JPS61198668A - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
イメ−ジセンサの製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は基板上に多数の光電変換素子を配列して構成さ
れるイメージセンサの製造方法に係り、特に隣接する光
電変換素子間のリーク電流を効果的に低減させたイメー
ジセンサの製造方法に関する。
れるイメージセンサの製造方法に係り、特に隣接する光
電変換素子間のリーク電流を効果的に低減させたイメー
ジセンサの製造方法に関する。
（発明の技術的背景とその問題点〕
ファクシミリ、ＯＣＲ，電子撮像管等において原稿上の
画像読取りに用いられるイメージセンサとしては各種の
ものが知られているが、近年、原稿幅と同一の読取り長
を有する長尺型−次元イメージセンサの開発が精力的に
進められている。このようなイメージセンサに対し、特
に最近では高解像度の読取りを可能とするために、充電
変換素子の配列の高密度化の要求が高まっている。
画像読取りに用いられるイメージセンサとしては各種の
ものが知られているが、近年、原稿幅と同一の読取り長
を有する長尺型−次元イメージセンサの開発が精力的に
進められている。このようなイメージセンサに対し、特
に最近では高解像度の読取りを可能とするために、充電
変換素子の配列の高密度化の要求が高まっている。
イメージセンサにおける光電変換素子の特性のうち、高
密度センサでは解像度が特に重要な因子の一つである。
密度センサでは解像度が特に重要な因子の一つである。
ところが、従来のイメージセンサでは高密度化に伴い隣
接する光電変換素子の電極間に生じるリーク電流の信号
電流に対する比率が大きくなり、解像度向上を妨げる要
因となっていた。この問題をさらに詳しく説明する。
接する光電変換素子の電極間に生じるリーク電流の信号
電流に対する比率が大きくなり、解像度向上を妨げる要
因となっていた。この問題をさらに詳しく説明する。
この種の長尺型イメージセンサにおいては、一般に第２
図に示されるように基板１上に配列形成される複数個の
光電変換素子は各光電変換素子毎に分割形成されたＣｒ
等の金属材料からなる個別電極２と、各光電変換素子に
共通のＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極４とで水
素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：）−１＞ＩＩ等
のアモルファス半導体膜３を挟んで構成されるサンドイ
ッチ構造がとられる。このような構造のイメージセンサ
において、光入射に基づき各光電変換素子を流れる光電
Ｆｌ（ｐは、アモルファス半導体ＩＩ ３と共通電極４
との界面で形成されるポテンシャル・バリヤによって流
れる方向性を持った信号電流Ｉｃのほかに、隣接する国
別電極２間の電位差によって流れる方向性を持たないリ
ーク電流ＩＬが存在し、このリーク電流がイメージセン
サの解像度を低下させる要因となる。
図に示されるように基板１上に配列形成される複数個の
光電変換素子は各光電変換素子毎に分割形成されたＣｒ
等の金属材料からなる個別電極２と、各光電変換素子に
共通のＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極４とで水
素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：）−１＞ＩＩ等
のアモルファス半導体膜３を挟んで構成されるサンドイ
ッチ構造がとられる。このような構造のイメージセンサ
において、光入射に基づき各光電変換素子を流れる光電
Ｆｌ（ｐは、アモルファス半導体ＩＩ ３と共通電極４
との界面で形成されるポテンシャル・バリヤによって流
れる方向性を持った信号電流Ｉｃのほかに、隣接する国
別電極２間の電位差によって流れる方向性を持たないリ
ーク電流ＩＬが存在し、このリーク電流がイメージセン
サの解像度を低下させる要因となる。
具体的なデータの一例として、第６図に上述したＩＴＯ
／ａ−８ｉ ：Ｈ／Ｃｒ構造の光電変換素子からなるイ
メージセンサにおける光電流１ｐと信号電流１ｃとの比
（Ｉｐ／Ｉｃ）と、隣接する個別′ｉＭ極間の電位差と
の関係を、２／＃〜２４／Ｍの各密度のイメージセンサ
