JPS61194714A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は酸素を含有する堆積膜、とりわけ機能性膜、殊
に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画像入
力用のラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素子な
どに用いる非晶質乃至は結晶質の酸素を含有する堆積膜
を形成するのに好適な方法に関する。
に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画像入
力用のラインセンサー、撮像デバイス、光起電力素子な
どに用いる非晶質乃至は結晶質の酸素を含有する堆積膜
を形成するのに好適な方法に関する。
例えば、アモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法等が試みら
れており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いら
れ、企業化されている。
法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反応性スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法等が試みら
れており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いら
れ、企業化されている。
面乍らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入ガ
スの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造、
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）こ
れら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を手えることが少なくなかった。そのうえ、装置
特有のパラメータを装置ごとに選定しなければならず、
したがって製造条件を一般化することがむずかしいのが
実状であった。一方、アモルファスシリコン膜として電
気的、光学的、光導電的乃至は機械的特性が各用途を十
分に満足させ得るものを発現させるためには、現状では
プラズマＣＶＤ法によって形成することが最良とされて
いる。
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く、（例えば、基体温度、導入ガ
スの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造、
反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）こ
れら多くのパラメータの組合せによるため、時にはプラ
ズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著しい
悪影響を手えることが少なくなかった。そのうえ、装置
特有のパラメータを装置ごとに選定しなければならず、
したがって製造条件を一般化することがむずかしいのが
実状であった。一方、アモルファスシリコン膜として電
気的、光学的、光導電的乃至は機械的特性が各用途を十
分に満足させ得るものを発現させるためには、現状では
プラズマＣＶＤ法によって形成することが最良とされて
いる。
面乍ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図らねばならないため
、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜
の形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要と
なり、またその量産の為の管理項目も複雑になって、管
理許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることから
、これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘さ
れている。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では
、高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得
られていなかった。
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図らねばならないため
、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜
の形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要と
なり、またその量産の為の管理項目も複雑になって、管
理許容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることから
、これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘さ
れている。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では
、高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得
られていなかった。
上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化
シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても
同様なことがいえる。
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化
シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても
同様なことがいえる。
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。
本発明の目的は、形成される膜の緒特性、成膜速度、再
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の向上及びｉ産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の向上及びｉ産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。
上記目的は、基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内
に、炭素とハロゲンを含む化合物を分解することにより
生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相
互作用をする成膜用の酸素含有化合物より生成される活
性種（Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに光エネルギ
ーを照射して化学反応させる事によって、前記基体上に
堆積膜を形成する事を特徴とする本発明の堆積膜形成法
によって達成される。
に、炭素とハロゲンを含む化合物を分解することにより
生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相
互作用をする成膜用の酸素含有化合物より生成される活
性種（Ｂ）とを夫々別々に導入し、これらに光エネルギ
ーを照射して化学反応させる事によって、前記基体上に
堆積膜を形成する事を特徴とする本発明の堆積膜形成法
によって達成される。
本発明方法では、堆積膜を形成する為の成膜空間におい
てプラズマを生起させる代りに、炭素とハロゲンを含む
化合物を分解することにより生成される活性種（Ａ）と
成膜用の酸素含有化合物より生成される活性種（Ｂ）と
の共存下に於いて、これ等に光エネルギーを作用させる
ことにより、これ等による化学的相互作用を生起させ、
或いは促進、増幅させるため、形成される堆積膜は、エ
ツチング作用、或いはその他の例えば異常放電作用など
による悪影響を受けることはない。
てプラズマを生起させる代りに、炭素とハロゲンを含む
化合物を分解することにより生成される活性種（Ａ）と
成膜用の酸素含有化合物より生成される活性種（Ｂ）と
の共存下に於いて、これ等に光エネルギーを作用させる
ことにより、これ等による化学的相互作用を生起させ、
或いは促進、増幅させるため、形成される堆積膜は、エ
ツチング作用、或いはその他の例えば異常放電作用など
による悪影響を受けることはない。
又、本発明によれば、成膜空間の雰囲気温度、基体温度
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法とすることができる。
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法とすることができる。
更に、励起エネルギーは基体近傍に到達した原料に一様
にあるいは選択的制御的に付与されるが、光エネルギー
を使用すれば、適宜の光学準を用いて基体の全体に照射
して堆積膜を形成することができるし、あるいは所望部
分のみに選択的制御的に照射して部分的に堆積膜を形成
することができ、またレジスト等を使用して所定の図形
部分のみに照射し堆積膜を形成できるなどの便利さを有
しているため、有利に用いられる。
にあるいは選択的制御的に付与されるが、光エネルギー
を使用すれば、適宜の光学準を用いて基体の全体に照射
して堆積膜を形成することができるし、あるいは所望部
分のみに選択的制御的に照射して部分的に堆積膜を形成
することができ、またレジスト等を使用して所定の図形
部分のみに照射し堆積膜を形成できるなどの便利さを有
しているため、有利に用いられる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる、空間（以下、活性化空間と
いう）に於いて活性化された活性種を使う事である。こ
のことにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に
伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も
一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定し
た堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供でき
る。
かじめ成膜空間とは異なる、空間（以下、活性化空間と
いう）に於いて活性化された活性種を使う事である。こ
