JPS61204819A - 垂直磁気記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は垂直磁気記録再生方式に係り、特に磁気ヘッド
としてリングコアヘッドを用いる垂直磁気記録再生方式
に関する。

従来の技術 一般に、磁気ヘッドにより磁気記録媒体に記録。

再生を行４丁うには、磁気ヘッドにより磁気記録媒体の
１６性層にその媒体長手方向く面内方向）の磁化を行な
わせて記録し、これを再生ηるものが汎用されている。

しかるに、これにＪ−れば記録が高密度になるに従って
減磁界が人ぎくなり減磁作用が高密度記録に悪影響を及
ぼＪことが知られている。そこで近年上記悪影響を解消
するものとして、磁気記録媒体の磁性層に垂直方向に磁
化を行なう垂直磁気記録方式が提案されている。これに
よれば記録密度を向上させるに従い減磁界が小さくなり
理論的には残留磁化の減少がない良好な高密度記録を行
なうことができる。

従来この垂直磁気記録方式に用いる垂直磁気記録媒体と
しては、ベースフィルム上にＣｏ　−Ｃｒ膜をスパッタ
リングにより被膜形成したものがあった。周知の如く、
Ｃｏ−０ｒ膜は比較的高い飽和磁化（Ｍｓ　）を有し、
かつ膜面に対し垂直な磁化容易軸を持つ（′？ｌなわち
膜面に対し垂直方向の抗磁力１−（ｃ上が大である）た
め垂直磁気記録媒体としては極めて有望な材質であるこ
とが知られている。ただし」上記の如くスパッタリング
によりＣ０−０ｒ膜を単層形成した構造の垂直磁気記録
媒体の場合、垂直１社気記録媒体上の所定磁気記録位置
に磁束を集中させることができずく特にリングコアヘッ
ドを用いた場合顕著である〉、垂直磁気記録媒体に分布
が鋭くかつ強い垂直磁化ができないという問題点があっ
た。

また上記問題点を解決づ−るため、Ｃ０−Ｃｒ膜とベー
スフィルムどの間に、いわゆる裏打ち層である高透磁率
層（すなわち抗磁カドＩ　ｃが小なる層。

例えばＮｉ　−Ｆｅ　）を別個形成し象二層構造とし高
透磁率層内で広がっている磁束を所定磁気記録位置にて
磁気ヘッドの磁極に向は集中させて吸い込まれることに
より分布が鋭くかつ強い垂直磁化を行ない得る構成の垂
直磁気記録媒体があった。

一方、垂直磁気記録再生方式に用いる磁気ヘッドとして
は、垂直磁気記録媒体を補助磁極と］ユ磁極との間に挾
んで垂直磁気記録再生を行なう補助磁極励磁型ヘッド、
補助磁極を必要とせず垂直磁気記録媒体の片側のみに磁
気ヘッドを配設した片側配置型磁気ヘッド及び従来の磁
気ヘッド（長手方向記録に用いていた磁気ヘッド）と略
同−構成のリングコアヘッドがあった。

発明が解決しようどする問題点 しかるに−１］記従来の垂直磁気記録媒体９例えばＣｏ
−Ｃｒ単層媒体にリングヘッドで記録する場合、その磁
界分布は面内方向成分をかなり有しているので記録時に
磁化が傾きやすい。磁化を垂直に維持するために、垂直
磁気記録媒体は高い垂直異方性磁界（＋−Ｌｋ）を有し
、飽和磁化（Ｍｓ　）はある程度小さい値に抑える必要
があった。また高い再生出力を実現しようとすると垂直
方向の抗磁力（１１Ｃ土）を大ぎくし垂直磁気記録媒体
の厚ざ寸法を大とする必要があった。また厚さ寸法を人
とし１＝場合には垂直磁気記録媒体と磁気ヘッドのいわ
ゆる当たり（垂直磁気記録媒体と磁気ヘッドの摺接部に
おける摺接条件）が悪くなり、垂直磁気記録媒体を１０
傷したり磁気ヘッドに悪影響が生じ良好な垂直磁気記録
再生ができないという問題点があった。

またＣ０−０ｒ膜に加え高透磁率層を裏打ち層として形
成された二層構造の垂直磁気記録媒体の場合、Ｃ０−０
ｒ膜の抗磁力Ｈｃ（７００００以上）にス・１して高透
磁率層の抗磁力ｔ−１ｃは極めて小（１００ｅ以下）ど
なっていたため、衝撃性のバルクハウゼンノイズが発生
するという問題点があった。更に磁気ヘッドとしてリン
グコアヘッドを用いた場合リングコアヘッドの磁界分布
は面内方向に多くその成分を有しているため、上記垂直
磁気記録媒体に磁化を垂直に記録するためには、垂直磁
気記録媒体の垂直異方性磁界Ｈｋをある程度大ぎくし、
リングコアヘッドの飽和磁束密度を大とすることが必要
である。また高い再生出力を得るためには垂直磁気記録
媒体の面内方向の抗磁力１−１ｃ土を大きくし、垂直磁
気記録媒体の厚さ寸法を人として、リングコアヘッドの
飽和磁束密度を大どすることが必要である。しかるに従
来のリングコアヘッドはフェライトにより形成されてお
り飽和磁束密度は低く（約６０００Ｇ以下）、また媒体
の厚さ寸法を大とすると磁気ヘッドへの当たりが悪くな
るばかりでなく、リングコアヘッドの面内方向に多くそ
の成分を有する磁束が、垂直磁化層を貫通しないで面内
方向に進み磁気ヘッドの磁極に吸込まれるため十分な垂
直磁気記録が行なわれないという問題があった。

イこて本発明ではＧｏ　−Ｏｒ　−Ｎｂ　ｍ膜及びＣｏ
　−Ｑｒ　−Ｔａ　′ａ膜が形成される際磁気特性の異
なる二層に分かれて形成されることに注目し、この磁気
特性の異なる各層を垂直磁化に積極的に利用すると共に
軟磁性材よりなるリングコアヘッドにより垂直磁気記録
再生を行なうことにより上記問題点を解決した垂直磁気
記録再生方式を提供することを目的どする。

問題点を解決するための手段及び作用 上記問題点を解決するために本発明では、コバルト、ク
ロムにニオブ及びタンタルのうち少なくとも一方を加え
てなる磁性材をベース」ニに］−テンプした際形成され
る低抗磁力を有する小粒径結晶層とその上に形成される
高抗磁力を有する大粒径結晶を、低抗磁力を有する層を
高透磁率層として用い高抗磁力を有する層を垂直磁化層
どして用い、軟磁性体よりなるリングコアヘッドににり
信号の記録／再生を行う構成とした。

