JPS61194661A - 凹凸パタ−ン形成方法 - Google Patents
凹凸パタ−ン形成方法Info
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- JPS61194661A JPS61194661A JP3481485A JP3481485A JPS61194661A JP S61194661 A JPS61194661 A JP S61194661A JP 3481485 A JP3481485 A JP 3481485A JP 3481485 A JP3481485 A JP 3481485A JP S61194661 A JPS61194661 A JP S61194661A
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- Japan
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- mask
- organic material
- light
- luminous flux
- ozone
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は有機材料薄膜又は有機材料薄膜面に凹凸状レリ
ーフパターンを形成する凹凸パターン形成方法に関する
。
ーフパターンを形成する凹凸パターン形成方法に関する
。
従来の技術
従来、凹凸レリーフパターンを形成するためには、各分
野で種々の方法がもちいられている。その一つの方法は
、強力に集光されたレーザを用いて熱により直接有機薄
膜又は有機材料面を直接昇華又は飛散させる方法である
（例えばレーザーハンドブック、Ｐ６９１〜Ｐ７０３参
照、組合自店発行）他の方法は広く集積回路製造工程で
使用されている方法で、まずホトレジストをガラスまた
はＳｉ基板上に０．１〜１０μｍ程度の厚みで塗布する
。つぎにこのホトレジストにマスクを設置して露光する
。この後、ホトレジストを現像液にひたして凹凸パター
ンを形成し、純水で洗浄後乾燥をおこなうものである。
野で種々の方法がもちいられている。その一つの方法は
、強力に集光されたレーザを用いて熱により直接有機薄
膜又は有機材料面を直接昇華又は飛散させる方法である
（例えばレーザーハンドブック、Ｐ６９１〜Ｐ７０３参
照、組合自店発行）他の方法は広く集積回路製造工程で
使用されている方法で、まずホトレジストをガラスまた
はＳｉ基板上に０．１〜１０μｍ程度の厚みで塗布する
。つぎにこのホトレジストにマスクを設置して露光する
。この後、ホトレジストを現像液にひたして凹凸パター
ンを形成し、純水で洗浄後乾燥をおこなうものである。
発明が解決しようとする問題点
さて、これ等の方法にはいろいろの欠点が存在している
。
。
まず、前記第１の方法〔レーザを利用する方法〕では、
熱的に強制的に有機材料を昇華させるため、シャープな
エッチを有する凹凸パターンが得られない。したがって
微細なパターンを形成することはきわめて困難であり、
又装置がきわめて高価となり、その割には深い凹凸パタ
ーンを形成出来なかった。
熱的に強制的に有機材料を昇華させるため、シャープな
エッチを有する凹凸パターンが得られない。したがって
微細なパターンを形成することはきわめて困難であり、
又装置がきわめて高価となり、その割には深い凹凸パタ
ーンを形成出来なかった。
次に、前記第２の方法（ホトレジストを用いる方法）は
、現在では集積回路製造工程で広く使用されているごと
く１μ以下の微細パターンを形成出来るという特徴があ
る。しかしこの方法では、現状のホトレジストは塗布工
程、現象工程等のウェット処理を経ねばならず、これら
のウェット処理により微少なよごれが発生するという大
きな問題をふくんでいた。
、現在では集積回路製造工程で広く使用されているごと
く１μ以下の微細パターンを形成出来るという特徴があ
る。しかしこの方法では、現状のホトレジストは塗布工
程、現象工程等のウェット処理を経ねばならず、これら
のウェット処理により微少なよごれが発生するという大
きな問題をふくんでいた。
本発明は、安価でかつ完全にすべてをドライ処理化出来
る。したがって＾解像のパターンをまったくよごれを発
生させずに形成することが出来る凹凸パターン形成方法
を提供することを目的とする。
る。したがって＾解像のパターンをまったくよごれを発
生させずに形成することが出来る凹凸パターン形成方法