のことにより、従来のＣＶＤ法より成膜速度を飛躍的に
伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温度も
一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定し
た堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供でき
る。
本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成させる堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用の化学物質は活性化空間（Ｂ）に於いて
、活性化エネルギーを作用されて活性化されて、成膜空
間に導入され、光エネルギーの作用により励起されて、
堆積膜を形成する際、同時に活性化空間（Ａ）から導入
され、形成される堆積膜の構成成分と゛なる構成要素を
含む活性種（Ａ）と化学的に相互作用する。その結果、
所望の基体上に所望の堆積膜が容易に形成される。
らの活性種（Ａ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成させる堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用の化学物質は活性化空間（Ｂ）に於いて
、活性化エネルギーを作用されて活性化されて、成膜空
間に導入され、光エネルギーの作用により励起されて、
堆積膜を形成する際、同時に活性化空間（Ａ）から導入
され、形成される堆積膜の構成成分と゛なる構成要素を
含む活性種（Ａ）と化学的に相互作用する。その結果、
所望の基体上に所望の堆積膜が容易に形成される。
本発明において、活性化空間（Ａ）に導入される炭素と
ハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状又は環状炭
化水素の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換
した化合物が用いられ、具体的には、例えば、ＣｕＹ２
ｕ＋２（Ｕは１以上の整数、ＹはＦ、ＣＩ、Ｂｒ及び工
より選択される少なくとも一種の元素である。）で示さ
れる鎖状ハロゲン化Ｊ２素、ＣＶＹ２Ｖ（Ｖは３以上の
整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示される環状ハロ
ゲン化炭素、Ｓ ｉ ｕＨ）（Ｙｙ （ｕ及びＹは前述
の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２である。）
で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられる。
ハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖状又は環状炭
化水素の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置換
した化合物が用いられ、具体的には、例えば、ＣｕＹ２
ｕ＋２（Ｕは１以上の整数、ＹはＦ、ＣＩ、Ｂｒ及び工
より選択される少なくとも一種の元素である。）で示さ
れる鎖状ハロゲン化Ｊ２素、ＣＶＹ２Ｖ（Ｖは３以上の
整数、Ｙは前述の意味を有する。）で示される環状ハロ
ゲン化炭素、Ｓ ｉ ｕＨ）（Ｙｙ （ｕ及びＹは前述
の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ＋２である。）
で示される鎖状又は環状化合物などが挙げられる。
具体的には例えばＣＦ４ 、（ＣＦ２）５ 。
（ＣＦ２） ６．（ＣＦ２）４．Ｃ２ＦＢ、Ｃ３ＦＢ
、ＣＨＦ３ 、ＣＨ２Ｆ２ 、ＣＣｌ ４．（ＣＣＩ
２）５ 、（Ｂ ｒａ 、（（Ｂｒ２）５−、Ｃ２Ｃ１
６，Ｃ２Ｃｌ３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化
し得るものが挙げられる。
、ＣＨＦ３ 、ＣＨ２Ｆ２ 、ＣＣｌ ４．（ＣＣＩ
２）５ 、（Ｂ ｒａ 、（（Ｂｒ２）５−、Ｃ２Ｃ１
６，Ｃ２Ｃｌ３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化
し得るものが挙げられる。
又、本発明においては、前記炭素とハロゲンを含む化合
物を分解することにより生成する活性種（Ａ）に加えて
、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することにより
生成する活性種を併用することができる。このケイ素と
ハロゲンを含む化合物としては１例えば鎖状又は環状シ
ラン化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で
置換した化合物が用いられ、具体的には、例えば、Ｓ
１ｕＺ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＺはＦ、ＣＩ、Ｂ
ｒ及びＩより選択される少なくとも一種の元素である。
物を分解することにより生成する活性種（Ａ）に加えて
、ケイ素とハロゲンを含む化合物を分解することにより
生成する活性種を併用することができる。このケイ素と
ハロゲンを含む化合物としては１例えば鎖状又は環状シ
ラン化合物の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で
置換した化合物が用いられ、具体的には、例えば、Ｓ
１ｕＺ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＺはＦ、ＣＩ、Ｂ
ｒ及びＩより選択される少なくとも一種の元素である。
）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、５ｉｖＺ２ｖ（ｖ
は３以上の整数、Ｚは前述の意味を有する。）で示され
る環状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉ １１ ＨＸ Ｚｙ（
ｕ及びＺは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ
＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙
げられる。
は３以上の整数、Ｚは前述の意味を有する。）で示され
る環状ハロゲン化ケイ素、Ｓ ｉ １１ ＨＸ Ｚｙ（
ｕ及びＺは前述の意味を有する。ｘ＋ｙ＝２ｕ又は２ｕ
＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物などが挙
げられる。
具体的には例えばＳｉＦ４．（ＳｉＦ２）５゜（ＳｉＦ
２）６．（ＳｉＦ２）４．Ｓ、１２Ｆ６゜Ｓｉ３Ｆ８．
３ｉＨＦ３．ＳｉＨ２Ｆ２゜５ｉＣ１４，（ＳｉＣ１２
）５．ＳｉＢｒ４゜（ＳｉＢｒ２）５，５ｉ２Ｃ１６，
５ｉ２Ｂｒ６，５ｉＨＣ１３，５ｉＨＢｒ３．５ｉＨ１
３，５ｉ２Ｃ１３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス
化し得るものが挙げられる。
２）６．（ＳｉＦ２）４．Ｓ、１２Ｆ６゜Ｓｉ３Ｆ８．
３ｉＨＦ３．ＳｉＨ２Ｆ２゜５ｉＣ１４，（ＳｉＣ１２
）５．ＳｉＢｒ４゜（ＳｉＢｒ２）５，５ｉ２Ｃ１６，
５ｉ２Ｂｒ６，５ｉＨＣ１３，５ｉＨＢｒ３．５ｉＨ１
３，５ｉ２Ｃ１３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス
化し得るものが挙げられる。
活性種（Ａ）を生成させるためには、前記炭素とハロゲ
ンを含む化合物（及びケイ素とハロゲンを含む化合物）
に加えて、必要に応じてケイ素単体等他のケイ素含有化
合物、水素、ハロゲン化合物（例えばＦ２ガス、ｃｆＬ
２ガス、ガ気化したＢｒ２．Ｉ２等）などを併用するこ
とができる。
ンを含む化合物（及びケイ素とハロゲンを含む化合物）
に加えて、必要に応じてケイ素単体等他のケイ素含有化
合物、水素、ハロゲン化合物（例えばＦ２ガス、ｃｆＬ
２ガス、ガ気化したＢｒ２．Ｉ２等）などを併用するこ
とができる。
本発明において、活性化空間（Ａ）及び（Ｂ）で活性種
（Ａ）及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、各々
の条件、装置を考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波、Ｄ
Ｃ等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等によ
る熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネルギー
が使用される。
（Ａ）及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、各々
の条件、装置を考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波、Ｄ
Ｃ等の電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等によ
る熱エネルギー、光エネルギーなどの活性化エネルギー
が使用される。
本発明で使用する活性種（Ｂ）を生成する酸素含有化合
物は、活性化空間（Ｂ）に導入される以前に既に気体状
態となっているか、或いは気体状態とされて導入される
事が好ましい０例えば及び固状液状の化合物を用いる場
合、化合物供給源に適宜の気化装置を接続して化合物を
気化してから活性化空間（Ｂ）に導入する事かでさる。
物は、活性化空間（Ｂ）に導入される以前に既に気体状
態となっているか、或いは気体状態とされて導入される
事が好ましい０例えば及び固状液状の化合物を用いる場
合、化合物供給源に適宜の気化装置を接続して化合物を
気化してから活性化空間（Ｂ）に導入する事かでさる。
酸素含有化合物としては、酸素と酸素以外の原子の１種
又は２種以上とを構成原子とする化合物が挙げられる。
又は２種以上とを構成原子とする化合物が挙げられる。
前記酸素以外の原子とじては、水素（Ｈ）、ハロゲン（
Ｘ＝Ｆ、Ｃ１、Ｂｒ又はＩ）、イオウ（Ｓ）、炭素（Ｃ
）、ケイ２ （Ｓ ｉ） 、ゲルマニウム（Ｇｅ）、
リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、アルカリ金属、アルカリ
土類金属、遷移金属等があり、この他周規律表各族に属
、する元素の原子のうち酸素と化合し得る原子であるな
らば使用する事が可能である。
Ｘ＝Ｆ、Ｃ１、Ｂｒ又はＩ）、イオウ（Ｓ）、炭素（Ｃ
）、ケイ２ （Ｓ ｉ） 、ゲルマニウム（Ｇｅ）、
リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、アルカリ金属、アルカリ
土類金属、遷移金属等があり、この他周規律表各族に属
