JPS61194824A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- JPS61194824A JPS61194824A JP60035607A JP3560785A JPS61194824A JP S61194824 A JPS61194824 A JP S61194824A JP 60035607 A JP60035607 A JP 60035607A JP 3560785 A JP3560785 A JP 3560785A JP S61194824 A JPS61194824 A JP S61194824A
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は窒素を含有する堆積膜、とりわけ機能性膜、殊
に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画像入
力用のライセンサ−１撮像デバイス、光起電力素子など
に用いる非晶質乃至は結晶質の窒素を含有する堆積膜を
形成するのに好適な方法に関する。
に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画像入
力用のライセンサ−１撮像デバイス、光起電力素子など
に用いる非晶質乃至は結晶質の窒素を含有する堆積膜を
形成するのに好適な方法に関する。
例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
られておシ、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用い
られ、企業化されている。
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試み
られておシ、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用い
られ、企業化されている。
百年らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は醒気
的、光学的特性及び、操返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
的、光学的特性及び、操返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなシ複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆８を膜
の形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入
ガスの流量と地形成時の圧力、高周波電力、電極構造、
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）こ
れら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を与えることが少なくなかった。
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなシ複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆８を膜
の形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入
ガスの流量と地形成時の圧力、高周波電力、電極構造、
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）こ
れら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を与えることが少なくなかった。
そのうえ、装置特有のパラメータを装置ごとに選定しな
ければならず、したがって製造条件を一般化することが
むずかしいのが実状であった。一方、アモルファスシリ
コン膜として電気的、光学的、光導電的乃至は機械的特
性の夫々を十分に満足させ得るものを発現させるために
は、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが
最良とされている。
ければならず、したがって製造条件を一般化することが
むずかしいのが実状であった。一方、アモルファスシリ
コン膜として電気的、光学的、光導電的乃至は機械的特
性の夫々を十分に満足させ得るものを発現させるために
は、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが
最良とされている。
百年ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜の
形成においては、量産装置に多大な設備投質が必要とな
り、またその量産の為の管理項目も複雑になって、管理
許容幅も狭くなり、装置の鯛整も微妙であることから、
これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘され
ている。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では、
高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得ら
れていなかった。
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜の
形成においては、量産装置に多大な設備投質が必要とな
り、またその量産の為の管理項目も複雑になって、管理
許容幅も狭くなり、装置の鯛整も微妙であることから、
これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘され
ている。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では、
高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得ら
れていなかった。
上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置でｔ理化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化
シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても
同様なことがいえる。
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置でｔ理化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化
シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても
同様なことがいえる。
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。
本発明の目的は、形成される膜の諸物件、成膜速度、再
現性の向上及び膜品質の均一化を図シながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の向上及び量産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。
現性の向上及び膜品質の均一化を図シながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の向上及び量産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。
上記目的は、基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内
に、炭素とハロゲンを含む化合物を分解することにより
生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相
互作用をする、成膜用の窒素含有化合物より生成される
活性ｍ（Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに光エネル
ギーを照射して化学反応させる事によって、前記基体上
に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明の堆積膜形成
法によって達成される。
に、炭素とハロゲンを含む化合物を分解することにより
生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相
互作用をする、成膜用の窒素含有化合物より生成される
活性ｍ（Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに光エネル
ギーを照射して化学反応させる事によって、前記基体上
に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明の堆積膜形成
法によって達成される。
本発明方法では、堆積膜を形成する為の成膜空間におい
てプラズマを生起させる代りに、炭素とハロゲンを含む
化合物を分解することにより生成される活性種（Ａ）と
成膜用の窒素含有化合物より生成される活性種（Ｂ）と
の共存下に於いて、これ等に光エネルギーを作用させる
ことにより、これ等によ−る化学的相互作用を生起させ
、或いは促進、増幅させるため、形成される堆積膜は、
工、チング作用、或いはその他の例えば異常放電作用な
どくよる悪影響を受けることはない。
てプラズマを生起させる代りに、炭素とハロゲンを含む
化合物を分解することにより生成される活性種（Ａ）と
成膜用の窒素含有化合物より生成される活性種（Ｂ）と
の共存下に於いて、これ等に光エネルギーを作用させる
ことにより、これ等によ−る化学的相互作用を生起させ
、或いは促進、増幅させるため、形成される堆積膜は、
工、チング作用、或いはその他の例えば異常放電作用な
どくよる悪影響を受けることはない。
又、本発明によれば、成膜空間の雰囲気温度、基体温度
を所望に従って任意に制御することにより、よυ安定し
たＣＶＤ法とすることができる。
を所望に従って任意に制御することにより、よυ安定し
たＣＶＤ法とすることができる。
更に、励起エネルギーは成膜用の基体近傍に到達した各
活性種に一様にあるいは選択的制御的に付与されるが、
光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系を用いて基体
の全体に照射して堆積膜を形成することができるし、あ
るいは所望部分のみに選択的制御的に照射して部分的に
堆積膜を形成することができ、またレジスト等を使用し
て所定の図形部分のみ疋照射し堆積膜を形成できるなど
の便利さを有しているため、有利に用いられる。
活性種に一様にあるいは選択的制御的に付与されるが、
光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系を用いて基体
の全体に照射して堆積膜を形成することができるし、あ
るいは所望部分のみに選択的制御的に照射して部分的に
堆積膜を形成することができ、またレジスト等を使用し
て所定の図形部分のみ疋照射し堆積膜を形成できるなど
の便利さを有しているため、有利に用いられる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）Ｋ於いて活性化された活性種を使うことである。こ
のことにより、従来のＣＶＤ法よシ成膜速度を飛躍的に
伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も
一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定し
た堆積膜を工業的に大量に１ しかも低コストで提供で
きる。
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）Ｋ於いて活性化された活性種を使うことである。こ
のことにより、従来のＣＶＤ法よシ成膜速度を飛躍的に
伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も
一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定し
た堆積膜を工業的に大量に１ しかも低コストで提供で
きる。
尚、本発明での活性種（Ａ）とは、前記堆積膜形成用原
料の化合物である窒素化合物よシ生成される活性種（Ｂ
）と化学的相互作用を起して例えばエネルギーを付与し
たり、化学反応を起したりして、堆積膜の形成を促す作
用を有するものを言う。従って、活性種（Ａ）としては
、形成される堆積膜を構成する構成要素に成る構成要素
を含んでいても良く、あるいはその様な構成要素を含ん
でいなくともよい。
料の化合物である窒素化合物よシ生成される活性種（Ｂ
）と化学的相互作用を起して例えばエネルギーを付与し
たり、化学反応を起したりして、堆積膜の形成を促す作
用を有するものを言う。従って、活性種（Ａ）としては
、形成される堆積膜を構成する構成要素に成る構成要素
を含んでいても良く、あるいはその様な構成要素を含ん
でいなくともよい。
本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適にＦｉ１０秒以上あるものが、所望に従って選択
されて使用される。
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適にＦｉ１０秒以上あるものが、所望に従って選択
されて使用される。
本発明で使用する堆積膜形成用の窒素含有化合物は、活
性化空間（Ｂ）に導入される以前に既に気体状態となっ
ているが、あるいは気体状態とされて導入されることが
好ましい。例えば液状の化合物を用いる場合、化合物供
給系に適宜の気化装置を接続して化合物を気化してから
活性化空間（Ｂ）に導入することができる。
性化空間（Ｂ）に導入される以前に既に気体状態となっ
ているが、あるいは気体状態とされて導入されることが
好ましい。例えば液状の化合物を用いる場合、化合物供
給系に適宜の気化装置を接続して化合物を気化してから
活性化空間（Ｂ）に導入することができる。
窒素含有化合物としては、窒素と窒素以外の原子の１種
又は２種以上とを構成原子とする化合物が挙げられる。
又は２種以上とを構成原子とする化合物が挙げられる。
前記窒素以外の原子としては、水素（Ｈ）、ハロゲン（
Ｘ＝Ｆ、Ｃ１１Ｂｒ又はＩ）、イオウ（Ｓ）、炭素（Ｃ
）、酸素（０）、リン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマ
ニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、アルカリ金属、アルカ
リ土類金属、遷移金属等があり、この他周期律表各族に
属する元素の原子のうち窒素と化合し得る原子であるな
らば使用することができる。
Ｘ＝Ｆ、Ｃ１１Ｂｒ又はＩ）、イオウ（Ｓ）、炭素（Ｃ
）、酸素（０）、リン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマ
ニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、アルカリ金属、アルカ
リ土類金属、遷移金属等があり、この他周期律表各族に
属する元素の原子のうち窒素と化合し得る原子であるな
らば使用することができる。
因みに、例えばＮとＨを含む化合物としては、ＮＨ，、
ＮＨ，Ｎ、、Ｎ、Ｈ，Ｎ、 、１（ｔＮＮＨＩ、第１乃
至第３アミン、このアミンのハロゲン化物、ヒドロキシ
ルアミン等、ＮとＸを含む化合物としては、Ｎ、Ｘ％Ｎ
、Ｘ、 、ＮＸ、等、ＮＯＸ。
ＮＨ，Ｎ、、Ｎ、Ｈ，Ｎ、 、１（ｔＮＮＨＩ、第１乃
至第３アミン、このアミンのハロゲン化物、ヒドロキシ
ルアミン等、ＮとＸを含む化合物としては、Ｎ、Ｘ％Ｎ
、Ｘ、 、ＮＸ、等、ＮＯＸ。
Ｎｏ、Ｘ、ＮＯｓ Ｘ、等、ＮとＳを含む化合物として
は、Ｎａ ３ａ 、Ｎ、Ｓ、等、ＮとＣｔ−含む化合物
としては、ｆ（ＣＮ及びシアン化物、ＨＯＣＮ及びこの
塩、Ｈ８ＣＮ及びこの塩等、Ｎと０を含む化合物として
は、Ｎ、０１ＮＯ１ＮＯ，、Ｎ寓０１、Ｎ、０． 、Ｎ
、Ｏ，、Ｎｏ、郷、ＮとＰを含む化合物としては、Ｐ、
Ｎ＠、Ｐ、Ｎ、、ＰＮ等この他に、トリエチルシラザン
（Ｃ寓Ｈｓ）ｓ Ｓ ｉ ＮＨ諺、ヘキサメチルジシラ
ザン［（ＣＨ＝）−８ｉ ）−ＮＨ１ヘキサエチルジシ
ラザンＣ（Ｃ，Ｈ，）＝ Ｓ ｉ） −ＮＨ等のオルガ
ノシラザン、トリメチルシリコンイソシアナート（ＣＨ
＝）−Ｓ ｉ ＮＣ０１ジメチルシリコンジイソシアナ
ート（ＣＨ＝）−８ｉ （ＮＣＯ）雪等のオルガノシリ
コンイソシアナート、トリメチルシリコンイソチオシア
ナート（ＣＨ＝）−Ｓ ｉ ＮＣ８等のオルガノシリコ
ンイソチオシアナート等々が挙げられるが、本発明で使
用する窒素含有化合物は、本発明の目的達成に適合する
のであれば、これ等に必ずしも限定される訳ではない。
は、Ｎａ ３ａ 、Ｎ、Ｓ、等、ＮとＣｔ−含む化合物
としては、ｆ（ＣＮ及びシアン化物、ＨＯＣＮ及びこの
塩、Ｈ８ＣＮ及びこの塩等、Ｎと０を含む化合物として
は、Ｎ、０１ＮＯ１ＮＯ，、Ｎ寓０１、Ｎ、０． 、Ｎ
、Ｏ，、Ｎｏ、郷、ＮとＰを含む化合物としては、Ｐ、
Ｎ＠、Ｐ、Ｎ、、ＰＮ等この他に、トリエチルシラザン
（Ｃ寓Ｈｓ）ｓ Ｓ ｉ ＮＨ諺、ヘキサメチルジシラ
ザン［（ＣＨ＝）−８ｉ ）−ＮＨ１ヘキサエチルジシ
ラザンＣ（Ｃ，Ｈ，）＝ Ｓ ｉ） −ＮＨ等のオルガ
ノシラザン、トリメチルシリコンイソシアナート（ＣＨ
＝）−Ｓ ｉ ＮＣ０１ジメチルシリコンジイソシアナ
ート（ＣＨ＝）−８ｉ （ＮＣＯ）雪等のオルガノシリ
コンイソシアナート、トリメチルシリコンイソチオシア
ナート（ＣＨ＝）−Ｓ ｉ ＮＣ８等のオルガノシリコ
ンイソチオシアナート等々が挙げられるが、本発明で使
用する窒素含有化合物は、本発明の目的達成に適合する
のであれば、これ等に必ずしも限定される訳ではない。
これらの窒素含有化合物は、ｌｆｌを使用しても、ある
いは２種以上を併用してもよい。
いは２種以上を併用してもよい。
易さなどの点から、その寿命が０．１秒以上、より好ま
しく＃ｉ１以上、最適には１０秒以上あるものが、所望
に従って選択されて使用される。
しく＃ｉ１以上、最適には１０秒以上あるものが、所望
に従って選択されて使用される。
本発明において、活性化空間（Ａ）に導入される炭素と
ハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状又は環状炭
化水素の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換
した化合物が用いられ、具体的には、例えば、ＣｕＹ２
ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＹｄＦ、ＣＩ ％Ｂ ｒ又
は工である。）で示される鎖状ハロゲン化炭素、ＣｖＹ
２ｖ（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）
で示される環状ハロゲン化炭素、ＣｕＨｘＹｙ（ｕ及び
Ｙは前述の意味を有する。Ｘ＋７＝２ ｕ又は２ｕ ＋
２である。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙
げられる。
ハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状又は環状炭
化水素の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換
した化合物が用いられ、具体的には、例えば、ＣｕＹ２
ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＹｄＦ、ＣＩ ％Ｂ ｒ又
は工である。）で示される鎖状ハロゲン化炭素、ＣｖＹ
２ｖ（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。）
で示される環状ハロゲン化炭素、ＣｕＨｘＹｙ（ｕ及び
Ｙは前述の意味を有する。Ｘ＋７＝２ ｕ又は２ｕ ＋
２である。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙
げられる。
具体的には例えばＣＦ、、（ＣＦ、）、、（ＣＦ、 ）
、、（ＣＦＩ）、 、Ｃ，ｐ＠、Ｃｍ Ｆ、 、ＣＩ（
Ｆ、、ＣＨ＊Ｆ＊、ＣＣ１ａ （ＣＣ１雪）＠、ＣＢｒ
、、（ＣＢｒ＊）ｓ 、Ｃｓ Ｃｉｓ 、Ｃｍ Ｃｉｓ
Ｆｍなどのガス状態の又は容易にガス化し得るものが
挙げられる。
、、（ＣＦＩ）、 、Ｃ，ｐ＠、Ｃｍ Ｆ、 、ＣＩ（
Ｆ、、ＣＨ＊Ｆ＊、ＣＣ１ａ （ＣＣ１雪）＠、ＣＢｒ
、、（ＣＢｒ＊）ｓ 、Ｃｓ Ｃｉｓ 、Ｃｍ Ｃｉｓ
Ｆｍなどのガス状態の又は容易にガス化し得るものが
挙げられる。
また本発明においては、前記炭素とハロゲンを含む化合
物を分解することにより生成される活性種に加えて、ケ
イ素とハロゲンを含む化合物を分解することにより生成
される活性種を併用することができる。ケイ素とハロゲ
ンを含む化合物としては、例えば鎖状又は環状シラン化
合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換し
た化合物が用いられ、具体的には、例えば、 ５ｌｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、Ｙは２１０１％
Ｂｒ又はＩである。）で示される鎖状ノ・ロゲン化ケイ
素、５ｉＹ（ｖは３以上の整数ｖ ２ｖ Ｙは前述の意味を有する。）で示される環状ハロゲン化
ケイ素、５ｉｕＨｘＹｙ（ｕ及びＹは前述の意味を有す
る。ｘ＋ｙ＝２ ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される
鎖状又は環状化合物などが挙げられる。
物を分解することにより生成される活性種に加えて、ケ
イ素とハロゲンを含む化合物を分解することにより生成
される活性種を併用することができる。ケイ素とハロゲ
ンを含む化合物としては、例えば鎖状又は環状シラン化
合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換し
た化合物が用いられ、具体的には、例えば、 ５ｌｕＹ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、Ｙは２１０１％
Ｂｒ又はＩである。）で示される鎖状ノ・ロゲン化ケイ
素、５ｉＹ（ｖは３以上の整数ｖ ２ｖ Ｙは前述の意味を有する。）で示される環状ハロゲン化
ケイ素、５ｉｕＨｘＹｙ（ｕ及びＹは前述の意味を有す
る。ｘ＋ｙ＝２ ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される
鎖状又は環状化合物などが挙げられる。
具体的には例えばＳｉＦ、、（ＳｉＦ諺）６、（ｓｉＦ
＊）ａ、（ＳｉＦＩ）４、Ｓｉｔ ｐ’ｓ、Ｓ １ ＊
Ｆ ＊ 、Ｓ Ｉ ＨＦ Ｉｓ Ｓ Ｉ Ｈｓ Ｆ