を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明の凹凸パターン形成方法は、有機材料面を有する
平面基材上に、発行波長領域として少なくとも１８０ｎ
ｍから２５Ｏｎｌｌを有する光束中にパターン状に前記
光束を透過させるマスクを設置し、前記マスクを通過し
た光束を照射する露光工程と、この後又は同時に前記有
機材料面にオゾンガスをあてる現像工程とを有すること
を特徴とする。
平面基材上に、発行波長領域として少なくとも１８０ｎ
ｍから２５Ｏｎｌｌを有する光束中にパターン状に前記
光束を透過させるマスクを設置し、前記マスクを通過し
た光束を照射する露光工程と、この後又は同時に前記有
機材料面にオゾンガスをあてる現像工程とを有すること
を特徴とする。
作用
高分子有機材料中でも比較的分子量の低い（おそら（１
０，０００〜３０．０００程度）の有機材料は、光源波
長１５０ｎｌｌ〜２８０ｎ―の波長に対して容易に分解
されかつ発生オゾンによって飛散せしめられるというこ
とを利用している。
０，０００〜３０．０００程度）の有機材料は、光源波
長１５０ｎｌｌ〜２８０ｎ―の波長に対して容易に分解
されかつ発生オゾンによって飛散せしめられるというこ
とを利用している。
現在、各社からのこの原理を利用した表、面改質装置ま
たは表面洗浄装置が発売されている。我々はこれ等を用
いて種々の実験をおこなううち、洗浄作用はオゾンのみ
でおこなわれるのではなく、直接１５０ｎｍ〜２８０ｒ
ｖを含む光にさらさなければ、洗浄作用がないというこ
とと、高分子有機材料でも比較的低分子ポリマーは前記
波長を有する光源下でオゾンにさらされた場合、非常に
高速にかつ面アレを発生させることなしにエツチングさ
れるということを確認した。そこでこの原理を用いるこ
とにより任意の凹凸パターンを発生させることを試み、
高速にかつ良好なパターンを発生することが可能となっ
た。
たは表面洗浄装置が発売されている。我々はこれ等を用
いて種々の実験をおこなううち、洗浄作用はオゾンのみ
でおこなわれるのではなく、直接１５０ｎｍ〜２８０ｒ
ｖを含む光にさらさなければ、洗浄作用がないというこ
とと、高分子有機材料でも比較的低分子ポリマーは前記
波長を有する光源下でオゾンにさらされた場合、非常に
高速にかつ面アレを発生させることなしにエツチングさ
れるということを確認した。そこでこの原理を用いるこ
とにより任意の凹凸パターンを発生させることを試み、
高速にかつ良好なパターンを発生することが可能となっ
た。
実施例
以下、本発明の具体的な実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図と第２図は本発明の原理図を示す。１は少なくと
も１８０ｒｖ〜２５０ｎ■の発光波長領域を有する光源
で、例えば低圧水銀ランプである。２は光源１よりの出
力光、４は１０＾〜５０００Ａの膜厚を有する有機′ａ
膜で、例えばＰＭＭＡ、ポリカーボネイト、エチレンテ
レフタレート等はとんどの有機膜が使用出来る。５はこ
の有ａＳ膜４をささえる基板である。なお、有機薄膜４
と基板５はかならずしも別材料である必要はない。例え
ば、ポリカーボネイトで１１〜１０１１程度のらのを使
用してもよい。３は出力光２を部分的にしゃ断するマス
クで、本例の場合は金属マスクが使用されており、部分
的に実際にパターンに応じて穴がおいている。
も１８０ｒｖ〜２５０ｎ■の発光波長領域を有する光源
で、例えば低圧水銀ランプである。２は光源１よりの出
力光、４は１０＾〜５０００Ａの膜厚を有する有機′ａ
膜で、例えばＰＭＭＡ、ポリカーボネイト、エチレンテ
レフタレート等はとんどの有機膜が使用出来る。５はこ
の有ａＳ膜４をささえる基板である。なお、有機薄膜４
と基板５はかならずしも別材料である必要はない。例え
ば、ポリカーボネイトで１１〜１０１１程度のらのを使
用してもよい。３は出力光２を部分的にしゃ断するマス
クで、本例の場合は金属マスクが使用されており、部分
的に実際にパターンに応じて穴がおいている。
金属材料としてはＡｎ、Ｃｒ 、Ｃｕ 、Ｎｉ等が使用
出来、厚みとしてはしや光出来る厚みであればよく、具
体的には５００Ａ程度以上あればよい。さて、本例の場
合マスク３と有機薄膜４は密着して設置される。光源１
から出た光は、１８４ｎｍ及び２５３ｎｍを含んでいる
から、まず１８４ｒｖ光は容器６で囲まれた空気中の酸
素を励起しオゾン流７を発生する。一方、２５３ｔｖは