、する元素の原子のうち酸素と化合し得る原子であるな
らば使用する事が可能である。
因みに１例えば０とＨを含む化合物としては、Ｈ２Ｏ等
、０とＳを含む化合物としては。
、０とＳを含む化合物としては。
Ｓ０２．ＳＯ３等の酸化物類、０とＣを含む化合物とし
ては、Ｃ０１ＣＯ２等の酸化物等、０とＳｉを含む化合
物としては、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ９ｉＨ３）、）
ジシロキサン（Ｈ３Ｓ ｉ Ｏ３ｉ Ｈ２Ｏ５１Ｈ３）
等（１）シ’ａ＊す７ｔＡ、ジアセトキシジメチルシ
ラン（ＣＨ３）２Ｓｉ （ＯＣＯＣＨ３）２ 、）リ
アセトキシメチルシランＣＨ３Ｓ ｉ （ＯＣＯＣＨ
３）３等のオルガノアセトキシシラン類、メトキシトリ
メチルシラ：／（ＣＨ３） ３ｓｉＯｃＨ３，ジメ）＄
シラメチルシラン（ＣＨ３） ２ｓｉ （ＯＣＨ３）２
、トリメトキシメチルシランＣＨ３５ｉ（ＯＣＨ３）３
等のフルキルアルコキシシラン類。
ては、Ｃ０１ＣＯ２等の酸化物等、０とＳｉを含む化合
物としては、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ９ｉＨ３）、）
ジシロキサン（Ｈ３Ｓ ｉ Ｏ３ｉ Ｈ２Ｏ５１Ｈ３）
等（１）シ’ａ＊す７ｔＡ、ジアセトキシジメチルシ
ラン（ＣＨ３）２Ｓｉ （ＯＣＯＣＨ３）２ 、）リ
アセトキシメチルシランＣＨ３Ｓ ｉ （ＯＣＯＣＨ
３）３等のオルガノアセトキシシラン類、メトキシトリ
メチルシラ：／（ＣＨ３） ３ｓｉＯｃＨ３，ジメ）＄
シラメチルシラン（ＣＨ３） ２ｓｉ （ＯＣＨ３）２
、トリメトキシメチルシランＣＨ３５ｉ（ＯＣＨ３）３
等のフルキルアルコキシシラン類。
トリメチルシラノール（ＣＨ３） ３ Ｓ ｉ ＯＨ。
ジメチルフェニルシラノール（ＣＨ３）２（Ｃ６Ｈ５）
ＳｉＯＨ，ジエチルシランジオール（Ｃ２Ｈ５）２ Ｓ
ｉ （ＯＨ）２等のオルガノシラノール類等、ＯとＧ
ｅを含む化合物としては、Ｇｅの酸化物類、水酸化物類
、ゲルマニウム酸類、Ｈ３ＧｅＯＧｅＨ３，Ｈ３ＧｅＯ
ＧｅＨ２０ＧｅＨ３等の有機ゲルマニウム化合物等が挙
げられるが、本発明で使用する酸素含有化合物はこれら
に限定されない。
ＳｉＯＨ，ジエチルシランジオール（Ｃ２Ｈ５）２ Ｓ
ｉ （ＯＨ）２等のオルガノシラノール類等、ＯとＧ
ｅを含む化合物としては、Ｇｅの酸化物類、水酸化物類
、ゲルマニウム酸類、Ｈ３ＧｅＯＧｅＨ３，Ｈ３ＧｅＯ
ＧｅＨ２０ＧｅＨ３等の有機ゲルマニウム化合物等が挙
げられるが、本発明で使用する酸素含有化合物はこれら
に限定されない。
これらのＳ素含有化合物は１種を使用しても、あるいは
２種以上を併用してもよい。
２種以上を併用してもよい。
本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ｂ）か
らの活性種（Ｂ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用される。
らの活性種（Ｂ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用される。
本発明において、酸素含有化合物の他に、成膜のための
原料として水素ガス、ハロゲン化合物（例えばＦ２ガス
、Ｃ１２ガス、ガス化したＢｒ２．Ｉ２等）、アルゴン
、ネオン等の不活性ガス、また堆積膜形成用の原料とし
てケイ素含有化合物、炭素含有化合物、ゲルマニウム含
有化合物などを活性化空間（Ｂ）に導入して用いること
もできる。
原料として水素ガス、ハロゲン化合物（例えばＦ２ガス
、Ｃ１２ガス、ガス化したＢｒ２．Ｉ２等）、アルゴン
、ネオン等の不活性ガス、また堆積膜形成用の原料とし
てケイ素含有化合物、炭素含有化合物、ゲルマニウム含
有化合物などを活性化空間（Ｂ）に導入して用いること
もできる。
これらの成膜用の化学物質の複数を用いる場合には、予
め混合して活性化空間（Ｂ）内にガス状態で導入するこ
ともできるし、あるいはこれらの成膜用の化学物質を夫
々独立した供給源から各個別に供給し、活性化室ｉ （
Ｂ）に導入することもできるし、又夫々独立の活性化空
間に導入して、夫々個別に活性化することも出来る。
め混合して活性化空間（Ｂ）内にガス状態で導入するこ
ともできるし、あるいはこれらの成膜用の化学物質を夫
々独立した供給源から各個別に供給し、活性化室ｉ （
Ｂ）に導入することもできるし、又夫々独立の活性化空
間に導入して、夫々個別に活性化することも出来る。
堆積膜形成用のケイ素含有化合物としては。
ケイ素に水素、ハロゲン、あるいは炭化水素基などが結
合したケイ素化合物を用いることができる。とりわけ鎖
状及び環状のシラン化合物、この鎖状及び環状のシラン
化合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子で置換
した化合物などが好適である。
合したケイ素化合物を用いることができる。とりわけ鎖
状及び環状のシラン化合物、この鎖状及び環状のシラン
化合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子で置換
した化合物などが好適である。
具体的には、例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ
Ｂ、Ｓ ｉ ４Ｈ１０，Ｓ ｉ ５Ｈ１２，５ｉｓＨｘ
＋等のＳ ｉ ｐＨ２ｐ＋２（ｐは１以上好ましくは１
〜１５、より好ましくは１〜１０の整数である。）で示
される直鎖状シラン化合物、Ｓ １Ｈ３ｓ ＬＨ（Ｓ
１Ｈ３）Ｓ ＬＨ３，５ｉＨ３ＳｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ
３Ｈ７，５ｉ２Ｈ５ＳｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ２Ｈ５等の
５ｉＰＨ２Ｆ＋２ （Ｐは前述の意味を有する。）で示
される分岐を有する鎖状シラン化合物、これら直鎖状又
は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素原子の一部又
は全部をハロゲン原子で置換した化合物、５ｉ３Ｈ６，
５ｔ４Ｈ８、Ｓ ｉ ５Ｈ１０，Ｓ ｉ ６Ｈ１２等の
５ｉｑＨ２ｑ（ｑは３以上、好ましくは３〜６の整数で
ある。）で示される環状シラン化合物、該環状シラン化
合物の水素原子の一部又は全部を他の環状シラニル基及
び／又は鎖状シラニル基で置換した化合物、上記例示し
たシラン化合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン原
子で置換した化合物の例として、ＳｉＨ３Ｆ、５ｉＨ３
Ｃ１，５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ３Ｉ等の５ｉｒＨｓＸｔ（
Ｘはハロゲン原子、ｒは１以上、好ましくは１〜１０、
より好ましくは３〜７の整数、ｓ＋ｔ＝−２ｒ＋２又は
２ｒである。）で示されるハロゲン置換鎖状又は環状シ
ラン化合物などである。これらの化合物は、１種を使用
しても２種以上を併用してもよい。
Ｂ、Ｓ ｉ ４Ｈ１０，Ｓ ｉ ５Ｈ１２，５ｉｓＨｘ
＋等のＳ ｉ ｐＨ２ｐ＋２（ｐは１以上好ましくは１
〜１５、より好ましくは１〜１０の整数である。）で示
される直鎖状シラン化合物、Ｓ １Ｈ３ｓ ＬＨ（Ｓ
１Ｈ３）Ｓ ＬＨ３，５ｉＨ３ＳｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ
３Ｈ７，５ｉ２Ｈ５ＳｉＨ（ＳｉＨ３）Ｓｉ２Ｈ５等の
５ｉＰＨ２Ｆ＋２ （Ｐは前述の意味を有する。）で示
される分岐を有する鎖状シラン化合物、これら直鎖状又
は分岐を有する鎖状のシラン化合物の水素原子の一部又
は全部をハロゲン原子で置換した化合物、５ｉ３Ｈ６，
５ｔ４Ｈ８、Ｓ ｉ ５Ｈ１０，Ｓ ｉ ６Ｈ１２等の
５ｉｑＨ２ｑ（ｑは３以上、好ましくは３〜６の整数で
ある。）で示される環状シラン化合物、該環状シラン化
合物の水素原子の一部又は全部を他の環状シラニル基及
び／又は鎖状シラニル基で置換した化合物、上記例示し
たシラン化合物の水素原子の一部又は全部をハロゲン原
子で置換した化合物の例として、ＳｉＨ３Ｆ、５ｉＨ３
Ｃ１，５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ３Ｉ等の５ｉｒＨｓＸｔ（
Ｘはハロゲン原子、ｒは１以上、好ましくは１〜１０、
より好ましくは３〜７の整数、ｓ＋ｔ＝−２ｒ＋２又は
２ｒである。）で示されるハロゲン置換鎖状又は環状シ
ラン化合物などである。これらの化合物は、１種を使用
しても２種以上を併用してもよい。
また、堆積膜形成用の原料となる炭素含有化合物として
は、鎖状又は環状の飽和又は不飽和炭化水素化合物、炭
素と水素を主構成原子とし、この他ケイ素、ハロゲン、
イオウ等の１種又は２種以上を構成原子とする有機化合
物、ＴＲ化水素基を構成原子とする有機化合物、炭化水
素基を構成成分とする有機ケイ素化合物などのうち、気
体状態のものか、容易に気化し得るものが好適に用いら
れる。
は、鎖状又は環状の飽和又は不飽和炭化水素化合物、炭
素と水素を主構成原子とし、この他ケイ素、ハロゲン、
イオウ等の１種又は２種以上を構成原子とする有機化合
物、ＴＲ化水素基を構成原子とする有機化合物、炭化水
素基を構成成分とする有機ケイ素化合物などのうち、気
体状態のものか、容易に気化し得るものが好適に用いら
れる。
この内、炭化水素化合物としては、例えば。
炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン
系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、
具体的には飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ３）、エ
タン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３ＨＢ）、ｎ−ブタ７
（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタ７ （Ｃ５Ｈ１２） 、
ｘ−チレン系炭化水素としてはエチレン（Ｃ２Ｈ４）、
プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブ
テン−２（ＣａＨｓ）、 イソブチレン（Ｃ４Ｈ６）、
ペンテン（Ｃ５Ｈ１ｏ）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、 ブチン（０４Ｈ６）等が挙げられる。
系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、
具体的には飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ３）、エ
