JPS61204825A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61204825A JPS61204825A JP13218985A JP13218985A JPS61204825A JP S61204825 A JPS61204825 A JP S61204825A JP 13218985 A JP13218985 A JP 13218985A JP 13218985 A JP13218985 A JP 13218985A JP S61204825 A JPS61204825 A JP S61204825A
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- JP
- Japan
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- layer
- magnetic
- coercive force
- crystal layer
- film
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- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は止置磁気記録媒体に係り、特に止置Ｉｌｌ気記
録再Ａ・特色を向上し得ると共に磁性層の１１ψ厚寸法
をａ９＜シ得る垂直磁気記録媒体に関りる。
録再Ａ・特色を向上し得ると共に磁性層の１１ψ厚寸法
をａ９＜シ得る垂直磁気記録媒体に関りる。
従来の技術
一般に、磁気ヘッドにより磁気記録媒体に記録。
再生を行なうには、磁気ヘッドにｊ、り磁気記録媒体の
磁１（１層にその媒体長手方向（面内方向）の磁化を行
なわせて記録し、これを再生するものが汎用されている
。しかるに、これによれば記録が高密度になるに従って
減磁界が大きくなり減磁作用が高密度記録に悪影響を及
ぼすことが知られている。そこで近年上記悪影響を解消
り−るものとして、磁気記録媒体の磁性層に垂直ブノ向
に磁化を行なう垂直磁気記録方式が提案されている。こ
れによれば記録密庶を向上さゼるに従い減磁界が小さく
ｈり理論的には残留磁化の減少がない良好な高密度記
録を行なうことができる。
磁１（１層にその媒体長手方向（面内方向）の磁化を行
なわせて記録し、これを再生するものが汎用されている
。しかるに、これによれば記録が高密度になるに従って
減磁界が大きくなり減磁作用が高密度記録に悪影響を及
ぼすことが知られている。そこで近年上記悪影響を解消
り−るものとして、磁気記録媒体の磁性層に垂直ブノ向
に磁化を行なう垂直磁気記録方式が提案されている。こ
れによれば記録密庶を向上さゼるに従い減磁界が小さく
ｈり理論的には残留磁化の減少がない良好な高密度記
録を行なうことができる。
従来この仲直磁気記録す式に用いる垂直磁気記録媒体と
しては、ベースフィルム上にｃｏ−Ｃｒ股をスパッタリ
ングにより被膜形成したものがあった。周知の如く、Ｃ
０−０ｒ膜は比較的高い飽和磁化（Ｎ４Ｓ）を有し、か
つ膜面に対し垂直４丁磁化容易１１！ｌｌを持つ（ずな
わら膜面に対し垂直力向の抗磁）Ｊ Ｈｃ土が人である
）ため垂直磁気記録媒体どしては極めて有望な材質であ
ることが知られている。ただし上記の如くスパッタリン
グによりＣｏ Ｃｒ膜を単円形成した構造の垂直磁気
記録媒体の場合、垂直磁気記録媒体上の所定磁気記録Ｉ
Ｑ置に磁束を集中させることができず（特にリングコア
ヘッドを用いた場合顕著である）、垂直磁気記録媒体に
分布が鋭くかつ強い垂直磁化ができないという問題点が
あった。
しては、ベースフィルム上にｃｏ−Ｃｒ股をスパッタリ
ングにより被膜形成したものがあった。周知の如く、Ｃ
０−０ｒ膜は比較的高い飽和磁化（Ｎ４Ｓ）を有し、か
つ膜面に対し垂直４丁磁化容易１１！ｌｌを持つ（ずな
わら膜面に対し垂直力向の抗磁）Ｊ Ｈｃ土が人である
）ため垂直磁気記録媒体どしては極めて有望な材質であ
ることが知られている。ただし上記の如くスパッタリン
グによりＣｏ Ｃｒ膜を単円形成した構造の垂直磁気
記録媒体の場合、垂直磁気記録媒体上の所定磁気記録Ｉ
Ｑ置に磁束を集中させることができず（特にリングコア
ヘッドを用いた場合顕著である）、垂直磁気記録媒体に
分布が鋭くかつ強い垂直磁化ができないという問題点が
あった。
また上記問題点を解決するため、Ｃｏ ’Ｃｒ膜とベ
ースフィルムどの間に、いわゆる裏打ち層である高透磁
率層（すなわち抗磁力Ｈｃが小なる層。
ースフィルムどの間に、いわゆる裏打ち層である高透磁
率層（すなわち抗磁力Ｈｃが小なる層。
例えばＮｉ −ＦＯ）を別個形成して二）Ｐｉ ４Ｍ造
とし高透磁率層内で広がっている磁束を所定磁気記録位
防にて磁気ヘッドの磁極に向Ｉ」集中させて吸い込まれ
ることにより分布が鋭くかつ強い垂直磁化を行ない１ｑ
る構成の垂直磁気記録媒体があった。
とし高透磁率層内で広がっている磁束を所定磁気記録位
防にて磁気ヘッドの磁極に向Ｉ」集中させて吸い込まれ
ることにより分布が鋭くかつ強い垂直磁化を行ない１ｑ
る構成の垂直磁気記録媒体があった。
発明が解決しようとする問題点
しかるに上記従来の垂直磁気記録媒体９例えばＣｏ−Ｃ
ｒ単層媒体にリング」アヘッドで記録Ｊる場合、その磁
界分布は面内ブラ向成分をかなり有しているので記録時
に磁化□が傾きや覆い。磁化を垂直に維持するために、
垂直磁気記録媒体は高い垂直異方性磁界（）−１ｋ ）
を有し、飽和磁化（ＭＳ ）はある程度小ざい値に抑え
る必要があった。まＩこ高い再生出力を実現しようとす
るど垂直方向の抗磁力（１」Ｃ上）を大きくし垂直磁気
記録媒体の厚さ寸法を大とする必要があった。また厚さ
寸法を大とした場合には垂直磁気記録媒体と磁気ヘッド
のいわゆる当ｌこり（垂直磁気記録媒体と磁気ヘッドの
摺接部にお（プる摺接条件）が悲くなり、垂直磁気記録
媒体を損傷したり磁気ヘッドに悪影響が生じ良好な垂直
磁気記録再生ができないという問題点があった。
ｒ単層媒体にリング」アヘッドで記録Ｊる場合、その磁
界分布は面内ブラ向成分をかなり有しているので記録時
に磁化□が傾きや覆い。磁化を垂直に維持するために、
垂直磁気記録媒体は高い垂直異方性磁界（）−１ｋ ）
を有し、飽和磁化（ＭＳ ）はある程度小ざい値に抑え
る必要があった。まＩこ高い再生出力を実現しようとす
るど垂直方向の抗磁力（１」Ｃ上）を大きくし垂直磁気
記録媒体の厚さ寸法を大とする必要があった。また厚さ
寸法を大とした場合には垂直磁気記録媒体と磁気ヘッド
のいわゆる当ｌこり（垂直磁気記録媒体と磁気ヘッドの
摺接部にお（プる摺接条件）が悲くなり、垂直磁気記録
媒体を損傷したり磁気ヘッドに悪影響が生じ良好な垂直
磁気記録再生ができないという問題点があった。
そこで本発明では、−の磁性材をベース上に」−ティン
グした際、磁性層が抗磁力の異なる二層に分かれて形成
されることに注目し、この抗磁力の異なる各層を垂直磁
気記録に積極的に利用覆ることにより上記問題点を解決
した垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
グした際、磁性層が抗磁力の異なる二層に分かれて形成
されることに注目し、この抗磁力の異なる各層を垂直磁
気記録に積極的に利用覆ることにより上記問題点を解決
した垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明では、−の磁１１材
Ｊ：りなる磁性層を特に低い抗磁力を右する層とその上
に形成された高抗磁力を有する層とより形成してイ【る
垂直磁気記録媒体の上記磁性層の全体厚さ寸法を０，３
μｍ以下とした。
Ｊ：りなる磁性層を特に低い抗磁力を右する層とその上
に形成された高抗磁力を有する層とより形成してイ【る
垂直磁気記録媒体の上記磁性層の全体厚さ寸法を０，３
μｍ以下とした。
実施例
本発明になる垂直ｔｎ気記録媒体（以下単に配録媒体と
いう）は、ベースとなるポリイミド基板」−に例えば］