−１＝記各手段を（７，Ｌすることにより、垂直磁気記
録媒体はベース上に連続形成された単−薄膜内に高透磁
率層と垂直磁化層が併存する構成となり、１１４−膜で
二層構造の垂直磁気記録媒体と同様の機能を実現するこ
とが可能になると共に飽和磁束密度の大なる軟磁性体よ
りなるリングコアヘッドにより鋭い垂直磁化を実現し得
る。

実施例 本発明になる垂直磁気記録媒体（以下単に記録媒体とい
う）は、ベースとなるポリイミド基板上にコバルト（Ｃ
ｏ）、クロム（Ｃｒ　）にニオブ（Ｎｌｌ　）及びタン
タル（Ｔａ　）のうち少なくとも一方を加えてなる磁性
材をターゲットとしてスパッタリングすることによって
得られる。

従来より金属等（例えばＣｏ　　Ｃｒ合金）をベース−
Ｌにスパッタリングした際、被膜形成された薄膜はその
膜面に垂直方向に対して同一結晶構造を形成するのでｔ
；１．　’１．：Ｋ　＜、ベース近傍の極めて薄い部分
にまずホ′粒径の第一の結晶層を形成し、その上部に続
いて大粒径の第二の結晶層が形成されることが各種の実
験（例えば走査型電子顕微鏡による写真Ｗｉ影）にＪ：
り明らかになってぎている（Ｅｄｗａｒｄ　　　　　　
Ｒ，Ｗｕｏｒｉ　　　　ａｎｄ　　　　　　１つ　ｒｏ
ｆｅｓｓｏｒ　　　　Ｊ。

Ｈ，ＪｕｄＶ　：　”ＩＮＩＴＩＡＬ　　Ｉ　ＡＹＦＲ
ＥＦＦｆ三　Ｃ１−ＩＮ　　　　Ｇｏ−ＣＲＦＩＩＭＳ
”。

ＩＥＥＬ　　Ｔｒａｎｓ、、ＶＯＩ　、ＭＡＧ−２０゜
Ｎｏ、５．ＳＦＰＴＥＭＢＩ三Ｒ１９８４，ｐ　７７４
〜Ｐ　　　７７５ま　１こ　は　Ｗ：１ｌｉａｎｌ　　
　　Ｇ、　　　ｌ−１ａｉｎｅｓ　　　：　　　”ＶＳ
ＭＰＲＯＦＩＩ−ＩＮＧ　　ＯＦ　　ＣｏＣｒＦＩＬＭ
Ｓ：Ａ　　ＮＦＷ　　ΔＮ　Ａ　１．−　Ｙ王ＴＣＡＩ
−ＴＦＣＨＮ　ＩＱＵＥ”　ＩＥＥ　　Ｔｒａｎｓ、、
ＶＯＩ　。

ＭＡＧ−２０，Ｎｏ、５．ＳＦＰＴＥＭｆ３ＥＲ１９８
４、Ｐ　８１２〜ｐ　８１４）。本発明者は１．記観点
に汗［］しＣ０−０ｒ合金を基とし、またこれに第三元
素を添加した金属・を各秤スパッタリングし、形成され
る小粒径の結晶賢どその上部に形成された大粒径の結晶
層との物理的性質を測定ｌノだ結果、第三元素としてＮ
ｂまたはＴａを添加した場合、小粒径結晶層の抗磁力が
大粒径結晶層よりも非常に小であることがわかった。本
発明ではこの低抗磁力を有する小粒径結晶層を高透磁率
層として用い高抗磁力を有する大粒径結晶層を垂直磁化
層として用いることを特徴とする。

以下本発明者が行なったスパッタリングにより形成され
た小粒径結晶層と、大粒径結晶層の抗磁力を測定した実
験結果を詳述する。Ｃ０−０ｒ薄膜、Ｃｏ　　Ｃｒ　　
Ｎｂ　Ｈ膜及びＣＯ−Ｏｒ　−Ｔａ薄膜をスパッタリン
グするに際し、スパッタリング条件は下記の如く設定し
た（ＮｂまたはＴａを添加した各場合においてスパッタ
リング条件は共に等しく設定し１こ）。

＊スパッタ装置 Ｒ「マグネトロンスパッタ装置 ＊スパッタリング方法 連続スパッタリング。予め予備排気圧１×Ｘ　１０−６
−Ｊ　Ｏｒｒまで排気した後Ａｒガスを導入しＩ　Ｘ　
１０−３　Ｔ　ｏｒｒとした一〇− ＊ベース ポリイミド（厚さ２０μｍ） ＊ターゲラ１− ｃｏ−Ｑｒ金合金上Ｎｈあるいは−［ａの小片を載置し
た複合ターゲラ１へ ＊ターゲット基板間距離 １１０　ｍ　ｍ なお薄膜の磁気特性は振動試利型Ｉ公力ｉ−１（理ＴＩ
ＪＩ電子製、以下ＶＳＭと略称する）にて、簿膜の組成
はエネルギー分散型マイクロアナライザ（ＫＥＶＥＸ礼
製、以下Ｅ、　Ｄ　Ｘと略称する）にて、また結晶配向
性はＸ線回折装置（理学電機製）にで夫々測定した。

Ｃ０−Ｃｌ”に第三元素としてＮ　ｂを添加（２〜１０
ａｔ％添加範囲にｄ）いて同一現象が生ずる）し、ポリ
イミドベースに０．２μｍｎの膜厚でスパックリングし
た記録媒体に１５に□ｅの磁ワＪを印加しＩＣ場合の面
内方向のヒステリシス曲線を第１図に示す。同図より面
内方向の抗１に力（記号＋ｊｃ　／で示す）が１口近傍
部分でヒステリシス曲線は急酷に変１り的に立ち上がり
（図中矢印Ａで示す）、いわゆる磁化ジャンプが生じて
いることがわかる。スパッタリングされたＣ　ＯＣｒ　
　Ｎ　ｔ）　’４４膜がスパッタリング時に常に均一の
結晶成長を行なったと仮定した場合、第１図に示された
磁化ジャンプは生ずるはずはなく、これよりＣｏ　−Ｃ
ｒ　−Ｎｂ　Ｆ’ｌＪ膜内ｔこ磁気的性質の異なる複数
の結晶層が存在することが＋１１測される。

