JPH0969207A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0969207A JPH0969207A JP22147995A JP22147995A JPH0969207A JP H0969207 A JPH0969207 A JP H0969207A JP 22147995 A JP22147995 A JP 22147995A JP 22147995 A JP22147995 A JP 22147995A JP H0969207 A JPH0969207 A JP H0969207A
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- JP
- Japan
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- thin film
- magnetic head
- thin
- magnetic
- film magnetic
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルを埋設した非磁性
材料の平坦化を簡易に行なうとともに非磁性材料として
耐熱性、耐磨耗性、耐収縮性の良いものを選び薄膜磁気
コアのアニールも可能にし、良質の薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【解決手段】磁気ヘッド素子を多数形成した基板１をポ
リテトラフロロエチレンの治具にセットし、セラミック
ス前駆体ポリマー（ポリシラザン）６にアルミナ等のフ
ィラを入れ粘度を調整したものを注入し、セラミックス
前駆体ポリマー６で薄膜コイル５近傍の凹凸部やギャッ
プ近傍を埋め、平坦度をだしたポリテトラフロロエチレ
ン板１２をその部分に当て蓋をして、熱処理をしてアモ
ルファス７化する。その後温度を上げ、薄膜磁気コア２
のアニールをして高透磁率化し、出力特性の良好な磁気
ヘッドを製作する。
材料の平坦化を簡易に行なうとともに非磁性材料として
耐熱性、耐磨耗性、耐収縮性の良いものを選び薄膜磁気
コアのアニールも可能にし、良質の薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【解決手段】磁気ヘッド素子を多数形成した基板１をポ
リテトラフロロエチレンの治具にセットし、セラミック
ス前駆体ポリマー（ポリシラザン）６にアルミナ等のフ
ィラを入れ粘度を調整したものを注入し、セラミックス
前駆体ポリマー６で薄膜コイル５近傍の凹凸部やギャッ
プ近傍を埋め、平坦度をだしたポリテトラフロロエチレ
ン板１２をその部分に当て蓋をして、熱処理をしてアモ
ルファス７化する。その後温度を上げ、薄膜磁気コア２
のアニールをして高透磁率化し、出力特性の良好な磁気
ヘッドを製作する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、面倒な巻線工程を必
要とせず、コイル部分をも集積回路と同様に蒸着、スパ
ッタリング、フォトリソグラフィなどを用いた膜形成技
術によって製造できるという利点がある。図４は従来の
薄膜磁気ヘッドの一例の側断面図である。図示するよう
に磁気ヘッドはガラス、セラミックなどの基板１５の上
に薄膜形成法により下部の薄膜磁気コア２０、磁気ギャ
ップ兼絶縁膜３０、薄膜コイル４０、上部の薄膜磁気コ
ア５０を形成し、これらを保護する保護層７０がその上
に付けられている。下部の薄膜磁気コア２０、上部の薄
膜磁気コア５０は磁気ギャップを挟んで磁気回路を構成
しており、媒体摺動面側にはその磁気ギャップを形成す
る非磁性材料が露出している。図５に示すように薄膜コ
イル４０は下部の薄膜磁気コア２０と上部の薄膜磁気コ
ア５０の接合部を巻いて配置され、その薄膜コイル４０
を埋設して非磁性材料６０が配置されている。そして、
上部の薄膜磁気コア５０や後部の非磁性材料６０の上に
は保護層７０が被着されている。
要とせず、コイル部分をも集積回路と同様に蒸着、スパ
ッタリング、フォトリソグラフィなどを用いた膜形成技
術によって製造できるという利点がある。図４は従来の
薄膜磁気ヘッドの一例の側断面図である。図示するよう
に磁気ヘッドはガラス、セラミックなどの基板１５の上
に薄膜形成法により下部の薄膜磁気コア２０、磁気ギャ
ップ兼絶縁膜３０、薄膜コイル４０、上部の薄膜磁気コ
ア５０を形成し、これらを保護する保護層７０がその上