ｈＳ ｉ Ｃｌ ｔ （Ｓ ｉ Ｃｌ ｌ）ｌ 、Ｓ
Ｌ Ｂ ｒ ａ、（ＳｉＢｒ＊）＋ １５ｉｔＣ１ｓ
、５ｉｔＣ１ｓ Ｆｓなどのガス状態の又は容易
にガス化し得るものが挙げられる。
＊）ａ、（ＳｉＦＩ）４、Ｓｉｔ ｐ’ｓ、Ｓ １ ＊
Ｆ ＊ 、Ｓ Ｉ ＨＦ Ｉｓ Ｓ Ｉ Ｈｓ Ｆ
ｈＳ ｉ Ｃｌ ｔ （Ｓ ｉ Ｃｌ ｌ）ｌ 、Ｓ
Ｌ Ｂ ｒ ａ、（ＳｉＢｒ＊）＋ １５ｉｔＣ１ｓ
、５ｉｔＣ１ｓ Ｆｓなどのガス状態の又は容易
にガス化し得るものが挙げられる。
活性種を生成させるためには、前記炭素とハロゲンを含
む化合物（及びケイ素とハロゲンを含む化合物）に加え
て、必要に応じて炭Ａ単体等他の炭素化合物（及びケイ
素単体等他のケイ素化合物χ水素、ハロゲン化合物（例
えばＦ、ガス、ＣＩ。
む化合物（及びケイ素とハロゲンを含む化合物）に加え
て、必要に応じて炭Ａ単体等他の炭素化合物（及びケイ
素単体等他のケイ素化合物χ水素、ハロゲン化合物（例
えばＦ、ガス、ＣＩ。
ガス、ガス化したＢｒ虞、工１等）などを併用すること
ができる。
ができる。
本発明において、活性化空間（Ａ）及び（Ｂ）で活性Ｐ
１１（Ａ）及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、
各々の条件、装置を考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波
、ＤＣ等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等
による熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネル
ギーが使用される。
１１（Ａ）及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、
各々の条件、装置を考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波
、ＤＣ等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等
による熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネル
ギーが使用される。
本発明において、窒素含有化合物の他に、成膜のだめの
原料として水素ガス、ハロゲン化合物（例えばＦ、ガス
、Ｃｌ 雪ガス、ガス化したＢｒ５）１、等）、アルゴ
ン、ネオン等の不活性ガス、また堆積膜形成用の原料と
してケイ素含有化合物、炭素含有化合物、ゲルマニウム
含有化合物、酸素含有化置物などを活性化空間（Ｂ）に
導入して用いることもできる。これらの原料ガスの複数
を用いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内圧
導入することもできるし、あるいはこれらの原料ガスを
夫々独立した供給源から各個別に供給し、活性化空間（
Ｂ）に導入することもできるし、又夫々独立の活性化空
間に導入して夫々個別に活性化することもできる。
原料として水素ガス、ハロゲン化合物（例えばＦ、ガス
、Ｃｌ 雪ガス、ガス化したＢｒ５）１、等）、アルゴ
ン、ネオン等の不活性ガス、また堆積膜形成用の原料と
してケイ素含有化合物、炭素含有化合物、ゲルマニウム
含有化合物、酸素含有化置物などを活性化空間（Ｂ）に
導入して用いることもできる。これらの原料ガスの複数
を用いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）内圧
導入することもできるし、あるいはこれらの原料ガスを
夫々独立した供給源から各個別に供給し、活性化空間（
Ｂ）に導入することもできるし、又夫々独立の活性化空
間に導入して夫々個別に活性化することもできる。
堆積膜形成用の原料となるケイ素含有化合物としては、
ケイ素に水素、ハロゲン、などが結合したケイ素化合物
を用いることができる。とりわけ鎖状及び環状のシラン
化合物、この鎖状及び環状のシラン化合物の水素原子の
一部又は全部をハロゲン原子で置換した化合物などが好
適である。
ケイ素に水素、ハロゲン、などが結合したケイ素化合物
を用いることができる。とりわけ鎖状及び環状のシラン
化合物、この鎖状及び環状のシラン化合物の水素原子の
一部又は全部をハロゲン原子で置換した化合物などが好
適である。
具体的には、例えば、Ｓ Ｉ Ｈｓ １．ｓ １ ｓ
Ｈ＊、Ｓｉｓ Ｈａ １ Ｓｉ ４ ＨＩ
・１ Ｓｉｓ Ｈｔ 霊ｔ Ｓｉ＋Ｈ＋ａ等
のＳ Ｌ 、 Ｈ２、＋ ２ （ｐは１以上好ましくは
１〜１５、より好ましくは１〜１０の整数である。）で
示される直鎖状シラン化合物％ Ｓ ｉ ＨＩＳ Ｉ
Ｈ（Ｓ ｉ Ｈｓ ） Ｓ ｉ Ｈｓ、Ｓ ｉＨ−Ｓ
ｉ Ｈ（Ｓ Ｌ Ｈ−）Ｓ ｔ ＊ ｆ（ｔ 、Ｓ ｉ
ｓ Ｈａ Ｓ ｉＨ（Ｓ １Ｈｓ）Ｓｉ＊Ｈ＋ｓ等のＳ
ｉ 、 Ｈ２、＋ ２ （Ｐは前述の意味を有すん）
で示される分岐を有する鎖状シラン化合物、これら直鎖
状又は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素原子の一
部又は全部をハロゲン原子で置換した化合物、Ｓｉｓ
ＨＩ、Ｓｉｓ Ｈａ、Ｓｉｓ Ｈ２Ｓ、Ｓ １ ＊ Ｈ
＋ｗ等の５ｔＨ（ｑは３以上、好まｌ ２ｑ しくけ３〜６の整数である。）で示される環状シラン化
合物、該環状シラン化合物の水素原子の一部又は全部を
他の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル基で置換し
た化合物、上記例示したシラン化合物の水素原子の一部
又は全部をハロゲン原子で置換した化合物の例として、
Ｓｔ Ｈ＋ Ｆ １Ｓ ｔＨｓ Ｃ１，ＳｔＨ＊ Ｂｒ
１ＳｔＨｓ Ｉ等のＳ ｉｔ Ｈ、Ｘ ｔ（Ｘはハロゲ
ン原子、ｒは１以上好ましくは１〜１０、より好ましく
は３〜７の整数、ｓ ＋ ｔ ＝ ２ ｒ ＋ ２又は
２ｒである。）で示されるハロゲン置換鎖状又は段状シ
ラン化合物などである。これらの化合物ｄ、ＩＪ’ｌを
使用しても２種以上を併用してもよい。
Ｈ＊、Ｓｉｓ Ｈａ １ Ｓｉ ４ ＨＩ
・１ Ｓｉｓ Ｈｔ 霊ｔ Ｓｉ＋Ｈ＋ａ等
のＳ Ｌ 、 Ｈ２、＋ ２ （ｐは１以上好ましくは
１〜１５、より好ましくは１〜１０の整数である。）で
示される直鎖状シラン化合物％ Ｓ ｉ ＨＩＳ Ｉ
Ｈ（Ｓ ｉ Ｈｓ ） Ｓ ｉ Ｈｓ、Ｓ ｉＨ−Ｓ
ｉ Ｈ（Ｓ Ｌ Ｈ−）Ｓ ｔ ＊ ｆ（ｔ 、Ｓ ｉ
ｓ Ｈａ Ｓ ｉＨ（Ｓ １Ｈｓ）Ｓｉ＊Ｈ＋ｓ等のＳ
ｉ 、 Ｈ２、＋ ２ （Ｐは前述の意味を有すん）
で示される分岐を有する鎖状シラン化合物、これら直鎖
状又は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素原子の一
部又は全部をハロゲン原子で置換した化合物、Ｓｉｓ
ＨＩ、Ｓｉｓ Ｈａ、Ｓｉｓ Ｈ２Ｓ、Ｓ １ ＊ Ｈ
＋ｗ等の５ｔＨ（ｑは３以上、好まｌ ２ｑ しくけ３〜６の整数である。）で示される環状シラン化
合物、該環状シラン化合物の水素原子の一部又は全部を
他の環状シラニル基及び／又は鎖状シラニル基で置換し
た化合物、上記例示したシラン化合物の水素原子の一部
又は全部をハロゲン原子で置換した化合物の例として、
Ｓｔ Ｈ＋ Ｆ １Ｓ ｔＨｓ Ｃ１，ＳｔＨ＊ Ｂｒ
１ＳｔＨｓ Ｉ等のＳ ｉｔ Ｈ、Ｘ ｔ（Ｘはハロゲ
ン原子、ｒは１以上好ましくは１〜１０、より好ましく
は３〜７の整数、ｓ ＋ ｔ ＝ ２ ｒ ＋ ２又は
２ｒである。）で示されるハロゲン置換鎖状又は段状シ
ラン化合物などである。これらの化合物ｄ、ＩＪ’ｌを
使用しても２種以上を併用してもよい。
また、堆積膜形成用の原料となる炭素含有化合物として
は、鎖状又は環状の飽和又は不飽和炭化水素化合物、炭
素と水素を主構成原子とし、この他ケイ素、ハロゲン、
イオウ等の１種又ｔｉ２ｆ１以上を構成原子とする有機
化合物、炭化水素基を構成分とする有機ケイ素化合物な
どのうち、気体状態のものか、容易に気化し得るものが
好適に用いられる。このうち、炭化水素化合物としては
、例えば、炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭
化水素等、具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（
ＣＨ・ ）、エタン（Ｃ，Ｈ・）、プロパｙ（ＣｊＨ＊
）、ｎ−フ゛り７ （ｎ−Ｃｓ Ｈｎ ）。
は、鎖状又は環状の飽和又は不飽和炭化水素化合物、炭
素と水素を主構成原子とし、この他ケイ素、ハロゲン、
イオウ等の１種又ｔｉ２ｆ１以上を構成原子とする有機
化合物、炭化水素基を構成分とする有機ケイ素化合物な
どのうち、気体状態のものか、容易に気化し得るものが
好適に用いられる。このうち、炭化水素化合物としては
、例えば、炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭
化水素等、具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（
ＣＨ・ ）、エタン（Ｃ，Ｈ・）、プロパｙ（ＣｊＨ＊
）、ｎ−フ゛り７ （ｎ−Ｃｓ Ｈｎ ）。
ペンタン（Ｃ＝Ｈ＋−）、エチレン系炭化水素としては
エチレン（Ｃ雪１１（）、プロピレン（Ｃ，Ｈ・）ブテ
ン−１（Ｃ，Ｉ（＠ ）、ブテン−２（Ｃ，Ｈ，）、イ
ソブチレン（Ｃ，Ｈ，）、ペンテン（Ｃ＠Ｈ＋−）アセ
チレン系炭素水素としてはアセチレン（Ｃ，Ｈ，）、メ
チルアセチレン（Ｃ，Ｈ，）、ブチン（Ｃ，Ｈ，）等が
挙げられる。
エチレン（Ｃ雪１１（）、プロピレン（Ｃ，Ｈ・）ブテ
ン−１（Ｃ，Ｉ（＠ ）、ブテン−２（Ｃ，Ｈ，）、イ
ソブチレン（Ｃ，Ｈ，）、ペンテン（Ｃ＠Ｈ＋−）アセ
チレン系炭素水素としてはアセチレン（Ｃ，Ｈ，）、メ
チルアセチレン（Ｃ，Ｈ，）、ブチン（Ｃ，Ｈ，）等が
挙げられる。
また、有機ケイ素化合物としては、（ＣＨｓ）４Ｓ １
ｓＣＨＩ Ｓ ｉｃ １１ 、（ＣＨｓ）−８ｉｃ １
１、（ＣＨＩ）Ｉ ５ｉＣ１１Ｃ＊ Ｈｌ ５ｔｃｔ＊
等のオルガノクロルシラン、ＣＨ，Ｓ ｉＦ、ＣＩ
。
ｓＣＨＩ Ｓ ｉｃ １１ 、（ＣＨｓ）−８ｉｃ １
１、（ＣＨＩ）Ｉ ５ｉＣ１１Ｃ＊ Ｈｌ ５ｔｃｔ＊
等のオルガノクロルシラン、ＣＨ，Ｓ ｉＦ、ＣＩ
。
ＣＨ＝ＳｉＦＣ１雪、（ＣＨｌ） ＊ Ｓ Ｉ Ｆ Ｃ
ｌ ｓＣ諺Ｈ龜ＳＬＦ、Ｃ１１ＣまＨｓＳｉＦＣｌｓ、
Ｃｓ Ｈｔ ＳｔＦ 會 Ｃ１ｓ Ｃｓ Ｈ
ｔ ＳｉＦＣｌｍ 等のオルガノクロルフルオルシ
ラン、Ｃ（ｃｕｔ ）ｓ ｓ ｔ″１３、Ｃ（Ｃｍ Ｈ
ｗ）ｓ Ｓ ｉ）ｓ 等のオルガノジシラザンなどが好
適に用いられる。
ｌ ｓＣ諺Ｈ龜ＳＬＦ、Ｃ１１ＣまＨｓＳｉＦＣｌｓ、
Ｃｓ Ｈｔ ＳｔＦ 會 Ｃ１ｓ Ｃｓ Ｈ
ｔ ＳｉＦＣｌｍ 等のオルガノクロルフルオルシ
ラン、Ｃ（ｃｕｔ ）ｓ ｓ ｔ″１３、Ｃ（Ｃｍ Ｈ
ｗ）ｓ Ｓ ｉ）ｓ 等のオルガノジシラザンなどが好
適に用いられる。
これらの炭素含有１８合物は、１種用いても２種以上を
併用してもよい。
併用してもよい。
また堆積膜形成用の原料となるゲルマニウム含有化合物
としては、ゲルマニウムに水素、ノ・ロゲンあるいは炭
化水素基などが結合した無機乃至は有機のゲルマニウム
化合物を用いることができ、例えばＧｅａＨ６（ａは１
以上の整数、ｂ ＝ ２ ａ＋２又は２ａである。）で
示される鎖状乃至は譲状水素化ゲルマニウム、この水素
化ゲルマニウムの重合体、前記水素化ゲルマニウムの水
素原子の一部乃至は全部をハロゲン原子で置換し北化合
物、前記水素化ゲルマニウムの水素原子の一部乃至は全
部を例えばアルキル基、アリール基の等の有機基及び所