続いて第１図で示した実験条件と同一条件にてＧｏ　−
０ｒ−Ｊｌｂをポリイミドベースに０．０５μｍの膜厚
でスパッタリングした記録媒体に１５ＫＯｅの磁界を印
加した場合の面内方向のヒステリシス曲線を第２図に示
す。同図においては第１図に見られたようなヒステリシ
ス曲線の磁化ジャンプは生じておらず０．０５μｍ程度
の膜厚におけるＣｏ　−Ｃｒ−ＮｂＲ（’膜は略均−な
結晶となっていることが理解される。これに加えて同図
より０．０５７１ｍ程度の膜厚における抗磁力１−ＩＣ
／に注目するに、抗磁力＋−＋ＣＩは極めて小なる値と
なつ−ＣＪ′３り面内方向に対する透磁率が大であるこ
とが理解される。上記結果にリスバックリングにＪ、り
ベース近傍位ＩＦＩＪにはじめ（こ成長Ｊる初期１ｍ　
ｌ；Ｌ抗磁力１−ＩＣ／が小であり、この初期層は走査
型電子顕微鏡写真で確かめらねている（前記資オ′；１
参照）ベース近傍位置に成長覆る小粒径の結晶層である
と考えられる。また初期層の１方に成長りる層は、初期
層の抗磁力Ｈｃ／より大むる抗磁力１」Ｃ／を右し、こ
の層は同じく走査型電子顕微鏡７７真で？、（「かめら
れている大粒径の結晶層であると考えられる。

小粒径結晶層ど大粒径結晶層が併存Ｊ−るＣｏ　−Ｃｒ
−Ｎｂ薄膜において磁化ジＡ７ンブが牛する理由を第３
図から第５図を用いて以下）ホベる。’Ｊお後述する如
く、磁化ジャンプは組成比率及びスパッタリング条件に
関し全てのＧｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ　Ｑｕ膜に対して発生η
るものではない。所定の条イ！１手においてＣｏ−Ｃｒ
−Ｎｂ薄膜をスパッタリングにより形成しこの薄膜のヒ
スプリシス曲線を測定により描くと第３図に示す如く磁
化ジψンプが現われたヒステリシス曲線となる。また小
粒径結晶層のみからイするヒステリシス曲線は膜厚寸法
を小どしたスパッタリング（約０．０７５μｍ以下、こ
れについ−（は後述する）を行ない、これを測定するこ
とにより）Ｕることができる（第４図に示す〉。

また大粒径結晶層は均一結晶構造を有していると考えら
れ、かつ第３図に示すヒステリシス曲線は小粒径結晶層
のヒステリシス曲線と大粒径結晶層のヒスプリシス曲線
を合成したものと考えられるため第５図に示す如く抗磁
力）」Ｃ／が小粒径結晶層よりも大であり、磁化ジャン
プのない滑らかなヒステリシス曲線を形成すると考えら
れる。すなわち第３図におて示されている磁化ジャンプ
の存右は、磁気特性の異なる二層が同一の薄膜内に形成
されていることを示しており、従って第１図に示された
ｃｏ　−ｃｒ　−Ｎｂ　肋膜にも磁気特性の異４ｒる二
層が形成されていることが理解できる。なお大粒径結晶
層の抗磁力は、小粒径結晶層と大粒径結晶層が（７１存
するＣｏ　−Ｃｒ−Ｎ１１薄膜のヒステリシス曲線から
小粒゛径結晶層のみのＣ０−０ｒ−Ｎ　ｌ）　ｉｋｇ膜
のヒステリシス曲線を差引いて得られるヒステリシス曲
線より求めることができる。」−記名実験結果によりＣ
ｏ　−Ｃｒ　−Ｎｂ　ｉＪ膜のヒスプリシス曲線に磁化
ジャンプが生じている時、磁気特性の異なる二層が形成
されていることが証明されたことになる。

続いてＧｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜のベース−１ニへのスパ
ッタリングの際形成される上記二層の夫々の磁気的性質
をＣｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の厚さ寸法に関連させつつ第
６図を用いて以下説明でる。第６図はＣＯ−Ｏｒ　−Ｎ
ｂ　ｕ膜の膜厚寸法をスパッタリング時間を変えること
により制御し、各膜厚寸法にお（）る面内方向の抗磁力
ＨＣ／、垂直方向の抗磁力ＨＣＪＬ、磁化ジャンプ量σ
ｊを夫々描いたものである。

まず面内方向の抗磁力１−ＩＣ／に注目するに、膜厚■
法が０．０８７１ｍ以下においては極めて小なる値（１
５００８以下）となっており、面内方向に対する透磁率
は高いと考えられる。また膜厚寸法が大となっても抗磁
力１１Ｃ／は大ぎく変化するようにことはない。また磁
化ジ（７ンプ１σｊに注目す＝１４− ると、磁化ジＡ７ンプ量は膜厚寸法が０．０７５μｍに
て急激に）γち−にかり０．０７５μ０１以上の膜厚に
おいＣは滑らかな下に凸の放物線形状を描く。更に垂直
り向の抗磁力１−１ｃ土に注目すると、抗磁力Ｌｌｃ上
は膜厚寸ン人０．０５μｍ〜０．１μ口１で急激に立ち
上がり０．１μｍ以上の膜厚寸法では９００Ｑｅ以上の
高い抗磁力を示す。これらの結果より小粒径結晶層と大
粒径結晶層の境は略０．０７５μｎ１の膜厚寸法のどこ
ろにあり、膜厚寸法が０．０７５μｍＪス下の小粒径結
晶層は面内方向及び垂直方向に対り−る抗磁力１−１ｃ
／、１−１ｃ土が低い、いわゆる低抗磁力層どなってお
り、また膜厚寸法が０．０７５μｍ以上の大粒径結晶層
は面内方向の抗磁力１−１０／は低いものの垂直方向に
対する抗磁力Ｈｅ上は非常に高い値を有づる、いわゆる
高抗磁力層となっており垂直磁気記録に適した層となっ
ている。更に磁化ジャンプが生じない膜厚寸法（０，０
７５μｍ以下）においては、面内方向及び垂直方向に対
する抗磁力ｌ−１ｃｚ、１−１ｃ土は低く、これより大
なる膜厚寸法（０，０７５ｆ１ｍ　ＬＪ、上）において
は垂直方向に対り−る抗磁力１−１ｃＪ−が急増ず、る
。これによ゛っ（ｂ磁化ジャンプが生じている場合、Ｃ
，ｏ　−０ｒ−Ｎｊ＋λ９膜に磁気時１’ｌの異なる二
層が形成されていることがｊｌｌ（測される。。

次にＧｏ−Ｃｒに第三元素としてＴａを添加（１〜１０
ａｔ％添加範囲において同一現象が生ずる）し、Ｆ記し
たＮｂ添加した場合と同一の実験を行なった結果を第７
図に示す。第７図はＣ，ｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜の膜厚用法
をスパッタリング時間を変えることにより制御し、各膜
厚寸法にＪ５１Ｊる面内方向の抗磁力１−１’ｃ／、垂
直方向の抗磁力Ｈｅ上、磁化ジャンプ倦σｊを夫ノン描
いたものである。同図よりＣ（１−ＯｒにＴａを添加し
た場合も、Ｃｏ−ＣｒにＮｂを添加した場合ど略同様な
結果が得られ、小粒径結晶層と大粒径結晶層の堤は略０
．０７５μｎ１の膜厚寸法のところにあり、膜厚寸法が
０．０７５μｍＬＪ、’ｌ’；の小粒径結晶層は面内り
向及び垂直方向に対する抗磁力＠ｃ／、　１−１ｃ　土
が低い（Ｌｌｃ　／、　１−１ｃ　ＪＬ共に１７００ｅ
以下）、いわゆる低抗磁力層となっており、また膜厚用
法が０．０７５μ０１以上の大粒径結晶層は面内方向の
抗磁力１」Ｇ／は低いものの垂直方向に対Ｊる抗磁力１
−１　ｃ土は非常に高い値（７５００８以上）となって
いる。