タン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３ＨＢ）、ｎ−ブタ７
（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタ７ （Ｃ５Ｈ１２） 、
ｘ−チレン系炭化水素としてはエチレン（Ｃ２Ｈ４）、
プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブ
テン−２（ＣａＨｓ）、 イソブチレン（Ｃ４Ｈ６）、
ペンテン（Ｃ５Ｈ１ｏ）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、 ブチン（０４Ｈ６）等が挙げられる。
また、有機ケイ素化合物としては、
（ＣＨ３） ４ｓｉ、ＣＨ３５ｆＣ１３゜（ＣＨ３）２
５ＥＣ１ｚ、（ＣＨ３）３ＳｉＣ１，Ｃ２Ｈ５５ｉＣ１
３等のオルガノクロルシラン、ＣＨ３５ｉＦ２Ｃ１，Ｃ
Ｈ３５ｉＦＣＩ ２． （ＣＨ３）２５ ｉ
ＦＣ１，Ｃ２Ｈ５５ｉ Ｆ２Ｏ１，Ｃ２Ｈ５５ｉ
ＦＣｌ ２． Ｃ３Ｈ７５ｆＦ２Ｃ１，Ｃ３Ｈ７５
ｉＦＣ１ｚ、等のオルガノクロルフルオルシラン、（（
ＣＨ３）３Ｓｉ〕２、（（Ｃ３Ｈ７）３Ｓ ［）２、等
のオルガノジシラザンなどが好適に用いられる。
５ＥＣ１ｚ、（ＣＨ３）３ＳｉＣ１，Ｃ２Ｈ５５ｉＣ１
３等のオルガノクロルシラン、ＣＨ３５ｉＦ２Ｃ１，Ｃ
Ｈ３５ｉＦＣＩ ２． （ＣＨ３）２５ ｉ
ＦＣ１，Ｃ２Ｈ５５ｉ Ｆ２Ｏ１，Ｃ２Ｈ５５ｉ
ＦＣｌ ２． Ｃ３Ｈ７５ｆＦ２Ｃ１，Ｃ３Ｈ７５
ｉＦＣ１ｚ、等のオルガノクロルフルオルシラン、（（
ＣＨ３）３Ｓｉ〕２、（（Ｃ３Ｈ７）３Ｓ ［）２、等
のオルガノジシラザンなどが好適に用いられる。
これらの炭素含有化合物は、１種用いても２種以上を併
用してもよい。
用してもよい。
又、堆積膜形成用の原料となるゲルマニウム含有化合物
としては、ゲルマニウムに水素、ハロゲンあるいは炭化
水素基などが結合した無機乃至は有機のゲルマニウム化
合物を用いることができ、例えばＧｅ４Ｈｂ（ａは１以
上の整数、ｂ＝２ａ＋２又は２ａである。）で示される
鎖状乃至は環状水素化ゲルマニム、この水素化ゲルマニ
ムの重合体、前記水素化ゲルマニムの水素原子の一部乃
至全部をハロゲン原子で置換した化合物、前記水素化ゲ
ルマニムの水素原子の一部乃至は全部を例えばアルキル
基、アリール基等の有機基及び所望によりハロゲン原子
で置換した化合物等、の有機ゲルマニウム化合物、その
他ゲルマニウム硫化物、イシド等を挙げることができる
。
としては、ゲルマニウムに水素、ハロゲンあるいは炭化
水素基などが結合した無機乃至は有機のゲルマニウム化
合物を用いることができ、例えばＧｅ４Ｈｂ（ａは１以
上の整数、ｂ＝２ａ＋２又は２ａである。）で示される
鎖状乃至は環状水素化ゲルマニム、この水素化ゲルマニ
ムの重合体、前記水素化ゲルマニムの水素原子の一部乃
至全部をハロゲン原子で置換した化合物、前記水素化ゲ
ルマニムの水素原子の一部乃至は全部を例えばアルキル
基、アリール基等の有機基及び所望によりハロゲン原子
で置換した化合物等、の有機ゲルマニウム化合物、その
他ゲルマニウム硫化物、イシド等を挙げることができる
。
具体的には、例えばＧｅＨ４，Ｇｅ ２Ｈ６。
Ｇｅ３ＨＢ、ｎ−Ｇｅ４Ｈ１０，ｔｅｒｔ −Ｇｅ４Ｈ
１０，Ｇｅ３Ｈ６，Ｇｅ５Ｈ１０゜ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨ
３Ｃ１、ＧｅＨ２Ｆ２゜Ｇｅ６Ｆｓ 、Ｇｅ （ＣＨ３
） ４．Ｇｅ （Ｃ２Ｈ５） ４．Ｇｅ （Ｃ６Ｈ５）
４．Ｇｅ （ＣＨ３）２Ｆ２ 、ＧｅＦ２ 、ＧｅＦ
４ 、ＧｅＳ等が挙げられる。これらのゲルマニウム化
合物は１種を使用してもあるいは２種以上を併用しても
よい、これらの他に、場合によっては、０２゜０３の等
のガスも使用することが出来る。
１０，Ｇｅ３Ｈ６，Ｇｅ５Ｈ１０゜ＧｅＨ３Ｆ、ＧｅＨ
３Ｃ１、ＧｅＨ２Ｆ２゜Ｇｅ６Ｆｓ 、Ｇｅ （ＣＨ３
） ４．Ｇｅ （Ｃ２Ｈ５） ４．Ｇｅ （Ｃ６Ｈ５）
４．Ｇｅ （ＣＨ３）２Ｆ２ 、ＧｅＦ２ 、ＧｅＦ
４ 、ＧｅＳ等が挙げられる。これらのゲルマニウム化
合物は１種を使用してもあるいは２種以上を併用しても
よい、これらの他に、場合によっては、０２゜０３の等
のガスも使用することが出来る。
本発明において、成膜空間に導入される前記記
は、 条件、活性種の種類などで適宜所望に従って決
められるが、好ましくは１０：１〜１：１０（導入流量
比）が適当であり、より好ましくは８：２〜４：６とさ
れるのが望ましい。
められるが、好ましくは１０：１〜１：１０（導入流量
比）が適当であり、より好ましくは８：２〜４：６とさ
れるのが望ましい。
また本発明の方法により形成される堆積膜は、成膜中又
は成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能であ
る。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、
周期律表第■族Ａの元素１例えばＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ
、Ｔ１等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物とし
ては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｐ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、特にＢ、
Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純
物の量は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定される。
は成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能であ
る。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、
周期律表第■族Ａの元素１例えばＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ
、Ｔ１等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物とし
ては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｐ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、特にＢ、
Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純
物の量は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜
決定される。
かかる不純物元素を成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化装
置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい、
この様な化合物としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３
。
物質）としては、常温常圧でガス状態であるか、あるい
は少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化装
置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい、
この様な化合物としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３
。
ＰＦ５ 、ＰＣ１３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３ 。
ＡｓＦ５．ＡｓＣｌ３．ＳｂＨ３，ＳｂＦ５゜ＳｉＨ３
，ＢＦ３．ＢＣｌ３．ＢＢｒ３゜Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０
，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１゜Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，Ａ
ｌＣｌ３等を挙げることができる。不純物元素を含む化
合物は、１種用いても２種以上併用してもよい。
，ＢＦ３．ＢＣｌ３．ＢＢｒ３゜Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０
，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１゜Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，Ａ
ｌＣｌ３等を挙げることができる。不純物元素を含む化
合物は、１種用いても２種以上併用してもよい。
不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及び活性
化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても良
い、不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ）
及び活性種（Ｂ）を生成するに列記された前述の活性化
エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。不純
物導入用物質を活性化して生成される活性種（Ｐ Ｎ）
は活性種（Ａ）又は／及び活性種（Ｂ）と予め混合され
て、又は、独立に成膜空間に導入される。
化空間（Ｂ）に、活性種（Ａ）及び活性種（Ｂ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間（Ｂ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても良
い、不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ）
及び活性種（Ｂ）を生成するに列記された前述の活性化
エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。不純
物導入用物質を活性化して生成される活性種（Ｐ Ｎ）
は活性種（Ａ）又は／及び活性種（Ｂ）と予め混合され
て、又は、独立に成膜空間に導入される。
次に、本発明方法によって形成される電子写真用像形成
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する。
第１図は未発明によって得られる典型的な光導電部創の
構成例を説明するための模式図である。
構成例を説明するための模式図である。
