JPS59230772A - 薄膜サ−マルヘツド - Google Patents
薄膜サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS59230772A JPS59230772A JP58105248A JP10524883A JPS59230772A JP S59230772 A JPS59230772 A JP S59230772A JP 58105248 A JP58105248 A JP 58105248A JP 10524883 A JP10524883 A JP 10524883A JP S59230772 A JPS59230772 A JP S59230772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- thermal head
- electrodes
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜サーマルヘッドの層間絶縁膜形成方法に関
する。
する。
従来、サーマルヘッドにおいて多層配線を行うためには
厚膜印刷技術による方法、ポリイミド系層間絶縁膜によ
る方法、テープキャリアによる方法、フレキシブル基板
による方法などが実用化されている。
厚膜印刷技術による方法、ポリイミド系層間絶縁膜によ
る方法、テープキャリアによる方法、フレキシブル基板
による方法などが実用化されている。
その中で比較的簡単に多層配線を行うことができる層間
絶縁膜として、ポリイミド系絶縁膜を使用した例につい
て述べる。
絶縁膜として、ポリイミド系絶縁膜を使用した例につい
て述べる。
第１図に示される如く、第１電極（２）と第２電極（４
）との間にポリイミド系絶縁膜（３）が層間絶縁膜とし
て用いられた例であるが、該絶縁膜に要求される中で重
要な特性としてピンホールの全くないことがあげられる
。仮にピンホールが０．１ケ／！あったとしてもサーマ
ルヘッドにおいては不良品となってしまう。
）との間にポリイミド系絶縁膜（３）が層間絶縁膜とし
て用いられた例であるが、該絶縁膜に要求される中で重
要な特性としてピンホールの全くないことがあげられる
。仮にピンホールが０．１ケ／！あったとしてもサーマ
ルヘッドにおいては不良品となってしまう。
従って、従来はピンホールを減少させる方法としてポリ
イミド系絶縁膜の厚みを数ミクロンコーテングしてピン
ホールの発生を制御していた。しかしながらポリイミド
系絶縁膜を厚くすることはパターン精度を悪くしたり、
スルーホール部の段差が大きくなるために第２電極（４
）と層間絶縁膜（３）との間において段切れを生じやす
くする。また製造工程においてもピンホールを防ぐため
に数回同一工程を繰り返してポリイミド系絶縁膜を形成
するために製造工数の増加になるなどの欠点を有してい
る。
イミド系絶縁膜の厚みを数ミクロンコーテングしてピン
ホールの発生を制御していた。しかしながらポリイミド
系絶縁膜を厚くすることはパターン精度を悪くしたり、
スルーホール部の段差が大きくなるために第２電極（４
）と層間絶縁膜（３）との間において段切れを生じやす
くする。また製造工程においてもピンホールを防ぐため
に数回同一工程を繰り返してポリイミド系絶縁膜を形成
するために製造工数の増加になるなどの欠点を有してい
る。
本発明は上記のような欠点をなくするための方法で、工
程も比較的簡単であり絶縁特性においても優れたサーマ
ルヘッドを提供することができる以下、本発明について
図面に従って詳細説明する。
程も比較的簡単であり絶縁特性においても優れたサーマ
ルヘッドを提供することができる以下、本発明について
図面に従って詳細説明する。
第２図に示される如く、絶縁性基板（１）上には第１電
極（２）が形成されている。一般的には電極材料として
０ｒ−Ａｕ、Ａｔ、Ｏｕなどが用いられる。第１１＆、
極（２）の上にはプラズマＣＶＤ、高周波スパッタなど
により８１０２膜が形成されている。
極（２）が形成されている。一般的には電極材料として
０ｒ−Ａｕ、Ａｔ、Ｏｕなどが用いられる。第１１＆、
極（２）の上にはプラズマＣＶＤ、高周波スパッタなど
により８１０２膜が形成されている。
該８１０２膜形成時にピンホールの全くない膜を形成す
ることは、特に基板が大型化されたサーマルヘッドにお
いては困難である。８１０２自体Ｍ膜として形成された
ものは比較的ポーラスな膜になりやすいからである。
ることは、特に基板が大型化されたサーマルヘッドにお
いては困難である。８１０２自体Ｍ膜として形成された
ものは比較的ポーラスな膜になりやすいからである。
スパッタあるいはプラズマＯＶＤなどにより形成された
５１０２膜はフッ酸系エツチング液でスルホール部のパ
ターンを形成した後、ポリイミド系絶縁膜をスピンナー
などにより塗布し、パターン形成された後高温（４００
°Ｃ）にてキュアし層間絶縁膜となる。該層間絶縁膜の
上には更に第２電極が形成され、第１電極と第２電極と
のコンタクトが行なわれる。
５１０２膜はフッ酸系エツチング液でスルホール部のパ
ターンを形成した後、ポリイミド系絶縁膜をスピンナー
などにより塗布し、パターン形成された後高温（４００
°Ｃ）にてキュアし層間絶縁膜となる。該層間絶縁膜の
上には更に第２電極が形成され、第１電極と第２電極と
のコンタクトが行なわれる。
本発明において層間絶縁膜を２種類の材料で構成した目
的は、薄膜サーマルヘッドにおいては、耐酸化防止膜と
してＳｉＯ□を使用する工程で一部層間絶縁膜としての
８１０２も形成できる点に着目したことである。この５
１０２膜で絶縁をカバーできなかった部分をポリイミド
系絶縁膜で補うことが主目的である。
的は、薄膜サーマルヘッドにおいては、耐酸化防止膜と
してＳｉＯ□を使用する工程で一部層間絶縁膜としての
８１０２も形成できる点に着目したことである。この５
１０２膜で絶縁をカバーできなかった部分をポリイミド
系絶縁膜で補うことが主目的である。
更に絶縁性を上げるために薄膜を２層以上にすることも
可能である。
可能である。
第３図は本発明の実施例である。
絶縁性基板（１）上に印刷−焼成工程を踏んで形成され
たガラスゲレース層（６）がありこの上に抵抗膜（８）
が形成され、更に第１を極（２）が形成、パターニング
される。第１電極が形成された基板に高周波スパッタに
よってＳｉＯ，（，５）ｔ（”’）が形成される。該８
１０２は抵抗膜（８）付近では耐酸化防止膜として働き
、多層配線部では層間絶縁膜の一部としての効果を兼ね
備えている。本実施例ではＳｉｎ、（ｓ）＊ （” ）