に付けられている。下部の薄膜磁気コア２０、上部の薄
膜磁気コア５０は磁気ギャップを挟んで磁気回路を構成
しており、媒体摺動面側にはその磁気ギャップを形成す
る非磁性材料が露出している。図５に示すように薄膜コ
イル４０は下部の薄膜磁気コア２０と上部の薄膜磁気コ
ア５０の接合部を巻いて配置され、その薄膜コイル４０
を埋設して非磁性材料６０が配置されている。そして、
上部の薄膜磁気コア５０や後部の非磁性材料６０の上に
は保護層７０が被着されている。
【０００３】このような薄膜磁気ヘッドは、半導体集積
回路と比較すると薄膜コイル４０には高電流を流す必要
があるので膜厚が厚く形成される。したがって、この厚
みのある薄膜コイル４０による凹凸は大きく、この上に
絶縁層を介して凹凸があるままに上部の薄膜磁気コア５
０を形成した場合には磁気特性が著しく劣化してしまう
という欠点があった。それで、この凹部を埋め、平坦化
するために耐熱樹脂６０（例えば、ＡＺ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等）などが使われていた。その場合、高温になる
と変形や樹脂が蒸散してしまったりするので、被着した
磁性薄膜をアニールして高透磁率化するなどは不可能で
あった。また、図６に示すように媒体摺動面に樹脂６０
が露出するので耐磨耗性の点からも問題であった。これ
らの問題を解決すべく特開昭６１ー１８０９１３号報に
提案された発明は、塗布型ＳｉＯ2 系非磁性材料を塗布
し凹凸部を埋めてスピンコート法で平坦化を行ない熱処
理をするものであった。
回路と比較すると薄膜コイル４０には高電流を流す必要
があるので膜厚が厚く形成される。したがって、この厚
みのある薄膜コイル４０による凹凸は大きく、この上に
絶縁層を介して凹凸があるままに上部の薄膜磁気コア５
０を形成した場合には磁気特性が著しく劣化してしまう
という欠点があった。それで、この凹部を埋め、平坦化
するために耐熱樹脂６０（例えば、ＡＺ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等）などが使われていた。その場合、高温になる
と変形や樹脂が蒸散してしまったりするので、被着した
磁性薄膜をアニールして高透磁率化するなどは不可能で
あった。また、図６に示すように媒体摺動面に樹脂６０
が露出するので耐磨耗性の点からも問題であった。これ
らの問題を解決すべく特開昭６１ー１８０９１３号報に
提案された発明は、塗布型ＳｉＯ2 系非磁性材料を塗布
し凹凸部を埋めてスピンコート法で平坦化を行ない熱処
理をするものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、塗布型ＳｉＯ
2 系非磁性材料は熱処理前は非常に粘度が低く数ｃｐｓ
であり、塗布する場所によっては流れてなくなるなど扱
い難いものであり、作業性を上げるために改善が必要が
あった。またＳｉＯ2 系非磁性材料は体積収縮率が大き
く凹凸部を埋めても、熱処理して固化する時に約２０％
収縮し、また隙間が生じたり凹部が生じたりするという
問題もあった。また磁性薄膜をＳｉＯ2 系非磁性材料に
埋設したままアニールしてもアニールの効果が現れなく
透磁率を上げることができなかった。また、摺動面に露
出する部分の耐磨耗性ももう少しの改善が必要であっ
た。一方、耐磨耗性向上のための高硬度材料からなるフ
ィラを用いて、これをワークにスピンコートするとフィ
ラが偏析するという問題もあった。また、フィラ入り非
磁性材料は粘度がある程度大きくなるので凹凸段差部を
平坦にする手段が必要であった。
2 系非磁性材料は熱処理前は非常に粘度が低く数ｃｐｓ
であり、塗布する場所によっては流れてなくなるなど扱
い難いものであり、作業性を上げるために改善が必要が
あった。またＳｉＯ2 系非磁性材料は体積収縮率が大き
く凹凸部を埋めても、熱処理して固化する時に約２０％
収縮し、また隙間が生じたり凹部が生じたりするという
問題もあった。また磁性薄膜をＳｉＯ2 系非磁性材料に
埋設したままアニールしてもアニールの効果が現れなく
透磁率を上げることができなかった。また、摺動面に露
出する部分の耐磨耗性ももう少しの改善が必要であっ
た。一方、耐磨耗性向上のための高硬度材料からなるフ
ィラを用いて、これをワークにスピンコートするとフィ
ラが偏析するという問題もあった。また、フィラ入り非
磁性材料は粘度がある程度大きくなるので凹凸段差部を