第１図に示す光導電部材１０は、電子写真用像形成部材
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１
２、及び感光層１３で構成される層構成を有している。
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１
２、及び感光層１３で構成される層構成を有している。
光導電部材１０の製造に当っては、中間層１２又は／及
び感光層１３を本発明の方法によって作成することが出
来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化学
的、物質的に保護する為に設けられる保護層、或いは電
気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層又
は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発明
の方法で作成することも出来る。
び感光層１３を本発明の方法によって作成することが出
来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化学
的、物質的に保護する為に設けられる保護層、或いは電
気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層又
は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発明
の方法で作成することも出来る。
支持体１１としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い。導電性支持体としては、例えばＮｉＣｒ、ステア
Ｌ／ス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ。
良い。導電性支持体としては、例えばＮｉＣｒ、ステア
Ｌ／ス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ。
Ａｕ、Ｌｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ 、Ｐｔ 。
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ墳化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ボリスチレジ、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。
ト、ポリプロピレン、ポリ墳化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ボリスチレジ、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。
これらの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。
一方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。
例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ。
Ｔａ、Ｖ、Ｔｆ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ２，
ＩＴＯ（Ｉ ｎ２０３＋５ｎｏ２）等の薄膜を設けるこ
とによって導電処理され、あるいはポリエステルフィル
ム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、ＡＩ 、
Ａｇ 、Ｐｂ 。
ＩＴＯ（Ｉ ｎ２０３＋５ｎｏ２）等の薄膜を設けるこ
とによって導電処理され、あるいはポリエステルフィル
ム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、ＡＩ 、
Ａｇ 、Ｐｂ 。
Ｚｎ、Ｎｉ 、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ。
Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属でラミ
ネート処理して、その表面が導電処理される。支持体の
形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状
とし得、所望によって、その形状が決定されるが、例え
ば、第１図の光導電部材１０を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば、連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが９ましい。
蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属でラミ
ネート処理して、その表面が導電処理される。支持体の
形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状
とし得、所望によって、その形状が決定されるが、例え
ば、第１図の光導電部材１０を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば、連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが９ましい。
中間層１２には、例えば支持体１１の側から感光層１３
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に向っ
て移動するフォトキャリアの感光層１３の側から支持体
１１の側への通過を容易に許す機能を有する。
中へのキャリアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照
射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に向っ
て移動するフォトキャリアの感光層１３の側から支持体
１１の側への通過を容易に許す機能を有する。
この中間層１２は、例えば、本発明の方法で作成するの
であれば、シリコン原子、酸素原子及び炭素原子と、必
要に応じて水素（Ｈ）及び／又はハロゲン（Ｘ）を構成
原子とする非晶質材料（以下、Ａ−５ｉＯＣ（Ｈ，Ｘ）
と記す、）で構成されると共に、必要に応じて電気伝導
性を支配する物質として１例えばホウ素（Ｂ）等のｐ型
不純物あるいはリン（Ｐ）等のｎ型不純物が含有されて
いる。又、膜質の向上を計る目的でシリコン原子を含有
させることも出来る。
であれば、シリコン原子、酸素原子及び炭素原子と、必
要に応じて水素（Ｈ）及び／又はハロゲン（Ｘ）を構成
原子とする非晶質材料（以下、Ａ−５ｉＯＣ（Ｈ，Ｘ）
と記す、）で構成されると共に、必要に応じて電気伝導
性を支配する物質として１例えばホウ素（Ｂ）等のｐ型
不純物あるいはリン（Ｐ）等のｎ型不純物が含有されて
いる。又、膜質の向上を計る目的でシリコン原子を含有
させることも出来る。
本発明に於て、中間層１２中に含有されるＢ、Ｐ等の伝
導性を支配する物質の含有量としては、好適には、ｏ、
ｏｏｔ〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ ＰＰｍ、より好適
には０．５〜ＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ ｐｐｍ、最適
には１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍとされるの
が望ましい。
導性を支配する物質の含有量としては、好適には、ｏ、
ｏｏｔ〜５Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ ＰＰｍ、より好適
には０．５〜ＩＸ１ｌＸ１０４ａｔｏ ｐｐｍ、最適
には１〜５Ｘ１０３ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍとされるの
が望ましい。
中間層１２が感光層１３と構成成分が類似、或いは同じ
である場合には中間層１２の形成は、中間層１２の形成
に続けて感光層１３の形成まで連続的に行なうことがで
きる。その場合には、中間層形成用の原料として、活性
化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化室（
Ｂ）に導入された成膜用、酸素含有化合物より生成され
る活性種（Ｂ）と必要に応じて、不活性ガス及び不純物
元素を成分として含む化合物のガスより生成される活性
種（Ｂ）とを夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合し
て支持体１１の設置しである成膜空間に導入し、各導入
された活性種の共存雰囲気に光エネルギーを作用させる
ことで、前記支持体１１上に中間層１２を形成させれば
よい。
である場合には中間層１２の形成は、中間層１２の形成
に続けて感光層１３の形成まで連続的に行なうことがで
きる。その場合には、中間層形成用の原料として、活性
化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化室（
Ｂ）に導入された成膜用、酸素含有化合物より生成され
る活性種（Ｂ）と必要に応じて、不活性ガス及び不純物
元素を成分として含む化合物のガスより生成される活性
種（Ｂ）とを夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合し
て支持体１１の設置しである成膜空間に導入し、各導入
された活性種の共存雰囲気に光エネルギーを作用させる
ことで、前記支持体１１上に中間層１２を形成させれば
よい。
中間層１２を形成させる際に活性化空間（Ａ）に導入さ
れて活性＃ （Ａ）を生成する炭素とハロゲンを含む化
合物としては、例えば容易にＣＦ２＊の如き活性種を生
成する化合物を前記化合物の中より選択するのがより望
ましい、また同様にケイ素とハロゲンを含む化合物とし
ては、例えば容易にＳｉＦ２＊の如き活性種を生成する
化合物を前記の中の化合物より選択するのがより望まし
い。
れて活性＃ （Ａ）を生成する炭素とハロゲンを含む化
合物としては、例えば容易にＣＦ２＊の如き活性種を生
成する化合物を前記化合物の中より選択するのがより望
ましい、また同様にケイ素とハロゲンを含む化合物とし
ては、例えば容易にＳｉＦ２＊の如き活性種を生成する
化合物を前記の中の化合物より選択するのがより望まし
い。
中間層１２の層厚は、好ましくは、３０人〜１０＝、よ
り好適には４０人〜８ル、最適には５０人〜５川とされ
るのが望ましい。
り好適には４０人〜８ル、最適には５０人〜５川とされ
るのが望ましい。
感光ｆｉ１３は、例えばシリコン原子を母体とし、水素
