JPS61194825A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- JPS61194825A JPS61194825A JP60035608A JP3560885A JPS61194825A JP S61194825 A JPS61194825 A JP S61194825A JP 60035608 A JP60035608 A JP 60035608A JP 3560885 A JP3560885 A JP 3560885A JP S61194825 A JPS61194825 A JP S61194825A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明Ｆｉ酸素を含有する堆積膜、とりわけ機能性膜、
殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画像
入力用のラインセンサー、撮像テバイス、光起電力素子
などに用いる非晶質乃至は結晶賞のｍ素を含有する堆積
膜を形成するのに好適な方法に関する。
殊に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画像
入力用のラインセンサー、撮像テバイス、光起電力素子
などに用いる非晶質乃至は結晶賞のｍ素を含有する堆積
膜を形成するのに好適な方法に関する。
例えば、アモルファスシリコン膜の形成には。
真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法１法名反応性
スパッタリング法オンブレーティング法。
スパッタリング法オンブレーティング法。
光ＣＶＤ法などが試みられて七）、一般的には、プラズ
マＣＶＤ法が広く用−られ、企業化されている。
マＣＶＤ法が広く用−られ、企業化されている。
百年らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなシ複雑であり、その灰
石機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入ガ
スの流量と比。
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなシ複雑であり、その灰
石機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入ガ
スの流量と比。
形成時の圧力、高周波電力、電極構造１反応容器の構造
、排気速度、プラズマ発生方式など）これら多くのパラ
メータの組合せによるため１時にはプラズマが不安定な
状態になり、形成された堆積膜に著しい悪影響を与える
ことが少なくなかった。
、排気速度、プラズマ発生方式など）これら多くのパラ
メータの組合せによるため１時にはプラズマが不安定な
状態になり、形成された堆積膜に著しい悪影響を与える
ことが少なくなかった。
そのうえ、装置特有のパラメータを装置ごとに選定しな
ければならず、したがって製造条件を一般化することが
むすかし込のが実状であった。一方、アモルファスシリ
コン膜として電気的、光学的。
ければならず、したがって製造条件を一般化することが
むすかし込のが実状であった。一方、アモルファスシリ
コン膜として電気的、光学的。
光導電的乃至は機械的特性の夫々を十分に満足させ得る
ものを発現させるためには、現状ではプラズマＣＶＤ法
によって形成することが最良とされている。
ものを発現させるためには、現状ではプラズマＣＶＤ法
によって形成することが最良とされている。
丙午ら、堆積膜の応用用除によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ。
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ。
しかも高速成膜によって再現性のある量産化を図ねばな
らないため、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリ
コン堆積膜の形成にお込てＩ／′ｉ、量産装置ｌこ多大
な設備投資が必要となって、またその量産の為の管理項
目も複雑になり、管理許容幅も狭くなシ、装置の調整も
微妙であることから、これらのことが、今後改善すべき
問題点として指摘されている。他方１通常のＣＶＤ法に
よる従来の技術では、高温を必要とし、実用可能な特性
を有する堆積膜が得られていなかった。
らないため、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリ
コン堆積膜の形成にお込てＩ／′ｉ、量産装置ｌこ多大
な設備投資が必要となって、またその量産の為の管理項
目も複雑になり、管理許容幅も狭くなシ、装置の調整も
微妙であることから、これらのことが、今後改善すべき
問題点として指摘されている。他方１通常のＣＶＤ法に
よる従来の技術では、高温を必要とし、実用可能な特性
を有する堆積膜が得られていなかった。
上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは。
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは。
他の機能性膜１例えば窒化シリコン膜、炭化シリコン膜
、酸化シリコン膜に於ても同様なことがいえるＯ 本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共に、従来の形成方法にょらなＩｘｌｊｒ規な堆、ｔ
＃膜膜形成分提供するものである。
、酸化シリコン膜に於ても同様なことがいえるＯ 本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共に、従来の形成方法にょらなＩｘｌｊｒ規な堆、ｔ
＃膜膜形成分提供するものである。
本発明の目的は、形成される膜の緒特性、成膜速度、再
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の向上及び量産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の向上及び量産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。
上記目的は、基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内
に、ゲルマニウムとハロゲンを含む化合物を分解するこ
とにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と
化学的相互作用をする成膜用のｔＳＸ含有化合物上刃生
成される活性、ｆｌ（Ｂ）とを夫々側々に導入し、これ
らに光エネルギーを照射して、化学反応させる事によっ
て、前記基体上に堆積膜を形成する享を特徴とする本発
明の堆積膜形成法番こよって達成される。
に、ゲルマニウムとハロゲンを含む化合物を分解するこ
とにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と
化学的相互作用をする成膜用のｔＳＸ含有化合物上刃生
成される活性、ｆｌ（Ｂ）とを夫々側々に導入し、これ
らに光エネルギーを照射して、化学反応させる事によっ
て、前記基体上に堆積膜を形成する享を特徴とする本発
明の堆積膜形成法番こよって達成される。
本発明方法では、堆積膜を形成する為の成膜窓ｒＩｊＪ
Ｊｒ−お論でプラズマを生起させる代シに、ゲルマニウ
ムとハロゲンを含む化合物を分解することによ°シ生成
される活性種（Ａ）と、成膜用の酸素含有化合物より生
成される活性種（Ｂ）との共存下において、これ等に光
エネルギーを作用させることにょシ、これ等による化学
的相互作用を生起させ或いは促進、増幅させるため、形
成される堆積膜は、エツチング作用、或いはその他の例
えば異常放電作用などによる悪影響を受けることはな−
。
Ｊｒ−お論でプラズマを生起させる代シに、ゲルマニウ
ムとハロゲンを含む化合物を分解することによ°シ生成
される活性種（Ａ）と、成膜用の酸素含有化合物より生
成される活性種（Ｂ）との共存下において、これ等に光
エネルギーを作用させることにょシ、これ等による化学
的相互作用を生起させ或いは促進、増幅させるため、形
成される堆積膜は、エツチング作用、或いはその他の例
えば異常放電作用などによる悪影響を受けることはな−
。
又１本発明によれば、成膜空間の雰囲気温度、基体温度
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法とすることができる。
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法とすることができる。
更に、励起エネルギーは成膜用の基体近傍に到達した各
活性種に一様にあるーは選択的制御的に付与されるが、
光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系を用いて基体
の全体に照射して堆積膜を形成することができるし、あ
るいけ所望部分のみに選択的制御的に照射して部分的に
堆積膜を形成することができ、またレジスト等を使用し
て所定の図形部分のみに照射し堆積膜を形成できるなど
の便利さを有しているため、有利に用いられる。
活性種に一様にあるーは選択的制御的に付与されるが、
光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系を用いて基体
の全体に照射して堆積膜を形成することができるし、あ
るいけ所望部分のみに選択的制御的に照射して部分的に
堆積膜を形成することができ、またレジスト等を使用し
て所定の図形部分のみに照射し堆積膜を形成できるなど
の便利さを有しているため、有利に用いられる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜を間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於いて活性化された活性種を使うことである。こ
のことによう、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に
伸ばすことができ。
かじめ成膜を間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）に於いて活性化された活性種を使うことである。こ
のことによう、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に
伸ばすことができ。
加えて堆積膜形成の際の基体温度も一層の低温化を図る
ことが可能１こなり、膜品質の安定した堆積膜を工業的
に大量に、しかも低コストで提供できる。
ことが可能１こなり、膜品質の安定した堆積膜を工業的
に大量に、しかも低コストで提供できる。
尚、本発明での前記活性種（Ａ）とは、前記酸素含有化
合物より生成される活性種ＣＢ）と化学的相互作用を起
して例えばエネルギーを付与した）、化学反応を起した
シして、堆積膜の形成を促す作用を有するものを云う。
合物より生成される活性種ＣＢ）と化学的相互作用を起