平坦にする手段が必要であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題を解決
するため、非磁性材料に埋設されて相互に絶縁保持され
る薄膜磁気コア及び薄膜コイルからなる薄膜磁気ヘッド
であって、上記非磁性材料がＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＣ、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯから成る群から選ばれた
少なくとも一以上の材料からなるフィラを含むセラミッ
クス前駆体ポリマーを重合して得られるアモルファスで
ある薄膜磁気ヘッドを提供する。また、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 、ＳｉＣ、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯから成る群か
ら選ばれた少なくとも一以上の材料からなるフィラを含
むセラミックス前駆体ポリマーを重合して得られるアモ
ルファスである非磁性材料に埋設されて相互に絶縁保持
される磁性薄膜及び薄膜コイルを形成した後に該磁性薄
膜をアニールする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
る。また、薄膜磁気ヘッドの中間構体の凹凸段差部を非
磁性材料により平坦化する工程を含む薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記非磁性材料により平坦化する工
程が液状のＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＴｉＮ、Ａ
ｌＮ、ＭｇＯから成る群から選ばれた少なくとも一以上
の材料からなるフィラを含むセラミックス前駆体ポリマ
ーに前記凹凸段差部を浸漬し、これを加熱処理して固化
する工程である薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
また、前記加熱処理が前記凹凸段差部に平板を当接させ
て行なわれる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。ま
た、前記平板の凹凸段差部当接面がポリテトラフロロエ
チレンからなる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
するため、非磁性材料に埋設されて相互に絶縁保持され
る薄膜磁気コア及び薄膜コイルからなる薄膜磁気ヘッド
であって、上記非磁性材料がＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＣ、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯから成る群から選ばれた
少なくとも一以上の材料からなるフィラを含むセラミッ
クス前駆体ポリマーを重合して得られるアモルファスで
ある薄膜磁気ヘッドを提供する。また、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 、ＳｉＣ、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯから成る群か
ら選ばれた少なくとも一以上の材料からなるフィラを含
むセラミックス前駆体ポリマーを重合して得られるアモ
ルファスである非磁性材料に埋設されて相互に絶縁保持
される磁性薄膜及び薄膜コイルを形成した後に該磁性薄
膜をアニールする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
る。また、薄膜磁気ヘッドの中間構体の凹凸段差部を非
磁性材料により平坦化する工程を含む薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、前記非磁性材料により平坦化する工
程が液状のＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＴｉＮ、Ａ
ｌＮ、ＭｇＯから成る群から選ばれた少なくとも一以上
の材料からなるフィラを含むセラミックス前駆体ポリマ
ーに前記凹凸段差部を浸漬し、これを加熱処理して固化
する工程である薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