なお上記実験で注意すべきことは、スパッタリング条件
及びＮｂ、Ｔａの添加量を前記した値（Ｎｌ）：　２〜
１０ａｔ％、　Ｔａ　：　１〜１０ａｔ％）より変えた
場合磁化ジャンプは生じないが、しかるに磁化ジ（７ン
プが生じないＣＯ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜。

Ｇｏ　−Ｃｒ　−Ｔａ　ｆｔｌ膜においても小粒径結晶
層及び大粒径結晶層が形成されていることである（前記
資料参照）。磁化ジャンプが生じないｃｏ−Ｃｒ　−Ｎ
ｂ　Ｈ膜のヒステリシス曲線の一例を第８図に示す。第
８図（Ａ）は小粒径結晶層及び大粒径結晶層を含む面内
方向のヒステリシス曲線であり、第８図（Ｂ）は小粒径
結晶層のみの面内方向のヒスブー９９フ曲線、第８図（
Ｃ）は大粒径結晶層のみの面内方向のヒステリシス曲線
である。各図より小粒径結晶層の面内方向の残留磁化Ｍ
ｒ８／は大粒径結晶層の残留磁化Ｍｒｃ／よりも犬であ
るため、両結晶層を含む残留磁（ヒＭｒ　Ａ　／は大粒
径結晶層の残留１ａ　（ヒＭ　ｒ　ｃ／のみの時よりも
不利どなり異方性磁界１−１　ｋが小さくなる。また小
粒径結晶層は配向が悪いこと〈△０５０が大）が知られ
−Ｃおり、；■゛だ面内方向の抗磁力ｔ−１ｃｚも大で
垂直磁気記録には適さない。

ここで上記の如く小粒径結晶層ど人８）″ｌ径結晶層を
有するＣ、ｏ　−Ｃｒ　−Ｎｈ　ｕ膜及びＧｏ　−Ｃｒ
　−Ｔａ薄膜を垂直磁気記録媒体として考えた場合、ｃ
ｏ　−Ｃｒ　−Ｎｂ　簿膜及びＧｏ　−Ｃｒ　−−ｒａ
　薄膜にその膜面に対し垂直方向に膜厚の全てに口って
垂直磁化を行なおうとすると、小粒径結晶層の存在は垂
直磁化にり４　Ｌ極めて不利イ１要囚どなる（磁化ジャ
ンプが生じている場合及び磁化ジャンプが生じていない
場合の相方において不利な要因となる）。すなわち磁化
ジャンプが生じている揚台の小粒径結晶層は、面内方向
及び垂直方向にλｊする抗磁力ＨＣ／　、’　、ｌ−Ｉ
　Ｃ上が共に極めて低く（１７０Ｑｅ以下）、この層に
おいては垂直磁化はほとんどされないと考えられる。ま
た妊蚤化ジＶンプが牛じていない場合の小粒径結晶層に
おいても、面内方向の抗磁力ＨＯ’／は磁化ジャンプの
生じている場合の抗磁力ＨＣ／よりは人であるが垂直方
向の抗磁力ＨｃＪＬは垂直磁気記録を実現し得る程の抗
磁力はなくやはり良好な垂直磁化は行なわれないと考え
られる。従って膜面に対して垂直方向に磁化を行なって
も小粒径結晶層における垂直磁化はぼどんと行なわれず
、磁性膜全体としての垂直磁化効率が低下してしまう。

この影響はリングコアヘッドのＪ：うに磁束の面内成分
を多く含む磁気ヘッドにおいては顕著である。また膜厚
寸法に注目するに上記Ｃｏ−（１：ｒ　−Ｎｂ　薄膜及
びｃｏ−Ｏｒ−Ｔａ薄膜を垂直磁気記録媒体どして実用
に星る膜厚寸法（約０．３μｍ以下）にすると、小粒径
結晶層の厚さ寸法は０．１μｍ以下で略一定であるため
（実験においては小粒径及び大粒径結晶層を含む膜厚寸
法を小とすると小粒径結晶層の厚さ寸法は若干人となる
傾向を示す）、薄膜の膜厚寸法に対する小粒径結晶層の
相対的厚さ寸法が大どなり更に垂直ｒ／ｌｌ化特性が劣
化してしまう。

しかるに小粒径結晶層の磁気特性は、面内方向に対づ−
る抗磁力１１Ｃ／が小であり比軸的高い透）１（１率を
有しており、これは従来Ｃｏ−Ｃ１゛薄膜とベース間に
配設した裏打ら図（例えばＦｅ−Ｎｉ薄膜）と似た特性
を有している。つまりＣＯ−０ｒ−Ｎ’ｌ〕ｌ膜及びＣ
０−０ｒ−Ｔａ薄膜の単一膜において、低抗磁力１−１
０／を有する小粒径結晶層をいわゆる裏打ち層である高
透磁宰層として用い、垂直方向に高抗磁力１−ＩＣ上を
有する大粒径結晶層を垂直磁化層として用いることにＪ
、り単一膜構造において二層膜構造の垂直磁気記録媒体
と等しい機能を実現することが可能であると考えられる
。