パルｌ〜（Ｃｏ）、クロム（Ｏｒ ）に二Ａブ（Ｎｂ
＞及びタンタル（Ｔａ ）のうち少なくとも一方を加え
てなる磁性材をターゲラ１〜としてスパッタリングする
ことによって得られる。
いう）は、ベースとなるポリイミド基板」−に例えば］
パルｌ〜（Ｃｏ）、クロム（Ｏｒ ）に二Ａブ（Ｎｂ
＞及びタンタル（Ｔａ ）のうち少なくとも一方を加え
てなる磁性材をターゲラ１〜としてスパッタリングする
ことによって得られる。
従来にり金属等（例えばＣｏ−Ｃｒ合金）をベース上に
スパッタリングした際、被膜形成された薄膜はイの膜面
に垂直方向に対して同−結晶描込を形成するのではなく
、ベース近傍の極めて薄い部分にまず小粒径の第一の結
晶層を形成１ノ、その上部に続いて大粒径の第二の結晶
層が形成されることが各種の実験（例えば走査／！ｌ電
子顕微鏡による写真撮影）により明らかになってきてい
る（ Ｆｄｗａｒｄ Ｒ、ＷＩＩＯｒ！ ａｎｄ
ｐ ｒｏｆｅｓｓｏｒ、 Ｊ 。
スパッタリングした際、被膜形成された薄膜はイの膜面
に垂直方向に対して同−結晶描込を形成するのではなく
、ベース近傍の極めて薄い部分にまず小粒径の第一の結
晶層を形成１ノ、その上部に続いて大粒径の第二の結晶
層が形成されることが各種の実験（例えば走査／！ｌ電
子顕微鏡による写真撮影）により明らかになってきてい
る（ Ｆｄｗａｒｄ Ｒ、ＷＩＩＯｒ！ ａｎｄ
ｐ ｒｏｆｅｓｓｏｒ、 Ｊ 。
ト１． ＪｕｄＶ ： ” ＩＮ Ｉ
Ｔ Ｉ 八 Ｌ Ｉ−ＡＹＦＲＥＦＦＥＣＴ
ＩＮ Ｃｏ−ＣＲｆ二 ＩＬＭＳ”。
Ｔ Ｉ 八 Ｌ Ｉ−ＡＹＦＲＥＦＦＥＣＴ
ＩＮ Ｃｏ−ＣＲｆ二 ＩＬＭＳ”。
ＩＥＦＥ Ｔｒａｎｓ、、ＶＯＬ、ＭＡＧ−２０゜Ｎ
Ｏ，５，ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ１９８４，Ｐ ７７４〜Ｐ
７１５またはＷｉｌｌｉａｍ Ｇ、 Ｈａｉｎｅｓ
： ”ＶＳＭＰＲＯＦＩｔｌＮＧ ＯＦ ＣｏＣ
ｒＦＩＬＭＳ：Ａ ＮＥＷ ΔＮＡＬＹＴＩＣＡＬ
ＴＥＣＩ−ＩＮ ＩＱＵＥ” ＩＥＥＦ Ｔｒａｎｓ
、、ＶＯＬ、ＭＡＧ−２０，Ｎｏ、５．ＳＦＰＴＥＭＢ
ＥＲ１９８４、Ｐ ８１２〜ｐ ８１４）。本発明省は
上記観点に注目しｃｏ−Ｑｒ金合金基とし、またこれに
第三元素を添加した金属を各種スパッタリングし、形成
される小粒径の結晶層とその上部に形成された大粒径の
結晶層との物理的性質を測定した結束、特に第三元素と
してＮｂまたはＴａを添加した場合、小粒径結晶層の抗
磁力が大粒径結晶層よりも非常に小であることがわかっ
た。本発明ではこの抵抗ｉｌｌ力を有する小粒径結晶層
を高透磁率層どして用い高抗磁力を有する大粒径結晶層
を垂直磁化層として用いることにより磁性層の厚さ寸法
を小とすることを特徴とする。
Ｏ，５，ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ１９８４，Ｐ ７７４〜Ｐ
７１５またはＷｉｌｌｉａｍ Ｇ、 Ｈａｉｎｅｓ
： ”ＶＳＭＰＲＯＦＩｔｌＮＧ ＯＦ ＣｏＣ
ｒＦＩＬＭＳ：Ａ ＮＥＷ ΔＮＡＬＹＴＩＣＡＬ
ＴＥＣＩ−ＩＮ ＩＱＵＥ” ＩＥＥＦ Ｔｒａｎｓ
、、ＶＯＬ、ＭＡＧ−２０，Ｎｏ、５．ＳＦＰＴＥＭＢ
ＥＲ１９８４、Ｐ ８１２〜ｐ ８１４）。本発明省は
上記観点に注目しｃｏ−Ｑｒ金合金基とし、またこれに
第三元素を添加した金属を各種スパッタリングし、形成
される小粒径の結晶層とその上部に形成された大粒径の
結晶層との物理的性質を測定した結束、特に第三元素と
してＮｂまたはＴａを添加した場合、小粒径結晶層の抗
磁力が大粒径結晶層よりも非常に小であることがわかっ
た。本発明ではこの抵抗ｉｌｌ力を有する小粒径結晶層
を高透磁率層どして用い高抗磁力を有する大粒径結晶層
を垂直磁化層として用いることにより磁性層の厚さ寸法
を小とすることを特徴とする。
以下本発明者が行なったスパッタリングにより形成され
た小粒径結晶層と、大粒径結晶層の抗磁力を測定した実
験結果を詳述する。Ｇｏ −Ｃｒ ｉｄｉ膜、 Ｃｏ
−Ｃｒ −Ｎｂ 薄膜及びｃｏ−Ｏｒ−ｌａ薄膜をスパ
ッタリングするに際し、スパッタリング条件は小開の如
く設定した（ＮｂまたはＴａを添加した各場合において
スパッタリング条件は共に等しく設定した）。
た小粒径結晶層と、大粒径結晶層の抗磁力を測定した実
験結果を詳述する。Ｇｏ −Ｃｒ ｉｄｉ膜、 Ｃｏ
−Ｃｒ −Ｎｂ 薄膜及びｃｏ−Ｏｒ−ｌａ薄膜をスパ
ッタリングするに際し、スパッタリング条件は小開の如
く設定した（ＮｂまたはＴａを添加した各場合において
スパッタリング条件は共に等しく設定した）。
＊スパッタ装量
ＲＦマグネ１−ロンスパッタ装置
＊スパッタリング方法
連続スパッタリング。予め予備Ｉｊ１気圧１×１０−６
王ｏｒｒまでυ１気した後Ａｒガスを導入し１Ｘ１０３
ｌ”（ｌｒｒどした ４：ベース ポリイミド（厚さ２０μｍ） ；ｌ；ｌ；ターゲラ １〜−Ｃｒ合金上にＮ ｂあるいはｌ−ａの小片を載置
した複合ターゲラ１〜 ：１；ターゲツ１〜基板間距離 １１０１１１ｆｌ＋ なお薄膜の磁気時ｆ！１は振動試１１型磁力泪（狸研電
子製、以下ＶＳＭと略称づ−る）にて、薄膜の組成はエ
ネルギー分散型ンイクロアナライリ゛（ＫＥＶ「Ｘネ」
製、以下Ｆｆ）Ｘと略称する）にて、また結晶配向性は
Ｘ線回折装量（理学電機製）にて夫々測定した。
王ｏｒｒまでυ１気した後Ａｒガスを導入し１Ｘ１０３
ｌ”（ｌｒｒどした ４：ベース ポリイミド（厚さ２０μｍ） ；ｌ；ｌ；ターゲラ １〜−Ｃｒ合金上にＮ ｂあるいはｌ−ａの小片を載置
した複合ターゲラ１〜 ：１；ターゲツ１〜基板間距離 １１０１１１ｆｌ＋ なお薄膜の磁気時ｆ！１は振動試１１型磁力泪（狸研電
子製、以下ＶＳＭと略称づ−る）にて、薄膜の組成はエ
ネルギー分散型ンイクロアナライリ゛（ＫＥＶ「Ｘネ」
製、以下Ｆｆ）Ｘと略称する）にて、また結晶配向性は
Ｘ線回折装量（理学電機製）にて夫々測定した。
ｃｏ−ｃｒに第三元素どしてＮｂを添加（２・−・１０
ａｔ％添加範囲において同一現象が生ずる）し、ポリイ
ミドベースに０．２μｍの膜厚でスパッタリングした記
録媒体に１５ＫＯｅの磁界を印加した場合の面内方向の
ヒステリシス曲線を第′１図に示す。同図より面内方向
の抗（１餞力（記号ト１に／で示す）がｌｆ口近傍部分
でヒステリシス曲線は急激に変則的に立ち」二がり（図
中矢印へで示す）、いわゆる磁化ジレンプが生じている
ことがわかる。スパッタリングされたＣｏ −Ｃｒ −
Ｎｂ ＷＪ膜がスパッタリング時に常に均一の結晶成長
を行なったと仮定した場合、第１図に示された磁化ジャ
ンプは生ずるはずはなく、これよりＧｏ −Ｃｒ−Ｎｂ
ｉｌ膜内に磁気的ｆ１質の異なる複数の結晶層が存在
することが推測される。
ａｔ％添加範囲において同一現象が生ずる）し、ポリイ
ミドベースに０．２μｍの膜厚でスパッタリングした記
録媒体に１５ＫＯｅの磁界を印加した場合の面内方向の
ヒステリシス曲線を第′１図に示す。同図より面内方向
の抗（１餞力（記号ト１に／で示す）がｌｆ口近傍部分
でヒステリシス曲線は急激に変則的に立ち」二がり（図
中矢印へで示す）、いわゆる磁化ジレンプが生じている
ことがわかる。スパッタリングされたＣｏ −Ｃｒ −
Ｎｂ ＷＪ膜がスパッタリング時に常に均一の結晶成長
を行なったと仮定した場合、第１図に示された磁化ジャ
ンプは生ずるはずはなく、これよりＧｏ −Ｃｒ−Ｎｂ
ｉｌ膜内に磁気的ｆ１質の異なる複数の結晶層が存在
することが推測される。
続いて第１図で示した実験条件と同一条件にてＣｏ −
Ｃｒ−Ｎｂをポリイミドベースニ０．０５μｍの膜厚で
スパッタリングした記録媒体に１５ＫＯｅの磁界を印加
した場合の面内方向のヒステリシス曲線を第２図に示す
。同図においては第１図に見られたようなヒステリシス
曲線の磁化ジャンプは生じておらず０．０５Ｉｌｌ程度
の膜厚におけるＧｏ −Ｃｒ−Ｎｂ薄膜は略均−な結晶
となっていることが理解される。これに加えて同図より
０．０５μｍ程度の膜厚における抗磁力ＨＣ／に注目す