また、前記加熱処理が前記凹凸段差部に平板を当接させ
て行なわれる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。ま
た、前記平板の凹凸段差部当接面がポリテトラフロロエ
チレンからなる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図１に
ついて説明する。図１は本発明による薄膜磁気ヘッドの
実施例を示す要部断面図である。単結晶フェライトの基
板１上に形成されて、この単結晶と共に一方の磁気コア
２を構成する磁性薄膜とその磁性薄膜とＣｕ製薄膜コイ
ル５を絶縁する０．３μｍ厚のアルミナ膜の絶縁膜３と
薄膜コイル５の凹凸を埋め互いの絶縁を保持するフィラ
入りアモルファスの非磁性材料７とギャップを形成する
非磁性薄膜８及び、ギャップを介してもう一方の磁気コ
アを構成する磁性薄膜９と、磁性薄膜９等を保護する保
護膜１０から成っている。図２は図１を媒体摺動面から
見た図でｔが磁気ヘッドのトラック幅である。
ついて説明する。図１は本発明による薄膜磁気ヘッドの
実施例を示す要部断面図である。単結晶フェライトの基
板１上に形成されて、この単結晶と共に一方の磁気コア
２を構成する磁性薄膜とその磁性薄膜とＣｕ製薄膜コイ
ル５を絶縁する０．３μｍ厚のアルミナ膜の絶縁膜３と
薄膜コイル５の凹凸を埋め互いの絶縁を保持するフィラ
入りアモルファスの非磁性材料７とギャップを形成する
非磁性薄膜８及び、ギャップを介してもう一方の磁気コ
アを構成する磁性薄膜９と、磁性薄膜９等を保護する保
護膜１０から成っている。図２は図１を媒体摺動面から
見た図でｔが磁気ヘッドのトラック幅である。
【０００７】次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
の一実施例の製造工程を図３で説明する。工程（ａ）で
は、基板１となる単結晶フェライトの主面を鏡面加工し
て、この面にスパッタ装置で磁性薄膜であるＦｅＴａＮ
を５μｍ厚に被着し、次に工程（ｂ）でフォトリソグラ
フィ技術を使って磁性薄膜を加工し、この単結晶基板１
上に多数の下部の磁気コア２を形成する。次に工程
（ｃ）でＡｌ2 Ｏ3 膜を絶縁膜３として下部の薄膜磁気
コア上に０．３μｍ被着し、その上にさらに次層との密
着性を良くするためＣｒ膜（図示せず）をスパッタで
０．１μｍ被着し、そこに、さらにスパッタでＣｕメッ
キの下地膜としてＣｕ膜（図示せず）をスパッタで０．
１５μｍ被着させて、次に工程（ｄ）でミクロファイブ
Ｃｕ２００（ＥＥＪＡ社製商品名）で４μｍ厚にＣｕ膜
４をメッキする。次に工程（ｅ）で、このＣｕ膜４をフ
ォトリソグラフィ技術を使って薄膜コイル５に成形す
る。この薄膜磁気ヘッドの中間構体である薄膜コイル５
を形成したフェライト基板１をプール状の治具１１にセ
ットし、工程（ｆ）でＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、
ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯから成る群から選ばれた少なく
とも一以上の耐磨耗性の大きい材質のフィラ入りの液状
のセラミックス前駆体ポリマー（ポリシラザン＝東燃製
商品名）６を前記磁気コア２、薄膜コイル５等により形
成された凹凸段差部に注入する。耐磨耗性を上げるには
フィラの材質を選んだり、フィラの添加量によって調節
することもできるので希望通りのものを製造することが
できる。 ここではフィラが入っているので従来例で示
したスピンナ塗布ではフィラが遠心力で偏在して収縮率
や硬度が場所によって違いが生じるので浸漬や注入によ
る方法が必要である。この工程では治具のかわりに基板
１の外周位置に耐熱性のある無機接着材などで５μｍ以
上の堤を形成しこの中にポリシラザン等６を注入しても
よい。
の一実施例の製造工程を図３で説明する。工程（ａ）で
は、基板１となる単結晶フェライトの主面を鏡面加工し
て、この面にスパッタ装置で磁性薄膜であるＦｅＴａＮ
を５μｍ厚に被着し、次に工程（ｂ）でフォトリソグラ
フィ技術を使って磁性薄膜を加工し、この単結晶基板１
上に多数の下部の磁気コア２を形成する。次に工程
（ｃ）でＡｌ2 Ｏ3 膜を絶縁膜３として下部の薄膜磁気
コア上に０．３μｍ被着し、その上にさらに次層との密
着性を良くするためＣｒ膜（図示せず）をスパッタで
０．１μｍ被着し、そこに、さらにスパッタでＣｕメッ
