし、他の発光型ディスプレイ
（ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、プ
ラズマディスプレイ等）と比較すると、応答時間（−ま
だ大きな差が存在する。受光型、低消費電力といった液
晶の特徴を生かし、なおかつ発光型ディスプレイに匹敵
する応答性を確保する為（−はＴＮ型表示方式（：代わ
る新しい液晶表示方式の開発が不可欠である。そうした
試みの一つ（二強誘電性液晶の光スイツチング現象を利
用した表示デバイ：ｘ　（Ｎ　、Ａ　、（’Ｉ！ａｒｋ
、　８　＋Ｔ　、ＬａｇｅｒｗａＩ！ｌ！；ＡｐｐＩ！
。

Ｐｈｙｓ　、　、旦、８９９（１９８０）参照）がある
。強誘電性液晶は１９７５年に几、　Ｂ　、　Ｍｅｙｅ
ｒ等によってその存在が初めて発表されたもので（Ｒ，
Ｂ。

Ｍｅｙｅｒ　　ｅｔ　　ａｌ！；Ｊ　、Ｐｈｙｓｉｑｕ
ｅ　３６　、Ｌ−６９（１９７５）参照）・液晶分類上
からカイラルスメクチックＣ相、■相、Ｆ相、Ｇ相或い
はＨ相（ＳＣ＊相、８Ｉ相、８Ｆ相、４相及び４相と略
＊　　　　　＊記する）Ｃ属する。

ＳＣ＊相の光スイツチング効果を表示素子として応用す
る場合、ＴＮ表示方式（：比べて３つの優れた特徴があ
る。第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は
通常のＴＮ表示方式の素子と比較するとｌ／１００以下
である。第２の特徴はメモリー効果があることであり、
上記の高速応答性とあいまって時分割駆動が容易である
。第３の特徴は濃淡の階調が容易（：得られることであ
る。ＴＮ表示方式で濃淡の階調をとる（：は、印加電圧
を調節して行なうため、しきい値電圧の温度依存性や応
答速度の電圧依存性などの難問があるのに比べて、ＳＣ
＊相の光スイツチング効果を応用する場合（：は極性の
反転時間を調節することＣ二より、容易に階調を得るこ
とができ・クラフィック表示など（：非常に適している
。

表示方法としては、二つの方法が考えられ、ひとつの方
法は２枚の偏光子を使用する複屈折型で、他のひとつの
方法は二色性色素を使用するゲスト・ホスト型である。

ＳＣ＊相は自発分極をもつ為、印加電圧の極性を反転す
ること（二より、らせん軸を回転軸として分子が反転す
る。

ＳＣ＊相を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行
にならぶよう（：配向処理を施した液晶表示セルに注入
し、液晶分子のグイレフターと一方の偏光面を平行Ｃ二
なるように配置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをは
さみ、電圧を印加して、極性を反転することＣ二より、
明視野および暗視野（偏光子の対向角度により決まる）
が得られる。一方、ゲスト・ホスト型で動作する場合に
は、印加電圧の極性を反転することＣ：より明視野およ
び暗視野（偏光板の配置により決まる）を得ることがで
きる。

ＳＣ＊相は自発分極をもち、印加電圧の極性の反転によ
り、電極面上で二つの安定な状態（ｂｉｓｔａｂｌｅ　
（双安定）な状態）とり得ることが必要とされる。この
ｂｉｓｔａｂｌｅな状態と高速応答性の液晶表示素子を
得るＣはＣ１ａｒｋ等が提唱しているよう（：、セルギ
ャップｄをらせんピッチＰよりも小さくしくｄ≦Ｐ）、
らせんをほどく必要がある（　Ｎ　、Ａ、ＣＩ！ａｒｋ
、　８　、Ｔ　、ＬａｇｅｒｗａＪｌ！；ｋｐｐｌ。Ｐ
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、−臣旦、８９９　　（１９８０）
参照）。