して例えばエネルギーを付与した）、化学反応を起した
シして、堆積膜の形成を促す作用を有するものを云う。
従って、活性種（Ａ）としては、形成される堆積膜を構
成する構成要素に成る構成要素を含んでいても良く、あ
るいはその様な構成要素を含んで−なくともよい。また
。
成する構成要素に成る構成要素を含んでいても良く、あ
るいはその様な構成要素を含んで−なくともよい。また
。
これに相応して、本発明で使用する酸素含有化合物は形
成される堆積膜を構成する構成要素に成る構成要素を含
むことによル堆積膜形成用の原料となり得る酸素含有化
合物でもよいし、形成される堆積膜を構成する構成要素
に成る構成要素を含まず単に成膜のための原料とのみな
９得る酸素含有化合物でもよい。あるいは、これらの堆
積膜形成用の原料とな勺得る＃素含有化合物と成膜のた
めの原料となシ得る酸素含有化合物とを併用してもより
０ 本発明で使用するｍ素含有化合物は、活性化空間（Ｂ）
に導入される以前に既に気体状態となっているか、ある
いは気体状態とされて導入されることが好ましい。例え
ば液状及び固状の化合物を用いる場合、化合物供給源に
適宜の気化装置を接続して化合物を気化してから活性化
空間ＣＢ）に導入することができる。
成される堆積膜を構成する構成要素に成る構成要素を含
むことによル堆積膜形成用の原料となり得る酸素含有化
合物でもよいし、形成される堆積膜を構成する構成要素
に成る構成要素を含まず単に成膜のための原料とのみな
９得る酸素含有化合物でもよい。あるいは、これらの堆
積膜形成用の原料とな勺得る＃素含有化合物と成膜のた
めの原料となシ得る酸素含有化合物とを併用してもより
０ 本発明で使用するｍ素含有化合物は、活性化空間（Ｂ）
に導入される以前に既に気体状態となっているか、ある
いは気体状態とされて導入されることが好ましい。例え
ば液状及び固状の化合物を用いる場合、化合物供給源に
適宜の気化装置を接続して化合物を気化してから活性化
空間ＣＢ）に導入することができる。
ｆＩｔ素含有化合物としては、ａ素（０り、オゾン（０
，）等の酸素単体成分の化合物、並びに酸素と酸素以外
の原子の１株又は２種以上とを構成原子とする化合物が
挙げられる。前記酸素以外の原子としては、水素（Ｈ）
、ハロゲン（Ｘ＝Ｆ。
，）等の酸素単体成分の化合物、並びに酸素と酸素以外
の原子の１株又は２種以上とを構成原子とする化合物が
挙げられる。前記酸素以外の原子としては、水素（Ｈ）
、ハロゲン（Ｘ＝Ｆ。
Ｃ１，Ｂｒ又は工）、イオウ（Ｓ）、炭Ｘ（Ｃ）。
ゲルマニウム（Ｇｅ）等があシ、この他周期律表各族に
属する元素の原子のうち酸素と化合し得る原子であって
、本発明の目的を達成し得る化合物を構成する原子であ
るならば大概のものを使用することができる。
属する元素の原子のうち酸素と化合し得る原子であって
、本発明の目的を達成し得る化合物を構成する原子であ
るならば大概のものを使用することができる。
因みに１例えば０とＨを含む化合物としては、Ｈ，０１
Ｈ３０１等、０とＳを含む化合物としては。
Ｈ３０１等、０とＳを含む化合物としては。
Ｓｏｗ、ＳＯｘ等の酸化物類、ＯとＣを含む化合物とし
てに、 ：ｃｏ、ｃｏ、 等の酸化物等
、０とＳｔを含む化合物としては、ジシロキサン（Ｈ３
ＳｉＯ８ｉＨ，）、トリシロキサン（ＨａＳ ｉ ＯＳ
ｉ ＨｘＯ８ｉ Ｈａ ）等のシロキサン類。
てに、 ：ｃｏ、ｃｏ、 等の酸化物等
、０とＳｔを含む化合物としては、ジシロキサン（Ｈ３
ＳｉＯ８ｉＨ，）、トリシロキサン（ＨａＳ ｉ ＯＳ
ｉ ＨｘＯ８ｉ Ｈａ ）等のシロキサン類。
（ＣＨｓ） ！Ｓ ｉ （０ＣＯＣＨａ） ＊ 、 Ｃ
ＨｓＳ ｌ （０ＣＯＣＨｓ） ｓ等のオルガノアセト
キシシラン（ＣＨ，）、５ｉＯＣＨ，、（ＣＨｓ ）
！Ｓ １ ’（ＱＣＪ（、ｓ ） ＊、ＣＨａＳ ｌ
（０ＣＥａ） ｓ等のアルキルアルコキシシラン、（Ｃ
Ｈｓ）ｓｓｉＯＨ。
ＨｓＳ ｌ （０ＣＯＣＨｓ） ｓ等のオルガノアセト
キシシラン（ＣＨ，）、５ｉＯＣＨ，、（ＣＨｓ ）
！Ｓ １ ’（ＱＣＪ（、ｓ ） ＊、ＣＨａＳ ｌ
（０ＣＥａ） ｓ等のアルキルアルコキシシラン、（Ｃ
Ｈｓ）ｓｓｉＯＨ。
（ＣＨｍ） ＊（Ｃａｎｓ） Ｓ ｉＯＨ１（Ｃａｎｓ
） ＊Ｓ ｉ （ＯＨ） を等のオルガノシラノール等
、ＯとＧｏを含む化合物としてはｓ Ｇ ｅの酸化物類
、水酸化物類、ゲルマニウム酸類、 ＨｎＧｅＯＧｅ）
ｉｌ、Ｈ，Ｇｅ０ＧｅＨ，０−ＧｅＨｌ等の有機ゲルマ
ニウム化合物等が挙げられる。
） ＊Ｓ ｉ （ＯＨ） を等のオルガノシラノール等
、ＯとＧｏを含む化合物としてはｓ Ｇ ｅの酸化物類
、水酸化物類、ゲルマニウム酸類、 ＨｎＧｅＯＧｅ）
ｉｌ、Ｈ，Ｇｅ０ＧｅＨ，０−ＧｅＨｌ等の有機ゲルマ
ニウム化合物等が挙げられる。
これらの酸素含有化合物は、１種を使用しても、あるい
は２種以上を併用してもよい。
は２種以上を併用してもよい。
本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱−易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、エル好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用される。
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱−易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、エル好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用される。
本発明におじで、活性化空間（Ａ）に導入されるゲルマ
ニウムとハロゲンを含む化合物としては。
ニウムとハロゲンを含む化合物としては。
例えば鎖状又は環状水素化ゲルマニウム化合物の水素原
子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用
いられ、具体的には１例えば。
子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換した化合物が用
いられ、具体的には１例えば。
Ｃ１，Ｂｒ及び工のうちから選択される少なくとも１＆
である。）で示される鎖状ハロゲン化ゲルは前述の意味
を有する。）で示される環状へロゲ前述の意味を有する
。Ｘ＋）””２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖
状又は環状化合物などが挙げられる。
である。）で示される鎖状ハロゲン化ゲルは前述の意味
を有する。）で示される環状へロゲ前述の意味を有する
。Ｘ＋）””２ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖
状又は環状化合物などが挙げられる。
具体的には例えばＧ ｅ Ｆ ４、（Ｇ ｅ Ｆ ｔ
） ｓ ｓ （Ｇ ｅ Ｆ ２ ）６、（ＧｅＦ、）、
、 ＧｅｔＦａ、ｃｅ、Ｆａ、 ＧｅＨＦ１． Ｇ１３
Ｈ！Ｆ！、Ｇｏａｌ、（ＧｅＣ１，）、、Ｇｅ Ｅ ｒ
４、（Ｇｅｎｒｍ）ｓ、Ｇｅ、ｃ １．、ＧｅｔＢｒ６
． ＧｅＨＣＡ！ｍ、Ｇ ｅ ＨＢ ｒ ｓ、ＧｅＨ
ＩＡ％ＧｅｌＣｌ、Ｆ’、などのガス状態の又は容易に
ガス化し得るものが挙げられる。
） ｓ ｓ （Ｇ ｅ Ｆ ２ ）６、（ＧｅＦ、）、
、 ＧｅｔＦａ、ｃｅ、Ｆａ、 ＧｅＨＦ１． Ｇ１３
Ｈ！Ｆ！、Ｇｏａｌ、（ＧｅＣ１，）、、Ｇｅ Ｅ ｒ
４、（Ｇｅｎｒｍ）ｓ、Ｇｅ、ｃ １．、ＧｅｔＢｒ６
． ＧｅＨＣＡ！ｍ、Ｇ ｅ ＨＢ ｒ ｓ、ＧｅＨ
ＩＡ％ＧｅｌＣｌ、Ｆ’、などのガス状態の又は容易に
ガス化し得るものが挙げられる。
また１本発明ｌこおいては、前記ゲルマニウムとハロゲ
ンを含む化合物を分解することにより生成される活性＆
（Ａ ）に加えて、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分
解することにより生成される活性種（ＳＸ）及び／又は
炭素とハロゲンを含む化合物を分解することにより生成
される活性ａ（ＣＸ）を併用することができる。
ンを含む化合物を分解することにより生成される活性＆
（Ａ ）に加えて、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分
解することにより生成される活性種（ＳＸ）及び／又は
炭素とハロゲンを含む化合物を分解することにより生成
される活性ａ（ＣＸ）を併用することができる。
このケイ素とハロゲンを含む化合物としては。
例えば鎖状又は環状シラン化合物の水素原子の一部乃至
全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体
的には１例えば、Ｓｉ Ｙｕ ２ｕ＋２ （ｕ＃ｉ１以上の整数、ＹはＦ、Ｃ１，Ｂｒ及び工の中
から選択される少なくとも１つの元素である。）で示さ
れる鎖状ハロゲン化ケイ素、Ｓｉ Ｙ ２Ｖ （Ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）（Ｕ
及びＹは前述の、！味を有する。ｘ 十’ｙ ＝ ２ｕ
又は２ｕ＋２であるユ）で示される鎖状又は環状化合物
などが挙げられる。
全部をハロゲン原子で置換した化合物が用いられ、具体
的には１例えば、Ｓｉ Ｙｕ ２ｕ＋２ （ｕ＃ｉ１以上の整数、ＹはＦ、Ｃ１，Ｂｒ及び工の中
から選択される少なくとも１つの元素である。）で示さ
れる鎖状ハロゲン化ケイ素、Ｓｉ Ｙ ２Ｖ （Ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）（Ｕ
及びＹは前述の、！味を有する。ｘ 十’ｙ ＝ ２ｕ
又は２ｕ＋２であるユ）で示される鎖状又は環状化合物
などが挙げられる。
具体的には例えばＳｉＦ、、（ＳｉＦ、）、、（ＳｉＦ
、）、。
、）、。
ｔｓｉＦ’ｚ）ｎ、 ５ｉｔｅ’ｓ、 Ｓｔ、Ｆ、、
５ｉＨＦ、、 ＳｉＨ，Ｆ’、、５ｉＣ１４（ＳＩＣ１
ｚ）５＋−５ＩＢｒ４− （ＳＩＢｒｌ）ｇ−８ｉ、Ｃ
１，，５ｉＪｒ、、５ｉＨＣＪｓ、５ｉＨＢｒｌ。
５ｉＨＦ、、 ＳｉＨ，Ｆ’、、５ｉＣ１４（ＳＩＣ１
ｚ）５＋−５ＩＢｒ４− （ＳＩＢｒｌ）ｇ−８ｉ、Ｃ
１，，５ｉＪｒ、、５ｉＨＣＪｓ、５ｉＨＢｒｌ。
５ｉＨＩ、、Ｓ ｉ、ｃｌ、ｌｉ’、 ｆｚ トノカス
状態ノ又ｕ容）Ａにガス化し得るものが挙げられる。
状態ノ又ｕ容）Ａにガス化し得るものが挙げられる。
これらのケイ素化合物は、１種用いて本２種以上を併用
してもよい。
してもよい。
また、炭素とハロゲンを含む化合物としては。
例えば鎖状又は環状炭化水素化合物の水素原子の一部乃
至全部をハロゲン原子でＩｔ換した化合物が用いられ、
具体的には１例えば、ＣＹ ｕ ２ｕ＋２ （Ｕは１以上の整数、ＹはＦ％Ｃ１，Ｂｒ及び工の中か
ら選択される少なくとも１つの元素である。）で示され
る鎖状ハロゲン化炭素、ＣＹ ２Ｖ （Ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示
される環状ハロゲン化ケイ素、ＣＨＹｕＸ７ （Ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ −１−ｙ＝ ２
ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化
合物々とが挙げられる。
至全部をハロゲン原子でＩｔ換した化合物が用いられ、
具体的には１例えば、ＣＹ ｕ ２ｕ＋２ （Ｕは１以上の整数、ＹはＦ％Ｃ１，Ｂｒ及び工の中か
ら選択される少なくとも１つの元素である。）で示され
る鎖状ハロゲン化炭素、ＣＹ ２Ｖ （Ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示
される環状ハロゲン化ケイ素、ＣＨＹｕＸ７ （Ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｘ −１−ｙ＝ ２
ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化
合物々とが挙げられる。
具体めには例えばＣＦい （ＣＦ ！ ） ｓ −（Ｃ
Ｆ ！ ）い（ＣＦ ｔ ） ４、ＣｚＦａ、 Ｃ５Ｆ
ｓ、 ＣＨＦ５．ＣＨ！Ｆ！。
Ｆ ！ ）い（ＣＦ ｔ ） ４、ＣｚＦａ、 Ｃ５Ｆ
ｓ、 ＣＨＦ５．ＣＨ！Ｆ！。
ＣＣＩ、（Ｃｃｌｔ）ｓ、ＣＢｒ＜−（ＣＢｒｚ）＋＋
−ＣＩＣ１ｌｌ。
−ＣＩＣ１ｌｌ。
ＣｔＢｒａ、 ＣＨＣｌ５．Ｃｆ１Ｂｒｓ＊ ＣＨＩｓ
、 ＣｔＣｌｓＦｍなどのガス状態の又は容易にガス化
し得るものが挙げられる。
、 ＣｔＣｌｓＦｍなどのガス状態の又は容易にガス化
し得るものが挙げられる。
これらの炭素含有化合物は、１種用いても２２ｆｔ以上
を併用してもよい。
を併用してもよい。
活性種（Ａ）を生成させるためには１例えば前記ゲルマ
ニウムとハロゲンを含む化合物の活性種（Ａ）を生成さ
せる場合には、この化合物に加えて、必要に応じてゲル
マニウム単体等信のダルマニウム化合物、水素、ハロゲ
ン化合物（例えばＦ、ガス、 Ｃ１，ガス、ガス化した
Ｂｒｔ、 Ｉｔ等）などを併用することができる。
ニウムとハロゲンを含む化合物の活性種（Ａ）を生成さ
せる場合には、この化合物に加えて、必要に応じてゲル
マニウム単体等信のダルマニウム化合物、水素、ハロゲ
ン化合物（例えばＦ、ガス、 Ｃ１，ガス、ガス化した
Ｂｒｔ、 Ｉｔ等）などを併用することができる。
本発明において、活性化空間（Ａ）及び（Ｂ）で夫々活
性種（Ａ）及びＣＢ）を生成させる方法としては、各々
の条件、装ｒＩｔを考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波
、ＤＣ等の電気工床ルギー、ヒーＪ−加熱、赤外線加熱
等による熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネ
ルギーが使用される。
性種（Ａ）及びＣＢ）を生成させる方法としては、各々
の条件、装ｒＩｔを考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波
、ＤＣ等の電気工床ルギー、ヒーＪ−加熱、赤外線加熱
等による熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネ
ルギーが使用される。
上述したものに、活性化空間（Ａ）及びＣＢ）で熱、光
、電気などの活性化エネルギーを加えることにより、活
性種（Ａ）及び（Ｂ）の夫々が生成される。 ・ 本発明において、活性化空間（Ｂ）に於いて、酸素含有
化合物より生成される活性′Ｐｉｉ（Ｂ）と活性化空間
（Ａ）からの活性種（Ａ）との成膜空間における量の割
合は、成膜条件、活性釉の種類などで適宜所望に従って
決められるが、好ましくは１０：１〜１：１０（導入流
量比）適当であり。
、電気などの活性化エネルギーを加えることにより、活
性種（Ａ）及び（Ｂ）の夫々が生成される。 ・ 本発明において、活性化空間（Ｂ）に於いて、酸素含有
化合物より生成される活性′Ｐｉｉ（Ｂ）と活性化空間
（Ａ）からの活性種（Ａ）との成膜空間における量の割
合は、成膜条件、活性釉の種類などで適宜所望に従って
決められるが、好ましくは１０：１〜１：１０（導入流
量比）適当であり。
より好ましくは８：２〜４：６とされるのが望ましい。
本発明において、酸素含有化合物の他に、成膜のための
原料として水素ガス、ハロゲン化合物（例えばＦ、ガス
、Ｃ１，ガス、ガス化したＢｒｌ、■１等）Ｓヘリウム
、アルゴン、ネオン等の不活性ガス、また堆積膜形成用
の化学物質としてケイ素含有化合物、炭素含有化合物、
ゲルマニウム含有化合物などを活性化空間に導入して用
いることもできる。これらの化学物質の複数を用いる場
合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内に導入するこ
ともできるし、あるいはこれらの化学物質を夫々独立し
た供給源から各個別に供給し、活性化空間ＣＢ）に導入
することもできるし、又１個々に個別の活性化空間に導
入して夫々、活性化することもできる。
原料として水素ガス、ハロゲン化合物（例えばＦ、ガス
、Ｃ１，ガス、ガス化したＢｒｌ、■１等）Ｓヘリウム
、アルゴン、ネオン等の不活性ガス、また堆積膜形成用
の化学物質としてケイ素含有化合物、炭素含有化合物、
ゲルマニウム含有化合物などを活性化空間に導入して用
いることもできる。これらの化学物質の複数を用いる場
合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内に導入するこ
ともできるし、あるいはこれらの化学物質を夫々独立し
た供給源から各個別に供給し、活性化空間ＣＢ）に導入
することもできるし、又１個々に個別の活性化空間に導
入して夫々、活性化することもできる。
堆積膜形成用のケイ素含有化合物としては、ケイ素に水
素、ハロゲン、あるｔｎは炭化水素基などが結合したシ
ラン類及びハロゲン化シラン類等を用いることができる
。とりわけ鎖状及び環状のシラン化合物、この鎖状及び
環状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部をノ・ロ
ゲン原子で置換した化合物などが好適である。
素、ハロゲン、あるｔｎは炭化水素基などが結合したシ
ラン類及びハロゲン化シラン類等を用いることができる
。とりわけ鎖状及び環状のシラン化合物、この鎖状及び
環状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部をノ・ロ
ゲン原子で置換した化合物などが好適である。
具体的には、例えば、５ＩＨ４，５ｉｚＨａ−５１ｓＨ
＠、（ｐは１以上好ましくは１〜１５、より好ましくは
１−１０の整数である。）で示される直鎖状シラン化合
物、ＳＩＨｍＳｉＨ（ＳｉＨｚ）ＳｉＨｓ−８ｉＨ，５
ｉＨ（ＳｉＨｊ）Ｓｉ、Ｈ，。
＠、（ｐは１以上好ましくは１〜１５、より好ましくは
１−１０の整数である。）で示される直鎖状シラン化合
物、ＳＩＨｍＳｉＨ（ＳｉＨｚ）ＳｉＨｓ−８ｉＨ，５
ｉＨ（ＳｉＨｊ）Ｓｉ、Ｈ，。
（ｐは前述の意味を有する。）で示される分岐を有する
鎖状シラン化合物、これら直鎖状又は分岐を有する鎖状
のシラン化合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン原
子で置換した化合物、５ｉｊＨ６゜（ｑは３以上、好ま
しくは３〜６の整数である。）で示される環状シラン化
合物、該環状シラン化合物の水素原子の一部又は全部を
他の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル基で置換し
た化合物、上記例示したシラン化合物の水素原子の一部
又は全部をハロゲン原子で置換した化合物の例として、
Ｓ ＩＨ，Ｆ 、。
鎖状シラン化合物、これら直鎖状又は分岐を有する鎖状
のシラン化合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン原
子で置換した化合物、５ｉｊＨ６゜（ｑは３以上、好ま
しくは３〜６の整数である。）で示される環状シラン化
合物、該環状シラン化合物の水素原子の一部又は全部を
他の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル基で置換し
た化合物、上記例示したシラン化合物の水素原子の一部
又は全部をハロゲン原子で置換した化合物の例として、
Ｓ ＩＨ，Ｆ 、。
（Ｘはハロゲン原子、ｒは１以上、好ましくは１〜１０
．より好ましくは３〜７の整数、３＋ｔ＝２ｒ＋２又は
２ｒである。）で示されるハロゲン置換鎮状又は環状シ
ラン化合物などである。これらの化合物は、１種を使用
しても２株以上を併用してもよい。
．より好ましくは３〜７の整数、３＋ｔ＝２ｒ＋２又は
２ｒである。）で示されるハロゲン置換鎮状又は環状シ
ラン化合物などである。これらの化合物は、１種を使用
しても２株以上を併用してもよい。
また、堆積膜形成用の炭素含有化合物としては。
鎖状又は環状の飽和又は不飽和炭化水素化合物。
炭素と水素を主構成原子とし、この他ケイ素、ハロゲン
、イオウ等の１種又は２種以上を構成原子とする有機化
合物、炭化水素基を構成成分とする有機ケイ累化合物及
びケイ素と炭素との結合を有する有機ケイ素化合物など
のうち、気体状態のものか、容易に気化し得るものが好
適に用いられる。
、イオウ等の１種又は２種以上を構成原子とする有機化
合物、炭化水素基を構成成分とする有機ケイ累化合物及
びケイ素と炭素との結合を有する有機ケイ素化合物など
のうち、気体状態のものか、容易に気化し得るものが好
適に用いられる。
このうち、炭化水素化合物としては１例えば、炭素数１
〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水
嵩、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素環、具体的に
は、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ，） 、エタン
（Ｃ，Ｈ６） 、プロパン（ＣｍＨａ ） ｓ ｎ−ブ
タン（ｎ Ｃ４ｆ（Ｉｏ ） ｓペンタン（Ｃ，Ｈ，
、） 、エチレン系炭化水素としてはエチレン（Ｃ，Ｈ
，） 、プロピレン（Ｃ，Ｈ，）、ブテン−１（Ｃ，Ｈ
ａ ）、ブテン−２（（、ｆ（ｇ ）、インブチレン（
Ｃ，Ｈ，） 、ペンテン（Ｃ町Ｈ７゜）、アセチレン系
炭化水素としてはアセチレン（Ｃ，Ｈ２） 、メチルア
セチレン（ＣａＨ，）、ブチン（Ｃ，Ｈ，）等が挙げら
れる。
〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水
嵩、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素環、具体的に
は、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ，） 、エタン
（Ｃ，Ｈ６） 、プロパン（ＣｍＨａ ） ｓ ｎ−ブ
タン（ｎ Ｃ４ｆ（Ｉｏ ） ｓペンタン（Ｃ，Ｈ，
、） 、エチレン系炭化水素としてはエチレン（Ｃ，Ｈ
，） 、プロピレン（Ｃ，Ｈ，）、ブテン−１（Ｃ，Ｈ
ａ ）、ブテン−２（（、ｆ（ｇ ）、インブチレン（
Ｃ，Ｈ，） 、ペンテン（Ｃ町Ｈ７゜）、アセチレン系