この点に鑑み、Ｃｏ　−ｃ　ｒ　−Ｎ’ｌｌ　’ｙｉ、
＋膜及ヒＣ０−０ｒ−Ｔａ薄膜の組成率を変化させた場
合、各簿膜の厚ざ寸法を変化させた場合にお（Ｊる磁気
特性の変化及び再生出力の相異を第９図から第１６図を
用いて以下ｄ１明する。第９図はＣｏ　−Ｃｒ’−Ｎ　
ｉ〕薄膜の組成率及び膜厚寸法を変化させた場合におＩ
プる各種磁気特性を示す図で、第１０図（Ａ）〜（’Ｆ
　）は第９図に示した各薄膜のヒステリシス曲線を描い
たものである。両図にすｃｏ−ｃｒに第三元素としてＮ
ｂを添加した場合でも、磁化ジＶンプ（第１０図（Ａ’
）、（Ｄ）に矢印Ｂ、Ｃで示す）が生じている時は垂直
磁化に寄与する垂直方向の抗磁力ＨＣ土は高い値となる
が磁化ジャツブが生じていない時は抗磁力１−１ｃ上は
低い値となっている。またＣｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の膜
厚寸法が小（データでは約１／２）の方が抗磁力１−１
ｃ土は高い値となっている。これに加えて磁化ジャンプ
が生じている時は垂直異方性磁界Ｈｋが小さく、Ｍｒ　
／／ＭＳはＣ０−Ｃｒ薄膜に比べて大でありかつ膜厚寸
法δが薄くなるに従って大なる値となる。これは面内方
向に磁束分布が大であるリングコアヘッドを用いる際不
利な条件と考えられていた。しかるに上記各Ｃ０−０ｒ
−Ｎｂ薄膜を垂直磁気記録媒体として用いた際の記録波
長−再生出力時１４　（第１１図に示す）を見ると、磁
化ジャンプが生じているＧｏ　−Ｃｒ　−Ｎｂ　Ｈ膜の
再生出力の方が磁化ジャンプの生じていないＣ０−０ｒ
−Ｎｂｉｉ＃膜及びＣＯ’　−Ｃｒ薄膜の再生出力より
も良好となっており、特に記録波長が短波長領域におい
て顕著である。短波長領域（記録波長が０．２７１　ｍ
〜１．０μｍ程度の領域）においてはｃｏ　−Ｃｒ薄膜
及びも１目しジＶンプの生じていないＣｏ　−Ｃｒ　−
Ｎｂ　’Ｒ膜においても再生出力は増加している。しか
るに磁化ジャンプの生じているＣＯ−Ｏｒ　−Ｎｂ　ｉ
ｉ’Ｊ膜は、上記各薄膜の再生出力増加率に対して、そ
れよりも高い再生出力増加率を示しており、磁化ジャン
プの生じているＣｏ　−Ｏｒ　−Ｎｂ薄膜は特に短い記
録波長の垂直磁化に適しているということができる。上
記短波長領域においては再生出力曲線は上に凸の放物線
形状をとるが、その全域においてＣ０−０ｒ薄膜及“び
磁化ジャンプの生じていないＣｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜よ
り大なる再生出力を得ることができた。なおＣｏ　−Ｃ
ｒ〜Ｔａ薄膜においてもＣｏ’−０ｒ−Ｊｉｂ薄膜と略
同様な結果を得られた。第１２図に膜厚寸法の異なるＣ
ｏ−ｃｒ　ｉｓ膜に対するＣ０−Ｃｒ−Ｔａ薄膜の磁気
特性を示し、第１３図（Ａ）〜（Ｃ）に各薄膜の形成す
る面内方向ヒステリシス曲線を、また第１４図に記録波
長−再生出力特性を示す。

上記現象は以下（こ示す理由に起因して生ずると考えら
れる。ｃｏ−Ｏｒ　−ＮｂＭ膜及びＣｏ　−にｒ−Ｔａ
Ｒ’ｌ膜（以下Ｃｏ　−Ｃｒ、−Ｎｂ　薄膜とＣｏ−０
ｒ−丁ａ薄膜を総称してｃｏ　、−ｃｒ　−Ｎ１〕（丁
ａ）薄膜という）はスパッタリングに」；る薄）１つ）
形成時に第１５図に示す如くベース１近傍に低抗磁力を
有する小粒径結晶層２とイの上方に特に垂直方向に高い
抗磁力を有する大粒径結晶層３ど二層構造を形成する。

磁気ヘッド４から放たれた磁束線は大粒径結晶層３を貫
通して小粒径結晶層２に到り、低抗磁力でかつ高透磁率
を有する小粒径結晶層２内で磁束は面内方向に進行し、
磁気ヘッド４の磁極部分で急激に磁束が吸い込まれるこ
とにより大粒径結晶層３に垂直磁化がされると彬えられ
る。よって磁束が形成する磁気ループは第１５図に矢印
で示す如く、馬蹄形状となり所定垂直磁気記録位置にお
いて大粒径結晶層３に磁束が集中して鋭く貫通するため
、大粒径結晶層３には残留磁化の大なる垂直磁化が行な
われる。ここで磁化ジ■ンプが生じている場合と生じて
いない場合におｌ−する小粒径結晶層２の面内方向の抗
磁力Ｈｅ／に注目すると、第２図及び第８図（Ｂ＞に示
される如く磁化ジャンプが生じている場合の面内方向の
抗磁力１１Ｃ／は磁化ジャンプが生じていない場合の抗
磁力Ｈｅ／より小なる値となっている。周知の如く小粒
径結晶層２がいわゆる裏打ち層として機能するためには
低抗磁力、高透磁率を有することが望ましく、よって磁
化ジャンプの生じているＣｏ−Ｑｒ　−Ｎｂ　　（王ａ
＞薄膜の方が再生出力が良好であると推測される。また
Ｃｏ−Ｃｒ　−Ｎｂ　　（Ｔａ　）薄膜の膜厚寸法に注
目すると、膜厚寸法を大とすることは大粒径結晶層３の
厚さ寸法を大どすることであり（小粒径結晶層２の厚さ
寸法は略一定である）、これを大とすることにより磁気
ヘッド４と小粒径結晶層３の距離が人となり、小粒径結
晶層３による磁束の吸込み効果はわずかで第１６図に矢
印で示す如く磁気ヘッド４から放たれＩＣ磁力線は小粒
径結晶層２に到ることなく大粒径結晶層３を横切って磁
気ヘッド４の磁極に吸い込まれる。従って垂直方向に対
する磁化は分散された弱いものどなり良好な垂直磁化は
行なわれない。しかるにＣｏ　−Ｃｒ　−Ｎｂ　　（Ｔ
ａ　）薄膜の膜厚寸法を小とすると、磁気ヘッドと小粒
径結晶層の距離が小となり、小粒径結晶層による磁束の
吸込み効果が大どなり磁゛気ヘッド４から放たれた磁束
は小粒径結晶層２に確実に進行し上記馬蹄形の磁気ルー
プを形成する。膜厚寸法が小となることにより大粒径結
晶層３の厚さ寸法が小となり垂直方向に対する抗磁力Ｈ
Ｃ上が小となることが考えられるが、垂直磁化に寄与す
る磁束は馬蹄形の極めて鋭い磁界であるので残留磁化は
大となり良好な垂直磁化が行なわれると考えられる。