望によりハロゲン原子で置換した化合物等の有機ゲルマ
ニウム化合物等を挙げることができる。
としては、ゲルマニウムに水素、ノ・ロゲンあるいは炭
化水素基などが結合した無機乃至は有機のゲルマニウム
化合物を用いることができ、例えばＧｅａＨ６（ａは１
以上の整数、ｂ ＝ ２ ａ＋２又は２ａである。）で
示される鎖状乃至は譲状水素化ゲルマニウム、この水素
化ゲルマニウムの重合体、前記水素化ゲルマニウムの水
素原子の一部乃至は全部をハロゲン原子で置換し北化合
物、前記水素化ゲルマニウムの水素原子の一部乃至は全
部を例えばアルキル基、アリール基の等の有機基及び所
望によりハロゲン原子で置換した化合物等の有機ゲルマ
ニウム化合物等を挙げることができる。
具体的には、例えばＧｅＨａ 、Ｇｅｔ Ｈａ、Ｇｅｍ
Ｈａ 、ｎ Ｇｅ＜ Ｈｔａ、ｔｅｒｔ Ｇ１１
ａＨＩａ、Ｇ Ｏｓ ｆ（ｓ 、Ｇ ｅ ｓ Ｈ＋ｓ、
Ｇ ｅ Ｈｓ Ｆ ｓ ＧｅＨｓ Ｃ１％Ｇｅｒｍ Ｆ
ｓ 、Ｈａ Ｇｅｍ Ｆｓ 、Ｇｅ （ＣＨＩ）４、Ｇ
ｅ （Ｃ＝ Ｈ−）４、Ｇｏ （Ｃ，ｋｌ−）−１Ｇｅ
（ＣＨｓ）＊ Ｆｓ 、ＧｅＦｔ 、ＧｅＦａ 、Ｇ
ｅ８等が挙げられる。これらのゲルマニウム含有化合物
は１種を使用してもあるいは２種以上を併用してもよい
。
Ｈａ 、ｎ Ｇｅ＜ Ｈｔａ、ｔｅｒｔ Ｇ１１
ａＨＩａ、Ｇ Ｏｓ ｆ（ｓ 、Ｇ ｅ ｓ Ｈ＋ｓ、
Ｇ ｅ Ｈｓ Ｆ ｓ ＧｅＨｓ Ｃ１％Ｇｅｒｍ Ｆ
ｓ 、Ｈａ Ｇｅｍ Ｆｓ 、Ｇｅ （ＣＨＩ）４、Ｇ
ｅ （Ｃ＝ Ｈ−）４、Ｇｏ （Ｃ，ｋｌ−）−１Ｇｅ
（ＣＨｓ）＊ Ｆｓ 、ＧｅＦｔ 、ＧｅＦａ 、Ｇ
ｅ８等が挙げられる。これらのゲルマニウム含有化合物
は１種を使用してもあるいは２種以上を併用してもよい
。
更に、酸素化合物としては、酸素（０，）、オゾン（０
３）等の酸素単体、並びに酸素と酸素以外の原子の１ａ
［又は２株以上とを構成原子とする化合物が挙げられる
。前記酸素以外の原子としては、水素（Ｈ）、ハロゲ７
（Ｘ＝Ｆ％ ０１％ Ｂ Ｆ又は■）、イオウ（Ｓ）、
炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ ）
、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、アルカリ金属、アルカリ
土類金属、遷移金属環があり、この他周期律表各族に属
する元素の原子のうち酸素と化合し得る原子であるなら
ば使用することが可能である。
３）等の酸素単体、並びに酸素と酸素以外の原子の１ａ
［又は２株以上とを構成原子とする化合物が挙げられる
。前記酸素以外の原子としては、水素（Ｈ）、ハロゲ７
（Ｘ＝Ｆ％ ０１％ Ｂ Ｆ又は■）、イオウ（Ｓ）、
炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ ）
、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、アルカリ金属、アルカリ
土類金属、遷移金属環があり、この他周期律表各族に属
する元素の原子のうち酸素と化合し得る原子であるなら
ば使用することが可能である。
因みに、例えばＯとＨを含む化合物としては、ＨｙＯ等
ＯとＳを含む化合物としては、ｓｏ、、ｓｏ。
ＯとＳを含む化合物としては、ｓｏ、、ｓｏ。
等の酸化物類、０とＣを含む化合物としては、Ｃ０１Ｃ
Ｏ３等の酸化物等、０とＳｔを含む化合物としては、ジ
シロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ，）、トリシロキサン（
Ｈ＝ＳｉＯ８ｉＨ雪０８ｉＨ，）等のシロキサン類ジア
セトキシジメデルシラン（ＣＨ，’） 、 Ｓ ｉ （
ＯＣＸ）ＣＭ、 ）、、トリアセトキシメチルシランＣ
Ｈ，５ｉ（ＯＣＯＣル）。
Ｏ３等の酸化物等、０とＳｔを含む化合物としては、ジ
シロキサン（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ，）、トリシロキサン（
Ｈ＝ＳｉＯ８ｉＨ雪０８ｉＨ，）等のシロキサン類ジア
セトキシジメデルシラン（ＣＨ，’） 、 Ｓ ｉ （
ＯＣＸ）ＣＭ、 ）、、トリアセトキシメチルシランＣ
Ｈ，５ｉ（ＯＣＯＣル）。
等のオルガノアセトキシシラン類、メトキシトリメチル
シラン（ｃａｓ ）ｓ ５ｉＯＣＨＩ、ジメトキシジメ
チルシラン（ＣＨｌ）−Ｓ ｉ （ＯＣＲ−）−トリメ
トキシメチルシランＣＨ，Ｓ ｉ（ＯＣＲ−）−等のア
ルキルアルコキシシラン類、トリメチルシラノール（Ｃ
ＨＩ）ｌ Ｓ ｉＯＨ％ ジメチルフェニルシラノール
（ＣＨＩ）、ＣＣ＠Ｈ藝）ＳｉＯＨ，ジエチルシランジ
オール（Ｃ，Ｈ，）會５ｉ（ＯＨ）−等のオルガノシラ
ノール類、等、ＯとＧｅを含む化合物としては、Ｇｅの
酸化物類、水酸化物類、ゲルマニウム酸類、Ｈ＊ Ｇ
ａ ＯＧ ｅ Ｈａ、Ｈ＊ Ｇ ｅ ＯＧ ｅ Ｈ＊
ＯＧ ｅ Ｈｓ等の有機ゲルマニウム化合物が挙げられ
るが、本発明で使用する酸素含有化合物は、本発明の目
的達成に適会するのであれば、これ勢に限定されること
はない。
シラン（ｃａｓ ）ｓ ５ｉＯＣＨＩ、ジメトキシジメ
チルシラン（ＣＨｌ）−Ｓ ｉ （ＯＣＲ−）−トリメ
トキシメチルシランＣＨ，Ｓ ｉ（ＯＣＲ−）−等のア
ルキルアルコキシシラン類、トリメチルシラノール（Ｃ
ＨＩ）ｌ Ｓ ｉＯＨ％ ジメチルフェニルシラノール
（ＣＨＩ）、ＣＣ＠Ｈ藝）ＳｉＯＨ，ジエチルシランジ
オール（Ｃ，Ｈ，）會５ｉ（ＯＨ）−等のオルガノシラ
ノール類、等、ＯとＧｅを含む化合物としては、Ｇｅの
酸化物類、水酸化物類、ゲルマニウム酸類、Ｈ＊ Ｇ
ａ ＯＧ ｅ Ｈａ、Ｈ＊ Ｇ ｅ ＯＧ ｅ Ｈ＊
ＯＧ ｅ Ｈｓ等の有機ゲルマニウム化合物が挙げられ
るが、本発明で使用する酸素含有化合物は、本発明の目
的達成に適会するのであれば、これ勢に限定されること
はない。
これ等の他に、場合によってはＮ、ガスを使用すること
もできる。
もできる。
本発明において、成膜空間に導入される前記活決められ
るが、好ましく＃ｉｌ Ｏ： １〜１：１０（導入流量
比）が適当であり、より好ましくは８：２〜４：６とさ
れるのが望ましい。
るが、好ましく＃ｉｌ Ｏ： １〜１：１０（導入流量
比）が適当であり、より好ましくは８：２〜４：６とさ
れるのが望ましい。
また本発明の方法により形成される堆積膜は成膜中或い
は成膜後忙不純物元素でドーピングすることが可能であ
る。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、
周期律表ｉｔｚ族Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｔ１等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物と
しては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、特にＢ、
Ｇａ。
は成膜後忙不純物元素でドーピングすることが可能であ
る。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、
周期律表ｉｔｚ族Ａの元素、例えばＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｔ１等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物と
しては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＰ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、特にＢ、
Ｇａ。
ｐ、ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純物の童
は、所望される電気的、光学的特性に応じて適宜決定さ
れる。
は、所望される電気的、光学的特性に応じて適宜決定さ
れる。
かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも堆積膜形成条件下で気体であり、適宜の気
化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好まし
い。この様な化合物としては、ＰＨ，、Ｐ自Ｈ，、ＰＦ
、 、ＰＦ、、Ｐ Ｃｌ ｓ １Ａ ｓＨ＊ ％Ａ ８
Ｆ ＊ 、Ａ ８ Ｆ ｍ、Ａ Ｂ Ｃｌ ｓ 、Ｓ
ｂ Ｈｌｓ Ｓ ｂ Ｆ ＠ 、Ｓ Ｉ Ｈｓ、ＢＦ
ｓｑ ＢＣｌｓ、ＢＢｒｓ、Ｈａ Ｈａ、Ｂ、Ｈ，・、
Ｂｓ Ｈ，、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ＠Ｈ，、％Ｂ・Ｈｕ、Ａｌ
Ｃ１，等を挙げることができる。
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも堆積膜形成条件下で気体であり、適宜の気
化装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好まし
い。この様な化合物としては、ＰＨ，、Ｐ自Ｈ，、ＰＦ
、 、ＰＦ、、Ｐ Ｃｌ ｓ １Ａ ｓＨ＊ ％Ａ ８
Ｆ ＊ 、Ａ ８ Ｆ ｍ、Ａ Ｂ Ｃｌ ｓ 、Ｓ
ｂ Ｈｌｓ Ｓ ｂ Ｆ ＠ 、Ｓ Ｉ Ｈｓ、ＢＦ
ｓｑ ＢＣｌｓ、ＢＢｒｓ、Ｈａ Ｈａ、Ｂ、Ｈ，・、
Ｂｓ Ｈ，、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ＠Ｈ，、％Ｂ・Ｈｕ、Ａｌ
Ｃ１，等を挙げることができる。
不純物元素を含む化合物は、１穐用いても２種以上併用
してもよい。
してもよい。
不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及び活性
化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）ＶＣ於いて活性化されても
良い。不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ
）及び活性種（Ｂ）を生成するに列記された前述の活性
化エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。
化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）ＶＣ於いて活性化されても
良い。不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ
）及び活性種（Ｂ）を生成するに列記された前述の活性
化エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。
不純物導入用物質を活性化して生成される活性種（ＰＮ
）は活性種（Ａ）又は／及び活性種（Ｂ）と予め混合さ
れて、又は、独立に成膜空間に導入される。
）は活性種（Ａ）又は／及び活性種（Ｂ）と予め混合さ
れて、又は、独立に成膜空間に導入される。
次に、本発明方法によって形成される電子写真用像形成
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
第１図は本発明によって得られる典型的な電子写真用像
形成部材としての光導電部材の構成例を説明するための
模式図である。
形成部材としての光導電部材の構成例を説明するための
模式図である。
第１図に示す光導電部材１０は、電子写真用像形成部材
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１
２、及び感光層１３で構成される層栴成を有している。