について測定した結果を示す。測定は２０℃の下で、照
射光の照度を１００ルクスとして行なった。この第６図
のグラ−７によれば、隣接する個別電極間の電位差が０
゜５■存在した場合、信号電流に対するリーク電流の比
率は８／ａａ＋のちので３０％、１６／ｓ＋のちので約
６０％、２４／ｍのもので約１２０％であり、高密度化
の限界は８ ／ ｍ以下である。従って、８ｉ頗以上の
高密度イメージセンサでは、何らかのリーク電流抑制手
段が必要となる。
／ａ−８ｉ ：Ｈ／Ｃｒ構造の光電変換素子からなるイ
メージセンサにおける光電流１ｐと信号電流１ｃとの比
（Ｉｐ／Ｉｃ）と、隣接する個別′ｉＭ極間の電位差と
の関係を、２／＃〜２４／Ｍの各密度のイメージセンサ
について測定した結果を示す。測定は２０℃の下で、照
射光の照度を１００ルクスとして行なった。この第６図
のグラ−７によれば、隣接する個別電極間の電位差が０
゜５■存在した場合、信号電流に対するリーク電流の比
率は８／ａａ＋のちので３０％、１６／ｓ＋のちので約
６０％、２４／ｍのもので約１２０％であり、高密度化
の限界は８ ／ ｍ以下である。従って、８ｉ頗以上の
高密度イメージセンサでは、何らかのリーク電流抑制手
段が必要となる。
このリーク電流抑制手段として従来より、（１）光電変
換膜に高抵抗膜を使用する。（２１隣接する光電変換素
子間の部分への不要な入射光を遮断するための遮光膜を
設ける。（３光電変換素子相互間を分離する１等の方法
が考えられている。しかしながら、（１）の方法は光電
変換膜の膜質、特にμτ（キャリア移動度×キャリア寿
命）に悪影響を及ぼし、光応答性、帯域特性等が低下す
るという問題がある。また、（２］ （３１の方法は高
精度の位置合せが必要で、さらに真空プロセスが必要で
あることから、イメージセンサの＾密度化に従って製造
コストが増大するという欠点があった。
換膜に高抵抗膜を使用する。（２１隣接する光電変換素
子間の部分への不要な入射光を遮断するための遮光膜を
設ける。（３光電変換素子相互間を分離する１等の方法
が考えられている。しかしながら、（１）の方法は光電
変換膜の膜質、特にμτ（キャリア移動度×キャリア寿
命）に悪影響を及ぼし、光応答性、帯域特性等が低下す
るという問題がある。また、（２］ （３１の方法は高
精度の位置合せが必要で、さらに真空プロセスが必要で
あることから、イメージセンサの＾密度化に従って製造
コストが増大するという欠点があった。
〔発明の目的］
本発明の目的は、従来のリーク電流抑制手段に見られる
ような弊害を伴うことなく、高密度化した場合に問題と
なる隣接する光電変換素子間のリーク電流を効果的に低
減できるイメージセンサの製造方法を提供することにあ
る。
ような弊害を伴うことなく、高密度化した場合に問題と
なる隣接する光電変換素子間のリーク電流を効果的に低
減できるイメージセンサの製造方法を提供することにあ
る。
本発明は上記目的を達成するため、複数に分割された不
透明金属材料からなる個別電極と、透明導電膜からなる
共通電極とでアモルファス半導体膜を挟んで構成された
複数個の光電変換素子を基板上に配列してなるイメージ
センサの製造方法において、前記個別電極側から光を照
射することにより前記アモルファス半導体膜の前記充電
変換素子間の部分を露光して高抵抗化する工程を有する
ことを特徴とする。
透明金属材料からなる個別電極と、透明導電膜からなる
共通電極とでアモルファス半導体膜を挟んで構成された
複数個の光電変換素子を基板上に配列してなるイメージ
センサの製造方法において、前記個別電極側から光を照
射することにより前記アモルファス半導体膜の前記充電
変換素子間の部分を露光して高抵抗化する工程を有する
ことを特徴とする。
すなわち、ａ−８ｉ：Ｈｉｍ等のアモルファス半導体膜
をある程度以上の光量２時間で露光すると、露光した部
分の抵抗値が増大する現象は、３ ｔａｅｂｌｅｒ−Ｗ
ｒｏｎｓｋｉ効果（光劣化効果ともいう）として、下記
の文献 ■ Ｓ ｔａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ ： Ａ Ｉ
）Ｉ）１．Ｐ ｈｌ／Ｓ、 Ｌ ｅｔｔ、。
をある程度以上の光量２時間で露光すると、露光した部
分の抵抗値が増大する現象は、３ ｔａｅｂｌｅｒ−Ｗ
ｒｏｎｓｋｉ効果（光劣化効果ともいう）として、下記