るに、抗磁力ＨＣ／は極めて小なる値どなつており面内
方向に対する透磁率が大であることが理解される。Ｊｒ
記結果にリスバッタリングにＪ、リベース近傍位置には
じめに成長する初期層ＬＪ、抗１６カ１」Ｃ／が小であ
り、この初期層は走査Ｗ１電子顕微鏡写真で確かめられ
ている（ ’６７ｆ記資別参照）ベース近傍位置に成長
する小粒径の結晶層Ｃあると考えられる。また初期層の
上方に成長する層は、初期層の抗磁力ＨＣ／より人なる
抗磁力１−１ｃ／を右し、この層は同じく走査型電子顕
微鏡写真で確かめられている大粒径の結晶層であるとに
えられる。
Ｃｒ−Ｎｂをポリイミドベースニ０．０５μｍの膜厚で
スパッタリングした記録媒体に１５ＫＯｅの磁界を印加
した場合の面内方向のヒステリシス曲線を第２図に示す
。同図においては第１図に見られたようなヒステリシス
曲線の磁化ジャンプは生じておらず０．０５Ｉｌｌ程度
の膜厚におけるＧｏ −Ｃｒ−Ｎｂ薄膜は略均−な結晶
となっていることが理解される。これに加えて同図より
０．０５μｍ程度の膜厚における抗磁力ＨＣ／に注目す
るに、抗磁力ＨＣ／は極めて小なる値どなつており面内
方向に対する透磁率が大であることが理解される。Ｊｒ
記結果にリスバッタリングにＪ、リベース近傍位置には
じめに成長する初期層ＬＪ、抗１６カ１」Ｃ／が小であ
り、この初期層は走査Ｗ１電子顕微鏡写真で確かめられ
ている（ ’６７ｆ記資別参照）ベース近傍位置に成長
する小粒径の結晶層Ｃあると考えられる。また初期層の
上方に成長する層は、初期層の抗磁力ＨＣ／より人なる
抗磁力１−１ｃ／を右し、この層は同じく走査型電子顕
微鏡写真で確かめられている大粒径の結晶層であるとに
えられる。
小粒径結晶層と大粒径結晶層が４）１存ＪるＣｏ−Ｃｒ
−Ｎｂ ｕ膜において磁化ジャンプが生ずる理由を第
３図から第５図を用いて以干述べる１、４ｔお後述する
如く、磁化ジャンプは組成率及びスパッタリング条件に
関し全てのＣｏ −Ｃｒ −Ｎｂ ’ａＤ膜に対して発
生ずるものではない。、所定の条ｆ１下においてＣｏ
−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜をスパッタリングにより形成しこのａ
１摸のヒステリシス曲線を測定により描くと第３図に示
す如く磁化ジャンプが現ねれたヒステリシス曲線とな゛
る。また小粒径結晶層のみからなるヒステリシス曲線は
膜厚寸法を小どしたスパッタリング（約００７５μｍ以
下、これについては後述する）を行ない、これを測定ケ
ることにより得ることができる（第４図に示す）。また
大粒径結晶層は均一結晶構造を有していると考えられ、
かつ第３図に示すヒステリシス曲線は小粒径結晶層のヒ
ステリシス曲線と大粒径結晶層のヒステリシス曲線を合
成したものと考えられるため第５図に示す如く抗磁力１
」ｃ／が小粒径結晶層よりも大であり、磁化ジＶンプの
ない消らがなヒステリシス曲線を形成すると考えられる
。すなわち第３図において示されている磁化ジャンプの
存在は、磁気特性の異なる二層が同一の薄膜内に形成さ
れていることを示しており、従って第１図に示されたＣ
ｏ −Ｃｒ−Ｎ１１薄膜にも磁気特性の異４にる二層が
形成されていることが理解できる。なお大粒径結晶層の
抗磁力は、小粒径結晶層と大粒径結晶層が（７１存する
Ｃｏ −Ｃｒ−Ｎｂ薄膜のヒステリシス曲線から小粒径
結晶層のみのＣ０−０ｒ−Ｎ ｂ薄膜のヒステリシス曲
線を差引い−Ｃ得られるヒステリシス曲線より求めるこ
とができる。１−記名実験結果によりＧｏ −Ｏｒ −
Ｎｂ ｆＪ膜のヒステリシス曲線に磁化ジ−１７ンプが
ｑじている時、磁気特性の巽４ｒる二層が形成されてい
ることが証明されたことに４する。
−Ｎｂ ｕ膜において磁化ジャンプが生ずる理由を第
３図から第５図を用いて以干述べる１、４ｔお後述する
如く、磁化ジャンプは組成率及びスパッタリング条件に
関し全てのＣｏ −Ｃｒ −Ｎｂ ’ａＤ膜に対して発
生ずるものではない。、所定の条ｆ１下においてＣｏ
−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜をスパッタリングにより形成しこのａ
１摸のヒステリシス曲線を測定により描くと第３図に示
す如く磁化ジャンプが現ねれたヒステリシス曲線とな゛
る。また小粒径結晶層のみからなるヒステリシス曲線は
膜厚寸法を小どしたスパッタリング（約００７５μｍ以
下、これについては後述する）を行ない、これを測定ケ
ることにより得ることができる（第４図に示す）。また
大粒径結晶層は均一結晶構造を有していると考えられ、
かつ第３図に示すヒステリシス曲線は小粒径結晶層のヒ
ステリシス曲線と大粒径結晶層のヒステリシス曲線を合
成したものと考えられるため第５図に示す如く抗磁力１
」ｃ／が小粒径結晶層よりも大であり、磁化ジＶンプの
ない消らがなヒステリシス曲線を形成すると考えられる
。すなわち第３図において示されている磁化ジャンプの
存在は、磁気特性の異なる二層が同一の薄膜内に形成さ
れていることを示しており、従って第１図に示されたＣ
ｏ −Ｃｒ−Ｎ１１薄膜にも磁気特性の異４にる二層が
形成されていることが理解できる。なお大粒径結晶層の
抗磁力は、小粒径結晶層と大粒径結晶層が（７１存する
Ｃｏ −Ｃｒ−Ｎｂ薄膜のヒステリシス曲線から小粒径
結晶層のみのＣ０−０ｒ−Ｎ ｂ薄膜のヒステリシス曲
線を差引い−Ｃ得られるヒステリシス曲線より求めるこ
とができる。１−記名実験結果によりＧｏ −Ｏｒ −
Ｎｂ ｆＪ膜のヒステリシス曲線に磁化ジ−１７ンプが
ｑじている時、磁気特性の巽４ｒる二層が形成されてい
ることが証明されたことに４する。
続いてＣｏ−Ｃｌ・−Ｎｂ薄膜のベース１−へのスパッ
タリングの際形成される上記二層の夫々の磁気的性質を
Ｇｏ −Ｃｒ −Ｎｂ Ｆａ膜の厚さ寸法に関連させつ
つ第６図を用いて１メ下説明する。第６図はｃｏ −Ｃ
ｒ −Ｎｂ 薄膜の膜厚寸法をスパッタリング時間を変
えることにより制御し、各膜厚寸法における面内方向の
抗磁力１−ＩＣ層、垂直り向の抗磁力１１Ｃ１，磁化ジ
ャンプ量σＪを夫々描いたものである。
タリングの際形成される上記二層の夫々の磁気的性質を
Ｇｏ −Ｃｒ −Ｎｂ Ｆａ膜の厚さ寸法に関連させつ
つ第６図を用いて１メ下説明する。第６図はｃｏ −Ｃ
ｒ −Ｎｂ 薄膜の膜厚寸法をスパッタリング時間を変
えることにより制御し、各膜厚寸法における面内方向の
抗磁力１−ＩＣ層、垂直り向の抗磁力１１Ｃ１，磁化ジ
ャンプ量σＪを夫々描いたものである。
より”面内方向の抗磁力１」ｃ／に注［１りるに、膜厚
寸法が００８μｍ以下においては極めて小イする値（１
５０Ｏｅ以下）と４Ｔつでおり、面内方向に対する透磁
率は高いと考えられる１、また膜厚寸法が人ど２７つで
も抗磁力１＠ｃ／は大きく変化するようにことはイ丁い
。また磁化ジャンプ昂σｊに注目するど、磁化ジャンプ
ｆｆｉは膜厚寸法が０．０７５μｍにで急激に立ち上が
り０ｏ７５μ■以上の膜厚においては滑らかな下に凸の
放物線形状を描く。更に垂直方向の抗磁カドＩｃＪＬに
注目するど、抗磁力ｔｉｃ土は膜厚寸法０．０５ μｍ
〜０．１μＩＩＩで急激に立ち上がり０１μｍ以上の
膜厚寸法では９ｊｌ’ＯＱ’ｅ’以上の高い抗磁力を示
す。これらの結果より小粒径結晶層と大粒径結晶層の境
は略ｏ０７５μｍの膜厚寸法のところにあり、膜厚寸法
が００７５μｍ以下の小粒径結晶層は面内方向及び垂直
方向に対する抗磁力１−１ｃ’／、 Ｈｃ土が低い、い
わ□ゆる抵抗磁力層となっており、ま：た膜厚寸法が０
．０７５μｍ以上の大粒径結晶層は面内り向の抗磁力１
−ＩＣ層は低いものの垂直方向に対する抗磁力ＨＣ土は
非常に高い値を有する、いわゆる高抗磁力層となってお
り垂直磁気記録に適しＩＣ層となっている。更に磁化ジ
ャンプが生じない膜厚寸法（０，０７５μｍ以下）にお
いては、面内方向及び垂直方向に対する抗磁力１」ｃ／
、ＨＣ土は低く、これより大なる膜厚寸法（０，０７５