炭化水素としてはアセチレン（Ｃ，Ｈ２） 、メチルア
セチレン（ＣａＨ，）、ブチン（Ｃ，Ｈ，）等が挙げら
れる。
ハロゲン置換炭化水素化合物としては、前記した炭化水
素化合物の構成成分である水素の少なくとも１つｆＦ、
Ｃ１，Ｂｒ、Ｉで置換した化合物を挙げることが出来、
殊に、２％Ｃｌで水素が置換された化合物が有効なもの
として挙げられる。
素化合物の構成成分である水素の少なくとも１つｆＦ、
Ｃ１，Ｂｒ、Ｉで置換した化合物を挙げることが出来、
殊に、２％Ｃｌで水素が置換された化合物が有効なもの
として挙げられる。
水素を置換するハロゲンとしては、１つの化合物の中で
１種でも２種以上であっても良い。
１種でも２種以上であっても良い。
有機ケイ素化合物とし、て１本発明に於いて使用される
化合物としてはオルガノシラン、オルガノハロゲンシラ
ン等を挙げることが出来る。
化合物としてはオルガノシラン、オルガノハロゲンシラ
ン等を挙げることが出来る。
オルガノシラン、オルガノハロゲンシランとしては、夫
々一般式； Ｒｎ５ｉＨ，ｎ、ＲｍＳｉＸ４−ｍ（但し
、：Ｒ：アルキル基、アリール基； Ｘ ： ＦｌＣｌ
ｓ Ｂｒｓ Ｉ ；ｎ＝１．２．３，４ ；ｍ＝１．２
゜３）で表わされる化合物であり１代表的には、アルキ
ルシラン、アリールシラン、アルキルノーロゲンシラン
、アリールノ飄ロゲンシランを挙げることが出来る・ 具体的には、 オルガノクロルシランとしては。
々一般式； Ｒｎ５ｉＨ，ｎ、ＲｍＳｉＸ４−ｍ（但し
、：Ｒ：アルキル基、アリール基； Ｘ ： ＦｌＣｌ
ｓ Ｂｒｓ Ｉ ；ｎ＝１．２．３，４ ；ｍ＝１．２
゜３）で表わされる化合物であり１代表的には、アルキ
ルシラン、アリールシラン、アルキルノーロゲンシラン
、アリールノ飄ロゲンシランを挙げることが出来る・ 具体的には、 オルガノクロルシランとしては。
トリクロルメチルシラン ＣＨ１ＳｉＣ！！ｍジクロル
ジメチルシラン （ＣＨｓ）ｘｓｉｃノ２クロルトリメ
チルシラン （ＣＨｍ）ｍｓｆｃＪトリクロルエチルシ
ラン ＣｍＨ，Ｓ ｉ （Ｊｓジクロルジエチルシラン
ＣＣ＊Ｈ＠）２Ｓ ｉＣ１＊オルガノクロルフルオル
シランとしては。
ジメチルシラン （ＣＨｓ）ｘｓｉｃノ２クロルトリメ
チルシラン （ＣＨｍ）ｍｓｆｃＪトリクロルエチルシ
ラン ＣｍＨ，Ｓ ｉ （Ｊｓジクロルジエチルシラン
ＣＣ＊Ｈ＠）２Ｓ ｉＣ１＊オルガノクロルフルオル
シランとしては。
クロルレジクルオルメチｌレジラン ＣＨｓ Ｓ ｔ
Ｆｔｃｌジクロルフルオルメチルシラン ＣＨ１ＳＩＦ
ＣＪ？＊クロルフルオルジメチルシラン （ＣＨｍ）
＊Ｓ １ＦＣＩクロルエ千ルジフルオルシラン（Ｃ、Ｈ
、）ＳｉＦ、ＣＪジクロルエチルフルオルシラン Ｃｔ
）（ｓｓｉＦ（Ｊ＊クロルジフルオルオルブロビルシラ
ン ＣｓＨｔ Ｓ Ｉ Ｆｔｃノ ジクロルフルオルプロピルシラン Ｃ＠ＨａＳｉ Ｆ Ｃ１ｔ オルガノシランとしては、 テトラメチルシラン （ＯＨ，）、Ｓｌ・エチル
トリメチルシラン （ＣＨ３）１ＳｉＣ，Ｈｌｌトリ
メシルプロピルシラン（ＣＨＩ）ｉｓｉｃ、１（。
Ｆｔｃｌジクロルフルオルメチルシラン ＣＨ１ＳＩＦ
ＣＪ？＊クロルフルオルジメチルシラン （ＣＨｍ）
＊Ｓ １ＦＣＩクロルエ千ルジフルオルシラン（Ｃ、Ｈ
、）ＳｉＦ、ＣＪジクロルエチルフルオルシラン Ｃｔ
）（ｓｓｉＦ（Ｊ＊クロルジフルオルオルブロビルシラ
ン ＣｓＨｔ Ｓ Ｉ Ｆｔｃノ ジクロルフルオルプロピルシラン Ｃ＠ＨａＳｉ Ｆ Ｃ１ｔ オルガノシランとしては、 テトラメチルシラン （ＯＨ，）、Ｓｌ・エチル
トリメチルシラン （ＣＨ３）１ＳｉＣ，Ｈｌｌトリ
メシルプロピルシラン（ＣＨＩ）ｉｓｉｃ、１（。
トリエチルメ千ルシラン ＣＨｌＳｉ （ＣｔＨｓ）
ｍテトラエチルシラン （Ｃａｎｓ）ａ８１オ
ルガノヒドロゲノシランとしては。
ｍテトラエチルシラン （Ｃａｎｓ）ａ８１オ
ルガノヒドロゲノシランとしては。
メチルシラン ＣＨ，Ｓ ｔｎ。
ジメ牛ルシラン （ＣＨｓ ） １８ ｋ Ｈｚトー
１メチルシラン （ＣＨｍ）ｍｓｉＨジエチルシラン
（ＣＩＨ＠ ） １ Ｓ Ｉ Ｈｚトｌエチルシラン
（Ｃａｎｓ）ａｓｉＨトリプロピルシラン （Ｃｍ
Ｈｔ）ｓｓｉＨジフェニルシラン （Ｃａｎｓ）＊
５ｉＨｚオルガノフルオルシランとしては、 トリフルオルメチルシラン ＣＨａ Ｓ Ｉ Ｆ ｓ
ジフルオルジメチルシラン （ＣＨ３）！ＳｉＦ。
１メチルシラン （ＣＨｍ）ｍｓｉＨジエチルシラン
（ＣＩＨ＠ ） １ Ｓ Ｉ Ｈｚトｌエチルシラン
（Ｃａｎｓ）ａｓｉＨトリプロピルシラン （Ｃｍ
Ｈｔ）ｓｓｉＨジフェニルシラン （Ｃａｎｓ）＊
５ｉＨｚオルガノフルオルシランとしては、 トリフルオルメチルシラン ＣＨａ Ｓ Ｉ Ｆ ｓ
ジフルオルジメチルシラン （ＣＨ３）！ＳｉＦ。
フルオルトリメチルシラン （ＣＨ，） 、Ｓ ｉ
Ｆエチルトリフルオルシラン Ｃ，Ｈ，Ｓ ｉ Ｆ。
Ｆエチルトリフルオルシラン Ｃ，Ｈ，Ｓ ｉ Ｆ。
ジエチルジフルオルシラン （Ｃａｎｓ）ＩＳｉＦ＊
トリエチルフルオルシラン （ＣｚＨｓ）ａｓｉＦト
リフルオルプロピルシラン （Ｃ，Ｈ，）ＳｉＦ。
トリエチルフルオルシラン （ＣｚＨｓ）ａｓｉＦト
リフルオルプロピルシラン （Ｃ，Ｈ，）ＳｉＦ。
オルガノブロムシランとしては。
プロムト１１メチルシラン （ＣＨｓ）ａｓｌＢｒジブ
ロムジメチルシラン （ＣＨｍ ） ＊Ｓ Ｉ Ｂ ｒ
ｚ等が挙げることが出来この他に オルガノポリシランとして、。
ロムジメチルシラン （ＣＨｍ ） ＊Ｓ Ｉ Ｂ ｒ
ｚ等が挙げることが出来この他に オルガノポリシランとして、。
ヘキサメチルジシラン （（ＣＨｍ） ３８ ｉ ］＊
オルガノジシラン１と°して。
オルガノジシラン１と°して。
ヘキサメチルジシラン （（ＣＨｍ）ｍｓｉ〕＊ヘキ
サプロピルジシラン Ｃ（ＣｓＨ７） ａｓ １ ）
ｚ等も使用することが出来る。
サプロピルジシラン Ｃ（ＣｓＨ７） ａｓ １ ）
ｚ等も使用することが出来る。
これらのケイ素含有化合物は、１種用いても２糧以上を
併用してもよい。
併用してもよい。
また堆積膜形成用のゲルマニウム含有化合物としては、
ゲルマニウムに水素、ハロゲンあるいは炭化水素基など
が結合した無機乃至は有機のゲルマニウム化合物を用い
ることができ、例えばは２ａである。）で示される鎖状
乃至は環状水素化ゲルマニウム、この水素化ゲルマニウ
ムの重合体、前記水素化ゲルマニウムの水素原子の一部
乃至は全部をハロゲン原子で置換した化合物、前記水素
化ゲルマニウムの水素原子の一部乃至は全部を例えばア
ルキル基、アリール基の等の有機基及び所望に、、Ｃ）
ハロゲン原子で置換した化合物等の有機ゲルマニウム化
合物、その他ゲルマニウム化合物等を挙げることができ
る。
ゲルマニウムに水素、ハロゲンあるいは炭化水素基など
が結合した無機乃至は有機のゲルマニウム化合物を用い
ることができ、例えばは２ａである。）で示される鎖状
乃至は環状水素化ゲルマニウム、この水素化ゲルマニウ
ムの重合体、前記水素化ゲルマニウムの水素原子の一部
乃至は全部をハロゲン原子で置換した化合物、前記水素
化ゲルマニウムの水素原子の一部乃至は全部を例えばア
ルキル基、アリール基の等の有機基及び所望に、、Ｃ）
ハロゲン原子で置換した化合物等の有機ゲルマニウム化
合物、その他ゲルマニウム化合物等を挙げることができ
る。
具体的には１例えばＧｅＨ４，Ｇｅ１Ｈ６ｓ Ｑｅ、Ｈ
ａ。
ａ。
ｎ −Ｇｏ４Ｈ，、、ｔｅｒｔ −Ｇｅ、Ｈ，ｏｎ Ｇ
ａ５ｈｅｓＧ ｅｓＨ１０％ Ｇ ｅ ＨｎＦ ｓ Ｇ
’ ＨｓＣｌ ｍ Ｇ ’ Ｈｔ Ｆ ｔ ｓＨ６Ｇ
＋３ａＦａ、Ｇｏ （ＣＨ，）４． Ｇｅ （ＣＩＨ
ｓ）ｎｓＧｏ （Ｃ１，Ｈ，）４．Ｇｅ （ＣＨ，）、
Ｆ、、ＣＨ，Ｇｅｍ１゜（ＣＨＩ）！ＧｅＨ１、（ＣＨ
，）、ＧａＨｌ （Ｃｘ Ｈ＠ ） １ Ｇ ｅ Ｈ！
＊Ｇ ｅ Ｆ ｚ ｓ Ｇ ｅＦ ４等が挙げられる
。これらのゲルマニウム化合物は１種を使用してもある
いは２種以上を併用してもより０ また本発明の方法により形成される堆積膜は成膜中又は
成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能である
。使用する不純物元素としては。
ａ５ｈｅｓＧ ｅｓＨ１０％ Ｇ ｅ ＨｎＦ ｓ Ｇ
’ ＨｓＣｌ ｍ Ｇ ’ Ｈｔ Ｆ ｔ ｓＨ６Ｇ
＋３ａＦａ、Ｇｏ （ＣＨ，）４． Ｇｅ （ＣＩＨ
ｓ）ｎｓＧｏ （Ｃ１，Ｈ，）４．Ｇｅ （ＣＨ，）、
Ｆ、、ＣＨ，Ｇｅｍ１゜（ＣＨＩ）！ＧｅＨ１、（ＣＨ
，）、ＧａＨｌ （Ｃｘ Ｈ＠ ） １ Ｇ ｅ Ｈ！
＊Ｇ ｅ Ｆ ｚ ｓ Ｇ ｅＦ ４等が挙げられる
。これらのゲルマニウム化合物は１種を使用してもある
いは２種以上を併用してもより０ また本発明の方法により形成される堆積膜は成膜中又は
成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能である
。使用する不純物元素としては。
ｐ型不純物として１周期律表第エエＩ族Ａの元素。
例えばＢ＋Ａｌ、ＧａｅＩｎｍＴｌ等が好適なものとし
て挙げられ、ｎ型不純物としては１周期律表ｇｖ族Ａ（
７）元素１例えばｐ、Ａｇ、ｓｂ、Ｉ３を等が好適なも
のとして挙げられるが、特にＢ。
て挙げられ、ｎ型不純物としては１周期律表ｇｖ族Ａ（
７）元素１例えばｐ、Ａｇ、ｓｂ、Ｉ３を等が好適なも
のとして挙げられるが、特にＢ。
ｃａ、ｐ、ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純
物の量は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定される。
物の量は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定される。
かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるｂ
は少なくとも活性種形成条件下で気体であり、適宜の気
化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好１【
７い。この様な化合物としては、ＰＨ，、Ｐ、ＨいＰＦ
ｎ、ＰＦいＰｃｔいＡｓＨｓ、Ａ ８ Ｆ！％Ａ８Ｆ５
％Ａ３Ｃ１！Ｔｈ５ｂＨｓ、ＳｂＦ５．５ｉＨｓ、 Ｂ
Ｆ！、ＢＣＩｓ、 ＢＢｒｓ、 ＢｔＨａ、Ｂ４Ｈ１Ｏ
１ＢＩＨ９−ＢｓＨｎ、 ＢａＨ＋ｏ、 ＢａＨ＋ｚ、
ＡＩＣＩｇ。
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるｂ
は少なくとも活性種形成条件下で気体であり、適宜の気
化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好１【
７い。この様な化合物としては、ＰＨ，、Ｐ、ＨいＰＦ
ｎ、ＰＦいＰｃｔいＡｓＨｓ、Ａ ８ Ｆ！％Ａ８Ｆ５
％Ａ３Ｃ１！Ｔｈ５ｂＨｓ、ＳｂＦ５．５ｉＨｓ、 Ｂ
Ｆ！、ＢＣＩｓ、 ＢＢｒｓ、 ＢｔＨａ、Ｂ４Ｈ１Ｏ
１ＢＩＨ９−ＢｓＨｎ、 ＢａＨ＋ｏ、 ＢａＨ＋ｚ、
ＡＩＣＩｇ。
等を挙げることができる。不純物元素を含む化合物は、
１８１用（八ても２種以上併用してもよい。
１８１用（八ても２種以上併用してもよい。
不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及び活性
