JPS61198786A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61198786A JPS61198786A JP3928785A JP3928785A JPS61198786A JP S61198786 A JPS61198786 A JP S61198786A JP 3928785 A JP3928785 A JP 3928785A JP 3928785 A JP3928785 A JP 3928785A JP S61198786 A JPS61198786 A JP S61198786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- forming
- gate electrode
- pattern
- ohmic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3928785A JPS61198786A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3928785A JPS61198786A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198786A true JPS61198786A (ja) | 1986-09-03 |
| JPH0156538B2 JPH0156538B2 (OSRAM) | 1989-11-30 |
Family
ID=12548938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3928785A Granted JPS61198786A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198786A (OSRAM) |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3928785A patent/JPS61198786A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0156538B2 (OSRAM) | 1989-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62136883A (ja) | 自己整合電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JP3233207B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| US4559693A (en) | Process for fabricating field effect transistors | |
| JPS61198786A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61248570A (ja) | Mesfet装置およびその製造方法 | |
| JPS61198785A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04282841A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08139103A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2906856B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS6057980A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6190470A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS61216487A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000058560A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH0846146A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2889240B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6086871A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS6038883A (ja) | ショットキゲ−ト型fetの製造方法 | |
| JPS6347982A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6260268A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH01204476A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6260269A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH04359468A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0340438A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS61108174A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS6037176A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 |