は２μ情の厚みで形成された。８１０□膜は必要なスル
ーホール部をフッ酸系エッチ液で形成した後、保護膜（
７）が形成された。多層配線部のポリイミド系絶Ｒ膜と
して、工程の簡略さから感光性材料（東し、フォトニー
ス）が用いられた。厚みとして従来数１０ミクロンの厚
みが必要とされた膜も２〜３ミクロンの厚みで充分絶縁
性を得ることができた。
たガラスゲレース層（６）がありこの上に抵抗膜（８）
が形成され、更に第１を極（２）が形成、パターニング
される。第１電極が形成された基板に高周波スパッタに
よってＳｉＯ，（，５）ｔ（”’）が形成される。該８
１０２は抵抗膜（８）付近では耐酸化防止膜として働き
、多層配線部では層間絶縁膜の一部としての効果を兼ね
備えている。本実施例ではＳｉｎ、（ｓ）＊ （” ）
は２μ情の厚みで形成された。８１０□膜は必要なスル
ーホール部をフッ酸系エッチ液で形成した後、保護膜（
７）が形成された。多層配線部のポリイミド系絶Ｒ膜と
して、工程の簡略さから感光性材料（東し、フォトニー
ス）が用いられた。厚みとして従来数１０ミクロンの厚
みが必要とされた膜も２〜３ミクロンの厚みで充分絶縁
性を得ることができた。
また８１０２絶縁膜（５′）のホール部よりポリイミド
系絶縁膜（３）のホール部を広くすることにより、第２
電極の段切れ対策をとることもできた。
系絶縁膜（３）のホール部を広くすることにより、第２
電極の段切れ対策をとることもできた。
以上のように本発明によれば従来使用されていた薄膜を
絶縁膜の一部として利用することによりポリイミド系絶
縁膜の形成方法を簡単にしかも特性の向上も図ることが
できるなど薄膜サーマルヘッドの多層配線技術として優
れたものである。
絶縁膜の一部として利用することによりポリイミド系絶
縁膜の形成方法を簡単にしかも特性の向上も図ることが
できるなど薄膜サーマルヘッドの多層配線技術として優
れたものである。
第１図はポリイミド系絶縁膜を使用した従来のサーマル
ヘッドの概略断面図である。 第２図は本発明の多層配線部の断面図である。 第３図は本発明実施例の断面図である。 １・・・・・・絶縁性基板 ２・・・・・・第１電極 ３・・・・・・ポリイミド系絶縁Ｊｌｕ４・・・・・・
第２電極 ５．５′・・・・・・５１０２ ６・・・・・・グレース ７・・・・・・保護膜 ８・・・・・・抵抗膜 以 上
ヘッドの概略断面図である。 第２図は本発明の多層配線部の断面図である。 第３図は本発明実施例の断面図である。 １・・・・・・絶縁性基板 ２・・・・・・第１電極 ３・・・・・・ポリイミド系絶縁Ｊｌｕ４・・・・・・
第２電極 ５．５′・・・・・・５１０２ ６・・・・・・グレース ７・・・・・・保護膜 ８・・・・・・抵抗膜 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 第１の電極と窮２の電極との間に層間絶縁膜を形
成してなる薄膜サーマルヘッドにおいて、該層間絶縁膜
が少なくとも２種類以上の材料で構成されていることを
特徴とする薄膜サーマルヘッド。 ２６ 上記材料は、ポリイミド系絶縁膜と８１０２絶
縁膜から構成されていることを特徴とする特許請求の軛
聞第１項記載の薄膜サーマルヘッド。 ３、 上記８１０□絶縁膜は、耐酸化防止膜形成工程時
に形成されることを特徴とする特許請求の範囲給１項記
載の薄膜サーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58105248A JPS59230772A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58105248A JPS59230772A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59230772A true JPS59230772A (ja) | 1984-12-25 |
Family
ID=14402345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58105248A Pending JPS59230772A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 薄膜サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59230772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135973A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-20 | Hitachi Ltd | 感熱ヘツド |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS506281A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-22 | ||
| JPS56157382A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-04 | Hitachi Ltd | Thermal head |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP58105248A patent/JPS59230772A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS506281A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-22 | ||
| JPS56157382A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-04 | Hitachi Ltd | Thermal head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135973A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-20 | Hitachi Ltd | 感熱ヘツド |
| JPH0466705B2 (ja) * | 1984-07-30 | 1992-10-26 | Hitachi Ltd |
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