オゾン０３を解離し活性酸素を産み出すと同時に、有機
物に吸収された場合、有機物を分解させる。この分解さ
せられた有機物は活性酸素と結合し、揮発性分子＜ＣＯ
２゜Ｎ２０．Ｎ２など）となって飛散してゆく（このＵ
Ｖ１０３のクリーニングメカニズムは、例えばＪ 、
Ｒ、Ｖ Ｅ Ｇ ： ５ｕｒｆａｃｅ ｃｏｎｔａｍ
［ｎａｔｌｏｎ 。
出来、厚みとしてはしや光出来る厚みであればよく、具
体的には５００Ａ程度以上あればよい。さて、本例の場
合マスク３と有機薄膜４は密着して設置される。光源１
から出た光は、１８４ｎｍ及び２５３ｎｍを含んでいる
から、まず１８４ｒｖ光は容器６で囲まれた空気中の酸
素を励起しオゾン流７を発生する。一方、２５３ｔｖは
オゾン０３を解離し活性酸素を産み出すと同時に、有機
物に吸収された場合、有機物を分解させる。この分解さ
せられた有機物は活性酸素と結合し、揮発性分子＜ＣＯ
２゜Ｎ２０．Ｎ２など）となって飛散してゆく（このＵ
Ｖ１０３のクリーニングメカニズムは、例えばＪ 、
Ｒ、Ｖ Ｅ Ｇ ： ５ｕｒｆａｃｅ ｃｏｎｔａｍ
［ｎａｔｌｏｎ 。
Ｖ ０１１ Ｄ２３５ ｐｌｅｎｕｓ ｐ ｒｅｓ
ｓ １９７９等にくわしい）。ところで本発明の工程で
は有機物と金属マスフが密着して設置されているのでマ
スク３と密着した部分の薄ｓ４は、出力光２にもオゾン
流７にもさらされないためエツチングが進まず、第１図
すのような凹凸レリーフ８が形成される。
ｓ １９７９等にくわしい）。ところで本発明の工程で
は有機物と金属マスフが密着して設置されているのでマ
スク３と密着した部分の薄ｓ４は、出力光２にもオゾン
流７にもさらされないためエツチングが進まず、第１図
すのような凹凸レリーフ８が形成される。
本発明の別の具体的な実施例を第２図に示す。
まず有機薄膜４と石英等１５０ｎ−程度の短波長光を透
過させる基板からなるマスク９とが密着されて設置され
ている。今、光源１から出た光は前述のようにオゾンを
発生させると共に石英マスク透明部１０を通して出力光
２が照射されて有ｍ薄ｌｌＡ４が分解される。しかし、
この場合はオゾンと、有機簿膜の分解成分とはマスク９
によって分離されているから単に有機１膜４の変色が発
生するのみである。つぎにシャッタ１１を出力光２が簿
膜４に達しないように設置し、マスク９を取り除く。こ
の操作はゆわゆる現像に相当し、今度はオゾンにより、
先はど分解された有機物が飛散してゆき有ｍｓｉ上に凹
凸パターンとしての凹凸レリーフ８が発生される。
過させる基板からなるマスク９とが密着されて設置され
ている。今、光源１から出た光は前述のようにオゾンを
発生させると共に石英マスク透明部１０を通して出力光
２が照射されて有ｍ薄ｌｌＡ４が分解される。しかし、
この場合はオゾンと、有機簿膜の分解成分とはマスク９
によって分離されているから単に有機１膜４の変色が発
生するのみである。つぎにシャッタ１１を出力光２が簿
膜４に達しないように設置し、マスク９を取り除く。こ
の操作はゆわゆる現像に相当し、今度はオゾンにより、
先はど分解された有機物が飛散してゆき有ｍｓｉ上に凹
凸パターンとしての凹凸レリーフ８が発生される。
有機薄膜４はスピンコード塗布でもおこなえるが、基板
５にガラスを用いた場合、プラズマＣｖＤやスパッタ方
法によって、ＰＭＭＡやポリカーボネイトの簿膜は形成
される。したがってこのようにプラズマＣＶＤやスパッ
タ方式で有ｅｔ！１ＭｌＩ４を形成した場合、露光、現
像一連のすべての工程がドライ化されることとなり、従
来のウェット・方式にくらべてよごれの発生をきわめて
少なくすることが出来る。
５にガラスを用いた場合、プラズマＣｖＤやスパッタ方
法によって、ＰＭＭＡやポリカーボネイトの簿膜は形成
される。したがってこのようにプラズマＣＶＤやスパッ
タ方式で有ｅｔ！１ＭｌＩ４を形成した場合、露光、現
像一連のすべての工程がドライ化されることとなり、従
来のウェット・方式にくらべてよごれの発生をきわめて
少なくすることが出来る。
（実験例Ａ）
有ｖｓ簿膜４、基板５として、一体の厚み１．２１１１
−のインジェクション成型によって作成されたポリカー
ボネイト及びアクリル板を用いた。マスク３として厚み
１．Ｏｓｍのアルミ板４ ａｓ Ｘ ４ ｃｌＲをおし
つけ、光源１を１５分にわたって照射した。パワーは約
２５０讃ｗ ／ａｉであり光源１は低圧水銀灯、光源１
と基板５間距離は約１０−程度であった。この結果、４
ｃｍ Ｘ ４３の長方形がポリカーボネイト上に転与