すなわちＣｏ　−Ｏｒ　−Ｎｂ　　（Ｔａ　）　薄膜の
膜厚寸法を小とした方が（記録媒体の厚さを薄クシた方
が）良好な垂直磁イヒを行なうことができ、これにより
磁気ヘッド４とのいわゆる当たりの良好な薄い記録媒体
を実現することができる（本発明者の実験にＪ：ると膜
厚寸法が０．１μｍ〜０．３μｍ程度の寸法まで高出力
を保持できた）。これに加えて上記の如く高抗磁力を有
する層と低抗磁力をイ４Ｊる層を形成するＣｏ　−Ｃｒ
　−Ｎｂ　　（Ｔａ　）薄１う）は連続スパッタリング
により形成されるため、二層構造を形成させるためにわ
ざわざスパッタリング条件を変えたりターゲットを取換
える作業等は不用でＧｏ　−Ｃｒ　−Ｎｂ　　（Ｔａ　
）ｕ膜の形成工程を容易にし得ると共にスパッタリング
時間を短くし得、低］ス］・でか゛つ量産性をもって記
録媒体を製造することができる。更に小粒径、結晶層２
の面内方向の抗磁力！」Ｃ／は第６図、第７図より　１
０Ｑｅ　−−５０Ｑｅ程度であり大粒径結晶層３の抗磁
力＋−＋Ｃ上に対して極端に小なる値ではないため衝撃
性のバルクハウゼンノイズが発生することもなく良好な
垂直磁気記録再生を行ない得る。

ここで磁気ヘッドに注目するに、第１１図及び第１４図
に示す実験においては軟磁性材であるセンダスト（登録
商標）よりなるリングコアヘッドを用いた。レンダスト
は周知の如く高飽和磁束密度（８０００Ｇ以上）を有し
、従って鋭い垂直磁化が期待できる。磁化ジャンプの生
じているＣｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜及びＣｏ　−Ｃｒ　Ｗ
Ｊ膜にレンダストリングコアヘッドにて記録再生を行な
った場合の記録波長と再生出力の関係を第１７図、第１
９図に（第１７図にＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ１Ｊ膜を第１９図
にＧｏ　−Ｃｒ−Ｔａ薄膜を示す）、また磁化ジＡ７ン
プの生じているＣｏ　−Ｃｒ　−Ｎｂ　　（Ｔａ　）　
薄１］ｕにセンダストリングコアヘッド及びフ■ライ１
ヘリングコアヘッドにて記録再生を行なった場合の記録
波長と再生用ノｊの関係を第１８図、第２０図に示ずく
第１８図にセンジス１〜リング］アヘツドを第２０図に
フェライトリングコアヘッドを示す）。

第１７図及び第１９図より磁化ジャンプの生じているＣ
ｏ　−Ｃｒ　−Ｎｂ　　（Ｔａ　）１膜をレンダストリ
ングコアヘッドで記録再生を行なった再生出力の方が磁
化ジャンプの生じていないＣｏ　−Ｏｒ　−Ｎｂ（Ｔａ
）Ｖ膜及びフェライトリングコアヘッドを用いた場合よ
りも全記録波長域において高い値となっている。特に記
録波長が１μｍ〜０．２μｍの短波長領域において上記
現象は顕著である。

第９図、第１２図に示す如くＣ０−０ｒ薄膜とＧｏ−Ｃ
ｒ　−Ｎｂ　　（Ｔａ　）Ｒ膜は、そノ磁気特性（飽和
磁化Ｍｓ、垂直方向の抗磁力１−ｔｅ上）がさほど変わ
らないに１つ係わらず、再生出力に人イする差が生ずる
のは磁化ジＡｌンプの生じでいるＣ０−０ｒ　−Ｎｂ　
　（Ｔａ　）薄膜が前述の如く、低抗磁力を有する小粒
径結晶層と高抗磁力を右１−る大粒径結晶層の二層構造
をとり、低抗磁力を有り−る小粒径結晶層がレングス１
〜リング」アヘッドの垂直方向磁束成分を強め、かつ高
抗磁力を右する大粒径結晶層の内部の減磁界を減少させ
るだめど名えられる。またリングコアヘッドの材質に注
目すると第１８図及び第２０図より、フェライトリング
コアヘッドを用いた場合は記録波長の短波長領域におい
ても再生出力の向上は見られずｃｏ−ｃｒ、−Ｎｂ（Ｔ
ａ）薄膜に比較し短波長領域の出力劣化が目立つ１．こ
れはフエライ１へがレングス１へに比較し飽和磁束密度
が低いため小粒径結晶図の磁束の吸込み効果が不十分で
磁束が小粒径結晶層に到っていないことに起因すると推
測される。

すなわち磁化ジャンプの生じているＧＯ−Ｃｒ−−Ｎｂ
（Ｔａ）薄膜と高飽和磁束密度を右するレンダストリン
グコアヘッドが効果を発揮するのは、小粒径結晶層が面
内方向の抗磁力１−１０／が小さい層どして有効に機能
する時、すなわちセンダストリングコアヘッドの磁界が
十分に小粒径結晶層に届く時であると考えられる。従っ
てセンダストリングコアヘッドのギャップ幅に対（）て
Ｃｏ−０ｒ−Ｎｂ（Ｔａ）ｉｔｌＪ膜の膜厚寸法が薄い
時、またリングコアヘッドの飽和磁束密度ｆ３ｓが十分
に人である場合に再生出力は大となる。上記理由により
記録媒体として磁化ジャンプの生じているＣ０−Ｃｒ　
−Ｎｂ　　（Ｔａ　）１膜を用い、かつ磁気ヘッドとし
て高飽和磁束密度を有するセンダストリングコアヘッド
を用いることは垂直磁気記録再生に極めて有効であるば
かりでなく、記録媒体の厚さを薄くすることが再生出力
を向上させるための要件となり、磁気ｌ＼ラッドの当た
りの面からも再生出力向」−の面からも有利となる。