μｍ以上）においては垂直方゛向に対づる抗磁力１−１
ｃＩが忠増する。これにＪ：って−６１１化ジヤンプが
生じている場合、ｃｏ −ｃｒ −Ｎｂ ｙ；膜に磁気
時１１１の賃４ｒる二層が形成されていることが推測さ
れる。
寸法が００８μｍ以下においては極めて小イする値（１
５０Ｏｅ以下）と４Ｔつでおり、面内方向に対する透磁
率は高いと考えられる１、また膜厚寸法が人ど２７つで
も抗磁力１＠ｃ／は大きく変化するようにことはイ丁い
。また磁化ジャンプ昂σｊに注目するど、磁化ジャンプ
ｆｆｉは膜厚寸法が０．０７５μｍにで急激に立ち上が
り０ｏ７５μ■以上の膜厚においては滑らかな下に凸の
放物線形状を描く。更に垂直方向の抗磁カドＩｃＪＬに
注目するど、抗磁力ｔｉｃ土は膜厚寸法０．０５ μｍ
〜０．１μＩＩＩで急激に立ち上がり０１μｍ以上の
膜厚寸法では９ｊｌ’ＯＱ’ｅ’以上の高い抗磁力を示
す。これらの結果より小粒径結晶層と大粒径結晶層の境
は略ｏ０７５μｍの膜厚寸法のところにあり、膜厚寸法
が００７５μｍ以下の小粒径結晶層は面内方向及び垂直
方向に対する抗磁力１−１ｃ’／、 Ｈｃ土が低い、い
わ□ゆる抵抗磁力層となっており、ま：た膜厚寸法が０
．０７５μｍ以上の大粒径結晶層は面内り向の抗磁力１
−ＩＣ層は低いものの垂直方向に対する抗磁力ＨＣ土は
非常に高い値を有する、いわゆる高抗磁力層となってお
り垂直磁気記録に適しＩＣ層となっている。更に磁化ジ
ャンプが生じない膜厚寸法（０，０７５μｍ以下）にお
いては、面内方向及び垂直方向に対する抗磁力１」ｃ／
、ＨＣ土は低く、これより大なる膜厚寸法（０，０７５
μｍ以上）においては垂直方゛向に対づる抗磁力１−１
ｃＩが忠増する。これにＪ：って−６１１化ジヤンプが
生じている場合、ｃｏ −ｃｒ −Ｎｂ ｙ；膜に磁気
時１１１の賃４ｒる二層が形成されていることが推測さ
れる。
次にＣｏ Ｃ”ｒに第三元素どじでＴａを添加（１・
〜１Ｑａｔ％添加範囲において同一現象が生ずる）１ノ
、上記したＮｂ添加した場合と同一の実験を行なった結
果を第７図に示す。第７図はＣｏ −Ｏｒ’−Ｔａ薄膜
の膜厚寸法をスパッタリング時間を変えることににり制
御し、各膜厚寸法における面内方向の抗磁力ＨＣ’／、
垂直方向の抗磁力Ｉ」Ｃ１，磁化ジャンプ量σｊを夫々
描いたものである。同図Ｊ：すＣｏ’−ＣｒにＴａを添
加した場合も、Ｃ０−ＣｒにＮｂを添加した場合と略同
様４を結果が得られ、小粒径結晶層と大粒径結晶層の境
は略００７５μ０１の膜厚寸法のところにあり、膜厚用
法が０．０７５μｌ以下の小粒径結晶層は面内方向及び
垂直り向に対する抗磁力ｌ」Ｃ／ ＋’ １−１ｃ土が
低い（ＨＣ’／ 、 ’ｌ−１’Ｃ工共に１７０Ｏｅ以
下）、いわゆ−１／１．− る低抗磁力層となっており、また膜厚Ａ法が００７５μ
Ｉｌ＋以−１−の大粒径結晶層は面内方向の抗磁力１」
Ｃ／は低いものの垂直方向に対する抗磁力ＨＣ土は非常
に高い値（７５０Ｏｅ以上）となっている。
〜１Ｑａｔ％添加範囲において同一現象が生ずる）１ノ
、上記したＮｂ添加した場合と同一の実験を行なった結
果を第７図に示す。第７図はＣｏ −Ｏｒ’−Ｔａ薄膜
の膜厚寸法をスパッタリング時間を変えることににり制
御し、各膜厚寸法における面内方向の抗磁力ＨＣ’／、
垂直方向の抗磁力Ｉ」Ｃ１，磁化ジャンプ量σｊを夫々
描いたものである。同図Ｊ：すＣｏ’−ＣｒにＴａを添
加した場合も、Ｃ０−ＣｒにＮｂを添加した場合と略同
様４を結果が得られ、小粒径結晶層と大粒径結晶層の境
は略００７５μ０１の膜厚寸法のところにあり、膜厚用
法が０．０７５μｌ以下の小粒径結晶層は面内方向及び
垂直り向に対する抗磁力ｌ」Ｃ／ ＋’ １−１ｃ土が
低い（ＨＣ’／ 、 ’ｌ−１’Ｃ工共に１７０Ｏｅ以
下）、いわゆ−１／１．− る低抗磁力層となっており、また膜厚Ａ法が００７５μ
Ｉｌ＋以−１−の大粒径結晶層は面内方向の抗磁力１」
Ｃ／は低いものの垂直方向に対する抗磁力ＨＣ土は非常
に高い値（７５０Ｏｅ以上）となっている。
なお上記実験で注意すべきことは、スパッタリング条例
及びＮｂ 、Ｔａの添加量を前記した値（Ｎｂ ： ２
〜１０ａｔ％、 Ｔａ ： １ ＝−１０ａｔ％）より
変えた場合磁化ジャンプは生じないが、しかるに磁化ジ
ャンプが生じないＣｏ −Ｃｒ −Ｎｂ １１膜。
及びＮｂ 、Ｔａの添加量を前記した値（Ｎｂ ： ２
〜１０ａｔ％、 Ｔａ ： １ ＝−１０ａｔ％）より
変えた場合磁化ジャンプは生じないが、しかるに磁化ジ
ャンプが生じないＣｏ −Ｃｒ −Ｎｂ １１膜。
Ｇｏ −Ｃｒ−Ｔａ薄膜においても小粒径結晶層及び大
粒径結晶層が形成されていることである（前記資料参照
）。磁化ジャンプが生じないｃｏ−〇ｒ−Ｎｂ薄膜のヒ
ステリシス曲線の一例を第８図に示す。第８図（Ａ）は
小粒径結晶層及び大粒径結晶層を含む面内方向のヒステ
リシス曲線であり、第８図（Ｂ）は小粒径結晶層のみの
面内方向のヒステリシス曲線、第８図（Ｃ）は大粒径結
晶層のみの面内方向のヒステリシス曲線である。各図よ
り小粒径結晶層の面内方向の残留磁化Ｍｒ＋ｑ／は大粒
径結晶層の残留磁化Ｍｒｃ／Ｊ：りも人であるため、両
結晶層を含む残留Ｉ硅化Ｍｒ Ａ ／は大粒径結晶層の
残留磁化Ｍｒ’ ｃ ／のみの時よりも不利どなり異方
性磁界１−１ｋが小ざ＜ ＜する。また小粒径結晶層は
配向が悪いこと（△θ５０が人）が知られており、また
面内方向の抗磁力ＨＣ／も大で垂直磁気記録には適さ４
１い。
粒径結晶層が形成されていることである（前記資料参照
）。磁化ジャンプが生じないｃｏ−〇ｒ−Ｎｂ薄膜のヒ
ステリシス曲線の一例を第８図に示す。第８図（Ａ）は
小粒径結晶層及び大粒径結晶層を含む面内方向のヒステ
リシス曲線であり、第８図（Ｂ）は小粒径結晶層のみの
面内方向のヒステリシス曲線、第８図（Ｃ）は大粒径結
晶層のみの面内方向のヒステリシス曲線である。各図よ
り小粒径結晶層の面内方向の残留磁化Ｍｒ＋ｑ／は大粒
径結晶層の残留磁化Ｍｒｃ／Ｊ：りも人であるため、両
結晶層を含む残留Ｉ硅化Ｍｒ Ａ ／は大粒径結晶層の
残留磁化Ｍｒ’ ｃ ／のみの時よりも不利どなり異方
性磁界１−１ｋが小ざ＜ ＜する。また小粒径結晶層は
配向が悪いこと（△θ５０が人）が知られており、また
面内方向の抗磁力ＨＣ／も大で垂直磁気記録には適さ４
１い。
ここで上記の如く小粒径結晶層と大粒径結晶層を有する
Ｃｏ Ｃｒ Ｎｂ薄１１Ｅ５及びＣｏ −Ｃｒ −
Ｔａ薄膜を垂直磁気記録媒体として考えた場合、Ｃｏ
−Ｃｒ −Ｎｂ Ｒ膜及びＣ０−Ｑｒ−Ｔａ薄膜にその
膜面に対し垂直方向に膜厚の全てに亘って垂直磁化を行
なおうとすると、小粒径結晶層の存在は垂直磁化に対し
極めて不利な要因どなる（磁化ジＡ７ンプが生じている
場合及び磁化ジャンプが生じていない場合の相方におい
て不利な要因と／ｉる）。ずなわち磁化ジャンプが４［
じている場合の小粒径結晶層は、面内方向及び重直り向
に対Ｊる抗磁カドｌｃ／、１−ＩＣ土が其に極めて低く
（１７００８以下）、この層においては垂直磁化ははと
／υどされないど省えられる。また磁化ジＡ７ンプが勺
じてい４にい場合の小粒径結晶層においても、面内方向
の抗磁力１１ｃ／は磁化ジャンプの生じている場合の抗
磁力１−１ｃ／よりは大であるが垂直方向の抗磁力ＨＣ
上は垂直磁気記録を実現し得る程の抗磁力はなくやはり
良好な垂直磁化は行なわれ４ｒいど考えられる。従って
膜面に対ｌノて垂直り向に磁化を行なっても小粒径結晶
層における垂直磁化はほとんど行なわれず、磁性膜全体
としての垂「１磁化効率が低下してしまう。この影響は
リング」アヘッドのように磁束の面内成分を多く含む磁
気ヘッドにおいては顕著である。また膜厚寸法に注目す
るに上記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ ｉ？膜及びｃｏ−Ｏｒ−Ｔ
ａ薄膜を垂直磁気記録媒体どして実用に足る膜厚寸法（
約０３μｍ以下）にすると、小粒径結晶層の厚さ寸法は
０．１μｍ以下で略一定であるため（実験においては小