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１
２、及び感光層１３で構成される層栴成を有している。
光導電部材１０の製造に当っては、中間層１２又Ｆｉ／
及び感光層１３を本発明の方法によって作成することが
出来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化
学的、物質的に保護する為に設けられる保護層、或いは
電気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層
又は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発
明の方法で作成することも出来る。
及び感光層１３を本発明の方法によって作成することが
出来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化
学的、物質的に保護する為に設けられる保護層、或いは
電気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層
又は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発
明の方法で作成することも出来る。
支持体１１としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ５−Ｘ
テンレス、Ａ ｌ、Ｃｒ１ＭＯ％ Ａｕ。
良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ５−Ｘ
テンレス、Ａ ｌ、Ｃｒ１ＭＯ％ Ａｕ。
Ｉｒｔ Ｎｂｔ Ｔ１１％ Ｖ％Ｔｉｔ Ｐｔｓ Ｐｄ
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。
等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
らの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。
ン、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
らの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれ、その表面がＮ ｉ ｃ ｒ ｓ人
１．ＣｒｌＭａｓ Ａｕ１１ ｒｓ Ｎｂ、 Ｔ ａ、
ＶｓＴｉ１Ｐｔ％Ｐｄｘ Ｉｎｔ Ｏｓ 、Ｓｎｏｗ
、Ｉ ＩＴＯ（Ｉｎｓ Ｑ＋ ＋ＳｎＯ重）等の薄膜を
設けることによって導電処理され、あるいはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ Ｌ Ｃ
ｒ。
１．ＣｒｌＭａｓ Ａｕ１１ ｒｓ Ｎｂ、 Ｔ ａ、
ＶｓＴｉ１Ｐｔ％Ｐｄｘ Ｉｎｔ Ｏｓ 、Ｓｎｏｗ
、Ｉ ＩＴＯ（Ｉｎｓ Ｑ＋ ＋ＳｎＯ重）等の薄膜を
設けることによって導電処理され、あるいはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎ Ｌ Ｃ
ｒ。
Ａ１％ Ａｇ１Ｐｂ、Ｚｎｔ ＮｉｌＡｕ％Ｃｒ５Ｍ０
％ Ｉｒｓ Ｎｂｔ Ｔ１１％ Ｖ％ Ｔｉ、ｐｔ等の
金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スバ、タリング等で
処理し、又は前記金属でラミネート処理して、その表面
が導電処理される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状が決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
０を電子写真用像形成部材として使用するのであれば、
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。
％ Ｉｒｓ Ｎｂｔ Ｔ１１％ Ｖ％ Ｔｉ、ｐｔ等の
金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スバ、タリング等で
処理し、又は前記金属でラミネート処理して、その表面
が導電処理される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によって、そ
の形状が決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１
０を電子写真用像形成部材として使用するのであれば、
連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とす
るのが望ましい。
例えば中間層１２には、支持体１１の側から感光層１３
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に向っ
て移動するフォトキャリアの感光層１３の側から支持体
１１の側への通過を容易に許す機能を有する。
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に向っ
て移動するフォトキャリアの感光層１３の側から支持体
１１の側への通過を容易に許す機能を有する。
この中間層１２は、例えば本発明方法で作成するのであ
れば、シリコン原子、窒素［ｃｈ炭鷹原子、必要に応じ
て一酸素厚子泳素原子（ｆ（）及び／又はノ１０ゲン原
子（Ｘ）、を構成原子とする非晶質材料（以下、ａ−８
ｔＮｃ（０，Ｈ，Ｘ）と記す。）で構成されると共に、
場合によっては電気伝導性を支配する物質として、例え
ばＢ等のｐ型不純物あるいはＰ等の電型不純物が含有さ
れる。又、膜の機能性の拡大を計る目的でゲルマニウム
原子を含有させることも出来る。
れば、シリコン原子、窒素［ｃｈ炭鷹原子、必要に応じ
て一酸素厚子泳素原子（ｆ（）及び／又はノ１０ゲン原
子（Ｘ）、を構成原子とする非晶質材料（以下、ａ−８
ｔＮｃ（０，Ｈ，Ｘ）と記す。）で構成されると共に、
場合によっては電気伝導性を支配する物質として、例え
ばＢ等のｐ型不純物あるいはＰ等の電型不純物が含有さ
れる。又、膜の機能性の拡大を計る目的でゲルマニウム
原子を含有させることも出来る。
本発明に於て、中間層１２中に含有されるＢｌＰ等の伝
導性を支配する物質の含有量としては、好適には、０．
００１〜５Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃｐｐｍ％より好
適には０．５〜Ｉ Ｘｌ ０’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐ
ｍ。
導性を支配する物質の含有量としては、好適には、０．
００１〜５Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃｐｐｍ％より好
適には０．５〜Ｉ Ｘｌ ０’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐ
ｍ。
最適には１〜５ Ｘ １０” ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ
とされるのが望ましい。
とされるのが望ましい。
中間層１２を形成する場合には、感光層１３の形成まで
連続的に行なうことができる。その場合には、中間層形
成用の原料として、活性化空間（Ａ）で生成された活性
ｍ（Ａ）と、活性化空間（Ｂ）に導入された成膜用の窒
素含有化合物よプ生成される活性１ｍ（Ｂ）と必要に応
じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合物
のガス等から生成された活性種（Ｂ）とを夫々別々に或
いは適宜必要に応じて混合して支持体１１の設置しであ
る成膜空間に導入して、光エネルギーを用いることによ
り、前記支持体１１上に中間層１２を形成させればよい
。
連続的に行なうことができる。その場合には、中間層形
成用の原料として、活性化空間（Ａ）で生成された活性
ｍ（Ａ）と、活性化空間（Ｂ）に導入された成膜用の窒
素含有化合物よプ生成される活性１ｍ（Ｂ）と必要に応
じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む化合物
のガス等から生成された活性種（Ｂ）とを夫々別々に或
いは適宜必要に応じて混合して支持体１１の設置しであ
る成膜空間に導入して、光エネルギーを用いることによ
り、前記支持体１１上に中間層１２を形成させればよい
。
中間層１２を形成させる際に活性化空間（Ａ）に導入さ
れて活性種（Ａ）を生成する炭素とノ１０ゲンを含む化
合物としては、例えば容易＆ＣＣＦ −の如き活性種を
生成する化合物を前記の中の化合物より選択するのがよ
り望ましい。また、同様にケイ素とハロゲンを含む化合
物としては、例えば容易に５ｉＦ−の如き活性種を生成
する化合物を前記の中の化合物より選択するのがより望
ましい。
れて活性種（Ａ）を生成する炭素とノ１０ゲンを含む化
合物としては、例えば容易＆ＣＣＦ −の如き活性種を
生成する化合物を前記の中の化合物より選択するのがよ
り望ましい。また、同様にケイ素とハロゲンを含む化合
物としては、例えば容易に５ｉＦ−の如き活性種を生成
する化合物を前記の中の化合物より選択するのがより望
ましい。
中間層１２の層厚は、好ましくは、３０１〜１０μ、よ
り好適には４０λ〜８μ、最適には５０λ〜５μとされ
るのが望ましい。
り好適には４０λ〜８μ、最適には５０λ〜５μとされ
るのが望ましい。
感光層１３Ｆｉ、例えばシリコン原子を母体とし水素原
子又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする非
晶質材料（以後ｒ Ａ −Ｓ ｉ （Ｈ，Ｘ）Ｊと１゛
う）で構成され、レーザー光の照射によってフォトキャ
リアを発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷
輸送機能の両機能を有する。
子又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする非
晶質材料（以後ｒ Ａ −Ｓ ｉ （Ｈ，Ｘ）Ｊと１゛
う）で構成され、レーザー光の照射によってフォトキャ
リアを発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷
輸送機能の両機能を有する。
感光層１３の層厚としては、好ましくは、１〜１００μ
、よシ好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされ
るのが望ましい。
、よシ好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされ
るのが望ましい。
感光層１３はノンドープのＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）層である
が、所望により中間層１２１Ｃ含有される伝導特性を支
配する物質の極性とは別の極性（例えばｎ型）の伝導特
性を支配する物質を含有させてもよいし、あるいは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、中間層１２に含有さ
れる実際の量が多い場合には、線量よりも一段と少ない
量にして含有させてもよい。
が、所望により中間層１２１Ｃ含有される伝導特性を支
配する物質の極性とは別の極性（例えばｎ型）の伝導特
性を支配する物質を含有させてもよいし、あるいは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、中間層１２に含有さ