発明の効果 上述の如く本発明になる垂直磁気記録媒体によれば、］
パル］・（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ　）にニオブ（Ｎｂ）
及びタンタル（Ｔａ　）のうち少なくとも一方を加えて
４てる磁性月をベース１−に１１−アイングした際形成
される低抗磁力を有する小粒径結晶層とその上に形成さ
れる高抗磁力を有する大粒径結晶層を、低抗磁力を右す
る層を高透磁率層として用い高抗磁力を有する層を垂直
磁化層として用い、磁気ヘッドとして軟磁性体よりなる
リングコアヘッドにより信号の記録／再生を行なうこと
に」；す、垂直磁気記録媒体の厚さを薄くした場合大粒
径結晶層における磁気抵抗は小となり磁気ヘッドより放
たれた磁束は容易に低抗磁力を有する小粒径結晶層に進
入し水平方向へ進行した後磁気ヘッドの！ｉ極にて急激
にかつ鋭く高抗磁力を有する大粒径結晶層を貴通して磁
気ヘッドの磁極に吸い込まれるため、大粒径結晶層には
強い残留磁化が生じ高い再生出力を実現し得る垂直磁気
記録再生を行なうことができ、これに加え記録波長が知
い時に特にすぐれた垂直磁化が行なわれ良好な再生出力
を得ることができ、また小粒径結晶層は磁気ジ〜７ンブ
が生じている、ずなわち面内方向に対する抗磁力が小で
、かつ高い透磁率を右する層であるため、いわゆる裏打
ち層として確実に機能すると共にその抗磁力は大粒径結
晶層の抗磁力に対して不要に小なる値ではないため衝撃
性のバルクハｒクゼンノイズが発生することもなく良好
な垂直磁気記録再生が行なわれ、更に上記磁気特性の異
なる二層構造を有する垂直磁気記録媒体に高飽和磁束密
度を有する軟磁性体よりなるリングコアヘラ１〜で垂直
磁気記録再生を行なうことにＪ：す、リングコアヘッド
にり放たれる磁束は鋭いものとなりかつ小粒径結晶層は
面内方向の抗磁力の小さい層として有効に機能するため
リングコアヘッドの垂直方向磁束成分は強められ小粒径
結晶層に容易に到り、この密度の高い磁束はリングコア
ヘッドの磁極にて急激に吸い込まれるため大粒径結晶層
に強い残留磁化が生じ高い再生出力を実現できる垂直磁
化を行ない得、これに加えてリングコアヘッドから放た
れる磁束を有効に小粒径結晶層に確実に進入させるには
大粒径結晶層を垂直磁化層として機能する範囲において
極力薄くする必要があり、従って大粒径結晶層を薄くし
た方が再生出力が向上りるため垂直磁気記録媒体の厚さ
寸法を小どすることができ磁気ヘッドとの当たりを良好
なものどすることができる等の特長を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる垂直磁気記録媒体の一実施例の磁
性膜であるＣｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜のヒステリシス曲線
を示す図、第２図は小粒径結晶層のヒステリシス曲線を
示η図、第３図から第５図は磁化ジャンプが生ずる理由
を説明するための図、第６図はｃｏ　−０ｒ−Ｎ１１薄
膜が二層構造となっていること及び各層の磁気特性を示
す図、第７図はＧｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜が二層構造となっ
ていること及び各層の磁気特性を示す図、第８図は磁化
ジャンプが生じていないＣｏ　−０ｒ−Ｎｂ薄膜のヒス
テリシス曲線の一例を示す図、第９図はＣ０−Ｃｒ薄膜
及びＣｏ−Ｃ’ｒ、−Ｎｂ薄膜の組成率及び膜厚用法を
変化させた場合にお【ノる各種磁気特性を示す図、第１
０図は第９図に示した各膜薄のヒスプリシス曲線を示づ
図、第１１図はＣ０−０ｒ−ＮｂｉＶ膜及びｃｏ　−Ｃ
ｒ　ｉ膜に垂直磁気記録再生を行なった時の記録波長ど
再生出力の関係を示す図、第１２図はＣｏ−Ｃｒ薄膜及
びＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜の所定膜厚寸法にお【ノる磁気
特性を示す図、第１３図は第１２図に示した各薄膜のヒ
ステリシス曲線を示す図、第１４図は第１２図における
Ｃｏ８４．８　Ｃｒ１３．４　Ｔａ１．８薄膜及びＣ０
８１Ｃｒ１９薄膜（δ−０，１０μｍ）に垂直磁気記録
再生を行なった時の記録波長と再生出力の関係を示Ｊ図
、第１５図は本発明記録媒体の厚さ寸法を小どした場合
に磁束が形成覆る磁気ループを示す図、第１６図は本発
明記録媒体の厚ざ用法を人とした揚台に磁束が形成する
磁気ループを示す図、第１７図はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜
及びＣｏ−Ｃｒ　Ｈ膜にセンダストリングコアヘッドに
て垂直磁気記録再生を行なった際の記録波長と再生出力
の関係を示す図、第１８図はＣｏ　−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜に
レンダストリングコアヘッド及びフエライ１〜リング］
アヘッドにで垂直磁気記録再生を行なった際の記録波長
と再生出力の関係を示す図、第１９図はＣｏ　−Ｃｒ　
−Ｔａ　ｉａ膜及びｃｏ−ｃｒｖａ膜にセンダストリン
グコアヘッドにて垂直磁気記録再生を行なった際の記録
波長と再生出力の関係を示Ｊ図、第２０図はＣｏ　−Ｃ
ｒ−Ｔａ薄膜にレングス１ヘリング］アヘツド及びフエ
ライ１ヘコアヘッドにて垂直磁気記録再生を行なった際
の記録波長と再生出力の関係を示す図である。 １・・・ベース、２・・・小粒径結晶層、３・・・大粒
径結晶層、４・・・磁気ヘッド。 特許出願人　日本ビクター株式会ネ」 ”’（ｄ−ｄＡ砧Ｕ−η噌 ’−（ｄ−ｄへｕ＋）＃ＪＦｍ七亡 “”１ｄ−ｄへ田５　ｂグ千耳Ｉメ （ｄ−ｄへ山）ん乙７丁−１埋 手続？市Ｊ−Ｆ書 昭和６０年６月１８日 特許庁長官　志　賀　　　学　　殿 １、事件の表示 昭和６０年　特許願　第４５３２７号 ２、発明の名称 垂直磁気記録再生方式 ３、補正をする者 事件どの関係　　　特許出願人 住所　〒２２１　　神奈川県横浜市神奈用区守屋町３丁
目１２番地名称　（４３２）　　日本ビクター株式会社
代表者　取締役社長　宍　道　−部 ４、代即人 住所　〒１０２　　東京都千代田区麹町５丁目７番地６
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲、発明の詳細な説明、図面の簡
単な説明の欄、図面。 ７、補正の内容 （１）明細書中、特許請求の範囲の欄記載を別紙の通り
補正する。 （２同、第４頁６行目記載の１リングヘツド」を「リン
グコアヘッド」と補正する。 （３）　　同、第５頁１０行目記載の「ｖＡ化」の次に
「方向」を挿入する。 （Ｉ！Ｉ）　　同、第５頁１４行目記載の「面内」を１
垂直」と補正する。 ６）同、第５頁１６行目乃至１９行目記載の「して、・
