JPS61190707A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、薄膜磁気ヘッド、更に詳しくは、磁気特性を
良好にした薄膜磁気ヘッドに関する。

（従来技術） この種の一般的な薄膜磁気ヘッドは、第１図に示すよう
に構成されている。即ち、磁気フェライト、非磁性フェ
ライト、アルミナ、結晶化ガラス等からなる板状の基板
１の左方上面（第１図において）には、パーマロイ薄膜
等からなる下部磁極２が層状に形成されており、この下
部磁極２の上面の左方、約２／３にはアルミナ膜等から
なるギャップ層３が形成されている。このギャップ層３
の上面の右方、約３／４に亘っては、フォトレジストや
ポリイミドなどの有機高分子膜、あるいは蒸着。

ス′ゞツタリ／グｓ　ＣＶ　Ｄ　等Ｋ　ヨルＭ２Ｏ３＃
　Ｓ　ｔ　３Ｎ４膜等からなる下絶縁層４が形成され、
この下絶縁層４の上面には複数本の導体コイル５が形成
されている。この導体コイル５は平面的には渦巻状に配
設されていて、との渦巻の内側の一端は次に述べる導体
５Ｂの左端に接続されており、同じ（外側の他端は電極
（図示せず）に接続されている。

そして、上記導体コイル５の上面および周囲を覆うよう
に上記絶縁層４と同様の素材からなる台形状の上記絶縁
層６が形成されており、この上絶縁層６の上面はパーマ
ロイ薄膜等からなる上部磁極７で覆われている。

また、上記基板１の右方上面（第１図において）には、
上記上下絶縁層６，４と同様の部材からなる下絶縁層４
Ａが形成され、この下絶縁層４Ａの左方上面には複数本
の導体コイル５Ａが形成され、この導体コイル５Ａの上
面および・周囲を上記下絶縁層４Ａと同様の部材からな
る台形状の上絶縁層６Ａが覆っている。また、上記下絶
縁層４への右方上面には電極８が形成され図示しない信
号線が接続されるようになっており、この電極８の左端
から上記上絶縁層６Ａの上面に亘って導体５Ｂが形成さ
れている。そして、この導体５Ｂの左端部と上記下絶縁
層４Ａとの間には、前記導体コイル５の一端がサンドイ
ンチ状に挾まれていて、この導体５Ｂと導体コイル５と
が接続されている。

そして、このように構成されている上記薄膜磁気ヘッド
の左端部を２点鎖線で示すところまで適宜の手段で研摩
し、例えば磁気ディスクへと摺接する摺接面を形成する
（　ＮＩ幻化Ｉ　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８１９８０、７
，７）。

ところで上記薄膜磁気ヘッドの上下絶縁層６，４を形成
する部材としては、従来前述したようなものが用いられ
ていた。しかし、これら部材には夫々次に述べるような
長所短所がある。即ち、有機高分子膜であるフォトレジ
ストあるいはポリイミドはスピナー等の手段により容易
に均一な厚さの膜が得られるものの、上記フォトレジス
トは耐熱性が劣り、物性の安定している温度が２００°
Ｃ以下と限定されるために薄膜磁気ヘッドの製造プロセ
ス上の制約を受けてしまう。また、上記ポリイミドにつ
いては、耐熱性は充分であるもののパター　　　′ン加
工が難しいという欠点がある。

蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の手段により形成され
る薄膜は、耐熱性および付着性ともに充分であるものの
、薄膜の形成過程洗おいて真空プロセスを用いるために
、真空状態をつくるため各種操作が繁雑であり、さらに
真空になるまで待たなくては次の処理を実行できず、成
膜までの時間がかかってしまう。

また、第２図に示すように、所定の間隙で配設されてい
る導体コイル５の上面および周囲を上絶縁／＃６で［５
と、この上絶縁層６で平坦化したにもかかわらず、導体
コイル５が存在する場所と存在しない場所とによ□って
上絶縁層乙の上面に上記導体コイルに対応した凹凸パタ
ーンが生じてしまうことがある。この凹凸を生じた上絶
縁層乙の上面に、上部磁極７が形成されると、この上部
磁極７にも上記上絶縁層６の凹凸に対応した凹凸が発生
してしまうので、薄膜磁気ヘッドの磁気特性が劣化して
しまう。即ち、この磁気特性の劣化を防ぐには上記凹凸
ができるだけ少ない方が望ましい。

この凹凸を少なくするという点に関しては上記有機高分
子膜は、その粘性を高（したり、あるいは塗布膜を厚く
することにより上記凹凸を少なくしたり、無くしたりす
ることはできる。しかし、上記蒸着やスパッタリング等
の手段による場合は、膜厚全体が均一に形成されるので
上記上絶縁層６に発生した凹凸がそのまま上部磁極７の
表面に現われてしま５゜この凹凸を平坦化する手段とし
ては、バイアススパッタ法、リフトオフ法、エッチバッ
ク法等が知られているが、これらの手段な用いると製造
プロセスが増えてしまうという欠点がある。