キの下地膜としてＣｕ膜（図示せず）をスパッタで０．
１５μｍ被着させて、次に工程（ｄ）でミクロファイブ
Ｃｕ２００（ＥＥＪＡ社製商品名）で４μｍ厚にＣｕ膜
４をメッキする。次に工程（ｅ）で、このＣｕ膜４をフ
ォトリソグラフィ技術を使って薄膜コイル５に成形す
る。この薄膜磁気ヘッドの中間構体である薄膜コイル５
を形成したフェライト基板１をプール状の治具１１にセ
ットし、工程（ｆ）でＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、
ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯから成る群から選ばれた少なく
とも一以上の耐磨耗性の大きい材質のフィラ入りの液状
のセラミックス前駆体ポリマー（ポリシラザン＝東燃製
商品名）６を前記磁気コア２、薄膜コイル５等により形
成された凹凸段差部に注入する。耐磨耗性を上げるには
フィラの材質を選んだり、フィラの添加量によって調節
することもできるので希望通りのものを製造することが
できる。 ここではフィラが入っているので従来例で示
したスピンナ塗布ではフィラが遠心力で偏在して収縮率
や硬度が場所によって違いが生じるので浸漬や注入によ
る方法が必要である。この工程では治具のかわりに基板
１の外周位置に耐熱性のある無機接着材などで５μｍ以
上の堤を形成しこの中にポリシラザン等６を注入しても
よい。
【０００８】そして、いずれの場合にもこの上にポリテ
トラフロロエチレン製で平坦な治具を当接させオーブン
で８５℃で１時間仮焼きし、その後炉に入れ４００℃で
１時間本焼成をすることでセラッミクス前駆体ポリマー
を重合させアモルファスの非磁性材料７に変化させ結果
的に薄膜磁気コア５と薄膜コイル６が非磁性材料７に埋
設されて相互絶縁が可能となる。さらに、この治具の平
坦性が非磁性材料であるアモルファスに転写される。ポ
リテトラフロロエチレンとこのアモルファスは親和性が
ないのできれいに離型でき、工程（ｇ）に示すように薄
膜コイル５による凹凸を埋め簡単に平坦化することがで
きる。この面に工程（ｈ）でそのまま、あるいは必要に
応じて更に鏡面加工をしてガラス、アルミナなど非磁性
薄膜をスパッタ装置や蒸着装置で所定膜厚に、本事例で
は０．２μｍ、被着して磁気ギャップ７を形成し、工程
（ｉ）で、その上にスパッタ装置でＦｅＴａＮを５μｍ
被着させ、フォトリソグラフィ技術で上部の磁気コア９
を形成する。次に、工程（ｊ）でアルミナやガラスなど
で保護層１０を形成して、ＦｅＴａＮ膜のアニールのた
めにアニール炉に入れ５５０℃で１時間アニールをす
る。次に個々の磁気ヘッドに所定位置でダイサーなどで
切断し磁気ヘッドを完成する。
トラフロロエチレン製で平坦な治具を当接させオーブン
で８５℃で１時間仮焼きし、その後炉に入れ４００℃で
１時間本焼成をすることでセラッミクス前駆体ポリマー
を重合させアモルファスの非磁性材料７に変化させ結果
的に薄膜磁気コア５と薄膜コイル６が非磁性材料７に埋
設されて相互絶縁が可能となる。さらに、この治具の平
坦性が非磁性材料であるアモルファスに転写される。ポ
リテトラフロロエチレンとこのアモルファスは親和性が
ないのできれいに離型でき、工程（ｇ）に示すように薄
膜コイル５による凹凸を埋め簡単に平坦化することがで
きる。この面に工程（ｈ）でそのまま、あるいは必要に
応じて更に鏡面加工をしてガラス、アルミナなど非磁性
薄膜をスパッタ装置や蒸着装置で所定膜厚に、本事例で
は０．２μｍ、被着して磁気ギャップ７を形成し、工程
（ｉ）で、その上にスパッタ装置でＦｅＴａＮを５μｍ
被着させ、フォトリソグラフィ技術で上部の磁気コア９
を形成する。次に、工程（ｊ）でアルミナやガラスなど
で保護層１０を形成して、ＦｅＴａＮ膜のアニールのた
めにアニール炉に入れ５５０℃で１時間アニールをす
る。次に個々の磁気ヘッドに所定位置でダイサーなどで
切断し磁気ヘッドを完成する。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明の実施例の特徴を図１及び図
２について説明する。図１は本実施例による薄膜磁気ヘ
ッドを示す要部断面図である。薄膜コイル５の凹凸を埋
めたフィラ入りセラミックス前駆体ポリマー（ポリシラ
ザン＝東燃商品名）６を熱処理して重合させた非磁性材
料７は薄膜コイル５を埋設し絶縁を保持すると同時に、
図２に示すように磁気ヘッド正面図の媒体摺動面に露出
するのでセラミックス系の耐磨耗性を現す。本実施例で
