JPS61205788A - るつぼ - Google Patents
るつぼInfo
- Publication number
- JPS61205788A JPS61205788A JP4559985A JP4559985A JPS61205788A JP S61205788 A JPS61205788 A JP S61205788A JP 4559985 A JP4559985 A JP 4559985A JP 4559985 A JP4559985 A JP 4559985A JP S61205788 A JPS61205788 A JP S61205788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- release agent
- quartz
- silicon
- mold release
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J13/00—Controls for manipulators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はシリコンを融解し、凝固させる石英るつぼ等の
改良に関する。
改良に関する。
（従来の技術）
鋳造法による太陽電池用シリコン多結晶基板の製造方法
の一つとして、シリコンをるつぼの中で融解しそれを凝
固してインボッ）ｋ製造し、このインゴットを基板状に
ヌライヌする技術が注目されるに至った。
の一つとして、シリコンをるつぼの中で融解しそれを凝
固してインボッ）ｋ製造し、このインゴットを基板状に
ヌライヌする技術が注目されるに至った。
この製造方法では、るつぼ材質は高純度のンリコン基板
が得られる石英よシなる第１図のような形状のるつぼが
よく用いられる。石英は融解したシリコンとよく濡れる
性質があるので、凝固しだシリコンインゴットは石英る
つぼと完全に融着し、冷却過程では熱膨＠係数の差によ
る内部応力が発生してシリコンインゴットあるいは石英
るつばが割れるか、あるいは両方側れるかする。この現
象を避けるために融解シリコンと接触する石英るつぼの
内面（２）（第１図）に窒化硅素などの離型剤を塗付す
る方法は公知である（文献、Ｔ、 ５ａｌｃｏ他。
が得られる石英よシなる第１図のような形状のるつぼが
よく用いられる。石英は融解したシリコンとよく濡れる
性質があるので、凝固しだシリコンインゴットは石英る
つぼと完全に融着し、冷却過程では熱膨＠係数の差によ
る内部応力が発生してシリコンインゴットあるいは石英
るつばが割れるか、あるいは両方側れるかする。この現
象を避けるために融解シリコンと接触する石英るつぼの
内面（２）（第１図）に窒化硅素などの離型剤を塗付す
る方法は公知である（文献、Ｔ、 ５ａｌｃｏ他。
５ｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉ、ａｌｓ、
９巻（１９８８） ８号。
９巻（１９８８） ８号。
Ｐ、８８７〜８４５）。しかし、従来の石英るつほは浴
融石英でつくられたもので、るつぼの表面は第２図に示
す通り表面あらさく部品の断面の短ピツチの凹凸の度合
を表面あらさと云い最高高さと最低高さの差で示される
値を云う）は１．０μｍ以下で平滑であった。表面平滑
な石英るつぼでは、離型剤を塗布しても離型剤を石英表
面に保持させることが困難であり、昇温中又は融解シリ
コンと接触中に離型剤が部分的に剥離することを避ける
ことができずまた離型剤の部分的な剥離が剥離部分の石
英るつぼと凝固後のシリコンインゴットの融着の原因と
なシ、かつインゴットおよび石英るつぼの割れの発生原
因となることは本発明者の経験するところであった。ま
た剥離した離型剤は融解シリコン中に溶解、分散して凝
固後のシリコンインゴットの品質低下の原因にもなって
いた。
融石英でつくられたもので、るつぼの表面は第２図に示
す通り表面あらさく部品の断面の短ピツチの凹凸の度合
を表面あらさと云い最高高さと最低高さの差で示される
値を云う）は１．０μｍ以下で平滑であった。表面平滑
な石英るつぼでは、離型剤を塗布しても離型剤を石英表
面に保持させることが困難であり、昇温中又は融解シリ
コンと接触中に離型剤が部分的に剥離することを避ける
ことができずまた離型剤の部分的な剥離が剥離部分の石
英るつぼと凝固後のシリコンインゴットの融着の原因と
なシ、かつインゴットおよび石英るつぼの割れの発生原
因となることは本発明者の経験するところであった。ま
た剥離した離型剤は融解シリコン中に溶解、分散して凝
固後のシリコンインゴットの品質低下の原因にもなって
いた。
（発明゛が解決しようとする問題点）
本発明は離型剤を剥離させないるっほを提供することを
目的とする。
目的とする。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明は内面の微小凹凸が表面あらさで０．０３〜０．
５０ｗ１のるつぼをその要旨とする。
５０ｗ１のるつぼをその要旨とする。
（作用）
本発明者は平滑な石英るつぼの内面を表面あらさで０．
０３〜０．５０７１１７１１の範囲に加工した上で離型
剤を塗ることが離型剤の剥離を防止することに有効なこ
とを発見した。るつぼ内面の加工法としてはサンドブラ
スト法、ショットビーム法、あるいは石英るつは成形時
に石英粒子を焼結させる方法が使われ得る。表面あらさ
の範囲００３〜０５０贋の限定理由は次の通りである。
０３〜０．５０７１１７１１の範囲に加工した上で離型