原子又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする非
晶質材料（以後ｒＡ−５ｉ（Ｈ、Ｘ） Ｊと云う）で構
成され、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発
生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能
の両機能を有する。
原子又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする非
晶質材料（以後ｒＡ−５ｉ（Ｈ、Ｘ） Ｊと云う）で構
成され、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発
生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能
の両機能を有する。
感光層１３の層厚としては、好ましくは、１−ｔｏｏＩ
Ｌ、より好適には１〜８０ル、最適には２〜５０ルとさ
れるのが望ましい。
Ｌ、より好適には１〜８０ル、最適には２〜５０ルとさ
れるのが望ましい。
感光層１３はノンドープのＡ−３ｔ（Ｈ。
Ｘ）層であるが、所望により中間層１２に含有される伝
導特性を支配する物質の極性とは別の極性（例えばｎ型
）の伝導特性を支配する物質を含有させてもよいし、あ
るいは、同極性の伝導特性を支配する物質を、中間層１
２に含有される実際の量が多い場合には、線量よりも一
段と少ない量にして含有させてもよい。
導特性を支配する物質の極性とは別の極性（例えばｎ型
）の伝導特性を支配する物質を含有させてもよいし、あ
るいは、同極性の伝導特性を支配する物質を、中間層１
２に含有される実際の量が多い場合には、線量よりも一
段と少ない量にして含有させてもよい。
感光層１３の形成の場合も１本発明の方法によって成さ
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）に炭素とハロゲンを含む化合物及びこれとは別
にケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、高温下で
これ等を分解することにより、或いは放電エネルギーや
光エネルギーを作用させて励起することで活性種（Ａ）
が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に導入される。
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）に炭素とハロゲンを含む化合物及びこれとは別
にケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、高温下で
これ等を分解することにより、或いは放電エネルギーや
光エネルギーを作用させて励起することで活性種（Ａ）
が生成され、該活性種（Ａ）が成膜空間に導入される。
第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
でドーピングされた堆積膜を利用したＰＩＮ型ダイオー
ド・デバイスの典型例を示した模式図である。
でドーピングされた堆積膜を利用したＰＩＮ型ダイオー
ド・デバイスの典型例を示した模式図である。
図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ノンドープ型の半
導体層２５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ノンドープ型の半
導体層２５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。
半導体層２４．２５．２６のいずれか一層の作成に本発
明を適用することが出来るが殊に半導体層２６を本発明
の方法で作成することにより、変換効率を高めることが
出来る０本発明の方法で半導体層２６を作成する場合に
は、半導体層２６は１例えばシリコン原子と炭素原子と
酸素原子、水素原子又は／及びハロゲン原子とを構成原
子とする非晶質材料（以後ｒＡ−５ｉＣＯ（Ｈ，Ｘ）Ｊ
と記す）で構成することが出来る。２８は外部電気回路
装置と結合される導線である。
明を適用することが出来るが殊に半導体層２６を本発明
の方法で作成することにより、変換効率を高めることが
出来る０本発明の方法で半導体層２６を作成する場合に
は、半導体層２６は１例えばシリコン原子と炭素原子と
酸素原子、水素原子又は／及びハロゲン原子とを構成原
子とする非晶質材料（以後ｒＡ−５ｉＣＯ（Ｈ，Ｘ）Ｊ
と記す）で構成することが出来る。２８は外部電気回路
装置と結合される導線である。
基体２１としては導電性、半導電性、あるいは電気絶縁
性のものが用いられる。基体２１が導電性である場合に
は、薄膜電極２２は省略しても差支えない、半導電性基
板としては１例えば、Ｓｔ 、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ
，ＺｎＳ等の半導体が挙げられる。薄膜電極２２．２７
としては例えば、ＮｉＣｒ、ＡＩ 、Ｃｒ 、ＭＯ。
性のものが用いられる。基体２１が導電性である場合に
は、薄膜電極２２は省略しても差支えない、半導電性基
板としては１例えば、Ｓｔ 、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ
，ＺｎＳ等の半導体が挙げられる。薄膜電極２２．２７
としては例えば、ＮｉＣｒ、ＡＩ 、Ｃｒ 、ＭＯ。
Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ。
Ｐｄ 、Ｉ ｎ２０３ ．５ｎ０２ 、ＩＴＯ（
Ｉ ｎ２０３ ＋Ｓ ｎｏ２）等の薄膜を、真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等の処理で基体２１
上に設けることによって得られる。電極２２．２７の層
厚としては、好ましくは３０〜５Ｘ１０４人、より好ま
しくはＺｏｏ〜５×１０３人とされるのが望ましい。
Ｉ ｎ２０３ ＋Ｓ ｎｏ２）等の薄膜を、真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等の処理で基体２１
上に設けることによって得られる。電極２２．２７の層
厚としては、好ましくは３０〜５Ｘ１０４人、より好ま
しくはＺｏｏ〜５×１０３人とされるのが望ましい。
半導体層を構成する膜体を必要に応じ７てｎ型又はｐ型
とするには、層形成の際に、不純物元素のうちｎ型不純
物又はｐ型不純物、あるいは両不純物を形成される層中
にその量を制御し乍らドーピングしてやる事によって形
成される。
とするには、層形成の際に、不純物元素のうちｎ型不純
物又はｐ型不純物、あるいは両不純物を形成される層中
にその量を制御し乍らドーピングしてやる事によって形
成される。
ｎ型、ｉ型及びｐ型の半導体層を形成する場合、何れか
１つの層乃至は全部の層を本発明方法により形成するこ
とができ、成膜は、活性化空間（Ａ）に炭素とハロゲン
を含む化合物が導入され、活性化エネルギーの作用下で
これ等を励起し、分解することで、例えばＣＦ３Ｘ 。
１つの層乃至は全部の層を本発明方法により形成するこ
とができ、成膜は、活性化空間（Ａ）に炭素とハロゲン
を含む化合物が導入され、活性化エネルギーの作用下で
これ等を励起し、分解することで、例えばＣＦ３Ｘ 。
Ｓ ｉ Ｆ２＊等の活性種（Ａ）が生成され、該活性種
（Ａ）が成膜空間に導入される。また、これとは別に、
活性化空間（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質と、必
要に応じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む
化合物のガス等を、夫々活性化エネルギーによって励起
し、分解して、夫々の活性種を生成し、夫々を別々にま
たは適宜に混合して支持体１１の設置しである成膜空間
に導入して、光エネルギーを作用させることにより形成
させればよい、ｎ型及びｐ型の半導体層の層厚としては
、好ましくは１００〜１０４人、より好ましくは３００
〜２０００人の範囲が望ましい。
（Ａ）が成膜空間に導入される。また、これとは別に、
活性化空間（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質と、必
要に応じて不活性ガス及び不純物元素を成分として含む
化合物のガス等を、夫々活性化エネルギーによって励起
し、分解して、夫々の活性種を生成し、夫々を別々にま
たは適宜に混合して支持体１１の設置しである成膜空間
に導入して、光エネルギーを作用させることにより形成
させればよい、ｎ型及びｐ型の半導体層の層厚としては
、好ましくは１００〜１０４人、より好ましくは３００
〜２０００人の範囲が望ましい。
また、ｉ型のａ−５ｔ層の層厚としては、好ましくは５
００〜１０４人、より好ましくは１０００〜１ｏｏｏ久
の範囲が望ましい。
００〜１０４人、より好ましくは１０００〜１ｏｏｏ久
の範囲が望ましい。
以下に、本発明の具体的実施例を示す。
実施例１
第８図に示した装置を用い、以下の如き操作によってア
モルファス堆積膜を形成した。
モルファス堆積膜を形成した。
第ネ図において、ｔｏｉは 室であり、内部の基体支
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。
持台１０２上に所望の基体１０３が載置される。
１０４は基体加熱用のヒーターであり、該ヒーター１０
４は、成膜処理前に基ｉｘｏ＋を加熱処理したり、成膜
後に、形成された膜の特性°を一層向上させる為にアニ
ール処理したりする際に使用され、導線１０５を介して
給電され、発熱する。成膜中は、該ヒーター１０４は駆
動されない。
４は、成膜処理前に基ｉｘｏ＋を加熱処理したり、成膜
後に、形成された膜の特性°を一層向上させる為にアニ
ール処理したりする際に使用され、導線１０５を介して
給電され、発熱する。成膜中は、該ヒーター１０４は駆
動されない。
１０６乃至１０９は、ガス供給系であり′、酸素化合物
、及び必要に応じて用いられる水素。
、及び必要に応じて用いられる水素。
ハロゲン化合物、不活性ガス、ケイ素含有化合物、炭素
含有化合物、ゲルマニウム含有化合物、不純物元素を成
分とする化合物等のガスの種類に応じて設けられる。こ
れ等の原料化合物のうち、標準状態において液状のもの
を使用する場合には、適宜の気化装置を具備させる。
含有化合物、ゲルマニウム含有化合物、不純物元素を成
分とする化合物等のガスの種類に応じて設けられる。こ
れ等の原料化合物のうち、標準状態において液状のもの
を使用する場合には、適宜の気化装置を具備させる。
図中ガス供給系１０６乃至１０９の符合にａを付したの
は分岐管、ｂを付したのは流量計。
は分岐管、ｂを付したのは流量計。
Ｃを付したのは各流量計の高圧側の圧力を計測する圧力