の文献 ■ Ｓ ｔａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ ： Ａ Ｉ
）Ｉ）１．Ｐ ｈｌ／Ｓ、 Ｌ ｅｔｔ、。
Ｖ ｏｌ、３１ ： ２９２，１９７７゜■ Ｓ ｔ
ａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ ： Ｊ 、 Ａ Ｄ（
１１，Ｐ ｈＶｓ、。
ａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ ： Ｊ 、 Ａ Ｄ（
１１，Ｐ ｈＶｓ、。
Ｖｏｌ、５１ ：３２６２，１９８０゜等で報告されて
いる。これは一般には好ましくない現象とされているが
、本発明はこの効果を積極的に利用してアモルファス半
導体膜の不要部分、すなわち光電変換素子間の部分を選
択的に＾抵抗化させることにより、リーク電流を減少ぎ
せるようにしたものである。
いる。これは一般には好ましくない現象とされているが
、本発明はこの効果を積極的に利用してアモルファス半
導体膜の不要部分、すなわち光電変換素子間の部分を選
択的に＾抵抗化させることにより、リーク電流を減少ぎ
せるようにしたものである。
（発明の効架〕
本発明によれば、隣接する光電変換素子間に流れるリー
ク電流を効果的に、具体的にはリーク電流抑制手段を施
さない場合に比べ１／１０以下に低減させることができ
、高密度でありながらリーク電流の小さい高性能のイメ
ージセンサを実現することが可能となる。
ク電流を効果的に、具体的にはリーク電流抑制手段を施
さない場合に比べ１／１０以下に低減させることができ
、高密度でありながらリーク電流の小さい高性能のイメ
ージセンサを実現することが可能となる。
また、本発明の方法では光電変換膜自体に高抵抗膜を使
用する方法に見られたような性能劣化を伴うことがなく
、さらに遮光膜や素子分離によりリーク電流を抑制する
方法と異なり、煩雑な位置合せプロセスや真空プロセス
が不要であるため、製造コストが低く抑えられる。
用する方法に見られたような性能劣化を伴うことがなく
、さらに遮光膜や素子分離によりリーク電流を抑制する
方法と異なり、煩雑な位置合せプロセスや真空プロセス
が不要であるため、製造コストが低く抑えられる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例に係るイメー
ジセンサの製造工程を示すものである。
ジセンサの製造工程を示すものである。
本実施例においては、まずガラス基板等の透明基板１上
に、Ｃｒ等の不透明金属材料からなる個別電極２を形成
する。個別電極２は例えば基板１を清浄化した侵、第１
図（ａ）に示すように蒸着またはスパッタリング法等で
Ｃｒ１ｌ１２’を３０００人程度０躾厚に被着し、次い
で第１図（ｂ）に示すようにＰＥＰ工程でバターニング
することによって形成される。
に、Ｃｒ等の不透明金属材料からなる個別電極２を形成
する。個別電極２は例えば基板１を清浄化した侵、第１
図（ａ）に示すように蒸着またはスパッタリング法等で
Ｃｒ１ｌ１２’を３０００人程度０躾厚に被着し、次い
で第１図（ｂ）に示すようにＰＥＰ工程でバターニング
することによって形成される。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、個別電極２を全体的
に覆うように帯状のアモルファス半導体膜３、例えば水
素化アモルファスシリコンｌ１ｌ（ａ−８ｉ：Ｈｌｌ）
をプラズマＣＶＤ法等により形成する。次に、第１図（
ｄ）に示すように少なくとも光電変換膜３上に位置する
ようにＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極４をスパ
ッタリング法等により形成する。
に覆うように帯状のアモルファス半導体膜３、例えば水
素化アモルファスシリコンｌ１ｌ（ａ−８ｉ：Ｈｌｌ）
をプラズマＣＶＤ法等により形成する。次に、第１図（
ｄ）に示すように少なくとも光電変換膜３上に位置する
ようにＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極４をスパ
ッタリング法等により形成する。
次に、昇温工程（１００’Ｃ以上の熱プロセス）が全て
終了した後、第１図（ｅ）に示すように透明基板１の裏
面側から、換言すれば不透明金属材料からなる個別電極