一般Ｃ：現状の強誘電性液晶化合物にはらせんピッチの
短い化合物（１〜３μ惰）が多く・これらの化合物のら
せんをほどくにはセルギャップを１〜２μｍ程度Ｃ：す
る必要があり、現状のセル製作技術から考えると、コス
ト面および歩溜りの点（二於いて困難な問題がある。現
在ＴＮ型表示方式で使用されているセルギャップはおよ
そ５〜１０μ鶏程度であるので、強誘電性液晶を実用化
する為には、らせんピッチを５μ溝以上にすることが望
まれる。

強誘電性液晶を用いた表示素子を前述した二つの安定な
状態にもってゆく際（：、分子の反転に必要なしきい値
電圧Ｅｃ、らせんピッチＰ・および自発分極の大きさＰ
ｇとの間には、一般にの関係がある（　Ｂ　０Ｍｅｙｅ
ｒ　；Ｍｏ／、Ｃｒｙｓｔ。＆　Ｌｌｇ。

Ｃｒｙ’Ｓｔ、、４０．３８　（１９７７）参照）、（
１）式でＫは分子が回転して変形する際の弾性定数であ
る。（１）式より明らかなよう（ニジきい値電圧を小さ
くするためＣ二は、らせんピッチが長く、かつ自発分極
が大きいことが必要である。しかし、現状の強誘電性液
晶化合物でらせんピッチが長く、かつ自発分極が大きい
化合物はなく、殆んどがらせんピッチが短い化合物であ
る。従って、数種類の強誘電性液晶化合物を混合するこ
とＣ二より、らせんピッチが長く、シかも自発分極が大
きい強誘電性液晶組成物を作らなければならない。

（発明が解決しようとする問題点）本発明の目的は、現在ＴＮ型表示方式で汎用されている
セルとほぼ同程度のセルギャップのセルを用いて高速応
答表示を実用Ｃ二できる、らせんピッチの長い、自発分
極の大きい強誘電性液晶組成物を提供することである。

本発明の別の目的は、応答の極めて速い光スイツチング
素子を提供することである。

（問題点を解決する手段）一般にカイラルスメクチック液晶組成物のらせんピッチ
を長くする方法としては、強誘電性液晶化合物にらせん
構造をとらないスメクチックＣ（Ｓｃと略記する）化合
物を添加する方法と本願のらせんピッチのねじれ方が右
回りの化合物と左回りの化合物とを混合し、らせんのね
じれ方向を相殺させてらせんピッチを長くする方法が考
えられる。

一般Ｃ二らせん軸のねじれ方は化合物の側鎖の不斉炭素
原子の位置がベンゼン環の炭素原子より何番目であるか
によって右回りと左回りに分けられる。これは原子の並
び方の奇偶削性Ｃ二より不斉炭素原子（Ｃ＊）Ｃついて
いるメチル基（−ＣＨ３）の出ている方向が不斉炭素原
子の位置によって異なることによるものと解釈されてい
る（Ｍ、Ｔｓｕｋａｍｏｔｏ、　Ｔ、０ｈｔｓｕｋａ、
　Ｋ、Ｍｏｒｉｍｏｔｏ。

Ｙ、ＭｕｒａｋａｍＩ；Ｊａｐａｎ　Ｊ、Ａｐｐｌ！、
Ｐｈｙｓ、、１４．１３０７（１９７５）参照）。すな
わち、側鎖の不斉炭素原子の位置がベンゼン環の炭素原
子から数えて偶数位か奇数位かによって右回りと左回り
に分類される。

また、周知のよう１：光学活性体の絶対配置（−はＳ型
（５ｉｎｉｓｔｅｒ型）とＲ型（Ｒｅｃｔｕｓ型）の２
種が存在し、同じ構造式で表わされる化合物にも互いに
鏡映対称の関係にある２種類の化合物の存在が考えられ
る。例えば、２−メチルアルカン−１−オールについて
は次の２種Ｓ　　型　　　　　　　　　　　　Ｒ型（ｎ
≧２）なる絶対配置があり、また１−メチルアルカン−１−オ
ールについては、次の２種Ｓ　　型　　　　　　　　　Ｒ型（ｎ≧２）の絶対配置があることが考えられる。そして・これらの
光学活性体を原料としてカイラルスメクチック液晶化合
物を合成する場合、生成物の絶対配置は次のよう（＝考
えられる。