（目的） 本発明は上述の点に鑑み、導体コイルの有無により発生
する絶縁層上の凹凸を極めて筒単に平坦化した薄膜磁気
ヘッドを提供する釦ある。

（概要） 本発明は上記目的を達成するために、上記絶縁層を５ｉ
０２を主成分とする非晶質膜で形成したことを特徴とす
るものである。

（実施例） 以下、本発明の詳細な説明する。

先ず、本発明の非晶質膜からなる絶縁層の主成分となる
Ｓｉアルコキシドの作成手段について説明する。最初に
テトラエチルオルソシリケート５１（ＯＣ２Ｈ５）　４
にエチルアルコールＣ２Ｈ５０Ｈを加えてテトラエチル
オルソシリケートのアルコール溶液を作成する。次に、
別にエチルアルコールに水と塩酸（触媒）とを加えて作
ったアルコール溶液を用意しておき、このアルコール溶
液を攪拌しながらゆっくりと上記テトラエチルオルソシ
リケートのアルコール溶液に加える。この水と塩酸とを
含むテトラエチルオルソシリケートのアルコール溶液を
２０〜３０°Ｃで放置すると、１０〜３０時間後に粘度
が２，０〜ｉｏ、ｏ　ｃｐ　（センチポアズ）となる。

この粘度が増した溶液を、デツプ、スピナー、スプレー
等の手段により適宜の基板等に塗布した後、室温から徐
々に昇温し１２０〜１５０°Ｃで１０〜３０分間加熱す
ることによりピンホールのない５ｉ０２を主成分とする
透明非晶質膜が得られる。なお、上述の製造プロセスに
おいて、テトラエチルオルソシリケートとエチルアルコ
ールとの溶液、又はこれと別途につくるアルコール溶液
に適当な添加物を加えることによって所望の色を呈する
非晶質膜を作ることもできる。

また、上述の化学反応の過程を反応式で示すと以下のよ
うになる。

Ｓ　ｉ　（ＯＣ２Ｈ５）　４　＋　４Ｈ２０→Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）４　＋　４Ｃ２Ｈ５０Ｈ次に、上述のようにして作
成したＳ１アルコキシドを絶縁層として用いた薄膜磁気
ヘッドの作成手段を第１図を借りて説明する。表面をよ
（研磨した基板１上に、下部磁極２とギャップ層６とを
夫々所定の厚さに成膜した後に、フォトリソグフィ加工
により所定の形状に形成する。次いで、この形成された
部材に前述のエチルオルソシリケートのアルコール溶液
をスピナーを用いて回転塗布し、１４０°Ｃで２０分間
加熱してＳ　ｉ０２を主成分とする非晶質膜な形成する
。この非晶質膜をフッ酸を含む液でエツチングするか、
又は反応性プラズマエツチング等の手段により所定の形
状に加工する。さらに４００〜４５０°Ｃに加熱して安
定な５ｉ０２非晶質膜（但し、この膜の抵抗値は１０　
Ω・ｃｒｒＩ）を得て、これを下絶縁層４とする。

この下絶縁層４の上に導体コイル５を形成した後、再び
上記エチルオルソシリケートのアルコール溶液を塗布後
、熱処理して絶縁膜としての機能と同時に上記導体コイ
ル５の有無による凹凸の平坦化を行なった上絶縁層６を
形成する。この上絶縁層６の上面に上部磁極７を形成し
、エツチング等の手段によりパターニングをして薄膜磁
気ヘッドが得られる。

マタ、上述の薄膜磁気ヘッドの作成プロセスにおいて、
絶縁層の膜厚を厚くしたいときや導体コイルの影響によ
り発生する凹凸の平坦度を上げたいときには、エチルオ
ルソシリケートのアルコール溶液の放置時間を長くして
粘度を高くすればよい。

なお、上述の作成プロセスにおいて、加熱する温度や時
間は限定されるものではなく、これらの温度や時間以外
の数値でも良好な結果を得ることができる。

（効果） 以上説明したように、本発明によれば、絶縁層となるテ
トラエチルオルソシリケートのアルコール溶液の粘度を
調整することにより、導体コイルの有無による凹凸の影
響を簡単に平坦化することができるので、磁気特性の良
好な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。

ｔ　タ、上記絶縁層をスピナーやスプレー等ノ簡易な手
段で形成することができるので製造時間や工数を低減す
ることができ、さらに２００’　Ｃ以下の低い硬化温度
で耐熱性１０００’　ＣのＳ　ｉ０２膜が形成できるの
で製造工程での温度の制限がない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を説明するための一般的な薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す要部断面図、第２図は、上記第１図に
示す導体コイルの有無により発生する凹凸を示す要部拡
大断面図である。 ２・・・・・下部磁極（第１の磁性体層）６・・・・・
ギャップ層 ４・・・・・下絶縁層 ５・・・・・導体コイル ６・・・・・上絶縁層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 第１の磁性体層と、この第１の磁性体層と一端部がギャ
   ップ層を介して接し他端部が直接に接する第２の磁性体
   層と、上記第１、第２の磁性体層により形成された磁気
   回路と鎖交するように配設された導体コイルと、上記第
   １、第２の磁性体層と上記導体コイルとの間を絶縁する
   絶縁層と、を有してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記絶縁層はＳｉＯ＿２を主成分とする非晶質で形成さ
   れていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。