２側から、例えば照度２０万ルクス程度の光を１時間程
度の時間にわたり照射して、アモルファス半導体膜３の
個別電極２によって光が遮られない部分、すなわち光電
変換素子間の部分を露光する。この工程により、第１図
（ｆ）に示すようにアモルファス半導体膜３の露光され
た部分は高抵抗層３′となる。
終了した後、第１図（ｅ）に示すように透明基板１の裏
面側から、換言すれば不透明金属材料からなる個別電極
２側から、例えば照度２０万ルクス程度の光を１時間程
度の時間にわたり照射して、アモルファス半導体膜３の
個別電極２によって光が遮られない部分、すなわち光電
変換素子間の部分を露光する。この工程により、第１図
（ｆ）に示すようにアモルファス半導体膜３の露光され
た部分は高抵抗層３′となる。
第２図はこのようにして得られるイメージセンサの構造
を示したもので、第１図と相対応する部分に同一符号を
付しである。なお、図中の記号５は必ずしも必要なもの
ではないが、透明導電膜からなる共通電極４の電気抵抗
を下げてここでの電圧ドロップを小さくするためのＣｒ
１ｌ１等からなる補助共通電極であり、通常、個別電極
２と同時に形成される。
を示したもので、第１図と相対応する部分に同一符号を
付しである。なお、図中の記号５は必ずしも必要なもの
ではないが、透明導電膜からなる共通電極４の電気抵抗
を下げてここでの電圧ドロップを小さくするためのＣｒ
１ｌ１等からなる補助共通電極であり、通常、個別電極
２と同時に形成される。
第３図は上述した本発明の方法で製造したイメージセン
サにおける光電流Ｉｐ （＝Ｉｃ＋ＩＬ）と信号電流１
ｃとの比（Ｉｐ／Ｉｃ）と、隣接する個別電極間の電位
差との関係を、２ｉｍ〜２４／ｍの各密度のイメージセ
ンサについて測定した結果を示したもので、温度２０℃
の下で照射光の照度を１００ルクスとして測定を行なっ
た。この第３図のグラフによれば、隣接する個別電極間
の電位差が０．５Ｖ存在した場合、信号電流１ｃに対す
るリーク電流ＩＬの比率は８／ａ＋のちので約２％、１
６／ａ１１のもので約５％、２４／ｍのもので約５％と
大幅に低下し、２４／ｌｅａの高密度イメージセンサに
おいても実用範囲内（３０％以下）に抑えられているこ
とがわかる。
サにおける光電流Ｉｐ （＝Ｉｃ＋ＩＬ）と信号電流１
ｃとの比（Ｉｐ／Ｉｃ）と、隣接する個別電極間の電位
差との関係を、２ｉｍ〜２４／ｍの各密度のイメージセ
ンサについて測定した結果を示したもので、温度２０℃
の下で照射光の照度を１００ルクスとして測定を行なっ
た。この第３図のグラフによれば、隣接する個別電極間
の電位差が０．５Ｖ存在した場合、信号電流１ｃに対す
るリーク電流ＩＬの比率は８／ａ＋のちので約２％、１
６／ａ１１のもので約５％、２４／ｍのもので約５％と
大幅に低下し、２４／ｌｅａの高密度イメージセンサに
おいても実用範囲内（３０％以下）に抑えられているこ
とがわかる。
また、第４図は本発明の方法で製造したイメージセンサ
のリーク電流ＩＬと信号電流１ｃの比（ＩＬ／Ｉｃ）と
、センサ密度との関係を測定した結果を示したもので、
第１図（ｆ）の工程を有しない従来法によって製造した
イメージセンサのそれも併せて示している。測定は隣接
する個別電極間の電位差を１■とし、その他の条件は第
３図の場合と同一とした。この第４図のグラフによれば
、本発明の方法を実施することによって信号電流に対す
るリーク電流の比（ＩＬ／ＩＣ）は約１／１５と大幅に
減少する。
のリーク電流ＩＬと信号電流１ｃの比（ＩＬ／Ｉｃ）と
、センサ密度との関係を測定した結果を示したもので、
第１図（ｆ）の工程を有しない従来法によって製造した
イメージセンサのそれも併せて示している。測定は隣接
する個別電極間の電位差を１■とし、その他の条件は第
３図の場合と同一とした。この第４図のグラフによれば
、本発明の方法を実施することによって信号電流に対す
るリーク電流の比（ＩＬ／ＩＣ）は約１／１５と大幅に
減少する。
このように、本発明によればリーク電流の比率を１桁以
上も減少させることが可能であり、８ｉ履以上といった
高密度のイメージセンサを、特性の劣化を伴わず、また
位置合せ等の煩雑な工程を要することなく、容易に実現
することができる。
上も減少させることが可能であり、８ｉ履以上といった
高密度のイメージセンサを、特性の劣化を伴わず、また
位置合せ等の煩雑な工程を要することなく、容易に実現