計、ｄ又はｅを付したのは各気体流量を調整するための
バルブである。１２３は活性種（Ｂ）を生成する為の活
性化室（Ｂ）であり、活性化室１２３の周りには、活性
種（Ｂ）を生成させる為の活性化エネルギーを発生する
マイクロ波プラズマ発生装置１２２が設けられている。
計、ｄ又はｅを付したのは各気体流量を調整するための
バルブである。１２３は活性種（Ｂ）を生成する為の活
性化室（Ｂ）であり、活性化室１２３の周りには、活性
種（Ｂ）を生成させる為の活性化エネルギーを発生する
マイクロ波プラズマ発生装置１２２が設けられている。
ガス導入管１１０より供給される活性！！ （Ｂ）生成
用の原料ガスは、活性化室（Ｂ）１２３内に於いて活性
化され、生じた活性種（Ｂ）は導入管１２４を通じて成
膜室１０１内に導入される。１１１はガス圧力計である
。
用の原料ガスは、活性化室（Ｂ）１２３内に於いて活性
化され、生じた活性種（Ｂ）は導入管１２４を通じて成
膜室１０１内に導入される。１１１はガス圧力計である
。
図中１１２は活性化室（Ａ）、１１３は電気炉、１１４
は固体０粒、１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体状
態の炭素とハロゲンを含む化合物の導入管であり、活性
化室（Ａ）１１２で生成された活性種（Ａ）は導入管１
１６を介して成膜室１０１内に導入される。
は固体０粒、１１５は活性種（Ａ）の原料となる気体状
態の炭素とハロゲンを含む化合物の導入管であり、活性
化室（Ａ）１１２で生成された活性種（Ａ）は導入管１
１６を介して成膜室１０１内に導入される。
１１７は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラ
ンプ、キセノンランプ、炭醜ガスレーサー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等が用いられる。
ンプ、キセノンランプ、炭醜ガスレーサー、アルゴンイ
オンレーザ−、エキシマレーザ−等が用いられる。
光エネルギー発生装置１１７から適宜の光学系を用いて
基体１０３全体或いは基体１０３の所望部分に向けられ
た光１１８は、矢印１１９の向きに流れている活性種に
照射され、照射された活性種は相互に化学反応する事に
よって基体１０３の全体或いは所望部分にＡ−３ｔＯＣ
（Ｈ，Ｘ）膜を形成する。また図中、１２０は排気バル
ブ、１２１は排気管である。
基体１０３全体或いは基体１０３の所望部分に向けられ
た光１１８は、矢印１１９の向きに流れている活性種に
照射され、照射された活性種は相互に化学反応する事に
よって基体１０３の全体或いは所望部分にＡ−３ｔＯＣ
（Ｈ，Ｘ）膜を形成する。また図中、１２０は排気バル
ブ、１２１は排気管である。
先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルム約１０４Ｔ
ｏｒｒに減圧した。ガス供給用ボンベ１０６を用いてガ
ス状態とされたジシロキサンを導入管１１０を介して活
性化室（Ｂ）１２３に導入した。活性化室（Ｂ）１２３
内に導入されたジシロキサンはマイクロ波プラズマ発生
装置１２２により活性化されて活性化ジシロキサンとさ
れ、導入管１２４を通じて、ジシロキサンを成膜室１０
１に導入した。
ｏｒｒに減圧した。ガス供給用ボンベ１０６を用いてガ
ス状態とされたジシロキサンを導入管１１０を介して活
性化室（Ｂ）１２３に導入した。活性化室（Ｂ）１２３
内に導入されたジシロキサンはマイクロ波プラズマ発生
装置１２２により活性化されて活性化ジシロキサンとさ
れ、導入管１２４を通じて、ジシロキサンを成膜室１０
１に導入した。
また他方、活性化室１追２に固体０粒１１４を詰めて、
電気炉１１３により加熱し、約１１００℃に保ち、Ｃを
赤熱状態とし、導入管１１５を通じて不図示のボンベよ
りＣＦ４を吹き込むことにより、ＣＦ３Ｘの活性種を生
成させ、該ＣＦ２＊を導入管１１６を経て、成膜室１０
３Ｔｏｒｒに保ちつつ、ｌｋｗｘｅランプから基体１０
３に垂直に照射してＡ−ＳｉＯＣ（Ｈ，Ｘ））堆積膜（
ＩＩ厚７００人）を形成した。成膜速度は２１入／ ｓ
ｅ ｃであった。
電気炉１１３により加熱し、約１１００℃に保ち、Ｃを
赤熱状態とし、導入管１１５を通じて不図示のボンベよ
りＣＦ４を吹き込むことにより、ＣＦ３Ｘの活性種を生
成させ、該ＣＦ２＊を導入管１１６を経て、成膜室１０
３Ｔｏｒｒに保ちつつ、ｌｋｗｘｅランプから基体１０
３に垂直に照射してＡ−ＳｉＯＣ（Ｈ，Ｘ））堆積膜（
ＩＩ厚７００人）を形成した。成膜速度は２１入／ ｓ
ｅ ｃであった。
次イテ、得られたａ−３ｉ ＱＣ（Ｈ、Ｘ）膜を形成し
た各試料を蒸着槽に入れ、真空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒでク
シ型のＡｔギャップ電極（ギャップ長２５０ｔｔ、巾５
ｍｍ）を形成した後、印加電圧１０ｖで暗電流を測定し
、暗導電率σｄを求めて、膜特性を評価した。結果を第
１表に示した。
た各試料を蒸着槽に入れ、真空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒでク
シ型のＡｔギャップ電極（ギャップ長２５０ｔｔ、巾５
ｍｍ）を形成した後、印加電圧１０ｖで暗電流を測定し
、暗導電率σｄを求めて、膜特性を評価した。結果を第
１表に示した。
実施例２
ガス供給ボンベ１０６等からのジシロキサンガスの代り
にＨ３Ｓ ｉｔｓ ｉＨ３／Ｈ２／Ｆ２混合ガス（混合
比Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ３／Ｈ２／Ｆ２＝１０：１０：１３
を用いた以外は、実施例１と同様の方法と手順に従って
Ａ−５ｉＯＣ（Ｈ，Ｘ）膜を形成した。各試料に就いて
暗導電率を測定し、結果を第１表に示した。
にＨ３Ｓ ｉｔｓ ｉＨ３／Ｈ２／Ｆ２混合ガス（混合
比Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ３／Ｈ２／Ｆ２＝１０：１０：１３
を用いた以外は、実施例１と同様の方法と手順に従って
Ａ−５ｉＯＣ（Ｈ，Ｘ）膜を形成した。各試料に就いて
暗導電率を測定し、結果を第１表に示した。
第１表
第１表から、本発明によると電気特性に優れたアモルフ
ァス堆積膜が得られることが判った。
ァス堆積膜が得られることが判った。
実施例３
第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。
第４図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室（
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体０粒、２０５は活
性種（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）導
入管、２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と同
様に用いられる加熱ヒーター、２０９，２１０は吹き出
し管、２１１はＡＩシリンダー状状体体２１２は排気バ
ルブを示している。又、２１３乃至２１６は第１図中１
０６乃至１０９と同様の原料ガス供給系であり、２１７
−１はガス導入管である。
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体０粒、２０５は活
性種（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性種（Ａ）導
入管、２０７はモーター、２０８は第３図の１０４と同
様に用いられる加熱ヒーター、２０９，２１０は吹き出
し管、２１１はＡＩシリンダー状状体体２１２は排気バ
ルブを示している。又、２１３乃至２１６は第１図中１
０６乃至１０９と同様の原料ガス供給系であり、２１７
−１はガス導入管である。
成膜室２０１にＡＩクシリンダ−基体２１１をつり下げ
、その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０
７により回転できる様にした。
、その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０
７により回転できる様にした。
２１Ｂは光エネルギー発生装置であって、ＡＪＩシリン
ダー状基体２１１の所望部分に向けて光２１９が照射さ
れる。
ダー状基体２１１の所望部分に向けて光２１９が照射さ
れる。
また、活性化室（Ａ）２０２に固体０粒２０４を詰めて
、電気炉２０３により加熱し、約１１００℃に保ち、Ｃ
を赤熱状態とし、そこへ導入管２０６を通じて不図示の
ボンベからＣＦ４を吹き込むことにより、活性種（Ａ）
としてのＣＦ３Ｘの活性種を生成させ、該ＣＦ２＊を導
入管２０６を経て、成膜室２０１へ導入した。
、電気炉２０３により加熱し、約１１００℃に保ち、Ｃ
を赤熱状態とし、そこへ導入管２０６を通じて不図示の
ボンベからＣＦ４を吹き込むことにより、活性種（Ａ）
としてのＣＦ３Ｘの活性種を生成させ、該ＣＦ２＊を導
入管２０６を経て、成膜室２０１へ導入した。
又、活性化室（Ａ）２０２と同様の構造の活性化室（Ｃ
）（不図示）より、同様にして固体Ｓｔ流とＳ ｉ Ｆ
４よりＳ ｉ Ｆ２＊の活性種（Ｃ）を導入した。
）（不図示）より、同様にして固体Ｓｔ流とＳ ｉ Ｆ
４よりＳ ｉ Ｆ２＊の活性種（Ｃ）を導入した。
一方、導入管２１７よりＣＨ４とジシロキサンのガス化
したものを活性化室（Ｂ）２２０内に導入した。導入さ
れたジシロキサンガスは活性化室（Ｂ）２２０に於いて
ブイクロ波プラズマ発生装置２２１によりプラズマ化等
の活性化処理を受けて活性化ジシロキサンとなり、導入
管２１７−２を通じて成膜室２０１内に導入された。こ
の際、必要にじてＰＨ３，Ｂ２Ｈ６等の不純物ガスも活
性化室（Ｂ）２２０内に導ちつつ、ＩＫＷＸｅランプ２
１８からへ文シリンダー２１１の周面に対し垂直に光照
射する。
したものを活性化室（Ｂ）２２０内に導入した。導入さ
れたジシロキサンガスは活性化室（Ｂ）２２０に於いて
ブイクロ波プラズマ発生装置２２１によりプラズマ化等
の活性化処理を受けて活性化ジシロキサンとなり、導入
管２１７−２を通じて成膜室２０１内に導入された。こ
の際、必要にじてＰＨ３，Ｂ２Ｈ６等の不純物ガスも活
性化室（Ｂ）２２０内に導ちつつ、ＩＫＷＸｅランプ２
１８からへ文シリンダー２１１の周面に対し垂直に光照
射する。
ＡＩシリンダー基体２１１は回転させ、排ガスは排気バ
ルブ２１２の開口を適宜に調整１−５で、排気させた。
ルブ２１２の開口を適宜に調整１−５で、排気させた。
このようにして中ｉＪｉ層１３が膜厚２０００人に形成
された。
された。
また、感光層１３は、中間層１２の形成′に使用したガ
スの中、ＣＦ４は使用せず、又、ジシロキサンの代りに
Ｈ２ガスを使用し、導入管２１７−１よりＨ２／Ｂ２Ｈ
６（容量％でＢ２Ｈらガスが０．２％）の混合ガスを導