れる実際の量が多い場合には、線量よりも一段と少ない
量にして含有させてもよい。
感光層１３の形成の場合も、本発明の方法によって成さ
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）に炭素とハロゲンを含む化合物及びこれとは別
にケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、高温下で
これ等を分解することにより、或いは放電エネルギーや
光エネルギーを作用させて励起することで活性種（Ａ）
が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に導入される。
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）に炭素とハロゲンを含む化合物及びこれとは別
にケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、高温下で
これ等を分解することにより、或いは放電エネルギーや
光エネルギーを作用させて励起することで活性種（Ａ）
が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に導入される。
また、これとは別に、気体状態のケイ素含有化合物と、
必要に応じて、窒素含有化合物、水素、ハロゲン含有化
合物、不活性ガス、炭素含有化合物、ゲルマユ９ム含有
化合物、酸素含有化合物、不純物元素を成分として含む
化合物のガス等を、支持体１１の設置しである成膜空間
に導入し、光エネルギーを用いることによシ、前記支持
体１１上に中間層１２を形成させればよい。
必要に応じて、窒素含有化合物、水素、ハロゲン含有化
合物、不活性ガス、炭素含有化合物、ゲルマユ９ム含有
化合物、酸素含有化合物、不純物元素を成分として含む
化合物のガス等を、支持体１１の設置しである成膜空間
に導入し、光エネルギーを用いることによシ、前記支持
体１１上に中間層１２を形成させればよい。
また、本発明方法は、この例のほか、工Ｃ１トランジス
タ、ダイオード、光電変換素子等の半導体デバイスを構
成するＣＶＤ法による５ｉｓＮ＋絶縁体膜、部分的に窒
化されたＳ１膜などを形成するのに好適であり、ま九例
えば成膜空間への窒素含有化合物の導入時期、導入量等
を制御することによ）層厚方向に窒素濃度の分布をもっ
たＳｉ膜を形成することができる。あるいは、窒素含有
化合物のほかに水素、ノ・ロゲ／、ケイ素含有化合物、
ゲルマニウム含有化合物、炭素含有化合物、酸素含有化
合物等を必要により適宜組合せることにより、Ｎとこれ
らＨ％Ｘ％Ｓｔ％Ｇｅ％Ｃ，Ｏ等との結合を構成単位と
する所望する特性の膜体を形成することも可能である。
タ、ダイオード、光電変換素子等の半導体デバイスを構
成するＣＶＤ法による５ｉｓＮ＋絶縁体膜、部分的に窒
化されたＳ１膜などを形成するのに好適であり、ま九例
えば成膜空間への窒素含有化合物の導入時期、導入量等
を制御することによ）層厚方向に窒素濃度の分布をもっ
たＳｉ膜を形成することができる。あるいは、窒素含有
化合物のほかに水素、ノ・ロゲ／、ケイ素含有化合物、
ゲルマニウム含有化合物、炭素含有化合物、酸素含有化
合物等を必要により適宜組合せることにより、Ｎとこれ
らＨ％Ｘ％Ｓｔ％Ｇｅ％Ｃ，Ｏ等との結合を構成単位と
する所望する特性の膜体を形成することも可能である。
第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
でドーピングされた堆積膜を利用したＰＩＮ型ダイオー
ド、デバイスの典型例を示した模式図である。
でドーピングされた堆積膜を利用したＰＩＮ型ダイオー
ド、デバイスの典型例を示した模式図である。
図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ｉ型の半導体層２
５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。半導体層
２４．２５．２６のいずれか一層の作成に本発明を適用
することができるが、殊に半導体層２６を本発明の方法
で作成することにより、変換効率を高めることが出来る
。本発明の方法で半導体層２６を作成する場合には、半
導体層２６は、例えば、シリコン原子と窒素原子と炭素
原子と、水素原子又は／及びＩ・ロゲン原子とを構成原
子とする非晶質材料（以後「Ａ −Ｓ １Ｎｃ（Ｈ，Ｘ
）Ｊと記す）で構成することが出来る。
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ｉ型の半導体層２
５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。半導体層
２４．２５．２６のいずれか一層の作成に本発明を適用
することができるが、殊に半導体層２６を本発明の方法
で作成することにより、変換効率を高めることが出来る
。本発明の方法で半導体層２６を作成する場合には、半
導体層２６は、例えば、シリコン原子と窒素原子と炭素
原子と、水素原子又は／及びＩ・ロゲン原子とを構成原
子とする非晶質材料（以後「Ａ −Ｓ １Ｎｃ（Ｈ，Ｘ
）Ｊと記す）で構成することが出来る。
２８は外部電気回路装置と結合される導線である。
基体２１としては導電性、半導電性、電気絶縁性のもの
が用いられる。基体２１が導電性である場合には、薄膜
電極２２は省略しても差支えない。
が用いられる。基体２１が導電性である場合には、薄膜
電極２２は省略しても差支えない。
半導電性基板としては、例えば、Ｓ ｉｌＧ ｅ ５Ｇ
ａＡｓ、ＺｎＯ１ＺｎＳ等の半導体が挙げられる。薄膜
電極２２．２７としては例えば、ＮｉＣｒ１Ａ １ 、
Ｃｒ ｓ Ｍ ｏ、Ａ ｕ １１ ｒ ｓ Ｎ ｂ ％
Ｔ ａ １ＶｓＴ１、Ｐｔ％Ｐｄ、Ｉｒｚ Ｃ１、Ｓ
ｎｏｗ ％ ＩＴＯ（Ｉ ｎ＊ Ｏｓ ＋ＳｎＯ＋ ）
等の薄膜を、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スノ＜ツタリ
ング等の処理で基体２１上に設けることによって得られ
る。電極２２．２７の膜厚としては、好ましくは３０〜
５×１０４により好ましくは１００〜５×１０入とされ
るのが望ましい。
ａＡｓ、ＺｎＯ１ＺｎＳ等の半導体が挙げられる。薄膜
電極２２．２７としては例えば、ＮｉＣｒ１Ａ １ 、
Ｃｒ ｓ Ｍ ｏ、Ａ ｕ １１ ｒ ｓ Ｎ ｂ ％
Ｔ ａ １ＶｓＴ１、Ｐｔ％Ｐｄ、Ｉｒｚ Ｃ１、Ｓ
ｎｏｗ ％ ＩＴＯ（Ｉ ｎ＊ Ｏｓ ＋ＳｎＯ＋ ）
等の薄膜を、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スノ＜ツタリ
ング等の処理で基体２１上に設けることによって得られ
る。電極２２．２７の膜厚としては、好ましくは３０〜
５×１０４により好ましくは１００〜５×１０入とされ
るのが望ましい。
半導体層を構成する膜体を必要に応じてｎ型又はｐ型と
するには、層形成の際に、不純物元素のうちｎ型不純物
又はｐ型不純物、あるいは雨下鈍物を形成される層中に
その一１ｔｌ−制御し乍らド−ピングしてやる事によっ
て形成される。
するには、層形成の際に、不純物元素のうちｎ型不純物
又はｐ型不純物、あるいは雨下鈍物を形成される層中に
その一１ｔｌ−制御し乍らド−ピングしてやる事によっ
て形成される。
ｎ型、ｉ型及びｐ型の半導体層を形成する場合、何れか
１つの層乃至は全部の層を本発明方法によ）形成するこ
とができ、成膜は、活性化空間（Ａ）に炭素と７１０ゲ
ンを含む化合物が導入され、活性化エネルギーの作用下
でこれ等を励起し、分解することで、例えばＣＦ 、４
″、３ ｉ Ｆ ＊”等の活性種（Ａ）が生成され、該
活性種（Ａ）が成膜空間に導入される。また、これとは
別に、活性化空間（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質
と、必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を成分とし
て含む化合物のガス等を、夫々活性化エネルギーによっ
て励起し分解して、夫々の活性種を生成し、夫々を別々
にまたは適宜に混合して支持体１１の設置しである成膜
空間に導入して形成させれば良い。
１つの層乃至は全部の層を本発明方法によ）形成するこ
とができ、成膜は、活性化空間（Ａ）に炭素と７１０ゲ
ンを含む化合物が導入され、活性化エネルギーの作用下
でこれ等を励起し、分解することで、例えばＣＦ 、４
″、３ ｉ Ｆ ＊”等の活性種（Ａ）が生成され、該
活性種（Ａ）が成膜空間に導入される。また、これとは
別に、活性化空間（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質
と、必要に応じて不活性ガス及び不純物元素を成分とし
て含む化合物のガス等を、夫々活性化エネルギーによっ
て励起し分解して、夫々の活性種を生成し、夫々を別々
にまたは適宜に混合して支持体１１の設置しである成膜
空間に導入して形成させれば良い。
ｎ型およびｐ型の半導体層の層厚としては、好ましくは
１００〜１０’＾、より好ましくは３００〜２０００Ｘ
の範囲が望ましい。
１００〜１０’＾、より好ましくは３００〜２０００Ｘ
の範囲が望ましい。
また、ｌ型の半導体層の層厚としては、好ましくは５０
０〜１０４＾、よシ好ましくは１０００〜１００００大
の範囲が望ましい。
０〜１０４＾、よシ好ましくは１０００〜１００００大
の範囲が望ましい。
以下に本発明の具体的実施例を示す。
実施例１
第３図に示した装置を用い、以下の如き操作によってア
モルファス堆積膜を形成した。
モルファス堆積膜を形成した。
第３図において、１０１は成膜室であり、内部の基体支
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。
１０４け基体加熱用のヒーターであり、該ヒーター１０
４は、成膜処理前に基体１０４を加熱処理したり、成膜
後に、形成された膜の特性を一層向上させる為にアニー
ル処理したりする際に使用発明方法を実施するにあたっ
ては、好ましくは３０〜４５０℃、より好ましくは１０
０〜２５０℃であることが望ましい。
４は、成膜処理前に基体１０４を加熱処理したり、成膜
後に、形成された膜の特性を一層向上させる為にアニー
ル処理したりする際に使用発明方法を実施するにあたっ
ては、好ましくは３０〜４５０℃、より好ましくは１０
０〜２５０℃であることが望ましい。
１０６乃至１０９は、ガス供給源であり、成膜原料のガ
ス、及び必要に応じて用いられる不活性ガス、不純物元
素を成分とする化合物のガスの種類に応じて設けられる
。これ等のガスが標準状態に於いて液状のものを使用す
る場合には、適宜の気化装置を具備させる。
ス、及び必要に応じて用いられる不活性ガス、不純物元
素を成分とする化合物のガスの種類に応じて設けられる
。これ等のガスが標準状態に於いて液状のものを使用す
る場合には、適宜の気化装置を具備させる。
図中ガス供給１０６乃至１０９の符合にａを付したのは
分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流量
計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付り、
たのは各気体流量を調整するためのバルブである。１２
３は活性種（Ｂ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３０周りには、活性種（Ｂ）を生成させ