・・・・・、また」を「する必要がある。しかるに垂直
磁気記録」と補正する。 （６）同、第６頁６行目乃〒７行目記載の［ＣＯ・・・
・・・特性」を［磁性材を］−ティングした際、磁性層
が抗磁力」と補正する。 の　同、第６頁９行目記載の「磁気特性」を「抗磁力」
と補正する。 ＝　２− （ａ　同、第６頁１０行目記載の「軟磁性月よりなる」
を削除する。 （９）同、第６頁１５行目乃至２０行目記載の［］バ・
・・・・・を、イ１シ１を次の通り補正する。 「−の磁性材よりなる磁性層が特に低い抗磁力を有する
層とその上に高抗磁力を有する層を形成してなる垂直磁
気記録媒体の、上２特に低い」（１０）同、第７頁２行
目記載の「軟１１竹体よりなる」を削除する。 （１１）同、第７頁３行目記載の「行う」を「行なう」
と補正する。 （１２）同、第７頁８行目乃至９行目記載の「飽和・・
・よりなる」を削除する。 （１３）同、第７頁１７１行目記載の「に」と［コバル
ｌ−Ｊの間に「例えば」を挿入する。 （１４）同、第８頁１４行目記載のｒＴＥＥＪの次にｒ
ＥＪを挿入する。　　　　　　・ （１５）同、第９頁１行目記載の「第三元素」の前に「
特に」を挿入する。 （１６）同、第９頁１８行目記載の「×」を削除する。 （１７）同、第１２頁１４行目記載の「比」を削除する
。 （１８）同、第１３頁１２行目記載の「おて」を「おい
て」と補正する。 （１９）同、第２１頁５行目記載の「ツ」を「ン」と補
正する。 （２０）同、第２２頁１３行目記載の「おいて」と「Ｃ
Ｏ」の間に「磁化ジャンプの生じているＣＯ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ薄膜は」を挿入する。 （２１）同、第２３頁１９行目記載の「集中して］を削
除する。 （２２）同、第２４頁３行目記載の「第２図・・・・・
・（Ｂ）」を１第９図及び第１２図」と補正する。 （２３）同、第２４頁１６行目記載の１３」を「２」と
補正する。 （２４）同、第２４頁１７行目記載の「３」を１２」と
補正する。 （２５）同、第２５頁４行目記載のｒｌ気ヘッド」の次
に「４」を挿入する。 （２６）同、第２５頁５行目に三箇所記載の１−結晶層
」の次に夫々「２」を挿入する。 （２Ｉ）同、第２５頁８行目乃至１１行目記載の「膜厚
・・・・・・られるが、」を１即ち、」と補正する。 （２８）同、第２６頁８行目記載の「をもって１の次に
「垂直磁気」を挿入する。 （２９）同、第２６頁１５行目記載の「磁気ヘッド」の
次に１４」を挿入する。 （３０）同、第２６頁１８行目記載の「を用いた。」の
次に「リングロアヘッドは構造が簡単であり比較的安価
に製造し得る磁気ヘッドであり、かつ垂直磁気記録媒体
に対し片面のみに摺接するよう配設されるため、高密度
記録化が望まれる多くの機器（例えばビデオテープレコ
ーダ等）に用いることかできる。また、」を挿入する。 （３１）同、第２７頁２行目記載の「ヘッド」の次に「
４」を挿入する。 （３２）同、第２７頁１０行目記載の［センダストリン
グコアヘッド」をｒｃｏ−Ｏｒ−Ｎｂ＋ｔｌ膜」と補正
する。 （３３）同、第２７頁１１行目記載の「フェライトリン
グコアヘッド」をｒｃｏ−Ｏｒ−王ａ７４膜１と補正す
る。 （３４）同、第２７頁１２行目記載の１及び第１９図」
を「、第１８図、第１９図及び第２０図」と補正する。 （３５）同、第２７頁１３行目記載の「を」を「ど」と
補正する。 （３６）同、第２７頁１４行目記載の１で」を「の組合
せで」と補正する。 （３７）同、第２７頁１５行目乃至１７行目記載の「磁
化・・・・・・用いた」を「他の組合せの」と補正する
。 （３８）同、第２８頁１４行目乃至１５行目記載のｒｃ
ｏ−ｃｒ−Ｎｂ　（丁ａ）薄膜」を１センダストリング
］アヘツド」と補正する。 （３９）同、第２９頁２０行目記載のｒｗ体」を「再生
方式」と補正する。 （４０）同、第３０頁１行目乃至６行目記載の「コバル
ト・・・・・・、抵」を１−の磁性材よりなる磁性層が
特に低い抗磁力を有する層とそのトに高抗磁力を有する
層を形成してなる垂直磁気記録媒体の、上記特に低い」
と補正する。 （４１）同、第３０頁８行目記載の１軟ｖＡ竹体よりな
る」を削除する。 （４２）同、第３０頁１１行目記載の１人粒径結晶」を
Ｆ高抗磁力を有する」と補正する。 （４３）同、第３０頁１３行目記載の「小粒径結晶」を
削除する。 （４４）同、第３０頁１５行目記載の「大粒径結晶」を
削除する。 （４５）同、第３０頁１６行目記載の「大粒径結晶」を
「高抗磁力を有する」と補正する。 （４６）同、第３０頁２０行目記載の［小粒径結晶］を
「低い抗磁力を有する」と補正する。 （４７）同、第３１頁１行目記載の「気」を［化Ｉと補
正する。 （４８）同、第３１頁４行目記載の１人粒径結晶」を「
高抗磁力を有する」と補正する。 （４９）同、第３１頁５行目記載の「不要１を［極−７
一 端」と補正する。 （５０）同、第３１頁８行目乃至１２行目記載の「に高
飽和・・・・・・結晶」を［の特に低い抗磁力を有する
Ｊど補正する。 （５１）同、第３１頁１６行目記載の１人粒径結晶」を
「高抗磁力を有する」と補正する。 （５２）同、第３１頁１９行目記載の「小粒径結晶」を
「低い抗磁力を有する」と補正する。 （５３）同、第３１頁２０行目記載の１人粒径結晶」を
「高抗磁力を有する」と補正する。 （５４）同、第３２頁２行目記載の「大粒径結晶」をし
高抗磁力を有する」と補正する。 （５５）同、第３２頁４行目記載の「磁気」を「リング
コア」と補正する。 （５６）同、第３２頁２０行目記載の「膜薄」を「薄膜
」と補正する。 （５７）同、第３４頁６行目記載の１フエライト」と１
コア」の間に１リング」を挿入する。 （５８）図面中、第１図、第２図、第９図、第１１図、
第１２図、第１３図、第１４図、第１５図を別添の図面
のように補正する。 −〇　− 特許請求の範囲 ［（１）−の（よりな　　　　）＜１に但い抗磁力を有
史灸居よその上に高抗磁力を有１盃Ｉ−を形成してなる
垂直磁気記録媒体【−臥ンｌコアヘッドにより、上記艷
（■至抗磁力を右する層を高透磁率層として用い高抗磁
力を有する層を垂直磁化層として用い、信号を記録／再
生することを特徴とする垂直磁気記録再生方式。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コバルト、クロムにニオブ及びタンタルのうち少なくと
   も一方を加えてなる磁性材をベースにコーティングし低
   抗磁力を有する小粒径結晶層とその上に高抗磁力を有す
   る大粒径結晶層を形成してなる垂直磁気記録媒体に、軟
   磁性体よりなるリングコアヘッドにより上記低抗磁力を
   有する層を高透磁率層として用い高抗磁力を有する層を
   垂直磁化層として用い信号を記録／再生することを特徴
   とする垂直磁気記録再生方式。