粒径及び大粒径結晶層を含む膜厚寸法を小とすると小粒
径結晶層の厚さｑ法は若干大となる傾向を示す）、薄膜
の膜厚寸法に対する小粒径結晶層の相対的厚さ寸法が大
となり更に垂直磁化時↑（１が劣化してし７トう。
Ｃｏ Ｃｒ Ｎｂ薄１１Ｅ５及びＣｏ −Ｃｒ −
Ｔａ薄膜を垂直磁気記録媒体として考えた場合、Ｃｏ
−Ｃｒ −Ｎｂ Ｒ膜及びＣ０−Ｑｒ−Ｔａ薄膜にその
膜面に対し垂直方向に膜厚の全てに亘って垂直磁化を行
なおうとすると、小粒径結晶層の存在は垂直磁化に対し
極めて不利な要因どなる（磁化ジＡ７ンプが生じている
場合及び磁化ジャンプが生じていない場合の相方におい
て不利な要因と／ｉる）。ずなわち磁化ジャンプが４［
じている場合の小粒径結晶層は、面内方向及び重直り向
に対Ｊる抗磁カドｌｃ／、１−ＩＣ土が其に極めて低く
（１７００８以下）、この層においては垂直磁化ははと
／υどされないど省えられる。また磁化ジＡ７ンプが勺
じてい４にい場合の小粒径結晶層においても、面内方向
の抗磁力１１ｃ／は磁化ジャンプの生じている場合の抗
磁力１−１ｃ／よりは大であるが垂直方向の抗磁力ＨＣ
上は垂直磁気記録を実現し得る程の抗磁力はなくやはり
良好な垂直磁化は行なわれ４ｒいど考えられる。従って
膜面に対ｌノて垂直り向に磁化を行なっても小粒径結晶
層における垂直磁化はほとんど行なわれず、磁性膜全体
としての垂「１磁化効率が低下してしまう。この影響は
リング」アヘッドのように磁束の面内成分を多く含む磁
気ヘッドにおいては顕著である。また膜厚寸法に注目す
るに上記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ ｉ？膜及びｃｏ−Ｏｒ−Ｔ
ａ薄膜を垂直磁気記録媒体どして実用に足る膜厚寸法（
約０３μｍ以下）にすると、小粒径結晶層の厚さ寸法は
０．１μｍ以下で略一定であるため（実験においては小
粒径及び大粒径結晶層を含む膜厚寸法を小とすると小粒
径結晶層の厚さｑ法は若干大となる傾向を示す）、薄膜
の膜厚寸法に対する小粒径結晶層の相対的厚さ寸法が大
となり更に垂直磁化時↑（１が劣化してし７トう。
しかるに小粒径結晶層の磁気性１′口よ、面内ブノ向に
対する抗磁力１−１ （、／が小であり比較的高い透磁
率を有しており、これ（Ｊ、従来Ｃ０−０ｒ薄股どベー
ス間に配設した裏打ち層（例えばＦｃ −Ｎｉ訪膜）
と似た特１りを右している。゛つＪ、すＣ０−Ｃｒ−Ｎ
ｔｚｔｉ膜及びｃｏ、−Ｃｒ−−「ａ薄１％ｊの単一１
す）において、低抗磁力１−Ｉ Ｃ、／を有する小粒１
￥結晶Ｉｔフをいわゆる裏打ち層である高透磁率層どじ
で用い、垂直方向に高抗磁力１−ＩＣ上を右する大粒径
結晶層を垂直磁化層として用いることにｊ−り単−膜構
造において二層膜構造の垂直（６気記録媒体と舌しい機
能を実現することが可能であると考えられる。
対する抗磁力１−１ （、／が小であり比較的高い透磁
率を有しており、これ（Ｊ、従来Ｃ０−０ｒ薄股どベー
ス間に配設した裏打ち層（例えばＦｃ −Ｎｉ訪膜）
と似た特１りを右している。゛つＪ、すＣ０−Ｃｒ−Ｎ
ｔｚｔｉ膜及びｃｏ、−Ｃｒ−−「ａ薄１％ｊの単一１
す）において、低抗磁力１−Ｉ Ｃ、／を有する小粒１
￥結晶Ｉｔフをいわゆる裏打ち層である高透磁率層どじ
で用い、垂直方向に高抗磁力１−ＩＣ上を右する大粒径
結晶層を垂直磁化層として用いることにｊ−り単−膜構
造において二層膜構造の垂直（６気記録媒体と舌しい機
能を実現することが可能であると考えられる。
この点に鑑み、ＣＯ−Ｃｒ 、−Ｎｂ ｉＷ膜及びＣ０
−Ｃｒ−Ｔａ薄膜の組成率を変化させた揚台、各薄膜の
厚さ寸法を変化させた場合における（６気１ｈ↑４の変
化及び再生出力の相責を第９図から第１６図を用いて以
下説明する。第９図はｃｏ−ｃｒ−Ｎｂ薄膜の組成率及
び膜厚用法を変化さ１！た場合にお【Ｊる各種磁気特性
を示づ−Ｈで、第１０図（Δ）〜（Ｆ ） Ｌ：ｌ：第
９図に示した各薄膜のヒステリシス曲線を描いたーしの
である。両図よりＣ０−０ｒに第三元素としてＮｂを添
加した場合でも、磁化ジャンプ（第１０図（Ａ）、（Ｄ
）に矢印Ｂ、Ｃで示す）が生じている時は垂直磁化に寄
与する垂直方向の抗磁力Ｈｃ土は高い値どなるが磁化ジ
ャンプが生じて・いない時は抗磁力＋ｌｃ上は低い値と
なっている。またＧｏ −Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の膜厚寸法が
小（データでは約１／２）の力が抗磁力１−１ｃ土は高
い）「１となっている。これに加えて磁化ジャンプがｑ
−じている時ＩＪｉ垂直異方性磁界１−１ｋが小さく、
Ｍｒ ／／ＭＳはＣ０−Ｃｒ′Ｒ膜に比ヘテ大テアリか
つ膜厚寸法δが薄くなるに従って犬なる値となる。これ
は面内方向に磁束分布が人であるリング」アヘッドを用
いる際不利な条件と考えられていた。しかるに上記各Ｃ
ｏ −Ｃｒ −Ｎｂ Ｆｄ）膜を垂直磁気記録媒体とし
て用いた際の記録波長−再生出力特性（第１１図に示す
）を見ると、磁化ジャンプが生じているｃｏ −ｃｒ
−Ｎｂ 薄膜の再生出力の方が磁化ジャンプの生じてい
ないＣｏ −Ｃｒ −Ｎ ｂλＶ膜及びＣｏ−Ｃｒ１ｄ
膜の再１出力よりも段好ど４１つており、特に記録波長
が短波長領域（こおいて顕著である。短波長領Ｉｊｌ！
（記録波長が０２μｍ〜１０μｍ程度の領ｔｉりにおい
てはＣｏ−”ＣｒＢ膜及び磁化ジャンプの生じていない
Ｃｏ −Ｃｒ−Ｎｂ、ｉＷ膜に、Ｉ３いても再生出力は
増加１． Ｔ ｕ）る。しかるに磁化ジャンプの生じて
いるＣ０−０ｒ−Ｎｌｌ博膜は、上記各薄膜の再生出力
増加率に対して、それよりも高い再外出力増加率を丞し
ており、Ｈ１化ジャンプの生じているＣＤ−Ｃｒ−Ｎｂ
３り膜は特に短い記録波長の垂直磁化に通しているとい
うことができる。上記短波長領域にＡ３ Ｉｔｓては再
生出力曲線は十に凸の放物線形状をとるが、その全域に
おいて磁化ジャンプの／：１−じているＧ。
−Ｃｒ−Ｔａ薄膜の組成率を変化させた揚台、各薄膜の
厚さ寸法を変化させた場合における（６気１ｈ↑４の変
化及び再生出力の相責を第９図から第１６図を用いて以
下説明する。第９図はｃｏ−ｃｒ−Ｎｂ薄膜の組成率及
び膜厚用法を変化さ１！た場合にお【Ｊる各種磁気特性
を示づ−Ｈで、第１０図（Δ）〜（Ｆ ） Ｌ：ｌ：第
９図に示した各薄膜のヒステリシス曲線を描いたーしの
である。両図よりＣ０−０ｒに第三元素としてＮｂを添
加した場合でも、磁化ジャンプ（第１０図（Ａ）、（Ｄ
）に矢印Ｂ、Ｃで示す）が生じている時は垂直磁化に寄
与する垂直方向の抗磁力Ｈｃ土は高い値どなるが磁化ジ
ャンプが生じて・いない時は抗磁力＋ｌｃ上は低い値と
なっている。またＧｏ −Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の膜厚寸法が
小（データでは約１／２）の力が抗磁力１−１ｃ土は高
い）「１となっている。これに加えて磁化ジャンプがｑ
−じている時ＩＪｉ垂直異方性磁界１−１ｋが小さく、
Ｍｒ ／／ＭＳはＣ０−Ｃｒ′Ｒ膜に比ヘテ大テアリか
つ膜厚寸法δが薄くなるに従って犬なる値となる。これ
は面内方向に磁束分布が人であるリング」アヘッドを用
いる際不利な条件と考えられていた。しかるに上記各Ｃ
ｏ −Ｃｒ −Ｎｂ Ｆｄ）膜を垂直磁気記録媒体とし
て用いた際の記録波長−再生出力特性（第１１図に示す
）を見ると、磁化ジャンプが生じているｃｏ −ｃｒ
−Ｎｂ 薄膜の再生出力の方が磁化ジャンプの生じてい
ないＣｏ −Ｃｒ −Ｎ ｂλＶ膜及びＣｏ−Ｃｒ１ｄ
膜の再１出力よりも段好ど４１つており、特に記録波長
が短波長領域（こおいて顕著である。短波長領Ｉｊｌ！
（記録波長が０２μｍ〜１０μｍ程度の領ｔｉりにおい
てはＣｏ−”ＣｒＢ膜及び磁化ジャンプの生じていない
Ｃｏ −Ｃｒ−Ｎｂ、ｉＷ膜に、Ｉ３いても再生出力は
増加１． Ｔ ｕ）る。しかるに磁化ジャンプの生じて
いるＣ０−０ｒ−Ｎｌｌ博膜は、上記各薄膜の再生出力
増加率に対して、それよりも高い再外出力増加率を丞し
ており、Ｈ１化ジャンプの生じているＣＤ−Ｃｒ−Ｎｂ