化空間（Ｂ）に、活性ａ（Ａ）及び活性ａｉ（Ｂ）の夫
々を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良い
し、或Ａは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）と
は別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても
良い。不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ
）及び活性ａ［（Ｂ）を生成するに列記された前述の活
性化エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。
化空間（Ｂ）に、活性ａ（Ａ）及び活性ａｉ（Ｂ）の夫
々を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良い
し、或Ａは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）と
は別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても
良い。不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ
）及び活性ａ［（Ｂ）を生成するに列記された前述の活
性化エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。
不純物導入用物質を活性化して生成される活性種（ＰＮ
）は、活性種（Ａ）又は／及び活性種ＣＢ）と予め混合
され又は、独立に成＠空間に導入される。
）は、活性種（Ａ）又は／及び活性種ＣＢ）と予め混合
され又は、独立に成＠空間に導入される。
次に１本発明方法によって形成される電子写真用像形成
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
第１図は１本発明によって得られる典型的な電子写真用
像形成部材としての光導電部材の構成例を説明するため
の模式図である。
像形成部材としての光導電部材の構成例を説明するため
の模式図である。
第１図１こ示す光導電部材１ｏは、電子写真用像形成部
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての・支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間
層１２、及び感光層１３で構成される層構成を有してｂ
る。
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての・支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間
層１２、及び感光層１３で構成される層構成を有してｂ
る。
光導電部材１０の製造に当ってＦｉ、中間層１２又は／
及び感光層１３を本発明の方法によって作成することが
出来る。更に、光導電部材１ｆｌが感光層１３の表面を
化学的、物質的に保護する為に設けられる保護層、或す
は電気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁
層又は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本
発明の方法で作成することも出来る。
及び感光層１３を本発明の方法によって作成することが
出来る。更に、光導電部材１ｆｌが感光層１３の表面を
化学的、物質的に保護する為に設けられる保護層、或す
は電気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁
層又は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本
発明の方法で作成することも出来る。
支持体１１としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良り０導電性支持体としては１例えば、Ｎ ｉ Ｃｒ
１ステンレス、Ａ１．Ｃｒ、 Ｍｏ、Ａｕ％Ｉ ｒｓ
Ｎｂｓ ’ｐａ、ｖＳ’ｒｔ、ｐｔ、Ｐｄ等の金属又は
これ等の合金が挙げられる。
良り０導電性支持体としては１例えば、Ｎ ｉ Ｃｒ
１ステンレス、Ａ１．Ｃｒ、 Ｍｏ、Ａｕ％Ｉ ｒｓ
Ｎｂｓ ’ｐａ、ｖＳ’ｒｔ、ｐｔ、Ｐｄ等の金属又は
これ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリニス子ル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリｍ化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト６．ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリｍ化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト６．ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がＮ ｉ Ｃｒ 。
Ａｌ、Ｃｒｓ Ｍｏ、 Ａｕ、Ｉ ｒｓ Ｎｂ、Ｔａｎ
ＶｓＴ ｔａ Ｐｔｓ Ｐｄ、Ｉｎ、０．、Ｓ ｎｏ
、、ＩＴＯ（ＩｎｔＯ＊＋ＳｎＯ，）等の薄膜を設ける
ことによって導電処理され、あるｂはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、 Ｎ ｉ Ｃｒ、
ＡＩ。
ＶｓＴ ｔａ Ｐｔｓ Ｐｄ、Ｉｎ、０．、Ｓ ｎｏ
、、ＩＴＯ（ＩｎｔＯ＊＋ＳｎＯ，）等の薄膜を設ける
ことによって導電処理され、あるｂはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、 Ｎ ｉ Ｃｒ、
ＡＩ。
Ａｇｏ Ｐ ｂｓ Ｚｎ＊ Ｎｌｓ Ａｕ、
ＣｒｌＭｏｂＩ ｒＳＮｂ、’ｌ’ａ、ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ等の金属で真空蒸着、ｍ子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等で処理し、又は前記金属でラミネート処理して、そ
の表面が導電処理される。支持体の形状としては。
ＣｒｌＭｏｂＩ ｒＳＮｂ、’ｌ’ａ、ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ等の金属で真空蒸着、ｍ子ビーム蒸着、スパッタリン
グ等で処理し、又は前記金属でラミネート処理して、そ
の表面が導電処理される。支持体の形状としては。
円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得。
所望によって、その形状が決定されるが、例えば。
第１図の光導電部材１Ｇを１子写真用像形成部材として
使用するのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ｌしい・ 中間層１２には１例えば支持体１１の側から感光層１３
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ。
使用するのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ｌしい・ 中間層１２には１例えば支持体１１の側から感光層１３
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ。
支持体１１の側に向って移動するフォトキャリアの感光
層１３の側から支持体１１の側への通過を容易に許す機
能を有する。
層１３の側から支持体１１の側への通過を容易に許す機
能を有する。
この中間層１２は１例えば、シリコン原子（Ｓｔ ）、
ゲルマニウム原子（Ｇｅ）必要に応じて水素（Ｈ）及び
／又はハロゲン（Ｘ］、並びに酸素（０）を構成原子と
するアモルファスシリコンゲルマニウム（以下、ａ−８
ｉＧｅ （Ｈ＊Ｘ、Ｏ）と記す。）で構成されると共に
、電気伝導性を支配する物質として、例えばホウ素（Ｂ
）等のｐ型不純物あるいはリンＣＰ）等のｎ型不純物が
含有されて粘る。
ゲルマニウム原子（Ｇｅ）必要に応じて水素（Ｈ）及び
／又はハロゲン（Ｘ］、並びに酸素（０）を構成原子と
するアモルファスシリコンゲルマニウム（以下、ａ−８
ｉＧｅ （Ｈ＊Ｘ、Ｏ）と記す。）で構成されると共に
、電気伝導性を支配する物質として、例えばホウ素（Ｂ
）等のｐ型不純物あるいはリンＣＰ）等のｎ型不純物が
含有されて粘る。
本発明に於て、中間層１２中に含有されるＢ。
Ｐ等の伝導性を支配する物質の含有量としては。
好適にｕ、 ０．００１〜５Ｘ１Ｇ’ａｔｏｍｉｃｐｐ
ｍ、１より好適Ｌｃｋｌ ０．５〜ｌ ｘ １０’ ａ
ｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、最適には１〜５ Ｘ １０’ ａ
ｔｏｍｉｃ ｐｐｍ とされるのが望ましいＯ 中間層１２が感光層１３と構成成分が類似、或すは同じ
である場合には、中間層１２の形成に続けて、感光層１
３の形成まで連続的に行なうことができる。その場合に
は、中間層形成用の原料上り、て、活性化空間（Ａ）で
生成された活性種（Ａ）と、活性化空間ＣＢ）に導入さ
れた成膜用の化学物質より生成される活性種ＣＢ）と、
必要に応じて水素、ハロゲン化合物、不活性ガス、ケイ
素含有化合物、炭素含有化合物、ゲルマニウム含有化金
物、及び不純物元素を成分として含む化合物のガス等よ
り生成される活性種′（Ｂ）と、８夫々別別に戒論は適
宜必要に応じて混合して、支持体１１の設置しである成
膜空間に導入して、各導入された活性種の共存雰囲気に
光エネルギーを作用させることにより、前記支持体１１
上に中間層１２を形成させればよい。
ｍ、１より好適Ｌｃｋｌ ０．５〜ｌ ｘ １０’ ａ
ｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、最適には１〜５ Ｘ １０’ ａ
ｔｏｍｉｃ ｐｐｍ とされるのが望ましいＯ 中間層１２が感光層１３と構成成分が類似、或すは同じ
である場合には、中間層１２の形成に続けて、感光層１
３の形成まで連続的に行なうことができる。その場合に
は、中間層形成用の原料上り、て、活性化空間（Ａ）で
生成された活性種（Ａ）と、活性化空間ＣＢ）に導入さ
れた成膜用の化学物質より生成される活性種ＣＢ）と、
必要に応じて水素、ハロゲン化合物、不活性ガス、ケイ
素含有化合物、炭素含有化合物、ゲルマニウム含有化金
物、及び不純物元素を成分として含む化合物のガス等よ
り生成される活性種′（Ｂ）と、８夫々別別に戒論は適
宜必要に応じて混合して、支持体１１の設置しである成
膜空間に導入して、各導入された活性種の共存雰囲気に
光エネルギーを作用させることにより、前記支持体１１
上に中間層１２を形成させればよい。
中間層１２を形成させる際に活性化空間（Ａ）に導入さ
れて活性２Ｍ （Ａ ）を生成するゲルマニウムとハロ