は粒径０．１μｍのＭｇＯを３０ｗｔ％混入した約８０
０ｃｐｓの粘度と体積収縮率４％以下のフィラ入りセラ
ミックス前駆体ポリマー６を使用した。これを８５℃で
１時間仮焼きし、５５０℃で１時間本焼成兼ＦｅＴａＮ
製の薄膜磁性コアのアニールを行い良好な磁気ヘッドを
得ることができた。
２について説明する。図１は本実施例による薄膜磁気ヘ
ッドを示す要部断面図である。薄膜コイル５の凹凸を埋
めたフィラ入りセラミックス前駆体ポリマー（ポリシラ
ザン＝東燃商品名）６を熱処理して重合させた非磁性材
料７は薄膜コイル５を埋設し絶縁を保持すると同時に、
図２に示すように磁気ヘッド正面図の媒体摺動面に露出
するのでセラミックス系の耐磨耗性を現す。本実施例で
は粒径０．１μｍのＭｇＯを３０ｗｔ％混入した約８０
０ｃｐｓの粘度と体積収縮率４％以下のフィラ入りセラ
ミックス前駆体ポリマー６を使用した。これを８５℃で
１時間仮焼きし、５５０℃で１時間本焼成兼ＦｅＴａＮ
製の薄膜磁性コアのアニールを行い良好な磁気ヘッドを
得ることができた。
【００１０】
【発明の効果】セラミックス前駆体ポリマー（ポリシラ
ザン）にフィラを入れているので作業に適当な粘度が得
られ、流れて無くなるようなことがない。また、フィラ
を入れることで体積収縮率が小さくなるので熱処理をし
ても隙間や凹部ができない。また、ポリテトラフロロエ
チレンとアモルファスとの親和性は小さいのでポリテト
ラフロロエチレンの平坦性をそのまま残してコイル上の
アモルファスに平坦面を得ることができるし、フィラが
入っているので耐磨耗性にも優れた薄膜磁気ヘッドを得
ることができる。また、フィラが入っているので体積収
縮が少なく磁性薄膜のアニール効果が損なわれず高透磁
率の薄膜磁気コアが得られ、磁気特性も優れた磁気ヘッ
ドを得ることができる。
ザン）にフィラを入れているので作業に適当な粘度が得
られ、流れて無くなるようなことがない。また、フィラ
を入れることで体積収縮率が小さくなるので熱処理をし
ても隙間や凹部ができない。また、ポリテトラフロロエ
チレンとアモルファスとの親和性は小さいのでポリテト
ラフロロエチレンの平坦性をそのまま残してコイル上の
アモルファスに平坦面を得ることができるし、フィラが
入っているので耐磨耗性にも優れた薄膜磁気ヘッドを得
ることができる。また、フィラが入っているので体積収
縮が少なく磁性薄膜のアニール効果が損なわれず高透磁
率の薄膜磁気コアが得られ、磁気特性も優れた磁気ヘッ
ドを得ることができる。
【図１】 本発明の薄膜磁気ヘッドの側断面図
【図２】 本発明の薄膜磁気ヘッドの媒体摺動面正面図
【図３】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程図
【図４】 従来の薄膜磁気ヘッドの側断面図
【図５】 従来の薄膜磁気ヘッドの正面図
【図６】 従来の薄膜磁気ヘッドの媒体摺動面正面図
２ （下部の）薄膜磁気コア ５ 薄膜コイル ７ 非磁性材料（重合したセラミックス前駆体ポリマ
ー） ９ （上部の）薄膜磁気コア
ー） ９ （上部の）薄膜磁気コア
Claims (5)
- 【請求項１】非磁性材料に埋設されて相互に絶縁保持さ
れる薄膜磁気コア及び薄膜コイルからなる薄膜磁気ヘッ
ドであって、上記非磁性材料がＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、
ＳｉＣ、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯから成る群から選ばれ
た少なくとも一以上の材料からなるフィラを含むセラミ
ックス前駆体ポリマーを重合して得られたものである薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】非磁性材料に埋設されて相互に絶縁保持さ
れる薄膜磁気コア及び薄膜コイルからなる薄膜磁気ヘッ
ド製造方法であって、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、
ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯから成る群から選ばれた少なく
とも一以上の材料からなるフィラを含むセラミックス前
駆体ポリマーを重合して得られる非磁性材料に埋設され
て相互に絶縁保持される磁性薄膜及び薄膜コイルを形成