る為の活性化エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ
発生装置１２２が設けられている。ガス導入管１１０よ
り供給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは、活性化
室（Ｂ）１２３内に於いて活性化され、生じた活性種（
Ｂ）は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入され
る。１１１はガス圧力計である。
分岐管、ｂを付したのは流量計、Ｃを付したのは各流量
計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付り、
たのは各気体流量を調整するためのバルブである。１２
３は活性種（Ｂ）を生成する為の活性化室（Ｂ）であり
、活性化室１２３０周りには、活性種（Ｂ）を生成させ
る為の活性化エネルギーを発生するマイクロ波プラズマ
発生装置１２２が設けられている。ガス導入管１１０よ
り供給される活性種（Ｂ）生成用の原料ガスは、活性化
室（Ｂ）１２３内に於いて活性化され、生じた活性種（
Ｂ）は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入され
る。１１１はガス圧力計である。
図中１１２は活性化室（Ａ）、１１３は電気炉、１１４
は固体０粒、１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体状
態の炭素とハロゲンを含む化合物の導入管であり、活性
化室（Ａ）１１２で生成された活性Ｗ１（Ａ）は導入管
１１６を介して成膜室１０１内に導入される。
は固体０粒、１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体状
態の炭素とハロゲンを含む化合物の導入管であり、活性
化室（Ａ）１１２で生成された活性Ｗ１（Ａ）は導入管
１１６を介して成膜室１０１内に導入される。
１１７は光エネルギー発生装置であって、例えば水鋏ラ
ンプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−尋が用いられる。
ンプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−尋が用いられる。
光エネルギー発生装置１１７から適宜の光学系を用いて
基体１０３全体あるいは基体１０３０所望部分に向けら
れた光１１８は、矢印１１９の向きに流れている活性種
に照射され、照射された活性種は、相互的に化学反応す
る事によって基体１０３の全体あるいは所望部分に堆積
膜を形成する。
基体１０３全体あるいは基体１０３０所望部分に向けら
れた光１１８は、矢印１１９の向きに流れている活性種
に照射され、照射された活性種は、相互的に化学反応す
る事によって基体１０３の全体あるいは所望部分に堆積
膜を形成する。
また、図中、１２０は排気パルプ、１２１は排気管であ
る。
る。
先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルム製の基体１
０３を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて成膜
室１０１内を排気し、約１０−。
０３を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて成膜
室１０１内を排気し、約１０−。
Ｔｏｒｒに減圧した。ガス供給用ボンベ１０６を用いて
トリエチルシラザンのガス化されたものをガス導入管１
１０を介して活性化室（Ｂ）１２３に導入した。活性化
室（Ｂ）１２３内に導入されたトリエチルシラザン等は
マイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化されて
活性化トリエチルシラザンとされ、導入管１２４を通じ
て、活性化トリエチルシラザンを成膜室１０１に導入し
た。
トリエチルシラザンのガス化されたものをガス導入管１
１０を介して活性化室（Ｂ）１２３に導入した。活性化
室（Ｂ）１２３内に導入されたトリエチルシラザン等は
マイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化されて
活性化トリエチルシラザンとされ、導入管１２４を通じ
て、活性化トリエチルシラザンを成膜室１０１に導入し
た。
また他方、活性化室（Ａ）１％２に固体Ｃ粒１１４を詰
めて、電気炉１１３により加熱し、約１０００℃に保ち
、Ｃを赤熱状態とし、そこへ導入管１１５を通じて不図
示のボンベよりＣＦ、を吹き込むことにより、ＣＦ雪の
活性種を生成させ、該ＣＦ 、”を導入管１１６を経て
、成膜室１０１へ導入した。
めて、電気炉１１３により加熱し、約１０００℃に保ち
、Ｃを赤熱状態とし、そこへ導入管１１５を通じて不図
示のボンベよりＣＦ、を吹き込むことにより、ＣＦ雪の
活性種を生成させ、該ＣＦ 、”を導入管１１６を経て
、成膜室１０１へ導入した。
この様にして成膜室１０１内の内力を０．６Ｔｏｒｒに
保ちつつＩ Ｉ ＫＷＸ ｅランプから基板に垂直に照
射してＡ−８ｉ ＮＣ（Ｈ，Ｘ）膜（膜厚７００人）を
形成した。成膜速度は２１λ／ｓｅｅであった〇 次いで、得られたＡ−８ｔＮＣ（Ｈ，Ｘ）膜を形成した
試料を蒸着槽に入れ、真空度１０ＴｏｒｒでクシをのＡ
ｔギャップ電極（ギヤｙプ長２５０μ、幅５■）を形成
した後、印加電圧１２Ｖで暗電流を測定し、暗導電率σ
ｄを求めて、襲試料の膜特性を評価した。結果を第１表
に示した。
保ちつつＩ Ｉ ＫＷＸ ｅランプから基板に垂直に照
射してＡ−８ｉ ＮＣ（Ｈ，Ｘ）膜（膜厚７００人）を
形成した。成膜速度は２１λ／ｓｅｅであった〇 次いで、得られたＡ−８ｔＮＣ（Ｈ，Ｘ）膜を形成した
試料を蒸着槽に入れ、真空度１０ＴｏｒｒでクシをのＡ
ｔギャップ電極（ギヤｙプ長２５０μ、幅５■）を形成
した後、印加電圧１２Ｖで暗電流を測定し、暗導電率σ
ｄを求めて、襲試料の膜特性を評価した。結果を第１表
に示した。
実施例２
ガス供給ボンベ１０６等からのトリエチルシラザンガス
の代りに（Ｃｓ Ｈａ）ｓ Ｓ ｔ Ｎｕｓ ／Ｈａ／
Ｆ、混合ガス（混合比（Ｃ，Ｈ−）−８ｉＮＨ−／Ｈ，
／Ｆ、 ＝８ ： ８ ： １ ）を用いた以外は、実
施例１と同様の方法と手順に従ってＡ−８ｉＮＣ（Ｈ，
Ｘ）膜を形成した。各試料に就いて暗導電率を測定し、
結果を第１表に示した。
の代りに（Ｃｓ Ｈａ）ｓ Ｓ ｔ Ｎｕｓ ／Ｈａ／
Ｆ、混合ガス（混合比（Ｃ，Ｈ−）−８ｉＮＨ−／Ｈ，
／Ｆ、 ＝８ ： ８ ： １ ）を用いた以外は、実
施例１と同様の方法と手順に従ってＡ−８ｉＮＣ（Ｈ，
Ｘ）膜を形成した。各試料に就いて暗導電率を測定し、
結果を第１表に示した。
第 １ 表
第１表から、本発明によると電気特性に優れたアモルフ
ァス膜が得られることが判った。
ァス膜が得られることが判った。
実施例３゜
第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
第４図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室（
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体０粒、２０５は活
性５（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性ｆｆ１（Ａ
）導入管、２０７はモーター、２０８は第３図の１０４
と同様に用いられる加熱ヒーター、２０９．２１０は吹
き出し管、２１１はＡＩクシリンダ−状基体、２１２は
排気パルプを示している。又、２１３乃至２１６は第３
図中１０６乃至１０９と同様の原料ガス係給源であり、
２１７−１はガス導入管である。
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体０粒、２０５は活
性５（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性ｆｆ１（Ａ
）導入管、２０７はモーター、２０８は第３図の１０４
と同様に用いられる加熱ヒーター、２０９．２１０は吹
き出し管、２１１はＡＩクシリンダ−状基体、２１２は
排気パルプを示している。又、２１３乃至２１６は第３
図中１０６乃至１０９と同様の原料ガス係給源であり、
２１７−１はガス導入管である。
成膜室２０１にＡｌシリンダー基体２１１をつり下げ、
その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０７
により回転できる様にする。２１８は光エネルギー発生
装置であって、Ａｌシリンダー２１１の所望部分に向け
て光２１９が照射される。
その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０７
により回転できる様にする。２１８は光エネルギー発生
装置であって、Ａｌシリンダー２１１の所望部分に向け
て光２１９が照射される。
また、活性化室（Ａ）２０２に固体０粒２０４を詰めて
、電気炉２０３により加熱し、Ｃを赤熱状態とし、そこ
へボンベからＣＦ、を吹き込むこへ導入する。
、電気炉２０３により加熱し、Ｃを赤熱状態とし、そこ
へボンベからＣＦ、を吹き込むこへ導入する。
又、活性化室（Ａ）２０２と同様の構造の活性化室（Ｃ
）（不図示）より、同様にして固体３ｉ粒とＳｉＦ・よ
り５ｉＦ−の活性種（Ｃ）を導入した。
）（不図示）より、同様にして固体３ｉ粒とＳｉＦ・よ
り５ｉＦ−の活性種（Ｃ）を導入した。
一方、導入管２１７−１よりトリエチルジシラザンのガ
ス化したものを活性化室（Ｂ）２２０内に導入した。導
入されたトリエチルジシラザンガスは活性化室（Ｂ）２
２０に於いてマイクロ波プラズマ発生装置２２１により
プラズマ化等の活性化処理を受けて活性化トリエチルジ
シラザンとなり、導入管２１７−２を通じて成膜室２０
１内に導入された。この際、必要に応じてＰＨ，１Ｂ。
ス化したものを活性化室（Ｂ）２２０内に導入した。導
入されたトリエチルジシラザンガスは活性化室（Ｂ）２
２０に於いてマイクロ波プラズマ発生装置２２１により
プラズマ化等の活性化処理を受けて活性化トリエチルジ
シラザンとなり、導入管２１７−２を通じて成膜室２０
１内に導入された。この際、必要に応じてＰＨ，１Ｂ。
に保ちつつ、Ｉ Ｋ Ｗ Ｘ ｅランプ２１８からＡｌ
シリンダー２１１の周面に対し垂直に光照射する。
シリンダー２１１の周面に対し垂直に光照射する。
Ａｌシリンダー基体２１１は回転させ、排ガスは排気バ
ルブ２１２の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにして中間層１２が膜厚２０００＾に形成された。
ルブ２１２の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにして中間層１２が膜厚２０００＾に形成された。
また、感光層１３は、中間層１２の形成に使用したガス
の中、ＣＦ、は使用せず又、トリエチルジシラザンの代
りにＨ２ガスを使用し、導入管２１７−１よりＨ，／Ｂ
、ＨＣ容量チでＢ、Ｈ。
の中、ＣＦ、は使用せず又、トリエチルジシラザンの代
りにＨ２ガスを使用し、導入管２１７−１よりＨ，／Ｂ
、ＨＣ容量チでＢ、Ｈ。
ガスが０．２％）の混合ガスを導入した以外は、中間層
１２の場合と同様にして成膜された。
１２の場合と同様にして成膜された。
比較例Ｉ
ＣＦ、、ＳｉＨ，、）リエチルジシラザン、Ｉ（、及び