ゲンを含む化合物は、例えば容易にＧ ｅ Ｆ２＋の如
き活性種を生成する化合物を前記の化合物より選択する
のが望ましい。
れて活性２Ｍ （Ａ ）を生成するゲルマニウムとハロ
ゲンを含む化合物は、例えば容易にＧ ｅ Ｆ２＋の如
き活性種を生成する化合物を前記の化合物より選択する
のが望ましい。
中間層１２の層厚ば、好ましくは、３０Ａ〜１０μ、よ
り好適には４０Ａ〜８μ、最適には５０Ａ〜５μとされ
るのが望ましす。
り好適には４０Ａ〜８μ、最適には５０Ａ〜５μとされ
るのが望ましす。
感光層１３は１例えばシリコンを母体とし、必要に応じ
て水翼、ハロゲン、ゲルマニウム等ヲ構成原子とするア
モルファスシリコンＡ−８ｉ（Ｈ。
て水翼、ハロゲン、ゲルマニウム等ヲ構成原子とするア
モルファスシリコンＡ−８ｉ（Ｈ。
Ｘ ＊ Ｇ ｅ ）又は、シリコン原子とゲルマニウム
を母体とし、必要に応じて、水素、ハロゲン等を構成ｉ
子とするアモルファスゲルマニウムＡ −８ｉＧｅ（Ｈ
，Ｘ）で構成され、レーザー光の照射によってフォトキ
ャリアを発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電
荷輸送機能の両機能を有する。
を母体とし、必要に応じて、水素、ハロゲン等を構成ｉ
子とするアモルファスゲルマニウムＡ −８ｉＧｅ（Ｈ
，Ｘ）で構成され、レーザー光の照射によってフォトキ
ャリアを発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電
荷輸送機能の両機能を有する。
感ツと層１３の層厚としては、好ましくは、１〜１００
μ、より好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとさ
れるのが望ましい。
μ、より好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとさ
れるのが望ましい。
感光層１３１１．／ントープノ）、−８ｉ （Ｈ、Ｘ）
又はＡ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）層であるが、所望により中
間層１２に含有される伝導特性を支配する物質の極性と
は別の極性（ｆ！ＡＩえばｎ型）の伝導特性を支配する
物質を含有させてもよりし、ある論は、同極性の伝導特
性を支配する物質を、中間層１２に含有される実際の童
が多い場合には、該蓋よりも一段と少々広量にして含有
させてもよい。
又はＡ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）層であるが、所望により中
間層１２に含有される伝導特性を支配する物質の極性と
は別の極性（ｆ！ＡＩえばｎ型）の伝導特性を支配する
物質を含有させてもよりし、ある論は、同極性の伝導特
性を支配する物質を、中間層１２に含有される実際の童
が多い場合には、該蓋よりも一段と少々広量にして含有
させてもよい。
感光層１３の形成の場合も１本発明の方法によってなさ
れるのであれば中間層１２の場合を同様に、活性化空間
（Ａ）にゲルマニウムとハロゲンを含む化合物が導入さ
れ、高温下でこれ等を分解することにより、或すは、放
電エネルギーや光工ネルギーを作用させて励起すること
で活性種（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間
に導入される。
れるのであれば中間層１２の場合を同様に、活性化空間
（Ａ）にゲルマニウムとハロゲンを含む化合物が導入さ
れ、高温下でこれ等を分解することにより、或すは、放
電エネルギーや光工ネルギーを作用させて励起すること
で活性種（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間
に導入される。
第２図は、本発明方法を実施し、て作製される不純物元
素でドーピングされたａ−８ｉ堆積膜を利用したＰＩＮ
型ダイオード・デバイスの典型例を示した模式図である
。
素でドーピングされたａ−８ｉ堆積膜を利用したＰＩＮ
型ダイオード・デバイスの典型例を示した模式図である
。
図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極。
２３は半導体膜であり、ｎ型の半導体層２４．ｉ型の半
導体層２５．ｐ型の半導体層２６によって構成される。
導体層２５．ｐ型の半導体層２６によって構成される。
２８は外部電気回路装置と結合される導線である。
これ等の半導体層は、Ａ−８ｉ（０，Ｈ，Ｘ）。
Ａ−８ｉＧｌ （０，Ｈ，Ｘ）、Ａ−８ｉＧｅＯ（Ｈ，
Ｘ）等で構成され１本発明の方法／ｆｉｂずれの層の作
成に於すでも適用することが出来るが、殊に半導体層２
６を本発明の方法で作成することにより、変換効率を高
めることが出来る。
Ｘ）等で構成され１本発明の方法／ｆｉｂずれの層の作
成に於すでも適用することが出来るが、殊に半導体層２
６を本発明の方法で作成することにより、変換効率を高
めることが出来る。
基体２１としては導電性、半導電性、或いは。
電気絶縁性のものが用−られる。基体２１が導電性であ
る場合には、薄膜電極２２は省略しても差支えない。半
導電性基板としては１例えば、Ｓｌ。
る場合には、薄膜電極２２は省略しても差支えない。半
導電性基板としては１例えば、Ｓｌ。
Ｇｅ、ＧａＡｓ、ｚｎｏ、ｚｎｓ等の半導体が挙げられ
る。＃膜電極２２．２７としては例えば。
る。＃膜電極２２．２７としては例えば。
ＮｉＣｒ、Ａ１．Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ ｒ、Ｎｂ。
Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ５Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、０．、ＩＴＯ（Ｉ
”ｔｏｓ ＋ Ｓ ｎｏｔ ）等の薄ｍを、真空蒸着
、’ｉｃ子ビーム蒸着、スパッタリング等の処理で基体
２１上に設けることによって得られる。電極２２．２７
の層厚として＃′ｉ、好ましくは３０〜５ Ｘ １０’
Ａ、より好ましくＦｉｌ ＯＯ〜５Ｘ１０”Ａ とさ
れるのが望ましい。
”ｔｏｓ ＋ Ｓ ｎｏｔ ）等の薄ｍを、真空蒸着
、’ｉｃ子ビーム蒸着、スパッタリング等の処理で基体
２１上に設けることによって得られる。電極２２．２７
の層厚として＃′ｉ、好ましくは３０〜５ Ｘ １０’
Ａ、より好ましくＦｉｌ ＯＯ〜５Ｘ１０”Ａ とさ
れるのが望ましい。
前記の半導体層を構成する膜体を必要に応じてｎ型又は
ｐ型とするｔｃ ｌｌ１１層形成の際に、不純物元素の
うちｎ型不純物又はｐ型不純物、あるいは雨下鈍物を形
成される層中にその量を制御し乍らドーピングしてやる
事によって形成される。
ｐ型とするｔｃ ｌｌ１１層形成の際に、不純物元素の
うちｎ型不純物又はｐ型不純物、あるいは雨下鈍物を形
成される層中にその量を制御し乍らドーピングしてやる
事によって形成される。
本発明方法によりｎ型、ｉ型及びｐ型の半導体層を形成
する場合、倒れか１つの層乃至は全部の層を本発明の方
法により形成することができ、成膜は、活性化空間（Ａ
）にゲルマニウムとノ１０ゲンを含む化合物が導入され
、活性化エネルギーの作用下でこれ等を励起し、分解す
ることで１例えばＧｅＦｔ 等の活性ｍ（Ａ）が生成さ
れ、該活性８１１（Ａ）が成膜空間に導入される。また
、これとは別に、気体状態の炭素含有化合物、ケイ素含
有化合物と、必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を
成分として含む化合物のガス等を夫々活性化エネルギー
によって励起し分解して、夫々の活性８１（Ｂ）を生成
し、夫々を別々に又は適宜混合して支持体１１の設置し
である成膜空間に導入し。
する場合、倒れか１つの層乃至は全部の層を本発明の方
法により形成することができ、成膜は、活性化空間（Ａ
）にゲルマニウムとノ１０ゲンを含む化合物が導入され
、活性化エネルギーの作用下でこれ等を励起し、分解す
ることで１例えばＧｅＦｔ 等の活性ｍ（Ａ）が生成さ
れ、該活性８１１（Ａ）が成膜空間に導入される。また
、これとは別に、気体状態の炭素含有化合物、ケイ素含
有化合物と、必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を
成分として含む化合物のガス等を夫々活性化エネルギー
によって励起し分解して、夫々の活性８１（Ｂ）を生成
し、夫々を別々に又は適宜混合して支持体１１の設置し
である成膜空間に導入し。
光エネルギーを用いることにより形成させればよい。成
膜空間に導入された活性種は、化学的相互作用を生起さ
れ、又は促進或いは増幅されて、支持体１１上に堆積膜
が形成される。ｎ型及びｐ型の半導体層の層厚としては
、好ましく Ｆｉｌ ００〜の範囲が望まし論。
膜空間に導入された活性種は、化学的相互作用を生起さ
れ、又は促進或いは増幅されて、支持体１１上に堆積膜
が形成される。ｎ型及びｐ型の半導体層の層厚としては
、好ましく Ｆｉｌ ００〜の範囲が望まし論。
また、ｉ型の半導体層の層厚としては、好ましくは５０
０〜１０’Ａ、より好ましくは１０００〜１００ｎＯＡ
の範囲が望ましい。
０〜１０’Ａ、より好ましくは１０００〜１００ｎＯＡ
の範囲が望ましい。
また１本発明方法は、この例のほか、ＩＣ，トランジス
タ、ダイオード、光電変換素子等の半導体デバイスを構
成するＣＶＤ法によるＳｉＱ、絶縁体膜１部分的に酸化
されたＳｉ膜などを形成するのに好適であり、また例え
ば成膜空間への酸素含有化合物より生成された活性種（
Ｂ）の導入時期。
タ、ダイオード、光電変換素子等の半導体デバイスを構
成するＣＶＤ法によるＳｉＱ、絶縁体膜１部分的に酸化
されたＳｉ膜などを形成するのに好適であり、また例え
ば成膜空間への酸素含有化合物より生成された活性種（
Ｂ）の導入時期。
導入量等を制御することにより層厚方向に酸素濃度の分
布をもったＳＩＭを形成することができる。
布をもったＳＩＭを形成することができる。
ある込は、ｌ！ｌ！素含有化合物のほかにケイ素含有化
合物、ゲルマニウム含有化合物、炭素含有化合物等を必
要により適宜組合せろことにより、０とこれらＳ ｔ、
Ｑｅ、ｃ等との結合を構成単位とする所望する特性の膜
体を形成することも可能である。
合物、ゲルマニウム含有化合物、炭素含有化合物等を必
要により適宜組合せろことにより、０とこれらＳ ｔ、
Ｑｅ、ｃ等との結合を構成単位とする所望する特性の膜
体を形成することも可能である。
以下に、本発明の具体的実施例を示す。
実施例１
＠２図に示した装置を用い、以下の如き操作によってｉ
型、ｐ型及びｎ型の酸素含有アモルファス堆積膜を形成
した。
型、ｐ型及びｎ型の酸素含有アモルファス堆積膜を形成
した。
第２図において、１０１は成膜室であり、内部の基体支
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。
１０４は基体加熱用のヒーターであり、導線１０５を介
して給電され１発熱する。該ヒーター１１１４は、成膜
処理前に基体１０４を加熱処理したり、成膜後に形成さ
れた膜の特性を一層回上させる為にアニール処理したり
する際に使用され。