２−メチルアルカン−１−オールを原料とする場合には
、合成過程Ｃ：おいて不斉炭素原子が反応点でないため
、反応前後Ｃおける絶対配置は変らない。すなわち生成
物の絶対配置は原料化合物のそれと同じである。一方・
１−メチルアルカン−１−オールを原料とする場合（：
は、不斉炭素原子が反応点となることがあるので、合成
方法Ｃ：よっては反応前後における絶対配置が反転する
、いわゆるワルデン反転が起きる可能性がある。事実、
合成過程にワルデン反転を含んで調製される本発明の（
り１式Ｃ：おけるＹが化合物においては、不斉炭素原子
に関してその絶対配置が原料の１−メチルへブタン−１
−オールとは逆になっている。すなわちＳ型の１−メチ
ルへブタン−１−オールからＲ型の生成物が得られてい
る。

さらＣ二、本発明に用いられる（１）式の化合物につい
ては、光学活性体の絶対配置がＳ型の化合物では、側鎖
Ｙの不斉炭素原子の位置が、ベンゼン環の炭素原子から
数えて偶数位の場合はらせんのねじれ方は右回りであり
、奇数位の場合は左回りであり、また、光学活性体の絶
対配置がＲ型の化合物では、Ｓ型の化合物とは逆（；な
り、側鎖Ｙの不斉炭素原子の位置が、ベンゼン環の炭素
原子から数えて偶数位の場合はらせんのねじれ方は左回
りであり、奇数位の場合は右回りである仁とが判ってい
る。

本発明者等は既（；、らせんのねじれ方が右まわりのカ
イラルスメクチック液晶化合物とらせんのねじれ方が左
まわりのカイラルスメクチック液晶化合物とからなる強
誘電性液晶組成物Ｃ：よって本願と同じ目的が達成でき
ることを見出したが（特願昭５８−１８６３１２号参照
）、光学活性体の絶対配置がＢ型のカイラルスメクチッ
ク液晶化合物を成分とする場合６：も、同様（二重的を
達成できることを見出し１本発明を完成した。すなわち
、本発明の第一は、（１）らせんのねじれ方が右まわりのカイラルスメクチ
ック液晶化合物とらせんのねじれ方が左まわりのカイラ
ルスメクチック液晶化合物とからなる強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物Ｃ二おいて、らせんのねじれ方
が右まわりのカイラルスメクチック液晶化合物として、
一般式％式％（１（（１）式Ｃ：おいて、ｍまたはｎは１または２のアル
キルオキシ基を示し、Ｙは不斉炭素原子を有するアルキ
ル基、アルキルオキシ基、アルコキンカルボニル基、ア
ルカノイル基またはアルカノイルオキシ基を示す。）に
おいて側鎖Ｙの不斉炭素原子がベンゼン環の炭素から数
えて奇数位Ｃ二ある、ラセミ体をなさない化合物を１つ
以上含み、または、らせんのねじれ方が左まわりの化合
物として、該一般式Ｃ；おいて側鎖Ｙの不斉炭素原子が
ベンゼン環の炭素から数えて偶数位（−ある、ラセミ体
をなさない化合物を１つ以上含むことを特徴とする、強
誘電性カイラルスメクチック液晶組成物であり、その態
様は、（２）前記の第（１）項Ｃ二おいて、らせんのねじれ方
が右まわりのカイラルスメクチック液晶化合物光学活性
化合物である強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物
、および（３）前記の第（１）項または第（２）項において、ら
せんのねじれ方が左まわりのカイラルスメクチック液晶
化合物が（１）式において側鎖Ｙが誘電性カイラルスメ
クチック液晶組成物である。