Ｂ＊Ｈ−の各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構成
の成膜室を用意して１３．５６ＭＨｚの高周波装置を備
え、一般的なプラズマＣＶＤ法により、第１図に示す層
構成の電子写真用像形成部材を形成した。
Ｂ＊Ｈ−の各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構成
の成膜室を用意して１３．５６ＭＨｚの高周波装置を備
え、一般的なプラズマＣＶＤ法により、第１図に示す層
構成の電子写真用像形成部材を形成した。
実施例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
第 ２ 表
第 ２ 表（続き）
実施例４
第３図の装置を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオ
ードを作製した。
ードを作製した。
まず、１０ （１０＾のＩＴＯ膜２２を蒸着したポリエ
チレンテレフタレートフィルム２１ を支持台に載置し
、１０”Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例３と同様例して
生成された活性種Ｓ ｉＦ ｓ”を成膜室１０１に導入
した。又、Ｈ１ガスＰＨ，ガス（１０００ｐｐｍ水素ガ
ス希釈）の夫々を活性化室（Ｂ）１２３に導入して活性
化した。次いでこの活性化されたガスを導入管１１６を
介して成膜室１０１内に導入した。成膜室１０１内の圧
力を０．６Ｔｏｒｒに保ちながらＩＫＷＸｅランプで光
照射してＰでドーピングされたｎ型Ａ−８ｔ（Ｈ。
チレンテレフタレートフィルム２１ を支持台に載置し
、１０”Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例３と同様例して
生成された活性種Ｓ ｉＦ ｓ”を成膜室１０１に導入
した。又、Ｈ１ガスＰＨ，ガス（１０００ｐｐｍ水素ガ
ス希釈）の夫々を活性化室（Ｂ）１２３に導入して活性
化した。次いでこの活性化されたガスを導入管１１６を
介して成膜室１０１内に導入した。成膜室１０１内の圧
力を０．６Ｔｏｒｒに保ちながらＩＫＷＸｅランプで光
照射してＰでドーピングされたｎ型Ａ−８ｔ（Ｈ。
Ｘ）膜２４（膜厚７００Ａ）を形成した。
次いでＰＨ，ガスの導入を停止し、Ｓ ｉＦ ｓ ／Ｃ
Ｆ雪を使用した以外はｎ型Ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）膜の場合
と同様の方法でノンドープＡ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）膜２５
（膜厚５ｏｏｏ入）を形成した。
Ｆ雪を使用した以外はｎ型Ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）膜の場合
と同様の方法でノンドープＡ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）膜２５
（膜厚５ｏｏｏ入）を形成した。
次いで、Ｈ，／ＰＨ，ガスの代りに（Ｃ，Ｈ，）５ｉＮ
Ｈ雪／Ｈ，ガス（混合比１：１０）と共にＢ、Ｈ，ガス
（１０００ｐｐｍ水素ガス希釈）を使用し、それ以外は
ｎ型と同じ条件でＢでドーピングされたｐ型ａ−８ｉＮ
ｃ （Ｈ，Ｘ ）膜２６（膜厚７００＾）を形成した。
Ｈ雪／Ｈ，ガス（混合比１：１０）と共にＢ、Ｈ，ガス
（１０００ｐｐｍ水素ガス希釈）を使用し、それ以外は
ｎ型と同じ条件でＢでドーピングされたｐ型ａ−８ｉＮ
ｃ （Ｈ，Ｘ ）膜２６（膜厚７００＾）を形成した。
更に、このｐ型膜上に真空蒸着によフ膜厚１ｏｏｏＡの
Ａｌ電極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
Ａｌ電極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
かくして得られたダイオード素子（面積１−）のＩ−Ｖ
特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価した。
特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価した。
結果を第３表に示した。
又、光照射特性においても基体側から光を導入し、光照
射強度ＡＭＩ（約１００ ｍＷ／ｃｊ ）で、変換効率
８．５−以上、開放端電圧０．９０Ｖ短絡電流９．８
ｍ Ａ ／−が得られた。
射強度ＡＭＩ（約１００ ｍＷ／ｃｊ ）で、変換効率
８．５−以上、開放端電圧０．９０Ｖ短絡電流９．８
ｍ Ａ ／−が得られた。
実施例５
導入管１１０から（Ｃｓ Ｈｓ ） ＩＳ ｔ ＮＨｔ
／Ｈ，ガスの代勺に（Ｃ謬Ｈｓ ）＋ Ｓ ｉＮＨｇ
／几／Ｆ、ガス（（Ｃｔ Ｈｌ） ｌ Ｓ ｔ ＮＨ
Ｉ ｉＨｔ ／Ｆｌ ＝１：１５：２）を用いた以外は
、実施例４と同様にして実施例４で作成したのと同様の
ＰＩＮ型ダイオードを作製した。
／Ｈ，ガスの代勺に（Ｃ謬Ｈｓ ）＋ Ｓ ｉＮＨｇ
／几／Ｆ、ガス（（Ｃｔ Ｈｌ） ｌ Ｓ ｔ ＮＨ
Ｉ ｉＨｔ ／Ｆｌ ＝１：１５：２）を用いた以外は
、実施例４と同様にして実施例４で作成したのと同様の
ＰＩＮ型ダイオードを作製した。
この試料て就いて整流特性及び光起電力効果を評価し、
結果を第３表に示した。
結果を第３表に示した。
第３表
４１１ を圧ｌｖでの順方向電流と逆方向電流の比費
２ｐ−ｎ接合の電流式Ｊ＝Ｊｓ（ｅｘ区 ′ａｖ ）−
１）ＲＴ に於けるｎ値（Ｑｕａｌｉｔｙ Ｆａｃｔｏｒ）〔発
明の効果〕 本発明の堆Ｓ膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に、成膜空間において励起エ
ネルギーとして光エネルギーを用いているので、例えば
耐熱性に乏しい基体、プラズマエツチング作用を受は易
い基体の上にも成膜できる、低温処理によって工程の短
縮化を図るといった効果が発揮される。
２ｐ−ｎ接合の電流式Ｊ＝Ｊｓ（ｅｘ区 ′ａｖ ）−
１）ＲＴ に於けるｎ値（Ｑｕａｌｉｔｙ Ｆａｃｔｏｒ）〔発
明の効果〕 本発明の堆Ｓ膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に、成膜空間において励起エ
ネルギーとして光エネルギーを用いているので、例えば
耐熱性に乏しい基体、プラズマエツチング作用を受は易
い基体の上にも成膜できる、低温処理によって工程の短
縮化を図るといった効果が発揮される。
第１図は本発明方法を用いて製造される電子写真用像形
成部材の構成例を説明するための模式図である。 第２図は本発明方法を用いて製造されるＰＩＮ型ダイオ
ードの構成例を説明するための模式図である。 第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた本発明方法
を実施するための装置の構成を説明するための模式図で
ある。 １０・・・・・・ 電子写真用像形成部材、１１・・・
・・・ 基体、 １２・・・・・・ 中間層、 １３・・・・・・ 感光層、 ２１・・・・・・ 基体、 ２２．２７・・・・・・ 薄膜電極、 ２４・・・・・・ ｎ型半導体層、 ２５・・・・・・ ｉ型半導体層、 ２６・・・・・・ ｐ型半導体層、 １０１．２０１・・・・・・ 成膜室、１１４．２０２
・−・・・・ 活性化室（Ａ）、１２３．２２０・・・
・・・ 活性化室（Ｂ）、１０６．１０７，１０８，１
０９，２１３゜２１４．２１５，２１６・・・・・・
ガス供給系、１０３．２１１・・・・・・ 基体、 １１７．２１８・・・・・・ 光エネルギー発生装置。
成部材の構成例を説明するための模式図である。 第２図は本発明方法を用いて製造されるＰＩＮ型ダイオ
ードの構成例を説明するための模式図である。 第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた本発明方法
を実施するための装置の構成を説明するための模式図で
ある。 １０・・・・・・ 電子写真用像形成部材、１１・・・
・・・ 基体、 １２・・・・・・ 中間層、 １３・・・・・・ 感光層、 ２１・・・・・・ 基体、 ２２．２７・・・・・・ 薄膜電極、 ２４・・・・・・ ｎ型半導体層、 ２５・・・・・・ ｉ型半導体層、 ２６・・・・・・ ｐ型半導体層、 １０１．２０１・・・・・・ 成膜室、１１４．２０２
・−・・・・ 活性化室（Ａ）、１２３．２２０・・・
・・・ 活性化室（Ｂ）、１０６．１０７，１０８，１
０９，２１３゜２１４．２１５，２１６・・・・・・
ガス供給系、１０３．２１１・・・・・・ 基体、 １１７．２１８・・・・・・ 光エネルギー発生装置。
Claims (1)
- 基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、炭素と
ハロゲンを含む化合物を分解することにより生成される
活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をす
る、成膜用の窒素含有化合物より生成される活性種（Ｂ
）とを夫々別々に導入し、これらに光エネルギーを照射
して化学反応させる事によって、前記基体上に堆積膜を
形成する事を特徴とする堆積膜形成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035607A JPS61194824A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
| US06/943,071 US4728528A (en) | 1985-02-18 | 1986-12-18 | Process for forming deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035607A JPS61194824A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194824A true JPS61194824A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12446514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60035607A Pending JPS61194824A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-25 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294285A (en) * | 1986-02-07 | 1994-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the production of functional crystalline film |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP60035607A patent/JPS61194824A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294285A (en) * | 1986-02-07 | 1994-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the production of functional crystalline film |
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