して給電され１発熱する。該ヒーター１１１４は、成膜
処理前に基体１０４を加熱処理したり、成膜後に形成さ
れた膜の特性を一層回上させる為にアニール処理したり
する際に使用され。
導線１０５を介して給電さｎ１発熱する。成膜中は該ヒ
ーター１０４は駆動されなり。
ーター１０４は駆動されなり。
１０６乃至１０９１ｄ、ガス供給系であり、酸素含有化
合物、及び必要に応じて用すられる水素、ハロゲン化合
物、不活性ガス、ケイ素含有化合物、炭素含有化合物、
ゲルマニウム含有化合物、不純物元素を成分とする化合
物等の数に応じて設けられる。これらのガスが標準状態
において液状のものを使用する場合には、適宜の気化装
置を具備させる。図中ガス供給系１０６乃至１０９の符
号にａを付したのは分岐管、ｂを付したのは流量計。
合物、及び必要に応じて用すられる水素、ハロゲン化合
物、不活性ガス、ケイ素含有化合物、炭素含有化合物、
ゲルマニウム含有化合物、不純物元素を成分とする化合
物等の数に応じて設けられる。これらのガスが標準状態
において液状のものを使用する場合には、適宜の気化装
置を具備させる。図中ガス供給系１０６乃至１０９の符
号にａを付したのは分岐管、ｂを付したのは流量計。
Ｃを付したのは各流量計の高圧側の圧力を計測する圧力
計、ｄ又はｅを付したのは各気体流量を調整するための
バルブである。
計、ｄ又はｅを付したのは各気体流量を調整するための
バルブである。
１２３は活性ａｔ（Ｂ）を生成する為の活性化室ＣＢ）
であり、活性化室１２３の周りには、活性種（Ｂ）を生
成させる為の活性エネルギーを発生するマイクロ波プラ
ズマ発生装［１２２が設けられて−る。ガス輿入管１１
０より供給される活性種ＣＢ）生成用のＷ、料ガスは活
性化室（Ｂ）内において活性化され、生じた活性種（Ｂ
）は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入される
。
であり、活性化室１２３の周りには、活性種（Ｂ）を生
成させる為の活性エネルギーを発生するマイクロ波プラ
ズマ発生装［１２２が設けられて−る。ガス輿入管１１
０より供給される活性種ＣＢ）生成用のＷ、料ガスは活
性化室（Ｂ）内において活性化され、生じた活性種（Ｂ
）は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入される
。
１１１けガス圧力計である。図中１１２は活性化室（Ａ
）、１１３は電気炉、１１４は固体Ｇｅ粒、１１５ｔｊ
：活性種（Ａ）の原料となる気体状態のゲルマニウムと
ハロゲンを含む化合物の導入管であり、活性化室（Ａ）
１１２で生成された活性ａＩ（Ａ）は導入管１１６を介
して成膜室１０１内に導入される。
）、１１３は電気炉、１１４は固体Ｇｅ粒、１１５ｔｊ
：活性種（Ａ）の原料となる気体状態のゲルマニウムと
ハロゲンを含む化合物の導入管であり、活性化室（Ａ）
１１２で生成された活性ａＩ（Ａ）は導入管１１６を介
して成膜室１０１内に導入される。
１１７け光エネルギー発生装置であって１例えば水銀ラ
ンプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等が用いられる。
ンプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等が用いられる。
光エネルギー発生装置１１７から適宜の光学系を用いて
基体全体あるＡは基体の所望部分に向けられた光１１８
ｕ、矢印１１９の向きに流れている原料ガス等に照射さ
れ、成膜原料のガス等を励起し反応させる事によって基
体１０３の全体あるいは所望部分に酸素含有アモルファ
ス堆８を膜を形成する。また１図中、１２０は排気パル
プ、１２１は排気管である。
基体全体あるＡは基体の所望部分に向けられた光１１８
ｕ、矢印１１９の向きに流れている原料ガス等に照射さ
れ、成膜原料のガス等を励起し反応させる事によって基
体１０３の全体あるいは所望部分に酸素含有アモルファ
ス堆８を膜を形成する。また１図中、１２０は排気パル
プ、１２１は排気管である。
先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルム製の基体１
０３を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて成膜
室１（１１内を排気し、 Ｉ Ｏ−”ｌ’。
０３を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて成膜
室１（１１内を排気し、 Ｉ Ｏ−”ｌ’。
ｒｒに減圧した。ガス供給系１０６８−用いてＯ！（Ｈ
ｅでｌ Ｏｖｏ１％に希釈）１５０ｓｅｃＭ、あるいは
これとＰＨ，ガス又はＢ、Ｈ，ガス（何れも１０００
ｐｐｍ水素ガス希釈）４０ＳＣＣＭとを混合したガスを
ガス導入ＷｌｌＯを介して活性化室ＣＢ）１２ａに導入
した。
ｅでｌ Ｏｖｏ１％に希釈）１５０ｓｅｃＭ、あるいは
これとＰＨ，ガス又はＢ、Ｈ，ガス（何れも１０００
ｐｐｍ水素ガス希釈）４０ＳＣＣＭとを混合したガスを
ガス導入ＷｌｌＯを介して活性化室ＣＢ）１２ａに導入
した。
活性化室（Ｂ）１２３内に導入されたＯ、ガス性化され
て活性水素等とされ、導入管１２４を通また。活性化室
（Ａ）ＩＴｈ２に固体Ｇｅ粒１１４を詰めて、電気炉１
１３により加熱し、約１１００に保ちＧｅを赤熱状態と
し、そこへ導入管１１５を通じて不図示のボンベよりＩ
ＩＧ６Ｆ４を吹き込むこと番こより、活性種（Ａ）とし
てのＧ ＠ Ｆ ｔを生成させ、該ｃｅｐ、”を導入管
１１６を経て、成膜室１０１へ導入した。
て活性水素等とされ、導入管１２４を通また。活性化室
（Ａ）ＩＴｈ２に固体Ｇｅ粒１１４を詰めて、電気炉１
１３により加熱し、約１１００に保ちＧｅを赤熱状態と
し、そこへ導入管１１５を通じて不図示のボンベよりＩ
ＩＧ６Ｆ４を吹き込むこと番こより、活性種（Ａ）とし
てのＧ ＠ Ｆ ｔを生成させ、該ｃｅｐ、”を導入管
１１６を経て、成膜室１０１へ導入した。
成膜室１０１内の圧力をＱ、４’ｌ’ｏｒｒに保ちつつ
１ＫＷＸｅランプから基板に垂直に照射して、ノンドー
プのあるＬｎｉｎミド−ピングた酸素含有アモルファス
堆ａ膜（膜厚７００Ａ）を形成した。
１ＫＷＸｅランプから基板に垂直に照射して、ノンドー
プのあるＬｎｉｎミド−ピングた酸素含有アモルファス
堆ａ膜（膜厚７００Ａ）を形成した。
成膜速度は２２ Ａ ／ ａ ｅ Ｃであった。
次いで、得られたノンドープのあるいはｐ型の各試料を
蒸着槽に入れ、真空度Ｉ ０−５Ｔ Ｏｒ ｒでクシ型
のＡｌギャップ電極（ギャップ長さ２５０μ、巾５間）
を形成した後、印加電圧１ｏｖで暗電流を測定し、暗導
電率 ｄを求めて、各試料の膜特性ｆ評価した。結果を
第１表に示した。
蒸着槽に入れ、真空度Ｉ ０−５Ｔ Ｏｒ ｒでクシ型
のＡｌギャップ電極（ギャップ長さ２５０μ、巾５間）
を形成した後、印加電圧１ｏｖで暗電流を測定し、暗導
電率 ｄを求めて、各試料の膜特性ｆ評価した。結果を
第１表に示した。
実施例２〜４
０ｘ （Ｈｅで１ｏｖｏ１％に希釈）と、Ｓｌ！Ｆ１１
、ＧｅｔＦａ及びＣ，Ｈ，のそれぞれとを便比率１：９
で活性化室（Ｂ）に導入した以外は、実施例１と同じ酸
素含有アモルファス堆積膜を形成した。暗導＠１表から
、本発明によると電気特性に優れ。
、ＧｅｔＦａ及びＣ，Ｈ，のそれぞれとを便比率１：９
で活性化室（Ｂ）に導入した以外は、実施例１と同じ酸
素含有アモルファス堆積膜を形成した。暗導＠１表から
、本発明によると電気特性に優れ。
ドーピングが十分に行なわれた酸素含有アモルファス堆
積膜が得られる。
積膜が得られる。
実施例５〜８
０、（７）代りにｓ Ｈａｓ ｌ ＯＳ Ｉ Ｈａ ＊
ＨＯＧ １５０Ｇ ｅＨｇ ＊ＣＯ３又はＯＦ、を用
いた以外は実施例１と同様の方法と手順に従って、！！
素含有ア°モルファス堆積膜を形成した。
ＨＯＧ １５０Ｇ ｅＨｇ ＊ＣＯ３又はＯＦ、を用
いた以外は実施例１と同様の方法と手順に従って、！！
素含有ア°モルファス堆積膜を形成した。
かくして得られた酸素含有アモルファス堆積膜は電気的
特性に優れ、またドーピングが十分に行なわれた堆積膜
であった。
特性に優れ、またドーピングが十分に行なわれた堆積膜
であった。
実施例９
第３図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
ｇａ図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室（
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体Ｇｏ粒、２０５は
活性種（Ａ）の原料物質導入管。
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体Ｇｏ粒、２０５は
活性種（Ａ）の原料物質導入管。
２０６は活性ｍ（Ａ）導入管、２０７Ｆｉモーター。
２０８は第３図のヒータ１０４と同様に用すられ６加熱
ヒーター、２０９，２１０Ｆｉ吹き出し管。
ヒーター、２０９，２１０Ｆｉ吹き出し管。
２１１はＡＩシリンダー、２１２は排気ノくループを七
している。また、２１３乃至２１６は！１図中１０６乃
至ＩＣ）９と同様の原料ガス供給系であり。
している。また、２１３乃至２１６は！１図中１０６乃
至ＩＣ）９と同様の原料ガス供給系であり。
２１７−１はガス導入管である。
成膜室２０１にＡｌシ１１ンダー状基体２１１をクリ下
げ、その内側に加熱ヒーター２０８を備え。
げ、その内側に加熱ヒーター２０８を備え。
モーター２０７によ多回転できる様にする。２１ｇは光
エネルギー発生装置であって、ＡＩシリンダー２１１の
所望部分に向けて光２１９が照射される。
エネルギー発生装置であって、ＡＩシリンダー２１１の
所望部分に向けて光２１９が照射される。
また、活性化室（Ａ）２０２に固体Ｑｅ粒２０４を詰め
て、電気炉２０３により加熱し、Ｑｅを赤熱状態とし、
そこへ導入管２０６を通じて不必示のボンベからＧｅＦ
４を吹き込むことにより、活性る。
て、電気炉２０３により加熱し、Ｑｅを赤熱状態とし、
そこへ導入管２０６を通じて不必示のボンベからＧｅＦ
４を吹き込むことにより、活性る。
一方、導入管２１７−１よフＯ！とＳｔ、Ｆ、とＨ３の
各ガス活性化室ＣＢ）２０２内に導入Ｌ・た・導入され
たＯｔｓ Ｓ ’１Ｆ６ｓ Ｈｔガスは活性化室（Ｂ）
２２０において、マイクロ波プラズマ発生装置Ｉｔ２２
１によりプラズマ化等の活性化処理を受けて活性化酸素
及び活性化水素、活性化ケイ素等となり導入管２１７−
２を通じて、成膜室２０１内に導入された。この際必要
に応じてＰＨ１，ＢｔＨａ等の不純物ガスも活性化室（
Ｂ）２２０内に導入されて活性化された。
各ガス活性化室ＣＢ）２０２内に導入Ｌ・た・導入され
たＯｔｓ Ｓ ’１Ｆ６ｓ Ｈｔガスは活性化室（Ｂ）
２２０において、マイクロ波プラズマ発生装置Ｉｔ２２
１によりプラズマ化等の活性化処理を受けて活性化酸素
及び活性化水素、活性化ケイ素等となり導入管２１７−
２を通じて、成膜室２０１内に導入された。この際必要
に応じてＰＨ１，ＢｔＨａ等の不純物ガスも活性化室（
Ｂ）２２０内に導入されて活性化された。
成ｊＪ％ｃｔｓｆｔ ２０１内の気圧を１．０’ｐｏｒ
ｒに保ちつつ、ＩＫＷＸ１３ランプ２１８からＡ ｌ