３り膜は特に短い記録波長の垂直磁化に通しているとい
うことができる。上記短波長領域にＡ３ Ｉｔｓては再
生出力曲線は十に凸の放物線形状をとるが、その全域に
おいて磁化ジャンプの／：１−じているＧ。
−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜はＣｏ Ｃｒ薄膜及び磁化ジＶンブ
の生じていないＧｏ −Ｃｒ −Ｎｂ Ｈ膜より人なる
再生出力を（ｎることができた。なおＣ’ａ −’−Ｃ
ｒ−Ｔａ薄膜においてもＣｏ −Ｃｒ −Ｎｂ ｇ膜と
略同様な結果を得られた。第１２図１こ膜厚寸法の異な
るＣ０−０ｒ薄膜に対するＣ０−０ｒ−−２０＝ Ｔａ薄膜の磁気特色を示し、第１３図（Ａ）〜（Ｃ）に
各薄膜の形成する面内方向ヒステリシス曲線を、また第
１４図に記録波長−再生出力性１７１を示す。
の生じていないＧｏ −Ｃｒ −Ｎｂ Ｈ膜より人なる
再生出力を（ｎることができた。なおＣ’ａ −’−Ｃ
ｒ−Ｔａ薄膜においてもＣｏ −Ｃｒ −Ｎｂ ｇ膜と
略同様な結果を得られた。第１２図１こ膜厚寸法の異な
るＣ０−０ｒ薄膜に対するＣ０−０ｒ−−２０＝ Ｔａ薄膜の磁気特色を示し、第１３図（Ａ）〜（Ｃ）に
各薄膜の形成する面内方向ヒステリシス曲線を、また第
１４図に記録波長−再生出力性１７１を示す。
上記現象は以下に示す伸出に起因して生ずると考えられ
る。Ｃ０−０ｒ−Ｎｂ薄膜及びＣＤ−Ｃｒ −Ｔａ Ｉ
欣（以下Ｃｏ−Ｃｒ−ＮｂＦＪ膜どＣｏ −０ｒ−Ｔａ
薄膜を総称してＣ０−０ｒ−Ｎｂ （Ｔａ ＞”ｄ膜
という）はスパッタリングにょる薄膜形成時に第１５図
に示す如くベース１近傍に抵抗磁力を有する小粒径結晶
層２どぞの上方に特に垂直方向に高い抗磁力を有する大
粒径結晶層３ど二層構造を形成する。磁気ヘッド４から
放たれた磁束線は大粒径結晶層３を貫通して小粒径結晶
層２に到り、抵抗磁力でかつ高透磁率を有する小粒径結
晶層２内で磁束は面内方向に進行し、磁気ヘッド４の磁
極部分で急激に磁束が吸い込まれることにＪζり大粒径
結晶層３に垂直磁化がされると考えられる。よって磁束
が形成する磁気ループは第１５図に矢印で示す如く、馬
蹄形状となり所＝ ２１一 定垂直磁気記録位置において大粒径結晶層３に磁束が鋭
く貫通するため、大粒径結晶Ｆ７１３には残留磁化の大
なる垂直磁化が行なわれる。ここで磁化ジＡ７ンプが生
じている揚台と生じてい４Ｔい揚台における小粒径結晶
層２の面内方向の抗１１１ｉ力１−（Ｃ／に注目すると
、第９図及び第１２図に示される如く磁化ジャンプが生
じている場合の面内り向の抗磁力ＨＣ／は磁化ジャンプ
が４１−していない場合の抗磁力ＨＣ／より小なる値と
なっている。周知の如く小粒径結晶層２がいわゆる衷打
ち層として機能するためには抵抗磁力、高透磁率を有す
ることが望ましく、よって磁化ジャンプの生じているＣ
ｏ −Ｃｒ −Ｎｂ （Ｔａ ）薄膜の乃が再生出力
！〕り良好であると推測される。本発明者の実験におい
ては測定誤差等の影響を考慮したトで小粒径結晶層２の
面内方向の抗磁力１」Ｃ／が１８０Ｏｅ以下であり、か
つ大粒径結晶層３の垂直方向の抗磁力１−１ｃ上が２０
０Ｏｅ以上である時、再生出力は良好’；Ｋ （ｉ ト
’２ ツタ。マタＣｏ −Ｃｒ−Ｎｂ （王ａ）Ｒｔ
ｌ膜の膜厚寸法に注目すると、膜厚寸法を大とすること
は大粒径結晶層３の厚さ寸法を人とすることであり（小
粒ｊ￥結晶層２の厚さ寸法は略一定である）、これを大
とすることにより磁気ヘッド４ど小粒径結晶層２の距姻
が人となり、小粒径結晶層２による磁束の吸込み効果は
わずかで第１６図に矢印で示す如く磁気ヘッド４から放
たれた磁力線は小粒径結晶層２に到ること＜ｒ ＜大粒
径結晶層３を横切って磁気ヘッド４のＩａ極に吸い込ま
れる。
る。Ｃ０−０ｒ−Ｎｂ薄膜及びＣＤ−Ｃｒ −Ｔａ Ｉ
欣（以下Ｃｏ−Ｃｒ−ＮｂＦＪ膜どＣｏ −０ｒ−Ｔａ
薄膜を総称してＣ０−０ｒ−Ｎｂ （Ｔａ ＞”ｄ膜
という）はスパッタリングにょる薄膜形成時に第１５図
に示す如くベース１近傍に抵抗磁力を有する小粒径結晶
層２どぞの上方に特に垂直方向に高い抗磁力を有する大
粒径結晶層３ど二層構造を形成する。磁気ヘッド４から
放たれた磁束線は大粒径結晶層３を貫通して小粒径結晶
層２に到り、抵抗磁力でかつ高透磁率を有する小粒径結
晶層２内で磁束は面内方向に進行し、磁気ヘッド４の磁
極部分で急激に磁束が吸い込まれることにＪζり大粒径
結晶層３に垂直磁化がされると考えられる。よって磁束
が形成する磁気ループは第１５図に矢印で示す如く、馬
蹄形状となり所＝ ２１一 定垂直磁気記録位置において大粒径結晶層３に磁束が鋭
く貫通するため、大粒径結晶Ｆ７１３には残留磁化の大
なる垂直磁化が行なわれる。ここで磁化ジＡ７ンプが生
じている揚台と生じてい４Ｔい揚台における小粒径結晶
層２の面内方向の抗１１１ｉ力１−（Ｃ／に注目すると
、第９図及び第１２図に示される如く磁化ジャンプが生
じている場合の面内り向の抗磁力ＨＣ／は磁化ジャンプ
が４１−していない場合の抗磁力ＨＣ／より小なる値と
なっている。周知の如く小粒径結晶層２がいわゆる衷打
ち層として機能するためには抵抗磁力、高透磁率を有す
ることが望ましく、よって磁化ジャンプの生じているＣ
ｏ −Ｃｒ −Ｎｂ （Ｔａ ）薄膜の乃が再生出力
！〕り良好であると推測される。本発明者の実験におい
ては測定誤差等の影響を考慮したトで小粒径結晶層２の
面内方向の抗磁力１」Ｃ／が１８０Ｏｅ以下であり、か
つ大粒径結晶層３の垂直方向の抗磁力１−１ｃ上が２０
０Ｏｅ以上である時、再生出力は良好’；Ｋ （ｉ ト
’２ ツタ。マタＣｏ −Ｃｒ−Ｎｂ （王ａ）Ｒｔ
ｌ膜の膜厚寸法に注目すると、膜厚寸法を大とすること
は大粒径結晶層３の厚さ寸法を人とすることであり（小
粒ｊ￥結晶層２の厚さ寸法は略一定である）、これを大
とすることにより磁気ヘッド４ど小粒径結晶層２の距姻
が人となり、小粒径結晶層２による磁束の吸込み効果は
わずかで第１６図に矢印で示す如く磁気ヘッド４から放
たれた磁力線は小粒径結晶層２に到ること＜ｒ ＜大粒
径結晶層３を横切って磁気ヘッド４のＩａ極に吸い込ま
れる。
従って垂直方向に対する磁化は分散された弱いものどな
り良好な手心磁化は行なわれ４ｔい。しかるニｃｏ−ｃ
ｒ −Ｎｂ （Ｔａ、） ＷＪ膜の膜厚寸法を小とす
ると、磁気ヘッド４と小粒径結晶層２の距１１１＋１が
小と４１す、小粒径結晶層２による磁束の吸込み効果が
人となり磁気ヘッド４から放たれた磁束は小粒径結晶層
２に確実に進行し上記馬蹄形の磁気ループを形成り−る
。即ち、手心磁化に寄与する磁束は馬蹄形の極めて鋭い
磁界であるので残留磁化は人どなり良好な垂直磁化が行
なわれると考えられる。よってＣｏ −Ｃｒ −Ｎｂ
（Ｔａ ） ｉ＋Ｉ膜の膜厚寸法を小としたブラが（
記録媒体の厚さを薄くしに方が）良好な手直１６化を行
イ（うことがＣきる３゜なお本発明者の実験によると膜
厚寸法が０．１層１ｍ〜０．３Ｉ１ｍ稈度の寸法まで高
出力を保持できｌこ。
り良好な手心磁化は行なわれ４ｔい。しかるニｃｏ−ｃ
ｒ −Ｎｂ （Ｔａ、） ＷＪ膜の膜厚寸法を小とす
ると、磁気ヘッド４と小粒径結晶層２の距１１１＋１が
小と４１す、小粒径結晶層２による磁束の吸込み効果が
人となり磁気ヘッド４から放たれた磁束は小粒径結晶層
２に確実に進行し上記馬蹄形の磁気ループを形成り−る
。即ち、手心磁化に寄与する磁束は馬蹄形の極めて鋭い
磁界であるので残留磁化は人どなり良好な垂直磁化が行
なわれると考えられる。よってＣｏ −Ｃｒ −Ｎｂ
（Ｔａ ） ｉ＋Ｉ膜の膜厚寸法を小としたブラが（
記録媒体の厚さを薄くしに方が）良好な手直１６化を行
イ（うことがＣきる３゜なお本発明者の実験によると膜
厚寸法が０．１層１ｍ〜０．３Ｉ１ｍ稈度の寸法まで高
出力を保持できｌこ。
また小粒径結晶層２は、その石Ｊ−る抗磁カドＩｃ／が
完全にゼロではなく１８０Ｏｅ以手程１σの抗ｔｉｌｌ
）Ｊは有しているため、この抗磁力に対応する磁化は
行なうことができる。ｌ−記の如く手直磁気記録が行な