した後に該磁性薄膜をアニールする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項３】薄膜磁気ヘッドの中間構体の凹凸段差部を
非磁性材料により平坦化する工程を含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、前記非磁性材料により平坦化する
工程がＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＴｉＮ、Ａｌ
Ｎ、ＭｇＯから成る群から選ばれた少なくとも一以上の
材料からなるフィラを含む液状のセラミックス前駆体ポ
リマーに前記凹凸段差部を浸漬し、これを加熱処理して
固化する工程であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項４】前記加熱処理が前記凹凸段差部に平板を当
接させて行なわれることを特徴とする請求項３記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】前記平板の凹凸段差部当接面がポリテトラ
フロロエチレンからなることを特徴とする請求項４記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22147995A JPH0969207A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22147995A JPH0969207A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969207A true JPH0969207A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16767361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22147995A Pending JPH0969207A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969207A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003092350A3 (en) * | 2002-01-07 | 2004-03-25 | Cenymer Corp | Material and method for improved heat dissipation and mechanical hardness for magnetic recording transducers and other electronic devices |
| US7180706B2 (en) * | 2002-07-11 | 2007-02-20 | International Business Machines Corporation | Magnetic heads and semiconductor devices and surface planarization processes for the fabrication thereof |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP22147995A patent/JPH0969207A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003092350A3 (en) * | 2002-01-07 | 2004-03-25 | Cenymer Corp | Material and method for improved heat dissipation and mechanical hardness for magnetic recording transducers and other electronic devices |
| US7180706B2 (en) * | 2002-07-11 | 2007-02-20 | International Business Machines Corporation | Magnetic heads and semiconductor devices and surface planarization processes for the fabrication thereof |
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