することができる。
なお、上記実施例では不透明金属材料からなる個別電極
が基板側にあるイメージセンサについて例示したが、本
発明は透明導電膜からなる共通電極が基板側にあるイメ
ージセンサについても適用が可能であり、その実施例の
製造工程を第５図に示す。この実施例においては、まず
第５図（ａ）に示すように透明基板１１上にＩＴＯ等の
透明導電膜からなる共通電極１２を形成した後、第５図
（ｂ）に示すようにアモルファス半導体膜１３を形成し
、その上に第５図（Ｃ）に示すようにＣｒ等の不透明金
属材料のｌｌｌ１１４’ を形成し、さらに第５図（ｄ
）に示すようにＰＥＰ工程によりパターンニングして個
別電極１４とする。次に、第５図（ｅ）に示すように個
別電極１４側から露光を行ない、第５図（ｆ）に示すよ
うにアモルファス半導体！１１１３の充電変換素子間の
部分を高抵抗層１３′とする。
が基板側にあるイメージセンサについて例示したが、本
発明は透明導電膜からなる共通電極が基板側にあるイメ
ージセンサについても適用が可能であり、その実施例の
製造工程を第５図に示す。この実施例においては、まず
第５図（ａ）に示すように透明基板１１上にＩＴＯ等の
透明導電膜からなる共通電極１２を形成した後、第５図
（ｂ）に示すようにアモルファス半導体膜１３を形成し
、その上に第５図（Ｃ）に示すようにＣｒ等の不透明金
属材料のｌｌｌ１１４’ を形成し、さらに第５図（ｄ
）に示すようにＰＥＰ工程によりパターンニングして個
別電極１４とする。次に、第５図（ｅ）に示すように個
別電極１４側から露光を行ない、第５図（ｆ）に示すよ
うにアモルファス半導体！１１１３の充電変換素子間の
部分を高抵抗層１３′とする。
このようにして製造されるイメージセンサにおいても、
先の実施例と同様の効果が得られる。なお、この実施例
におけるイメージセンサは画像の読取りを基板１１側か
ら行なうので、基板１１としてはやはり透明材料である
ことが必要となる。
先の実施例と同様の効果が得られる。なお、この実施例
におけるイメージセンサは画像の読取りを基板１１側か
ら行なうので、基板１１としてはやはり透明材料である
ことが必要となる。
本発明はその他、要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施
が可能である。例えば以上の説明ではアモルファス半導
体膜としてａ−３ｉ：Ｈ９ｌを示したが、適当な光照射
によって前述したＳ ｔａｅｂｌｅｒ−ＷＯｎＳｋ＋効
果を有する材料であればよく、ａ−３ｉ：Ｈに代えてａ
−８ｉＣ：Ｈ，ａ−８ｔ ：Ｆ。
が可能である。例えば以上の説明ではアモルファス半導
体膜としてａ−３ｉ：Ｈ９ｌを示したが、適当な光照射
によって前述したＳ ｔａｅｂｌｅｒ−ＷＯｎＳｋ＋効
果を有する材料であればよく、ａ−３ｉ：Ｈに代えてａ
−８ｉＣ：Ｈ，ａ−８ｔ ：Ｆ。
ａ−Ｇｅ：Ｈ等を用いることもできる。要するに半導体
元素として３ｉ、Ｑｅ等の■族元素から選択した少なく
とも１種を含み、さらに膜中のダングリング・ボンドと
してＨ，Ｆ等から選択した少なくとも１種を含むアモル
ファス半導体膜であれば本発明を適用できる。また、ア
モルファス半導体膜に含まれるＨ、Ｆ等の成分の比率は
、１０〜４０［ａｔ、％］程度が適当である。
元素として３ｉ、Ｑｅ等の■族元素から選択した少なく
とも１種を含み、さらに膜中のダングリング・ボンドと
してＨ，Ｆ等から選択した少なくとも１種を含むアモル
ファス半導体膜であれば本発明を適用できる。また、ア
モルファス半導体膜に含まれるＨ、Ｆ等の成分の比率は
、１０〜４０［ａｔ、％］程度が適当である。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例に係るイメー
ジセンサの製造方法を説明するための工程図、第２図（
ａ）（ｂ）は同実施例の製造方法によって得られるイメ
ージセンサの構造を示す平面図およびＡ−Ａ断面図、第
３＠は本発明の製造方法によって得られたイメージセン
サにおける光電流と信号電流との比と隣接する個別電極
間の電位差との関係をイメージセンサの密度を種々変え
て測定した結果を示す図、第４図は本発明の製造方法に
よって得られたイメージセンサおよび従来法によって得
られたイメージセンサについてリーク電流と信号電流と
の比とイメージセンサの密度との関係を測定した結果を
示す図、第５図（ａ）〜（ｆ）は本発明の他の実施例に