入し、膜厚２０００人で成膜された。
スの中、ＣＦ４は使用せず、又、ジシロキサンの代りに
Ｈ２ガスを使用し、導入管２１７−１よりＨ２／Ｂ２Ｈ
６（容量％でＢ２Ｈらガスが０．２％）の混合ガスを導
入し、膜厚２０００人で成膜された。
比較例１
ＣＦ４，５ｆＨ４，ジシａキｆ ｙ 、 Ｈ２及ヒＢ２
Ｈ６の各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構成の成
膜室を用意して１３．５６ＭＨｚの高周波装置を備え、
第１図に示す層構成の電子写真用像形成部材を形成した
。
Ｈ６の各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構成の成
膜室を用意して１３．５６ＭＨｚの高周波装置を備え、
第１図に示す層構成の電子写真用像形成部材を形成した
。
実施例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。
実施例６
第３図の装置を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオ
ードを作製した。
ードを作製した。
まず、ｔｏｏｏ人のＩＴＯ膜２２を蒸着したポリエチレ
ンテレフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１Ｏ
−６Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例３と同様にして生成
された活性種ＣＦ２＊、Ｓ ｉ Ｆ２）ｋを成膜室１０
１に導入した。
ンテレフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１Ｏ
−６Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例３と同様にして生成
された活性種ＣＦ２＊、Ｓ ｉ Ｆ２）ｋを成膜室１０
１に導入した。
又、Ｈ２ガス、ＰＨ３ガス（１０００ｐｐｍ水素ガス希
釈）の夫々を活性化室（Ｂ）１２３に導入して活性化し
た０次いで、この活性化されたガスを導入管１１６を介
して成膜室１０１内に導入した。成膜室１０１内の圧力
を０．ＩＴｏｒｒに保ちながらｌ Ｋ Ｗ Ｘ ｅラン
プで光照射してＰでドーピングされたｎｙ！ｌｉＡ −
Ｓ ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｉ１１２４（Ｉｍ！厚７００人）を形
成した。
釈）の夫々を活性化室（Ｂ）１２３に導入して活性化し
た０次いで、この活性化されたガスを導入管１１６を介
して成膜室１０１内に導入した。成膜室１０１内の圧力
を０．ＩＴｏｒｒに保ちながらｌ Ｋ Ｗ Ｘ ｅラン
プで光照射してＰでドーピングされたｎｙ！ｌｉＡ −
Ｓ ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｉ１１２４（Ｉｍ！厚７００人）を形
成した。
次いで、ＰＨ３ガスの導入を停止し、ＳｔＦ ２ ＊
／ ＣＦ ２ ＊を使用した以外はｎ型Ａ−３ｉ（Ｈ，
Ｘ）膜の場合と同様の方法でノンドープＡ−５ｌ （Ｈ
，Ｘ）ｌＮ！２５ （膜厚５０００人）を形成した。
／ ＣＦ ２ ＊を使用した以外はｎ型Ａ−３ｉ（Ｈ，
Ｘ）膜の場合と同様の方法でノンドープＡ−５ｌ （Ｈ
，Ｘ）ｌＮ！２５ （膜厚５０００人）を形成した。
次いでＨ２／ＰＨ３ガスの代りにＨ３ＳｉＯ３ｉＨ３／
Ｈ２ガス（混合比１：１０）と共にＢ２Ｈ６ガス（１０
００ｐｐｍ水素ガス希釈）を使用し、それ以外はｎ型と
同じ条件でＢでドーピングされたｐ型−３ｉＯ（Ｈ，Ｘ
）膜２６（膜厚７００人）を形成した。更に、このｐ型
膜上に真空蒸着により膜厚１０００人のＡＩ電極２７を
形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
Ｈ２ガス（混合比１：１０）と共にＢ２Ｈ６ガス（１０
００ｐｐｍ水素ガス希釈）を使用し、それ以外はｎ型と
同じ条件でＢでドーピングされたｐ型−３ｉＯ（Ｈ，Ｘ
）膜２６（膜厚７００人）を形成した。更に、このｐ型
膜上に真空蒸着により膜厚１０００人のＡＩ電極２７を
形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
かくして得られたダイオード素子（面積１ｃｍ２）のＩ
−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価し
た。結果を第３表に示した。
−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価し
た。結果を第３表に示した。
又、光照射特性においても基体側から光を導入し、光照
射強度ＡＭＩ （約１００ｍＷ／ｃｍ２）で、変換効率
８．０％以上、開放端電圧０．８５ Ｖ、短絡電流１０
ｍ Ａ ／ ｃ ｍ”が得られた。
射強度ＡＭＩ （約１００ｍＷ／ｃｍ２）で、変換効率
８．０％以上、開放端電圧０．８５ Ｖ、短絡電流１０
ｍ Ａ ／ ｃ ｍ”が得られた。
実施例５
導入管１１０からＨ３Ｓ：Ｏ３：Ｈ３／Ｈ２ガスの代り
に、Ｈ３Ｓ ： Ｏ３： Ｈ３／Ｈ２／Ｆ２ガス（Ｈ３
Ｓ ： Ｏ３： Ｈ３／Ｈ２／Ｆ ２ ＝１：１５：２
）を用いた以外は、実施例４と同様にして実施例４で作
成したのと同様のＰＩＮ型ダイオードを作成した。
に、Ｈ３Ｓ ： Ｏ３： Ｈ３／Ｈ２／Ｆ２ガス（Ｈ３
Ｓ ： Ｏ３： Ｈ３／Ｈ２／Ｆ ２ ＝１：１５：２
）を用いた以外は、実施例４と同様にして実施例４で作
成したのと同様のＰＩＮ型ダイオードを作成した。
この試料に就いて整流特性及び光起電力効果を評価し、
結果を第３表に示した。
結果を第３表に示した。
第３表から、本発明によれば、従来に比べて良好な光学
的・電気的特性を有する非晶質半導体ＰＩＮ型ダイオー
ドが得られることが判かった。
的・電気的特性を有する非晶質半導体ＰＩＮ型ダイオー
ドが得られることが判かった。
本発明の堆積膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に、励起エネルギーとして光
エネルギーを用いるので、例えば耐熱性に乏しい基体、
プラズマエツチング作用の影響を受は易い基体上にも成
膜できる、低温処理によって工程の短縮化を図れるとい
った効果が発揮される。
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上と膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量産化を容易に
達成することができる。更に、励起エネルギーとして光
エネルギーを用いるので、例えば耐熱性に乏しい基体、
プラズマエツチング作用の影響を受は易い基体上にも成
膜できる、低温処理によって工程の短縮化を図れるとい
った効果が発揮される。
第１ｒｇＪは本発明方法を用いて製造される電子写真用
像形成部材の構成例を説明するための模式図である。 第２図及び第３図はそれぞれ実施例で用いた本発明方法
を実施するための装置の構成を説明するための模式図で
ある。 １０−−−一電子写真用像形成部材。 １１−−ｍ−基体、 １２−−−一中間層、 １３−−−一感光層。 ２１−−−一基体、 ２２．２７−−−−薄膜電極。 ２４−−−−ｎ型半導体層。 ２５−−−− ｉ型半導体層、 ２６−−−−Ｐ型半導体層、 １０１．２０１−−−一成膜室、 λ １１４．２０２−−−一活性化室（Ａ）。 １２３．２２０−−−一活性化室（Ｂ）１０６．１０７
，１０８，１０９，２１３２１４．２１５，２１６−−
−−ガス供給系。 １０３ 、２１１−−−一基体。 １１７．２１８−−−一光エネルギー発生装置。
像形成部材の構成例を説明するための模式図である。 第２図及び第３図はそれぞれ実施例で用いた本発明方法
を実施するための装置の構成を説明するための模式図で
ある。 １０−−−一電子写真用像形成部材。 １１−−ｍ−基体、 １２−−−一中間層、 １３−−−一感光層。 ２１−−−一基体、 ２２．２７−−−−薄膜電極。 ２４−−−−ｎ型半導体層。 ２５−−−− ｉ型半導体層、 ２６−−−−Ｐ型半導体層、 １０１．２０１−−−一成膜室、 λ １１４．２０２−−−一活性化室（Ａ）。 １２３．２２０−−−一活性化室（Ｂ）１０６．１０７
，１０８，１０９，２１３２１４．２１５，２１６−−
−−ガス供給系。 １０３ 、２１１−−−一基体。 １１７．２１８−−−一光エネルギー発生装置。
Claims (1)
- 基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、炭素と
ハロゲンを含む化合物を分解することにより生成される
活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をす
る、成膜用の酸素含有化合物より生成される活性種（Ｂ
）とを夫々別々に導入し、これらに光エネルギーを照射
して化学反応させる事によって、前記基体上に堆積膜を
形成する事を特徴とする堆積膜形成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60034776A JPS61194714A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 堆積膜形成法 |
| US06/943,071 US4728528A (en) | 1985-02-18 | 1986-12-18 | Process for forming deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60034776A JPS61194714A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 堆積膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194714A true JPS61194714A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12423694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60034776A Pending JPS61194714A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-22 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194714A (ja) |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP60034776A patent/JPS61194714A/ja active Pending
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