本発明の第二は（４）前記の第（１）項（：記載の強誘電性カイラルス
メクチック液晶組成物を利用することを特徴とする光ス
イツチング素子、である。

らせんのねじれ方が左まわりのカイラルスメクチック液
晶化合物として、前記した（１）式にお置がＲ型であるを含み、らせんのねじれ方が右まわりの化合物として、
（り式（二おいて、ｍ＝ｌ、ｍ＝Ｑ、Ｘ＝絶対配置がＳ
型であるを含む、二成分混合系（二ついて、その自発分極の大き
さくＰｓ）ならびにらせんピッチの逆数（１／Ｐ）と組
成との関係をそれぞれ図１および図２（：示す。すなわ
ち、図１は二成分系のＳＣ＊−８人相転移源度（Ｔｃ）
より１０℃および２０℃低い温度（Ｔ）−二おける自発
分極の大きさを組成（：対して点綴したものであり、図
２はＴｃより２０℃低い温度シーおける、二成分系のら
せんピッチの逆数を示す図である。図２において几およ
びＬはそれぞれ、混合系のらせんのねじれ方が右まわり
および左まわりの領域であることを示す。図１から判る
ようＣ；この二成分混合系では自発分極の大きさに二つ
いて加成性が成立つている。また、図２から、化合物Ｂ
の濃度が約３２重量％で混合系のらせんピッチが無限大
となり、この時の自発分極の大きさは図１から２８〜３
６　ｎＣ／ｃＩ／ｌある。図１および図２は任意のらせ
んピッチをもち、かつ自発分極の大きい強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物が調製できることを示唆して
いる。前記の自発分極の大きさの加成性については、次
のような解釈ができる。

強誘電性液晶は、電界が印加されない時は、らせん軸の
ねじれ方が右回り、或いは左回りのらせんをねじり、分
子の双極子モーメントはランダムな方向を向いているが
、電界が印加されるとらせんがほどけ分子の双極子モー
メントが電界方向にそろう為、分子は一定方向＆：配列
する。すなわち、らせん軸のねじれ方が右回りの化合物
と左回りの化合物を混合した場合、電界の印加Ｃ：より
らせんがほどけ、らせんのねじれ方が右回りであろうと
左回りであろうと関係なく、分子の双極子モーメントが
電界方向にそろう為一定方向Ｃ：配列し、印加電圧の極
性の反転に対応して分子は反転する。従ってらせん軸の
ねじれ方が右回りであろうと左回りであろうとらせんの
ねじれ方向には自発分極の大きさは関係なく、個々の成
分の化合物の自発分極の大きさの和として現われる。よ
って、自発分極の大きさＣ：は、らせん軸のねじれ方向
Ｃ：は関係なく加成性が成り立つことが考えられる。

混合系の自発分極の大きさＣ：加成性があることから明
らかなように、本発明の組成物の成分としてのカイラル
スメクチック液晶化合物はそれ自体の自発分極の大きさ
がより大きい物が望ましい。

本発明の液晶組成物の成分としては、（１）式Ｃ：おい
て側鎖Ｙの不斉炭素原子がベンゼン環のＹの結合する炭
素から数えて奇数番目にある、らせんのねじれ方が右ま
わりのカイラルスメクチック液晶化合物、または、側鎖
Ｙの不斉炭素原子がベンゼン環のＹの結合する炭素から
数えて偶数位にある、らせんのねじれ方が左まわりの化
合物が用いられる。これらのカイラルスメクチック液晶
化合物は光学活性体の絶対配置がＲ型の化合物である。

このＲ型のＳＣ＊相を有する化合物Ｃ：加えられる、ら
せんのねじれ方が反対まわりのカイラルスメクチック液
晶化合物は、光学活性体としての絶対配置がＲ型であっ
てもＳ型であってもよい。

強誘電性液晶材料としては、そのＳＣ＊相温度範囲が・
実用の温度を含んでできるだけ広いことが望まれるが、
これは次のようにシて満たされる。ＳＣ＊相上限温度は
、成分のＳＣ＊化合物の分子鎖長を揃えること、すなわ
ち分子鎖長差を小さくすることＣ二より、混合Ｃ：よる
急激な降下を抑制できる（特願昭参照）。