われると大粒径結晶層３には第１７図に示Ｊ如く所定ピ
ッ１へ間隔に対応し磁化り向を逆にした複数の磁石が交
Ｈに形成される。そして、この形成され／ｊ複数の磁石
上端部の小粒径結晶層２（こは、相隣接して形成された
磁石の上記下端部を連通ずる磁束（第１７図中矢印で示
Ｊ）が形成されこれが磁イヒされる。これにより各隣接
りる１１１石の減磁作用はなくなり、再生出力を増加さ
せることができる。これに加えて上記の如く小粒径結晶
層２及び大粒径結晶層３を含む磁性層の膜厚寸法は０３
μｍ以下と非常に薄いため、磁＋（１層の機械的４１柔
軟（’ｌは人となり磁気ヘッド４とのいわゆる当たりが
良好どなると共に製造時に要覆るスパッタリング時間を
短くし青、低コス１〜でかつ生産性をもって垂直磁気記
録媒体を製造することができる。更に小粒径結晶層２の
面内方向の抗磁力１−１ｃ／は大粒径結晶層３の抗磁力
１−１ｃ上に対して極端に小ｔｉる値ではないため衝撃
性のバルクハウ１ンノイズが発生することもなく良好な
垂直磁気記録再生を行ない得る。
完全にゼロではなく１８０Ｏｅ以手程１σの抗ｔｉｌｌ
）Ｊは有しているため、この抗磁力に対応する磁化は
行なうことができる。ｌ−記の如く手直磁気記録が行な
われると大粒径結晶層３には第１７図に示Ｊ如く所定ピ
ッ１へ間隔に対応し磁化り向を逆にした複数の磁石が交
Ｈに形成される。そして、この形成され／ｊ複数の磁石
上端部の小粒径結晶層２（こは、相隣接して形成された
磁石の上記下端部を連通ずる磁束（第１７図中矢印で示
Ｊ）が形成されこれが磁イヒされる。これにより各隣接
りる１１１石の減磁作用はなくなり、再生出力を増加さ
せることができる。これに加えて上記の如く小粒径結晶
層２及び大粒径結晶層３を含む磁性層の膜厚寸法は０３
μｍ以下と非常に薄いため、磁＋（１層の機械的４１柔
軟（’ｌは人となり磁気ヘッド４とのいわゆる当たりが
良好どなると共に製造時に要覆るスパッタリング時間を
短くし青、低コス１〜でかつ生産性をもって垂直磁気記
録媒体を製造することができる。更に小粒径結晶層２の
面内方向の抗磁力１−１ｃ／は大粒径結晶層３の抗磁力
１−１ｃ上に対して極端に小ｔｉる値ではないため衝撃
性のバルクハウ１ンノイズが発生することもなく良好な
垂直磁気記録再生を行ない得る。
発明の効果
上述の如く本発明になる垂直磁気記録媒体によれば、磁
１’１層の全体厚さ寸法を０．３μｍ以下とすることに
より、磁性層の全体厚さ寸法に対する高抗磁〕ｊを有す
る層の厚さ寸法は薄くなり、高抗磁力を有する層におけ
る磁気抵抗は小となり磁気ヘッドより放Ｉこれた磁束は
容易に抵抗磁力を有する層に進入し水平方向へ進行した
後磁気ヘッドの磁極にて急激にかつ鋭く高抗磁力を有す
る層を貫通して磁気ヘッドの磁極に吸い込まれるため、
高抗磁力を有する層には強い残留磁化が生じ高い再生出
力を実現し得る垂直磁気記録再生を行なうことができ、
これに加え記録波長が短い時に特にすぐれた手心磁化が
行なわれるため短波長域において特に良好な再外出力を
得ることができ、また低い抗磁力を有する層は磁化ジャ
ンプが生じている、すなわち面内方向に対する抗磁力が
小−′ かつ高透磁率を右する層であるため、いわゆる
）４］ら層として確実に機能すると共にその抗磁力は高
抗磁力を有する層の抗磁力に対して極端に小なる値ぐは
ないため衝撃性のバルクハウゼンノイズが発η＝するこ
とムなく良好な垂直磁気記録再生が行なわれ、これに加
えて低い抗磁力を右する層には高抗磁力を有する層に交
互に磁化り向を変え、かつ隣接して磁化形成された複数
の磁石の端部を連通ηる磁束が形成され、これが磁化さ
れるため、各隣接Ｊ−る磁石の減磁作用はなくなり再外
出力を高めることができ更には磁性層の厚さが：ｌｌ常
に薄いため、ｖＡ竹層の機械的な柔軟性は人となり磁気
ヘッドとのいわゆる当たりが良好となると共に磁性層の
形成時間の短縮を行ない得るため、上記の如く種々の効
果を有する垂直磁気記録媒体を量産性をもってかつ低コ
ストで製造することができる等の特長を右する。
１’１層の全体厚さ寸法を０．３μｍ以下とすることに
より、磁性層の全体厚さ寸法に対する高抗磁〕ｊを有す
る層の厚さ寸法は薄くなり、高抗磁力を有する層におけ
る磁気抵抗は小となり磁気ヘッドより放Ｉこれた磁束は
容易に抵抗磁力を有する層に進入し水平方向へ進行した
後磁気ヘッドの磁極にて急激にかつ鋭く高抗磁力を有す
る層を貫通して磁気ヘッドの磁極に吸い込まれるため、
高抗磁力を有する層には強い残留磁化が生じ高い再生出
力を実現し得る垂直磁気記録再生を行なうことができ、
これに加え記録波長が短い時に特にすぐれた手心磁化が
行なわれるため短波長域において特に良好な再外出力を
得ることができ、また低い抗磁力を有する層は磁化ジャ
ンプが生じている、すなわち面内方向に対する抗磁力が
小−′ かつ高透磁率を右する層であるため、いわゆる
）４］ら層として確実に機能すると共にその抗磁力は高
抗磁力を有する層の抗磁力に対して極端に小なる値ぐは
ないため衝撃性のバルクハウゼンノイズが発η＝するこ
とムなく良好な垂直磁気記録再生が行なわれ、これに加
えて低い抗磁力を右する層には高抗磁力を有する層に交
互に磁化り向を変え、かつ隣接して磁化形成された複数
の磁石の端部を連通ηる磁束が形成され、これが磁化さ
れるため、各隣接Ｊ−る磁石の減磁作用はなくなり再外
出力を高めることができ更には磁性層の厚さが：ｌｌ常
に薄いため、ｖＡ竹層の機械的な柔軟性は人となり磁気
ヘッドとのいわゆる当たりが良好となると共に磁性層の
形成時間の短縮を行ない得るため、上記の如く種々の効
果を有する垂直磁気記録媒体を量産性をもってかつ低コ
ストで製造することができる等の特長を右する。
第１図は本発明になる垂直磁気記録媒体の一実施例の磁
（（１膜であるＣｏ −Ｃｒ−Ｎ＋）薄膜のヒステリシ
ス曲線を示す図、第２図は小粒径結晶層のビステリシス
曲線を示す図、第３図からＭ５図は磁化ジャンプが生ず
る理由を説明するための図、第６図はＣｏ −Ｃｒ−Ｎ
ｂ薄膜が二層構造と４１つていること及び各層の磁気特
性を示す図、第７図はＣｏ −Ｏｒ −Ｔａ ＠ｌＩ３
が二図ＩＭ造とＩＸ っていること及び各層の磁気特性
を示す図、第８図は磁化ジャンプが生じていないＣｏ
−Ｃｒ −Ｎｂ 薄膜のヒステリシス曲線の一例を示す
図、第９図はＣ０−Ｃｒ薄膜及びＣｏ −Ｃｒ −Ｎ’
ｂ ’４膜の組成率及び膜厚寸法を変化させた場合にお
ける各種磁気時ｆ１を示す図、第１０図は第９図に示し
た各薄膜のヒステリシス曲線を示す図、第１１図はＧｏ
−Ｃ「−Ｎ１）薄膜及びｃｏ−Ｃｒ薄膜に垂直磁気記
録再任を行なった時の記録波長と再生出力の関係を示”
リー図、第１２図はＣｏ−Ｃｒ薄膜及びＧＯ−０ｒ−Ｔ
ａ薄膜の所定膜厚ｑ法（こＪ月Ｊる磁気時ｆ１を示す図
、第１３図は第１２図に示しＩこ各層１１！ｉ！σ）ヒ
ステリシス曲線を示す図、第１／Ｉ図は第１２図におり
るＧａＯ２，８Ｃｒ１３．４ Ｔａ１．ＢｉＷ膜及σＣ
０８１Ｃｒ１９肪膜（δ−０，１０７１ｍ ）に垂直磁
気記録再生を行なった時の記録波長と再」出ツノの関係
を示す図、第１５図は本発明記録媒体の厚さ寸法を小と
した場合に磁束が形成する磁気ループを示す図、第１６
図は本発明記録媒体の厚さ１法を人とした場合（こ）磁
束が形成するＩＩ！気ループを示す図、第１７図は小粒
径結晶層に形成される大粒径結晶層に１８化形成された
複数の磁石の下ＧＸｆ部間を連通り゛る磁束を説明する
ための図である。 １・・・ベース、２・・・小粒径結晶層、３・・・大粒
径結晶層、４・・・磁気ヘッド。
（（１膜であるＣｏ −Ｃｒ−Ｎ＋）薄膜のヒステリシ
ス曲線を示す図、第２図は小粒径結晶層のビステリシス
曲線を示す図、第３図からＭ５図は磁化ジャンプが生ず
る理由を説明するための図、第６図はＣｏ −Ｃｒ−Ｎ
ｂ薄膜が二層構造と４１つていること及び各層の磁気特
性を示す図、第７図はＣｏ −Ｏｒ −Ｔａ ＠ｌＩ３
が二図ＩＭ造とＩＸ っていること及び各層の磁気特性