され、その断差は１５００Ａであった。同様にアクリル
基板上には約２０００Ａの断差が得られた。
−のインジェクション成型によって作成されたポリカー
ボネイト及びアクリル板を用いた。マスク３として厚み
１．Ｏｓｍのアルミ板４ ａｓ Ｘ ４ ｃｌＲをおし
つけ、光源１を１５分にわたって照射した。パワーは約
２５０讃ｗ ／ａｉであり光源１は低圧水銀灯、光源１
と基板５間距離は約１０−程度であった。この結果、４
ｃｍ Ｘ ４３の長方形がポリカーボネイト上に転与
され、その断差は１５００Ａであった。同様にアクリル
基板上には約２０００Ａの断差が得られた。
第２図の具体例として、マスク９は溶融石英からなり最
小線幅５０μｍのものを、同じく溶融石英５ｍｍの板で
おしつけた。そして光源１を１５分照射した。つぎにシ
ャッタ１１で出力光２をしゃ光した後、マスク９及びお
さえ用石英板をはずした。この後、１５分間オゾンにさ
らした。この結果、〔実施例△〕と同様の断差パターン
を得ることが出来た。なお、このとき酸素ガスを５０ｃ
ｃ／ ｓｅｃ流して酸素濃度を上げオン２１濃度を上げ
た雰囲気中に有機材料面をさらすとエツチング速度が早
くなることがｖ；ｌ８１１された。これは第１図でも同
様であった。
小線幅５０μｍのものを、同じく溶融石英５ｍｍの板で
おしつけた。そして光源１を１５分照射した。つぎにシ
ャッタ１１で出力光２をしゃ光した後、マスク９及びお
さえ用石英板をはずした。この後、１５分間オゾンにさ
らした。この結果、〔実施例△〕と同様の断差パターン
を得ることが出来た。なお、このとき酸素ガスを５０ｃ
ｃ／ ｓｅｃ流して酸素濃度を上げオン２１濃度を上げ
た雰囲気中に有機材料面をさらすとエツチング速度が早
くなることがｖ；ｌ８１１された。これは第１図でも同
様であった。
なお第２図の場合、いわゆる露光と現像（本発明ではオ
ゾンにさらすこと）を同一の光［１を用いたが、かなら
ずしもこれには限らない。つまり、本発明の現像工程は
オゾンにさらすことが特徴であるので、例えば第３図に
示すように、容器６ａに低圧水銀灯１′を配設してオゾ
ンを発生させ、これを別の容器６ｂに引いてくる方法で
現像をおこなっても良い。また、この場合に容器６ａ１
．：Ｍ素ガスを送り込み、連通部１２を介して結ばれた
容器６ｂを介して強制排気し、基板５を容器６ｂ中でオ
ゾン流７に接触するようにした場合には、エツチング速
度の向上が観測された。これは第１図。
ゾンにさらすこと）を同一の光［１を用いたが、かなら
ずしもこれには限らない。つまり、本発明の現像工程は
オゾンにさらすことが特徴であるので、例えば第３図に
示すように、容器６ａに低圧水銀灯１′を配設してオゾ
ンを発生させ、これを別の容器６ｂに引いてくる方法で
現像をおこなっても良い。また、この場合に容器６ａ１
．：Ｍ素ガスを送り込み、連通部１２を介して結ばれた
容器６ｂを介して強制排気し、基板５を容器６ｂ中でオ
ゾン流７に接触するようにした場合には、エツチング速
度の向上が観測された。これは第１図。
第２図における容器６に適用した場合も同様であった。
発明の効果
以上のごとく本発明の凹凸パターン形成方法は、有機材
料面を有する平面基材上に発光波長領域として少なくと
も１Ｂ０ｎｍ＋から２５０ｎｍを有する光束中に、パタ
ーン状に前記光束を透過させるマスクをＷＱ置し前記マ
スクを通過した光束を照射する露光工程と、この後又は
同時に前記有機材料面にオゾンガスをあてる現像工程と
を有するため、従来の塗布、露光、現像がすべて乾式で
おこなえ、よごれの発生をぎわめて低下出来る。又、光
源として短波長光を使用しているから密着露光で０．５
μ糟程度の解像度が得られる等、種々の効果を有してお
り、特にビデオディスク、録再用プリグループ製作用原
盤、ＶＨＤ、ＶＬＰ、ＣＤの製造工程を改善でき、３ｉ
基板上に溝を月成することもてきるため集積回路の！Ｉ
ｊ造工程を改善することができるものである。
料面を有する平面基材上に発光波長領域として少なくと
も１Ｂ０ｎｍ＋から２５０ｎｍを有する光束中に、パタ
ーン状に前記光束を透過させるマスクをＷＱ置し前記マ
スクを通過した光束を照射する露光工程と、この後又は
同時に前記有機材料面にオゾンガスをあてる現像工程と
を有するため、従来の塗布、露光、現像がすべて乾式で
おこなえ、よごれの発生をぎわめて低下出来る。又、光
源として短波長光を使用しているから密着露光で０．５
μ糟程度の解像度が得られる等、種々の効果を有してお