剤を塗ることが離型剤の剥離を防止することに有効なこ
とを発見した。るつぼ内面の加工法としてはサンドブラ
スト法、ショットビーム法、あるいは石英るつは成形時
に石英粒子を焼結させる方法が使われ得る。表面あらさ
の範囲００３〜０５０贋の限定理由は次の通りである。
上限表面あらさ０．５０Ｍを趣えると、表面の凹凸が大
きくなシすぎるので、るつぼ表面に離型剤を一様な平坦
に塗布するには離型剤の膜厚を厚くする必要があシ、し
たがってその膜厚が過度に大きくなることによって再び
離型剤の剥離が起シ易くなる。まだ下限表面あらさ００
３によシ小さくなると、るつぼ表面はまだ平滑であるの
で離型剤接着のよい効果が得られないことによる。
きくなシすぎるので、るつぼ表面に離型剤を一様な平坦
に塗布するには離型剤の膜厚を厚くする必要があシ、し
たがってその膜厚が過度に大きくなることによって再び
離型剤の剥離が起シ易くなる。まだ下限表面あらさ００
３によシ小さくなると、るつぼ表面はまだ平滑であるの
で離型剤接着のよい効果が得られないことによる。
本発明はグラファイトのるつぼにも適用されてよい効果
が得られる。
が得られる。
（実施例）
実施例１
表面あらさＯ，ＯＯＩＭをもつ表面が平滑な（第２図に
その表面を図示）直径１２インチの溶融石英るつぼの内
面にサンドブラスト法によって表面加工した。サンド粒
径は≠５００程度であシ、表面加工後の表面あらさはそ
の測定結果を第３図に示す通シ約０．２履であった。該
るつぼの内面に離型剤である窒化硅素を塗布して乾燥後
にシリコン４０ｋＱを装入して加熱溶解した。溶解中、
溶解後および凝固後も離型剤は剥離することなく、凝固
インゴットおよび石英るつぼ共に割れの発生なく取出さ
れた。
その表面を図示）直径１２インチの溶融石英るつぼの内
面にサンドブラスト法によって表面加工した。サンド粒
径は≠５００程度であシ、表面加工後の表面あらさはそ
の測定結果を第３図に示す通シ約０．２履であった。該
るつぼの内面に離型剤である窒化硅素を塗布して乾燥後
にシリコン４０ｋＱを装入して加熱溶解した。溶解中、
溶解後および凝固後も離型剤は剥離することなく、凝固
インゴットおよび石英るつぼ共に割れの発生なく取出さ
れた。
実施例２
溶融石英るつぼ（直径１２インチ）にサンド粒径Φ２０
０を用いサンドブラスト法によって表面加工した。表面
加工後のるつぼ内面の表面あらさは０．５Ｍであった。
０を用いサンドブラスト法によって表面加工した。表面
加工後のるつぼ内面の表面あらさは０．５Ｍであった。
該るつぼ内面に窒化硅素を塗布して、シリコン４０ｋＶ
を溶解した。窒化硅素は剥離することなく、凝固インゴ
ット、石英るつぼ共に割れの発生はなかった。
を溶解した。窒化硅素は剥離することなく、凝固インゴ
ット、石英るつぼ共に割れの発生はなかった。
（効果）
本発明の、るつぼに離型剤を塗布することによってシリ
コン等の溶解、凝固が順調に進行し良品質のインゴット
生産を可能にするもので、その効果はきわめて大きい。
コン等の溶解、凝固が順調に進行し良品質のインゴット
生産を可能にするもので、その効果はきわめて大きい。
第１図は石英るつぼの形状を説明する斜視図、第２図は
表面加工前の石英るつぼの内面の表面あらさを示す線図
、第８図は表面加工後の石英るつぼ内面の表面あらさを
示す線図である。 ｌ：外面、２１内面。
表面加工前の石英るつぼの内面の表面あらさを示す線図
、第８図は表面加工後の石英るつぼ内面の表面あらさを
示す線図である。 ｌ：外面、２１内面。
Claims (1)
- （１）内面の微小凹凸が表面あらさで０．０３〜０．５
０ｍｍのるつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4559985A JPS61205788A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4559985A JPS61205788A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205788A true JPS61205788A (ja) | 1986-09-11 |
Family
ID=12723812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4559985A Pending JPS61205788A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61205788A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6032086A (en) * | 1994-03-08 | 2000-02-29 | Fanuc Ltd. | Control system for industrial robots |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP4559985A patent/JPS61205788A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6032086A (en) * | 1994-03-08 | 2000-02-29 | Fanuc Ltd. | Control system for industrial robots |
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