を示す図、第８図は磁化ジャンプが生じていないＣｏ
−Ｃｒ −Ｎｂ 薄膜のヒステリシス曲線の一例を示す
図、第９図はＣ０−Ｃｒ薄膜及びＣｏ −Ｃｒ −Ｎ’
ｂ ’４膜の組成率及び膜厚寸法を変化させた場合にお
ける各種磁気時ｆ１を示す図、第１０図は第９図に示し
た各薄膜のヒステリシス曲線を示す図、第１１図はＧｏ
−Ｃ「−Ｎ１）薄膜及びｃｏ−Ｃｒ薄膜に垂直磁気記
録再任を行なった時の記録波長と再生出力の関係を示”
リー図、第１２図はＣｏ−Ｃｒ薄膜及びＧＯ−０ｒ−Ｔ
ａ薄膜の所定膜厚ｑ法（こＪ月Ｊる磁気時ｆ１を示す図
、第１３図は第１２図に示しＩこ各層１１！ｉ！σ）ヒ
ステリシス曲線を示す図、第１／Ｉ図は第１２図におり
るＧａＯ２，８Ｃｒ１３．４ Ｔａ１．ＢｉＷ膜及σＣ
０８１Ｃｒ１９肪膜（δ−０，１０７１ｍ ）に垂直磁
気記録再生を行なった時の記録波長と再」出ツノの関係
を示す図、第１５図は本発明記録媒体の厚さ寸法を小と
した場合に磁束が形成する磁気ループを示す図、第１６
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束が形成するＩＩ！気ループを示す図、第１７図は小粒
径結晶層に形成される大粒径結晶層に１８化形成された
複数の磁石の下ＧＸｆ部間を連通り゛る磁束を説明する
ための図である。 １・・・ベース、２・・・小粒径結晶層、３・・・大粒
径結晶層、４・・・磁気ヘッド。
Claims (4)
- （１）一の磁性材よりなる磁性層を特に低い抗磁力を有
する層とその上に形成された高抗磁力を有する層とより
形成してなる垂直磁気記録媒体であって、該磁性層の全
体厚さ寸法が０．３μｍ以下であることを特徴とする垂
直磁気記録媒体。 - （２）該特に低い抗磁力を右する層の厚さ寸法が０．１
５μｍ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の垂直磁気記録媒体。 - （３）該特に低い抗磁力を有する層の面内方向の抗磁力
が１８０Ｏｅ以下であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の垂直磁気記録媒体。 - （４）該高抗磁力を有する層の垂直方向の抗磁力が２０
０Ｏｅ以上であることを特徴とする特許請求の範囲第３
項記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13218985A JPS61204825A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 垂直磁気記録媒体 |
| US06/834,236 US4731300A (en) | 1985-03-07 | 1986-02-26 | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| DE19863607500 DE3607500A1 (de) | 1985-03-07 | 1986-03-07 | Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium und verfahren zur herstellung eines quermagnetisierungsaufzeichnungsmediums |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13218985A JPS61204825A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 垂直磁気記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045326A Division JPH0670852B2 (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204825A true JPS61204825A (ja) | 1986-09-10 |
Family
ID=15075475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13218985A Pending JPS61204825A (ja) | 1985-03-07 | 1985-06-18 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204825A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5965416A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6045326A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 電気調理器 |
| JPS60132185A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-07-15 | グリコ‐アントリープステヒニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 流動媒体の圧力と流量とを制御するための制御可能な２方弁 |
| JPS60132186A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Ckd Controls Ltd | パイロツト式ダイヤフラム弁 |
| JPS60132188A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Tokyo Tatsuno Co Ltd | 給液装置の弁 |
| JPS60132184A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Nippon Denso Co Ltd | アンチスキツド制御用電磁弁 |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP13218985A patent/JPS61204825A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5965416A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-13 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6045326A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 電気調理器 |
| JPS60132185A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-07-15 | グリコ‐アントリープステヒニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 流動媒体の圧力と流量とを制御するための制御可能な２方弁 |
| JPS60132186A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Ckd Controls Ltd | パイロツト式ダイヤフラム弁 |
| JPS60132188A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Tokyo Tatsuno Co Ltd | 給液装置の弁 |
| JPS60132184A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Nippon Denso Co Ltd | アンチスキツド制御用電磁弁 |
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