り、特にビデオディスク、録再用プリグループ製作用原
盤、ＶＨＤ、ＶＬＰ、ＣＤの製造工程を改善でき、３ｉ
基板上に溝を月成することもてきるため集積回路の！Ｉ
ｊ造工程を改善することができるものである。
第１図は本発明の具体的な一実施例の形成過程の説明図
、第２図は本発明の伯の実施例の製造過程の説明図、第
３図はオゾン源と現像部を別々にした実施例の説明図で
ある。 １・・・光源、２・・・出力光、３・・・マスク、４・
・・有機簿膜、５・・・基板、６．６ａ 、６ｂ・・・
容器、７・・・オゾン流、８・・・凹凸レリーフ、９・
・・マスク、１０・・・石英、スフ透明部、１１・・・
シャッタ 代理人 森 本 義 弘 第１図 ７−−−尤源 ３−−−マス７ 第Ｚ図
、第２図は本発明の伯の実施例の製造過程の説明図、第
３図はオゾン源と現像部を別々にした実施例の説明図で
ある。 １・・・光源、２・・・出力光、３・・・マスク、４・
・・有機簿膜、５・・・基板、６．６ａ 、６ｂ・・・
容器、７・・・オゾン流、８・・・凹凸レリーフ、９・
・・マスク、１０・・・石英、スフ透明部、１１・・・
シャッタ 代理人 森 本 義 弘 第１図 ７−−−尤源 ３−−−マス７ 第Ｚ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有機材料面を有する平面基材上に、発光波長領域と
して少なくとも１８０ｎｍから２５０ｎｍを有する光束
中にパターン状に前記光束を透過させるマスクを設置し
、前記マスクを通過した光束を照射する露光工程と、こ
の後又は同時に前記有機材料面にオゾンガスをあてる現
像工程とを有することを特徴とする凹凸パターン形成方
法。 ２、オゾンガス発生工程中に酸素濃度を上げオゾン濃度
を上げた雰囲気中に有機材料面をさらすことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の凹凸パターン形成方法。 ３、現像工程では、強制的に有機材料面にオゾンガスを
あてることを特徴とする特許請求の範囲１項記載の凹凸
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3481485A JPS61194661A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 凹凸パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3481485A JPS61194661A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 凹凸パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194661A true JPS61194661A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12424674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3481485A Pending JPS61194661A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 凹凸パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194661A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191639A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Hitachi Ltd | Dry developing method and device |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP3481485A patent/JPS61194661A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57191639A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Hitachi Ltd | Dry developing method and device |
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