ＳＣ＊相下限温度は多くの場合、融点であるが、混合系
の融点は成分数を多くすることにより、また、同族体で
ないＳＣ＊化合物を混合することＣ二より効果的Ｃ：低
下する（特願昭参照）。

混合系の融点はネマチック相を有する化合物の添加Ｉ：
よっても降下できるが（特願昭５９−２１９１５２参照
）、ネマチック液晶化合物の添加（：よる自発分極の大
きさの減少をも同時（：考慮せねばならない。

本発明においては、必ず（１）式（：おけるＹが異なる
ＳＣ＊化合物が含まれるので、同族体だけからなる混合
系に比べて本発明の組成物はＳＣ＊相を低温側に拡張で
きている。

（発明の効果）本発明（二よれば、らせんピッチの短い強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶化合物を成分として、らせんピッチ
が充分に長く、かつ自発分極の大きさが相当に大きい強
誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が得られる。本
発明の組成物は、らせんピッチが長いので、電極間距離
が５μ愼程度のセル（−封入しても充分に配向性の良い
液晶表示素子をつくることができ、また、その応答速度
は実施例Ｃ：示されるように非常（：速い。

（実施例）以下に実施例Ｃ二より本発明を詳述するが、本発明はこ
れら実施例（：限定されるものではない。

なお、自発分極の大きさはソーヤ−・タワー（８ａｗｙ
ｅｒ　−Ｔｏｖｅｒ　）法により測定し、また、らせん
ピッチの測定はらせん軸が基板Ｃ：平行なセルを利用し
、フルピッチ（：対応する縞模様の間隔を偏光顕微鏡４
二より直接測定した。

実施例１らせんのねじれ方が右回りの化合物１０重量％および、らせんのねじれ方が左回りの化合物３０重量％２５重量％および、ネマチック液晶化合物からなる組成物を調製した。ＳＣ＊相を有する４つの成
分化合物の中、第１の化合物は光学活性体の絶対配置が
Ｒ型であり、後の３つは絶対配置がＳ型の化合物である
。

この液晶組成物は、ｏ℃〜６５℃の温度領域でＳＣ＊相
を示し、その高温側でＳＡ相を示し、８０℃で等方性液
体となった。この組成物のらせんピッチは２５℃で６μ
鴨と非常ζ：長く、又、自発分極の大きさは３３ｎＣ／
ｃＩｌと非常に大きな値を示し、らせんピッチが長いＣ
；もかかわらず、自発分極の大きさが大きい強誘電性カ
イラルスメクチック液晶組成物が得られた。

実施例２らせんのねじれ方が右まわりの化合物１０重量％２０３１ｒ＠％および、らせんのねじれ方が左まわりの化合物４０重量
％３０重量％からなる液晶組成物を調製した。この成分化合物の中、
最初に記した化合物は光学活性体の絶対配置がＲ型の物
であり、後の３化合物は絶対配置がＳ型である。

この組成物は、１７℃〜４９℃でＳＣ＊相を示し１それ
以上の温度でＳ人相を示し、７５℃で等方性液体相とな
った。この組成物のらせんピッチは２０’Ｃで１５μ悔
と非常Ｃ：長く、又、自発分極の大きさはｌ　９　ｎＣ
／ｃＩ／ｌと非常（二大きな値を示し、らせんピッチが
長い（：もかかわらず、自発分極の大きさが大きい強誘
電性カイラルスメクチック液晶組成物が得られた。

実施例３実施例１で調製した液晶組成物を配向処理剤としてポリ
ビニルアルコールＣＰＶＡ）ｖ！布し、表面をラビング
して平行配向処理を施したセルギャップ２μ鴨の透明電
極を備えたセルに注入し液晶セルをつくった。この液晶
セルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子の間（；
はさみ、０．５Ｈｚ　、　ｌ　５　Ｖの低周波数の交流
を印加したところ・非常（ニコントラストが良い明瞭な
スイッチング動作が観察され、応答時間が２５℃で０．
６　ｍ５ｅｃと非常（一応答の速い液晶表示素子が得ら
れた。