シ’Ｊ ７ ｄ’−−２１１の周面シこ対し垂直に光照
射する。
ｒに保ちつつ、ＩＫＷＸ１３ランプ２１８からＡ ｌ
シ’Ｊ ７ ｄ’−−２１１の周面シこ対し垂直に光照
射する。
Ａｌシリンダー状基体２１１は回転させ、排ガスは排気
バルブ２１２の開口を適宜に調節して排気させた。この
ようにして感光層１３を形成した。
バルブ２１２の開口を適宜に調節して排気させた。この
ようにして感光層１３を形成した。
また、中間層１２は感光層に先立って、導入管２１７−
１より５ｔｔＦａ、Ｏｔ （Ｓ ｉ ｔＦｓ ： ０２
＝ １ ：１０−’）：ＨＩ３及びＢ！Ｈ１ｌ（容量係
でＢ、Ｈ，が０．２チ）の混合ガスを導入し、層重２ｏ
ｏｏＡで成膜された。
１より５ｔｔＦａ、Ｏｔ （Ｓ ｉ ｔＦｓ ： ０２
＝ １ ：１０−’）：ＨＩ３及びＢ！Ｈ１ｌ（容量係
でＢ、Ｈ，が０．２チ）の混合ガスを導入し、層重２ｏ
ｏｏＡで成膜された。
比較例１
ＧｅＦ、とＳ ｉ、Ｆ、、０２． Ｈｅ及びＢｗｎｓの
各ガスを使用して成膜空間２０１と同様の構造の成膜室
を用意１、て１３．５６ＭＨｚの高周波装置を備えて。
各ガスを使用して成膜空間２０１と同様の構造の成膜室
を用意１、て１３．５６ＭＨｚの高周波装置を備えて。
一般的なプラズマＣＶＤ法により第１図に示す層構成の
ドラム状電子写真用像形成部材を形成した。
ドラム状電子写真用像形成部材を形成した。
実施例９及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
′１Ｘ
、−
実施例１０
ｍ素化合物としてＯｌを用いＭ３図の装ｆｔを用すて、
第２図に示したＰＩＮ型ダイオードを作製した。
第２図に示したＰＩＮ型ダイオードを作製した。
まず、１００ＯＡのＩＴＯ膜２２を蒸着したポリエチレ
ンナフタレートフィルム２１を支持台に載置しｓ １０
−’Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様に生成され
た活性ａｆＧｅＦ、”を成膜室１０１内に導入した。ま
たＳ ｉ ＩＦ；ガスＰ Ｈｓガス（１ｏｏ。
ンナフタレートフィルム２１を支持台に載置しｓ １０
−’Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例１と同様に生成され
た活性ａｆＧｅＦ、”を成膜室１０１内に導入した。ま
たＳ ｉ ＩＦ；ガスＰ Ｈｓガス（１ｏｏ。
ｐｐｍ 水素ガス希釈）の夫々を活性化室ＣＢ）１２
３に導入し、活性化した。
３に導入し、活性化した。
次いでこの活性化されたガスを導入ｔｌ１６を介して成
膜室１０１内に導入し、成膜室内の圧力を０．３Ｔｏｒ
ｒに保ちながらＩＫＷＸｅランプで光照射してｐでドー
ピングされたｎ型ａ−８ｉＱｅ。
膜室１０１内に導入し、成膜室内の圧力を０．３Ｔｏｒ
ｒに保ちながらＩＫＷＸｅランプで光照射してｐでドー
ピングされたｎ型ａ−８ｉＱｅ。
（Ｈ，Ｘ）膜＝２：４（ａ厚７００ Ａ ） ｆ形成シ
ｆ、：。
ｆ、：。
次すで、ＰＨＩガスの導入を停止した以外はｎ型ａ−８
ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）膜の場合と同一の方法でノンドープの
ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）膜２５（膜厚５０００Ａ）を形
成した。
ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）膜の場合と同一の方法でノンドープの
ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）膜２５（膜厚５０００Ａ）を形
成した。
次いで、ｓｔ、ｐ、ガスと共嘉こ０．ガス、Ｂ、Ｈ，ガ
ス（１００（１ｐｐｍ水累ガス希釈）それ以外はｎ型と
同じ条件でＢでドーピングされたｐ型酸素含有ａ−８ｉ
ＧｅＯ（Ｈ，Ｘ）ｍ２６ （ｌｌａ厚７００Ａ）を形成
した。更に、このｐ型膜上に真空蒸着により膜厚１００
０ＡのＡｌ電極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得
た。
ス（１００（１ｐｐｍ水累ガス希釈）それ以外はｎ型と
同じ条件でＢでドーピングされたｐ型酸素含有ａ−８ｉ
ＧｅＯ（Ｈ，Ｘ）ｍ２６ （ｌｌａ厚７００Ａ）を形成
した。更に、このｐ型膜上に真空蒸着により膜厚１００
０ＡのＡｌ電極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得
た。
かくして得られたダイオード素子（面＆１ｃＩＩｔ）の
Ｉ−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価
した。結果を８３表に示した。
Ｉ−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価
した。結果を８３表に示した。
また、光照射特性においても、基体側から光を導入し、
光照射強度ＡＭＩＣ約１００ ｍＷ／ａｌｌ ）で、変
換効率８．２％以上、開放端電圧０．９３Ｖ。
光照射強度ＡＭＩＣ約１００ ｍＷ／ａｌｌ ）で、変
換効率８．２％以上、開放端電圧０．９３Ｖ。
短絡電流９．８ｍＡ／ｃｉＩが得られた。
実施例１１−１３
酸素化合物として０．の代りに、ｆ（，５ｉＯ８ｉＨｓ
。
。
Ｈ３ＧｅＯＧｅＨ，、又はＯＦ！を用いた以外は、実施
例１０と同様にして実施例１Ｇで作成したのと同様のＰ
ＩＮ型ダイオードを作製した。この試料に就いて整流特
性及び光起電力効果を評価し１Ｍ果を第３表に示した。
例１０と同様にして実施例１Ｇで作成したのと同様のＰ
ＩＮ型ダイオードを作製した。この試料に就いて整流特
性及び光起電力効果を評価し１Ｍ果を第３表に示した。
第３表から１本発明によれば、従来に比べて良好な光学
的・電気的特性を有する酸素含有ａ −８ｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）ＰＩＮ型ダイオードが得られることが判った。
的・電気的特性を有する酸素含有ａ −８ｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）ＰＩＮ型ダイオードが得られることが判った。
本発明の堆積膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しか屯基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり。
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しか屯基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり。
膜の生産性の向上並びに量産化を達成することができる
。更に、成膜空間ｌこおいて励起エネルギーとして光エ
ネルギーを用いるので１例えば耐熱性に乏し込基体、プ
ラズマエツチングの影響ヲ受は易論基体上にも成膜でき
る、低温処理によって工程の短縮化を図れると因った効
果が発揮される。
。更に、成膜空間ｌこおいて励起エネルギーとして光エ
ネルギーを用いるので１例えば耐熱性に乏し込基体、プ
ラズマエツチングの影響ヲ受は易論基体上にも成膜でき
る、低温処理によって工程の短縮化を図れると因った効
果が発揮される。
第１図は本発明方法を用いて製造される電子写真用像形
成部材の構成例を説明するための模式図発明方法を実施
するための装置の構成を説明するための模式図である。 １０ ・・・ 電子写真用像形成部材。 １１ ・・・ 基体。 １２ ・・・ 中間層。 １３ ・・・ 感光層。 ２１ ・・φ 基体。 ２２ 、２７ ・・・ 薄膜電極。 ２４ °” ｎ型−半導体層、 ２５ ・・・ １型牛導体層。 ２６ ・・・ ｐ型半導体眉。 １０１．２０１ ・・・ 成膜室。 １１Ｌ、２０２ ・・・ 活性化室（Ａ）、／り １２３．２会喝 ・・・ 活性化室（Ｂ）。 １０６．１０７，１０８，１０９゜ ２１３．２１４，２１５，２１６ ・・・ガス供給系。 １０３．２１１ ・・・ 基体。 １１７．２１８ ・・・ 光エネルギー発生装置。
成部材の構成例を説明するための模式図発明方法を実施
するための装置の構成を説明するための模式図である。 １０ ・・・ 電子写真用像形成部材。 １１ ・・・ 基体。 １２ ・・・ 中間層。 １３ ・・・ 感光層。 ２１ ・・φ 基体。 ２２ 、２７ ・・・ 薄膜電極。 ２４ °” ｎ型−半導体層、 ２５ ・・・ １型牛導体層。 ２６ ・・・ ｐ型半導体眉。 １０１．２０１ ・・・ 成膜室。 １１Ｌ、２０２ ・・・ 活性化室（Ａ）、／り １２３．２会喝 ・・・ 活性化室（Ｂ）。 １０６．１０７，１０８，１０９゜ ２１３．２１４，２１５，２１６ ・・・ガス供給系。 １０３．２１１ ・・・ 基体。 １１７．２１８ ・・・ 光エネルギー発生装置。
Claims (1)
- 基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、ゲルマ
ニウムとハロゲンを含む化合物を分解することにより生
成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互
作用をする成膜用の酸素含有化合物より生成される活性
種（Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに光エネルギー
を照射して化学反応させる事によって、前記基体上に堆
積膜を形成する事を特徴とする堆積膜形成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035608A JPS61194825A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
| US07/061,003 US4726963A (en) | 1985-02-19 | 1987-06-09 | Process for forming deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035608A JPS61194825A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194825A true JPS61194825A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12446545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60035608A Pending JPS61194825A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194825A (ja) |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP60035608A patent/JPS61194825A/ja active Pending
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