係るイメージセンサの製造方法を示す説明するための工
程図、第６図は従来法によって得られたイメージセンサ
における光電流と信号電流との比と隣接する個別電極間
の電位差との関係をイメージセンサの密度を種々変えて
測定した結果を示す図である。 １．１１・・・透明基板、２，１４・・・不透明金属材
料からなる個別電極、３，１３・・・アモルファス半導
体膜、３’、１３’・・・高抵抗層、４，１２・・・透
明導電膜からなる共通電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 （ａ） 第３図 ＰＡ才１すダ固別電羽と開の電イ立差（Ｖ）第４図 奮１ノ セソサ富度 （１ｈ昨） 第５図
ジセンサの製造方法を説明するための工程図、第２図（
ａ）（ｂ）は同実施例の製造方法によって得られるイメ
ージセンサの構造を示す平面図およびＡ−Ａ断面図、第
３＠は本発明の製造方法によって得られたイメージセン
サにおける光電流と信号電流との比と隣接する個別電極
間の電位差との関係をイメージセンサの密度を種々変え
て測定した結果を示す図、第４図は本発明の製造方法に
よって得られたイメージセンサおよび従来法によって得
られたイメージセンサについてリーク電流と信号電流と
の比とイメージセンサの密度との関係を測定した結果を
示す図、第５図（ａ）〜（ｆ）は本発明の他の実施例に
係るイメージセンサの製造方法を示す説明するための工
程図、第６図は従来法によって得られたイメージセンサ
における光電流と信号電流との比と隣接する個別電極間
の電位差との関係をイメージセンサの密度を種々変えて
測定した結果を示す図である。 １．１１・・・透明基板、２，１４・・・不透明金属材
料からなる個別電極、３，１３・・・アモルファス半導
体膜、３’、１３’・・・高抵抗層、４，１２・・・透
明導電膜からなる共通電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 （ａ） 第３図 ＰＡ才１すダ固別電羽と開の電イ立差（Ｖ）第４図 奮１ノ セソサ富度 （１ｈ昨） 第５図
Claims (1)
- 複数に分割された不透明金属材料からなる個別電極と、
透明導電膜からなる共通電極とでアモルファス半導体膜
を挟んで構成された複数個の光電変換素子を基板上に配
列してなるイメージセンサの製造方法において、前記個
別電極側から光を照射することにより前記アモルファス
半導体膜の前記光電変換素子間の部分を露光して高抵抗
化する工程を有することを特徴とするイメージセンサの
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038055A JPS61198668A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | イメ−ジセンサの製造方法 |
| EP86300928A EP0193304A3 (en) | 1985-02-27 | 1986-02-11 | Image sensor manufacturing method |
| US06/828,648 US4671853A (en) | 1985-02-27 | 1986-02-12 | Image sensor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038055A JPS61198668A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198668A true JPS61198668A (ja) | 1986-09-03 |
| JPH0369186B2 JPH0369186B2 (ja) | 1991-10-31 |
Family
ID=12514821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60038055A Granted JPS61198668A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4671853A (ja) |