実施例４実施例２で調製した液晶組成物（二、化学式で表わされ
るアントラキノン系色素Ｄ−１６（ＢＤＨ社製）を３重
電％添加して、ゲスト・ホスト型とした組成物を、配向
処理剤としてＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平行
配向処理を施した、セルギャップ５μ惰の透明電極を備
えたセルに注入し、カラー液晶表示セルをつくった。こ
の液晶セルを１枚の偏光子を偏光面が分子軸Ｃ；平行Ｉ
：なるように配置し、０，５　Ｈｚ　５１ｉ５Ｖの低周
波数の交流を印加したところ、非常にコントラストが良
い、明瞭なスイッチング動作が観察され・応答速度が２
０℃で１ｍ５ｅｃと非常に速いカラー液晶表示素子が得
られた。

【図面の簡単な説明】

図１および図２は化合物Ａと化合物Ｂからなる二成分混
合系の、それぞれ自発分極の大きさおよびらせんピッチ
の逆数を示す図である。以上特許出願人　　チ　ッ　ソ　株　式　会　社同上　株式
会社日立製作所代理人　弁理士　佐々井　彌太部同　上　野中克彦図　１

Claims

【特許請求の範囲】

（１）らせんのねじれ方が右まわりのカイラルスメクチ
ック液晶化合物とらせんのねじれ方が左まわりのカイラ
ルスメクチック液晶化合物とからなる強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物において、らせんのねじれ方が
右まわりのカイラルスメクチック液晶化合物として、一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（（ I ）式において、ｍまたはｎは１または２の整数
を示し、Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｃ
Ｈ＝Ｎ−、−ＣＨ＿２Ｏ−、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ＿２−または単結合
を示し、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基またはアルキ
ルオキシ基を示し、Ｙは不斉炭素原子を有するアルキル
基、アルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アル
カノイル基またはアルカノイルオキシ基を示す。）にお
いて側鎖Ｙの不斉炭素原子がベンゼン環の炭素から数え
て奇数位にある、ラセミ体をなさない化合物を１つ以上
含み、または、らせんのねじれ方が左まわりの化合物と
して、該一般式において側鎖Ｙの不斉炭素原子がベンゼ
ン環の炭素から数えて偶数位にある、ラセミ体をなさな
い化合物を１つ以上含むことを特徴とする、強誘電性カ
イラルスメクチック液晶組成物。
（２）特許請求の範囲第（１）項において、らせんのね
じれ方が右まわりのカイラルスメクチック液晶化合物が
（１）式において側鎖Ｙが▲数式、化学式、表等があり
ます▼である光学活性化合物である強誘電性カイラルス
メクチック液晶組成物。
（３）特許請求の範囲第（１）項または第（２）項にお
いて、らせんのねじれ方が左まわりのカイラルスメクチ
ック液晶化合物が（ I ）式において側鎖Ｙが▲数式、
化学式、表等があります▼である光学活性化合物である
強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
（４）らせんのねじれ方が右まわりのカイラルスメクチ
ック液晶化合物とらせんのねじれ方が左まわりのカイラ
ルスメクチック液晶化合物とからなる強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物において、らせんのねじれ方が
右まわりのカイラルスメクチック化合物として、一般式
▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（（ I ）式において、ｍまたはｎは１または２の整数
を示し、Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｃ
Ｈ＝Ｎ−、−ＣＨ＿２Ｏ−、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ＿２−または単結合
を示し、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基またはアルキ
ルオキシ基を示し、Ｙは不斉炭素原子を有するアルキル
基、アルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アル
カノイル基またはアルカノイルオキシ基を示す。）にお
いて側鎖Ｙの不斉炭素原子がベンゼン環の炭素から数えて奇数位にある、ラセミ体をな
さない化合物を１つ以上含み、または、らせんのねじれ
方が左まわりの化合物として、該一般式において側鎖Ｙ
の不斉炭素原子がベンゼン環の炭素から数えて偶数位に
ある、ラセミ体をなさない化合物を１つ以上含む、強誘
電性カイラルスメクチック液晶組成物を利用することを
特徴とする光スイッチング素子。