| EP (1) | EP0193304A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61198668A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0289044B1 (en) * | 1987-04-30 | 1997-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Color image sensor and manufacturing method thereof |
| EP0361481B1 (en) * | 1988-09-30 | 1995-04-05 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Method of stabilizing amorphous semiconductors |
| DE4125928A1 (de) * | 1991-08-05 | 1993-02-11 | Siemens Ag | Detektorsystem |
| US5288649A (en) * | 1991-09-30 | 1994-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming uncooled infrared detector |
| US5449923A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector |
| GB9415584D0 (en) * | 1994-08-02 | 1994-09-21 | Imperial College | Photo detector |
| GB9509410D0 (en) | 1995-05-10 | 1995-07-05 | Imperial College | Molecular imaging |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4371738A (en) * | 1981-05-04 | 1983-02-01 | Rca Corporation | Method of restoring degraded solar cells |
| JPS58130563A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Seiko Epson Corp | イメ−ジセンサの製造方法 |
| JPS58195356A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-14 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS5984254A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| US4528065A (en) * | 1982-11-24 | 1985-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and its manufacturing method |
| US4568409A (en) * | 1983-11-17 | 1986-02-04 | Chronar Corp. | Precision marking of layers |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60038055A patent/JPS61198668A/ja active Granted
-
1986
- 1986-02-11 EP EP86300928A patent/EP0193304A3/en not_active Ceased
- 1986-02-12 US US06/828,648 patent/US4671853A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0193304A3 (en) | 1989-03-15 |
| US4671853A (en) | 1987-06-09 |
| EP0193304A2 (en) | 1986-09-03 |
| JPH0369186B2 (ja) | 1991-10-31 |
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